后，将所制备出的树脂组合物形成为片状。作为该形成方法，可列举例如：将所制备 出的树脂组合物挤出成形而形成为片状的方法（混炼挤出）；或将所制备出的树脂组合物 溶解或者分散于有机溶剂等而制备清漆，通过将此清漆涂布于聚酯等的基材上并使其干燥 从而制造片的方法（溶剂涂布）等。在溶剂涂布中，将所得到的片状热固化性树脂组合物 应需要层叠多层，而得到规定厚度的片状热固化性树脂组合物。需要说明的是，也可在片状 热固化性树脂组合物的表面，应需要，为了保护片状热固化性树脂组合物的表面而贴合聚 酯薄膜等的剥离片，在密封时进行剥离。
[0075] 作为制备清漆时所使用的有机溶剂，例如，可使用甲乙酮、丙酮、环己酮、二噁烷、 二乙基酮、甲苯、乙酸乙酯等。他们可单独或可将二种以上合并使用。另外，通常，优选以使 清漆的固体成分浓度成为60~90重量％的范围的方式使用有机溶剂。
[0076] 通过混炼挤出来制造本发明的片状热固化性树脂组合物，由此可容易地成形为片 状，可制成空隙（气泡）等少且均匀的片。
[0077] 作为通过混炼挤出进行制造的方法，可列举例如：通过使用混合辊、加压式捏合 机、挤出机等的周知的混炼机来熔融混炼上述各成分而制备混炼物，将所得到的混炼物挤 出而成形为片状的方法等。
[0078] 作为混炼条件，温度优选为上述各成分的软化点以上，例如，30~150°C，若考虑 环氧树脂的热固化性，则优选为40~140°C，更优选为60~120°C。时间例如为1~30分 钟，优选为5~15分钟。由此，可制备混炼物。
[0079] 将所得到的混炼物通过挤出成形而成形，由此可得到片状热固化性树脂组合物。 具体而言，不将熔融混炼后的混炼物冷却，而直接在高温状态下，进行挤出成形，由此可将 片状热固化性树脂组合物成形。作为这样的挤出方法，并无特别限制，可列举：平板压制法、 T模挤出法、辊压延法、辊混炼法、吹塑挤出法、共挤出法、压延成形法等。作为挤出温度， 优选为上述各成分的软化点以上，若考虑环氧树脂的热固化性及成形性，则例如为40~ 150°C，优选为50~140°C，进一步优选为70~120°C。依据以上方式，可将片状热固化性 树脂组合物成形。
[0080] 本发明的片状热固化性树脂组合物的厚度虽无特别限定，但优选为0.1 mm~1_， 更优选为〇. Imm~〇. 7mm。若为上述范围内，则可良好地密封电子部件。
[0081] 本发明的片状热固化性树脂组合物满足美国UL标准的阻燃性标准（UL94V-0)。
[0082] 本发明的片状热固化性树脂组合物的固化前的粘度优选在40°C时为5 X IO5Pa · s 以下。若为5X105Pa*s以下，则加工为片状或卷状的加工性优异，而能够制造成片状及卷 状。该粘度的下限虽无特别限定，但优选为3X102Pa，s以上。若为3X102Pa，s以上，则 处理性优异。
[0083] 本发明的片状热固化性树脂组合物的固化前的粘度优选在90°C时为5 X IO3Pa · s 以下。若为5X103Pa*s以下，则可得到良好的成型性。该粘度的下限虽无特别限定，但优 选为3 X IO2Pa · s以上。若为3 X IO2Pa · s以上，则能够在维持树脂的方形的情况下成型。 [0084] 固化前的粘度可以利用实施例记载的方法测量。
[0085] 本发明的片状热固化性树脂组合物，在150°C加热1小时使其固化后的常温下的3 点弯曲强度为SOMPa以上。若为SOMPa以上，则树脂不易破裂而可得到高可靠性的树脂密 封型半导体装置。该3点弯曲强度优选为IOOMPa以上。
[0086] 该3点弯曲强度的上限虽无特别限定，但例如为200MPa以下，优选为ISOMPa以 下。若为200MPa以下，则固化物的加工性优异。
