酯化物的制造方法
【专利摘要】根据本发明，提供一种酯化物的制造方法，包括：将碳原子数为5～80的1-烯烃与马来酸酐共聚而得到共聚物的工序，使上述共聚物与碳原子数为5～25的醇在三氟甲磺酸的存在下发生酯化反应而得到含有含选自式(c)～(f)中的至少一个重复单元的酯化物的反应混合物的工序；其中，式(c)～(f)中，R表示碳原子数为3～78的脂肪族烃基，R2表示碳原子数为5～25的烃基，m表示上述1-烯烃(X)与上述马来酸酐(Y)的共聚摩尔比X/Y、且为1/2～10/1，n为1以上的整数。
【专利说明】酯化物的制造方法
[0001] 本发明专利申请是针对申请日为2011年05月25日、申请号为201080025950. 4、 发明名称为"酯化物的制造方法"的申请提出的分案申请。
【技术领域】
[0002] 本发明涉及酯化物的制造方法。更详细而言，涉及用于在半导体元件的密封材料 中使用的酯化物的制造方法。
【背景技术】
[0003] 半导体元件的密封材料中，使用酯化物作为用于改善连续成型性和耐回焊性的添 加剂。这样的酯化物，可由酸酐与1-烯烃的聚合物和醇合成（专利文献1)。
[0004] 由于酸酐与1-烯烃的聚合物和醇反应而得到酯化物的反应迟缓，因此需要催化 齐IJ。专利文献1中使用对甲苯磺酸作为催化剂，进行该反应。但是，这样的磺酸有时残留在 得到的反应生成物中。将这样的残留有对甲苯磺酸的酯化物用作半导体元件的密封材料 时，成为半导体元件的绝缘不良的原因。因此，为了将用专利文献1的方法得到的酯化物用 作半导体元件的密封材料，需要将残留的磺酸类减少至不发生半导体元件的绝缘不良等不 良情况的水平。磺酸类可通过对反应生成物进行清洗而除去，但利用清洗的除去，其操作繁 琐，并且磺酸类的除去效率也不高。另外，进一步进行过度清洗的情况下，有时能够将半导 体元件密封所需要的有助于耐回焊性、脱模性的低分子量的酯化物、1-烯烃除去。
[0005] 专利文献1:日本特愿2010-122191
【发明内容】
[0006] 本发明鉴于上述情况而完成，提供一种精制效率优异的作为半导体元件的密封材 料有用的酯化物的制造方法。
[0007] 根据本发明，能够提供一种酯化物的制造方法，其中，包括：将碳原子数为5?80 的1-烯烃与马来酸酐共聚而得到共聚物的工序，使上述共聚物与碳原子数为5?25的醇 在三氟甲磺酸的存在下发生酯化反应而得到含有包含选自式（c)?（f)中的至少一个重复 单元的酯化物的反应混合物的工序。
[0008]
【权利要求】
1. 一种酯化物的制造方法，其中，包括： 将碳原子数为5?80的1-烯烃与马来酸酐共聚而得到共聚物的工序， 使所述共聚物与碳原子数为5?25的醇在三氟甲磺酸的存在下发生酯化反应，得到含 有包含选自式（c)?（f)中的至少一个重复单元的酯化物的反应混合物的工序；
式（c)?（f)中，R表示碳原子数为3?78的脂肪族烃基，R2表示碳原子数为5?25 的烃基，m表示所述1-烯烃（X)与所述马来酸酐（Y)的共聚摩尔比X/Y、且为1/2?10/1， η为1以上的整数。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，还包括在得到含有酯化物的反应混合物的所述 工序后，通过减压处理除去游离三氟甲磺酸的工序。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应混合物含有所述碳原子数为5?80的 1_稀煙。
4. 根据权利要求3所述的方法，其中，利用GPC测定的所述反应混合物中的所述碳原子 数为5?80的1-烯烃的含有比例为8质量％?20质量％。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述1-烯烃是碳原子数为28?60的1-烯烃。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述醇为硬脂醇。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中，相对于所述共聚物与所述碳原子数为5?25的 醇的总质量，所述三氟甲磺酸为lOOppm?lOOOppm的量。
【文档编号】C08F210/14GK104250313SQ201410406413
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2011年5月25日 优先权日:2010年5月28日
【发明者】田部井纯一, 曾根嘉久, 村田清贵, 高桥航 申请人:住友电木株式会社, 爱沃特株式会社