专利名称：咔唑聚合物及其制备方法
技术领域：
本发明涉及用于有机电致发光(EL)元件的咔唑聚合物和制备该咔唑聚合物的方法。
背景技术：
有机薄层电致发光(EL)组件由于其自发光提供如优越的视角依赖性和可视性以及节省空间的优势——因为有机薄层EL组件是薄层型全固态组件——而受到关注，并且对其商业化的研究已在继续。但目前，仍有多个方面需要提高，如能量转换效率、发光量子效率和稳定性(设备耐久性)。迄今为止，应用低分子量化合物或聚合物的有机薄层EL组件已有报道。关于应用低分子量化合物的有机薄层EL组件，有报道通过应用多种层压结构提高效率和通过适当控制掺杂方法提高耐久性。但是，在低分子聚集的情况下，层状态经过长时间发生改变，这意味着应用低分子量化合物的有机薄层EL组件具有层稳定性的根本问题。关于应用聚合物材料的有机薄层EL组件，聚对苯乙炔(PPV)系列、聚噻吩等已被广泛研究。但是，这些材料提高纯度具有难度，并且荧光量子产率很低。因此，还未获得应用这些显示高性能的材料的EL组件。鉴于聚合物材料在玻璃状态基本上稳定，如赋予高荧光量子产率，就可构建优异的EL组件。此外，关于层形成方法，尽管真空沉积法一般用于低分子量化合物的情况，但是对于聚合物材料使用涂布法，其在成本方面是优选的。如上所述，其各自具有优势和劣势。此外，利用三线态激子提高效率已被广泛研究(例如，参考T. Tsutsui等.JPN. J. Appl. Phys. Vol. 38L1502,1999年出版)，并且发现发光效率可显著提高。因此，用于发光层的基质材料的报道量已经在增加。其中，代表性的实例是由下列化学结构表示的4， 4’ - 二(咔唑基-9)联苯(CBP)。
权利要求
1.咔唑聚合物，包含化学结构1所示的重复单元
2.根据权利要求1所述的咔唑聚合物，通过双卤素化合物与硼酸衍生物之间的反应进 行制备，所述双卤素化合物由化学结构2表示，以及所述硼酸衍生物由化学结构3表示
3.根据权利要求1所述的咔唑聚合物，其中所述重复単元由化学结构4表示
4.制备根据权利要求1所述的咔唑聚合物的方法，包括使由化学结构2表示的双卤素 化合物与由化学结构3表示的硼酸衍生物反应
全文摘要
包含化学结构1所示的重复单元的咔唑聚合物化学结构1其中R表示脂肪族或脂环族双官能基团，Ar表示芳香烃或杂环双官能基团，以及Ar1表示芳香烃或杂环单官能基团。
文档编号C08G61/12GK102408546SQ20111027250
公开日2012年4月11日 申请日期2011年9月8日 优先权日2010年9月9日
发明者佐佐木正臣, 冈田崇, 匂坂俊也, 原田成之 申请人:株式会社理光