[0087] 该3点弯曲强度可以利用实施例记载的方法测量。需要说明的是，在本说明书中， 常温指23°C。
[0088] 需要说明的是，3点弯曲强度可利用阻燃剂的种类、二氧化硅的含量、热固化性树 脂的含量、环氧树脂的环氧当量、酚醛树脂的羟基当量等而控制。例如，可通过使用磷腈系 阻燃剂、将二氧化硅增量、将热固化性树脂增量、使用环氧当量大的环氧树脂、使用羟基当 量大的酚醛树脂等，而提高3点弯曲强度。
[0089] 本发明的片状热固化性树脂组合物使用于半导体晶片、半导体芯片、电容器、电阻 等电子部件的密封。其中，可适宜使用于半导体晶片、半导体芯片的密封。本发明的片状热 固化性树脂组合物可作为用以保护电子部件及附属于其的要素不受外部环境破坏的密封 树脂而发挥功能。
[0090] 密封方法并无特别限定，可利用以往周知的方法来密封。例如，以将电子部件埋入 片状热固化性树脂组合物的方法、用经软化的片状热固化性树脂组合物覆盖电子部件的方 法为代表。
[0091] 例如，通过平行平板方式将具备芯片暂固定体、和配置于芯片暂固定体上的片状 热固化性树脂组合物的层叠体进行热压制，由此可将电子部件埋入片状热固化性树脂组合 物，该芯片暂固定体具备支承板、层叠于支承板上的暂固定材料及暂时固定于暂固定材料 上的半导体芯片。支承板的材料并无特别限定，例如为SUS等金属材料、聚酰亚胺、聚酰胺 酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚砜等的塑料材料等。暂固定材料无特别限定，从可容易地剥离的理 由出发，通常，使用热发泡性粘合剂等热剥离性粘合剂等。
[0092] 例如，通过平行平板方式对具备基板、配置于基板上的电子部件及配置于电子部 件上的片状热固化性树脂组合物的层叠结构体进行热压制，由此可将电子部件埋入片状热 固化性树脂组合物。基板并无特别限定，可列举例如玻璃布基材环氧树脂覆铜箔层压板、铁 镍合金板、半导体晶片等。
[0093] 可以通过以覆盖基板上的电子部件的方式载置片状热固化性树脂组合物，使片状 热固化性树脂组合物热固化，从而将电子部件密封。
[0094] 通过这样的方法得到的树脂密封型半导体装置的阻燃性、固化后的强度优异，且 可靠性高。
[0095] 实施例
[0096] 以下，关于本发明使用实施例进行详细地说明，但本发明只要不脱离其主旨，则不 受以下的实施例所限定。另外，在各例中，只要无特别记述则"份"皆为重量基准。
[0097] 针对实施例所使用的成分进行说明。
[0098] 环氧树脂：新日铁化学公司制的YSLV-80XY(双酚F型环氧树脂：环氧当量191、软 化点80°C )
[0099] 酚醛树脂：明和化成公司制的MEH7851SS(苯酚芳烷基树脂：羟基当量203、软化点 67 0C )
[0100] 催化剂：四国化成工业公司制的2PHZ-PW(咪唑系催化剂）
[0101] 球状熔融二氧化硅：电气化学工业公司制的FB-9454(熔融球状二氧化硅、平均粒 径 20 μ m)
[0102] 碳黑：三菱化学公司制的#20
[0103] 硅烷偶联剂：信越化学公司制的KBM-403 (3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷）
[0104] 弹性体（热塑性树脂）：kaneka公司制的SIBSTER 072T (苯乙烯-异丁烯-苯乙 烯嵌段共聚物）
[0105] 阻燃剂A:伏见制药所制的FP-100(磷腈系阻燃剂：式⑷所表示的化合物）
[0106] 【化4】
[0107]
[0108] (式中，m表示3~4的整数。）
[0109] 阻燃剂B :Tateho化学工业公司制的Z-IO (阻燃剂用氢氧化镁）
[0110][树脂片的制作