一种半导体材料无有毒物质残留的机械抛光剂的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种半导体材料无有毒物质残留的机械抛光剂，包括下列重量份数的物质：二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，聚乙烯醇2-3份，二氧化硅4-5份，过氧化氢7-9份，硫酸锌1-3份，硫酸镁2-4份，硬脂酸钙3-8份，硬脂酸4-13份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，pH调节剂1-3份。本发明的有益效果是：配方简单、制作容易，其可在半导体加工的化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，从而达到平坦化的目的。
【专利说明】一种半导体材料无有毒物质残留的机械抛光剂
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体材料无有毒物质残留的机械抛光剂。
【背景技术】
[0002]化学机械抛光是随着集成电路的工业发展成长起来的，其基本目的就是通过抛光过程获得近乎完美的晶体表面结构，用于集成电路的制造，随着集成电路工业技术指标的提高，线宽的不断缩小，可靠程度的要求越来越高，对抛光晶片的表面缺陷也要求越来越少，而且对表面的平整度，粗糙度，氧化层厚度及均匀性等等方面提出了非常严格的要求，这就促进了广泛应用于各种半导体晶片抛光过程中的化学机械抛光工艺及相关设备的不断发展和进步。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体材料无有毒物质残留的机械抛光剂。
[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是:
一种半导体材料无有毒物质残留的机械抛光剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，聚乙烯醇2-3份，二氧化硅4-5份，过氧化氢7-9份，硫酸锌1-3份，硫酸镁2-4份，硬脂酸钙3_8份，硬脂酸
4-13份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，PH调节剂1_3份。
·[0005]本发明的有益效果是:配方简单、制作容易，其可在半导体加工的化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，从而达到平坦化的目的。
【具体实施方式】
[0006]实施例1
一种半导体材料无有毒物质残留的机械抛光剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6_7份，聚乙烯醇2_3份，二氧化硅4-5份，过氧化氢7-9份，硫酸锌1-3份，硫酸镁2-4份，硬脂酸钙3_8份，硬脂酸
4-13份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，PH调节剂1_3份。
【权利要求】
1.一种半导体材料无有毒物质残留的机械抛光剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6_7份，聚乙烯醇2_3份，二氧化硅4-5份，过氧化氢7-9份，硫酸锌1-3份，硫酸镁2-4份，硬脂酸钙3_8份，硬脂酸4-13份，云母粉6-10份 ，空心玻璃微珠2-8份，PH调节剂1_3份。
【文档编号】C09G1/02GK103436186SQ201310387811
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年8月31日 优先权日:2013年8月31日
【发明者】张竹香 申请人:青岛承天伟业机械制造有限公司