一种水性网漏印抗电镀抗蚀刻油墨的制作方法
【专利说明】
[0001]技术领域:
本发明涉及油墨技术领域，具体涉及一种水性网漏印抗电镀抗蚀刻油墨。
[0002]【背景技术】:
丝网漏印油墨都是纯手工操作使用的，每个和油墨亲密接触的丝印工每小时才能使用二 KG油墨左右，这样油墨中的有机溶剂对使用者的身体造成很大的伤害。
[0003]传统的溶剂型丝网漏印抗电镀电蚀刻油墨中的有机溶剂对使用操作者的人身伤害和对大气环境的影响很大，且油墨原料成本高，后续的废气处理工序繁琐，且成本高。
[0004]
【发明内容】
:
本发明的目的是提供一种水性网漏印抗电镀抗蚀刻油墨，它完全不含有机溶剂，无令人不适的气味，同时用自来水代替溶剂降低了原料成本和废气处理成本。
[0005]为了解决【背景技术】所存在的问题，本发明是采用以下技术方案:它的成份质量百分比为:完全不溶的丙烯酸树脂30-60%、水性染料0.2-1%、滑石粉20-50%、自来水20_40%、彭润土 0.1_5%、水性消泡剂0.1-1%、助剂1_5%、胺基树脂5-15%。
[0006]作为优选，所述的滑石粉为表面改性的亲水型的滑石粉。
[0007]作为优选，所述的丙烯酸树脂的制作步骤为:1、用苯乙烯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、自由基引发剂、分子量调节剂在有机溶剂下进行深液聚合成酸值60-150、分子量在2000-4000、TG值在70-90的丙烯酸树脂；
2、再采用真空蒸馏的方式分离掉溶剂，得到固体的丙烯酸树脂；
3、再将上述的树脂和自来水、胺水按30-40:30-50:5_10的比列在70度的温度下搅拌约60分钟至液体清澈透明为止。
[0008]本发明的有益效果:它完全不含有机溶剂，无令人不适的气味，同时用自来水代替溶剂降低了原料成本和废气处理成本。
[0009]【具体实施方式】:
本【具体实施方式】采用以下技术方案:它的成份百分比为:完全不溶的丙烯酸树脂30-60%、水性染料0.2-1%、滑石粉或硫酸钡20-50%、自来水20_40%、彭润土 0.1_5%、水性消泡剂0.1-1%、助剂1_5%、胺基树脂5-15%。
[0010]所述的丙烯酸树脂的制作步骤为:1、用苯乙烯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、自由基引发齐U、分子量调节剂在有机溶剂下进行深液聚合成酸值60-150、分子量在2000-4000、TG值在70-90的丙烯酸树脂；
3、再采用真空蒸馏的方式分离掉溶剂，得到固体的丙烯酸树脂；
3、再将上述的树脂和自来水、胺水按30-40:30-50:5_10的比列在70度的温度下搅拌约60分钟至液体清澈透明为止。
[0011]本【具体实施方式】用水代替有机溶剂，做成可不改变使用工艺、设备完全替代传统丝网漏印油墨的水性网漏印抗电镀抗蚀刻油墨。
[0012]本【具体实施方式】的有益效果:它安全、环保，完全不含有机溶剂，无令人不适的气味，同时用自来水代替溶剂降低了原料成本和废气处理成本。
[0013] 以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种水性网漏印抗电镀抗蚀刻油墨，其特征在于它的成份质量百分比为:完全不溶的丙烯酸树脂30-60%、水性染料0.2-1%、滑石粉20-50%、自来水20_40%、彭润土 0.1_5%、水性消泡剂0.1-1%、助剂1_5%、胺基树脂5-15%。
2.根据权利要求1所述的一种水性网漏印抗电镀抗蚀刻油墨，其特征在于所述的丙烯酸树脂的制作步骤为:(I)、用苯乙烯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、自由基引发剂、分子量调节剂在有机溶剂下进行深液聚合成酸值60-150、分子量在2000-4000、TG值在70-90的丙烯酸树月旨; (2)、再采用真空蒸馏的方式分离掉溶剂，得到固体的丙烯酸树脂； (3)、再将上述的树脂和自来水、胺水按30-40:30-50:5_10的比列在70度的温度下搅拌约60分钟至液体清澈透明为止。
【专利摘要】一种水性网漏印抗电镀抗蚀刻油墨，它涉及油墨技术领域，它的成份质量百分比为：完全不溶的丙烯酸树脂30-60%、水性染料0.2-1%、滑石粉20-50%、自来水20-40%、彭润土0.1-5%、水性消泡剂0.1-1%、助剂1-5%、胺基树脂5-15%。它完全不含有机溶剂，无令人不适的气味，同时用自来水代替溶剂降低了原料成本和废气处理成本。
【IPC分类】C09D11-103, C09D11-107, C09D11-03
【公开号】CN104559473
【申请号】CN201510047204
【发明人】杨忠平, 张海深
【申请人】河源诚展科技有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月30日