一种半导体存储器制作模具的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供的一种半导体存储器制作模具，内部注入环氧化树脂包括：上模具；对应盖合所述上模具的下模具，形成有供所述环氧化树脂流动的空间，所述下模具设有基板定位杆，所述基板定位杆一端设有向外岔开的至少一对定位件，所述定位件之间留有用于设置固定件的空隙，所述固定件用于固定所述基板；其中，所述基板背面朝上地与所述固定件相固定；由于基板背面的流速要快于正面，使得基板背面的压力大于正面，从而向下压制住而不会有树脂流出。
【专利说明】一种半导体存储器制作模具
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体封装【技术领域】，特别是涉及一种半导体存储器制作模具。
【背景技术】
[0002]随着内存芯片体积减小，在使用基板的设计和芯片粘贴位置，封装设备使用现有模具作业时，环氧化树脂的流动不符合新产品的要求，导致树脂溢出到基板封装外侧，造成大量不良品产生。
【发明内容】
[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体存储器制作模具，解决现有环氧树脂注塑模具中树脂溢出的问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体存储器制作模具，内部注入环氧化树脂，所述模具包括:上模具；对应盖合所述上模具的下模具，形成有供所述环氧化树脂流动的空间，所述下模具设有基板定位杆，所述基板定位杆一端设有向外岔开的至少一对定位件，所述定位件之间留有用于设置固定件的空隙，所述固定件用于固定所述基板；其中，所述基板背面朝上地与所述固定件相固定。
[0005]优选的，所述环氧化树脂在所述基板背面的流速大于在所述基板正面的流速，以使对所述基板背面的施加压力大于对所述基板正面的施加压力。
[0006]优选的，所述固定件剖面形状包括:平行的上、下直线边；左侧连接所述上、下直线边的外凸的弧边；以及右侧连接所述上下边的直线边。
[0007]优选的，所述上模具设有排气通道。
[0008]如上所述，本实用新型提供的一种半导体存储器制作模具，内部注入环氧化树脂包括:上模具；对应盖合所述上模具的下模具，形成有供所述环氧化树脂流动的空间，所述下模具设有基板定位杆，所述基板定位杆一端设有向外岔开的至少一对定位件，所述定位件之间留有用于设置固定件的空隙，所述固定件用于固定所述基板；其中，所述基板背面朝上地与所述固定件相固定；由于基板背面的流速要快于正面，使得基板背面的压力大于正面，从而向下压制住而不会有树脂流出。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1显示为本实用新型的半导体存储器制作模具中下模具的一实施例的结构示意图。
[0010]图2显示为本实用新型的半导体存储器制作模具中定位件的一实施例的结构示意图。
[0011]图3显示为本实用新型的半导体存储器制作模具中固定件的一实施例的结构示意图。
[0012]图4显示为本实用新型的半导体存储器制作模具中上模具的一实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
[0014]请参阅图1至图4，本实用新型提供一种半导体存储器制作模具，内部注入环氧化树脂，所述模具包括:下模具2及上模具I。
[0015]如图1所示，所述下模具2，形成有供所述环氧化树脂流动的空间，所述下模具2设有基板定位杆21，再如图2所示，所述基板定位杆21 —端设有向外岔开的至少一对定位件211，所述定位件211之间留有用于设置固定件22的空隙，所述固定件22用于固定所述基板；其中，所述基板背面朝上地与所述固定件22相固定。
[0016]优选的，所述环氧化树脂在所述基板背面的流速大于在所述基板正面的流速，以使对所述基板背面的施加压力大于对所述基板正面的施加压力，从而向下压制住而不会有树脂流出，对现有模具进行改造和改变接料传送部件接料方式，使环氧化树脂流向变更，确保品质稳定，从而在性能上达到了国内外同类产品无法比拟的效果，由于基板需要逆向放置，需要对封装设备传送系统进行改造，确保基板编号能够被识别系统识别的情况下，改变接料传送部件接料方式，达到基板逆向放置的效果；在实际试验中，通过基板逆向放置，改变环氧化树脂高温熔化后在基板上的流动方式；增加环氧化树脂对芯片表面的压力，稳定了树脂流动过程中胶水溢出能力，胶水溢出不良由237PPM降低到9PPM，实现了产品的稳定作业。
[0017]如图3所示，优选的，所述固定件22剖面形状包括:平行的上、下直线边；左侧连接所述上、下直线边的外凸的弧边，其弧边可于所述定位杆21连接；以及右侧连接所述上下边的直线边，所述固定件宽度可例如为2.3mm。
[0018]如图4所示，优选的，所述上模具I设有排气通道11，所述排气通道11可有多个，宽度可例如为1.8mm或1.5mm, 1.8mm的排气通道11设于上模具I的左侧边缘。
[0019]综上所述，本实用新型提供的一种半导体存储器制作模具，内部注入环氧化树脂包括:上模具；对应盖合所述上模具的下模具，形成有供所述环氧化树脂流动的空间，所述下模具设有基板定位杆，所述基板定位杆一端设有向外岔开的至少一对定位件，所述定位件之间留有用于设置固定件的空隙，所述固定件用于固定所述基板；其中，所述基板背面朝上地与所述固定件相固定；由于基板背面的流速要快于正面，使得基板背面的压力大于正面，从而向下压制住而不会有树脂流出。
[0020]上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属【技术领域】中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
【权利要求】
1.一种半导体存储器制作模具，内部注入环氧化树脂，其特征在于，所述模具包括: 上丰旲具； 对应盖合所述上模具的下模具，形成有供所述环氧化树脂流动的空间，所述下模具设有基板定位杆，所述基板定位杆一端设有向外岔开的至少一对定位件，所述定位件之间留有用于设置固定件的空隙，所述固定件用于固定所述基板；其中，所述基板背面朝上地与所述固定件相固定。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器制作模具，其特征在于，所述环氧化树脂在所述基板背面的流速大于在所述基板正面的流速，以使对所述基板背面的施加压力大于对所述基板正面的施加压力。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器制作模具，其特征在于，所述上模具设有排气通道。
【文档编号】B29C45/14GK204118037SQ201420340374
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年6月25日 优先权日:2014年6月25日
【发明者】冯建青 申请人:海太半导体（无锡）有限公司