一种利用氯基CVD晶体薄膜生长制程尾气FTrPSA制备甲基氯硅烷类有机硅方法与流程

技术总结
本发明公开了一种利用氯基CVD晶体薄膜生长制程尾气FTrPSA制备甲基氯硅烷类有机硅方法，通过预处理、中温变压吸附、中常温变压吸附浓缩、直接合成、粗单体精馏、氯硅烷喷淋吸收、多级蒸发/压缩/冷凝与氯硅烷中浅冷精馏工序，利用一种基于甲基氯硅烷类有机硅为前驱物的氯基SiC


技术研发人员：汪兰海 钟娅玲 钟雨明 陈运 唐金财 蔡跃明
受保护的技术使用者：浙江天采云集科技股份有限公司
技术研发日：2020.12.23
技术公布日：2021/4/13