，VT为阈值电压，W为沟 道宽度，L为沟道长度，Q为介电层的电容。
[0079] 实施例1:
[0080] 本实施例所采用半导体活性材料聚合物H)PPTT如式III所示。
[0081] 所采用的添加剂四甲基碘化铵如式VI所示：
[0082]
[0083] 1.聚合物PDPPIT合成参照已报道文献（2.￥.0^11，]\111^6，1?.5.4811抑尺￥. Gu,S.Albert-Seifried,M.M.Nielsen,B.Schroeder,T.D.Anthopoulos,M.Heeney,I. McCulloch,H.Sirringhaus.High-performanceambipolardiketopyrrolopyrrole-Thien o[3,2_b]thiophenecopolymerfield-effecttransistorswithbalancedholeand electronmobilities.Adv.Mater.，2012, 24, 647-652.)。合成的PDPPIT重均分子量为 225KDa，分散系数为2. 72。
[0084] 2.混合添加剂聚合物薄膜器件的制备
[0085] 采用底栅底接触的晶体管结构。高掺杂硅作为栅极，利用高温法在其上制备一层 300nm厚的二氧化娃作为介电层，电容为9nFcm2。
[0086] 在二氧化硅上修饰单分子修饰层（十八烷基三氯硅烷，0TS):将硅片在丙酮和去 离子水中分别超声3次，每次5分钟。再浸入硫酸双氧水混合溶液中（2/1，v/v)，水浴100°C 煮沸20分钟。用去离子水冲洗3次，超声3次，每次5分钟，再用异丙醇超声清洗1次，5分 钟，用氮气枪（高纯氮）吹干。把吹干的硅片放置在真空干燥箱中80°C真空干燥30分钟，将 十八烷基三氯硅烷用毛细管取2y1滴在表面皿中间，重新再真空干燥箱中125°C保持240 分钟，降至室温后取出。分别用三氯甲烷，正己烷，异丙醇超声清洗（5分钟）硅片表面多余 的十八烷基三氯硅烷（0TS)，用氮气枪吹干待用。
[0087] 金电极采用掩膜板的方法，真空蒸镀成器件图案。沟道长（L)和宽（W)分别为80 微米和8800微米。
[0088] PDPPTT/We4I混合膜的制备：向热的聚合物邻二氯苯溶液（5.Omg/mL，100°C) 以混合比例为1 :30(添加剂与聚合物链节的摩尔比）加入含有添加剂的二甲亚砜溶液 (75mmg/mL)，在保持100°C搅拌3分钟，然后将热的混合溶液滴到加热的硅片上，以2000rpm 旋涂成膜。底栅底接触型四甲基碘化铵添加的roPPTT场效应晶体管器件制作完成。器件 的结构如图1A所示。
[0089] 为了对比添加效果，以类似的器件制备方法制作本体roPPTT底栅底接触型场效 应器件。
[0090] 实施例2 :
[0091] 本实施例所采用半导体活性材料聚合物H)PP4T如式V所示。
[0092] 所采用的添加剂如式VII所示：
[0093]
[0094] 1.聚合物PDPP4T合成参照已报道文献（J.Am.Chem.Soc，2011，133,10364)。合成 的TOPP4T重均分子量为271KDa，分散系数为2. 5。
[0095] 2.混合添加剂聚合物薄膜器件的制备
[0096] 采用底栅底接触的晶体管结构。高掺杂硅作为栅极，利用高温法在其上制备一层 300nm厚的二氧化娃作为介电层，电容为9nFcm2。
[0097] 在二氧化硅上修饰单分子修饰层（十八烷基三氯硅烷，0TS):将硅片在丙酮和去 离子水中分别超声3次，每次5分钟。再浸入硫酸双氧水混合溶液中（2/1，v/v)，水浴100°C 煮沸20分钟。用去离子水冲洗3次，超声3次，每次5分钟，再用异丙醇超声清洗1次，5分 钟，用氮气枪（高纯氮）吹干。把吹干的硅片放置在真空干燥箱中80°C真空干燥30分钟，将 十八烷基三氯硅烷用毛细管取2y1滴在表面皿中间，重新再真空干燥箱中125°C保持240 分钟，降至室温后取出。分别用三氯甲烷，正己烷，异丙醇超声清洗（5分钟）硅片表面多余 的十八烷基三氯硅烷（0TS)，用氮气枪吹干待用。
[0098] 金电极采用掩膜板的方法，真空蒸镀成器件图案。沟道长（L)和宽（W)分别为80 微米和8800微米。
[0099] PDPP4T/PyCH3I混合膜的制备：向热的聚合物邻二氯苯溶液（5.Omg/mL，100°C)以 混合比例为1 :30(添加剂与聚合物链节的摩尔比）加入含有添加剂的DMF溶液（50mmg/ mL)，在保持100°C搅拌3分钟，然后将热的混合溶液滴到加热的硅片上，以2000rpm旋涂成 膜。底栅底接触型甲基吡啶碘盐添加的TOPP4T场效应晶体管器件制作完成。器件的结构 如图1A所示。
[0100] 为了对比添加效果，以类似的器件制备方法制作本体TOPP4T底栅底接触型场效 应器件。
[0101] 实施例3:
[0102] 采用如实施例2类似的方法制备场效应器件，其中，本实施例所采用半导体活性 材料聚合物TOPP3T如式IV所示。所采用的添加剂如式VIII所示：
[0103]
[0104] 实施例4:本发明所制备混合添加剂型聚合物薄膜GIXRD的测量
[0105] 依据类似实施例1中的方法在0TS修饰过的硅基片上用旋涂的方式制备混合四甲 基碘化铵的roPPTT薄膜，添加比例（添加剂与聚合物链节的摩尔比）为1:30。用同步辐射 光源进行GIXRD测试，使用光波长为1,2398A。得到混合前后薄膜的GIXRD图谱如图2所 不。
[0106] 可以明显看出，混合前roPPTT只有两个衍射峰，分别在2 0为3. 73°和一个弱 的峰2 0为7.18°，得出相对应的层层间距为19.1A。而混合后的GIXRD图谱显示有四 个衍射峰，除了第一个很强的峰（2 0 = 3. 6° )外，还有三个衍射峰（2 0 = 7. 08°，2 0 = 10. 5°和2 0 = 13. 96° )，通过布拉格公式计算得到这四个衍射峰分别为Qz方向上的 100,200,300和400衍射峰，由此计算出的层间距为丨9.7A。这充分显示了混合四甲基碘化 铵的roPPTT薄膜具有更加有序的堆积结构。而且混合添加后，层间距增加了 0.6人，说明 混合可能导致烷基链长度增加，在H)PPTT和添加roPPTTA#e4I(30:1)的GIXRD图谱上，我 们并没有在Qxy的方向观察到峰的出现，这说明聚合物分子可能以edge-on的方式排列在 基底上。
[0107] 实施例5 :本发明所制备混合添加剂聚合物薄膜形貌分析测量
[0108] 依据类似实施例1中的方法在0TS修饰过的硅基片上用旋涂的方式制备混合四甲 基碘化铵的roPPTT薄膜，添加比例（添加剂与聚合物链节的摩尔比）为1:30。形貌分析在 NanoscopeVAFMInstruments上表征。图 3 给出了PDPPIT和混合PDPPIT/NMe4I(30:1) 的AFM高度图和相图。
[0109] 通过AFM测量发现混合前后聚合物纤维的宽度都为8-10nm，但是混合后明显可以 看到聚合物纤维的聚集程度大大增加，形成更大的聚集体，这非常有利于半导体材料载流 子的传输。
[0110] 实施例6 :在空气中进行实施例1的场效应器件的性能测试，所用仪器为 Keithley4200SCS半导体测试仪。其混合前后的输出曲线和转移曲线如图4所示。可以看 出，roPPTT是典型的p-型半导体聚合物。利用旋涂方法新制作的场效应晶体管器件能达 到Ucn^Vis1的空穴迀移率。
[0111] 添加了四甲基碘化铵的聚合物roPPTT场效应器件开态电流明显提高，关态电流 也有所提尚，添加后的开关比几乎没有变化。迁移率由〇. 8cm2VS1提尚到19. 5cm2Vk、 亚阈值斜率明显降低，器件的开启速度大大提高。由结果可以看出，通过对活性层的添加， 可以大大提升聚合物薄膜场效应晶体管的性能。
[0112] 实施例7 :在空气中进行实施例2的场效应器件的性能测试，所用仪器为 Keithley4200SCS半导体测试仪。其混合前后的转移曲线如图5所示。可以看出，PDPP4T是 典型的P-型半导体聚合物。利用旋涂方法新制作的场效应晶体管器件能达到0. 19cm2Vk1 的空穴迀移率。
[0113] 添加了甲基吡啶碘盐的聚合物TOPP4T场效应器件开态电流明显提高，关态电流 也有所提尚，添加后的开关比几乎没有变化。