升华结晶装置的制作方法

本发明涉及一种升华结晶装置，尤其是一种OLED(organic light-emitting diode有机电激光显示)有机材料的升华结晶装置。

背景技术：

目前市面上OLED有机材料的升华结晶装置，包括玻璃石英管201、位于玻璃石英管201周围的加热丝202及位于加热丝202外侧的保温层203，加热丝202暴露在空气中，长时间使用后容易被氧化，加热丝202电阻变大，影响加热效果，并且，加热丝202外侧虽然有保温层203保温，但由于加热丝202处于空气中，加热丝202产生的热量随着空气流通散失，另外，加热丝202位于玻璃石英管201的外侧，加热丝202是通过热辐射给玻璃石英管201加热，外界温度波动会影响加热效果。

因此，有必要提供一种新的升华结晶装置，以解决上述问题。

技术实现要素：

本发明的目的提供一种加热效果良好的升华结晶装置。

实现本发明目的的技术方案是一种升华结晶装置，其包括：外管、位于所述外管内的装料管、收料管，所述外管设有位于其前端的抽气口，通过所述抽气口使所述外管变成真空环境，所述升华结晶装置还包括包覆于所述外管外侧的保温层、位于所述外管内的若干加热丝，所述加热丝处于所述外管的真空环境中。

作为本发明的优化方案，所述装料管、收料管位于若干所述加热丝之间，通过控制所述加热丝电流大小控制温度高低，所述装料管周围加热丝的电流大于所述收料管周围加热丝的电流，使所述装料管处的温度高于所述收料管处的温度。

作为本发明的优化方案，所述外管是玻璃石英管，所述升华结晶装置用于对OLED有机材料进行提纯。

作为本发明的优化方案，所述OLED有机材料放置于所述装料管中，所述OLED有机材料在高温下升华，最后在低温作用下冷凝后结晶于所述收料管内。

作为本发明的优化方案，所述外管包括呈管状的外侧壁、位于所述外侧壁内呈管状的内侧壁、连接所述外侧壁底部与所述内侧壁底部的底壁、位于所述外侧壁前端的前壁，所述加热丝紧贴于所述内侧壁的周围。

作为本发明的优化方案，所述外管还包括自所述内侧壁向内延伸形成的弯折部，所述弯折部形成收口状态。

作为本发明的优化方案，所述内侧壁围成收容空间，所述装料管、收料管位于所述收容空间中。

作为本发明的优化方案，所述外管设有位于其后端的封口部，所述封口部位于所述内侧壁底部，所述封口部密封所述外管的后端。

与现有技术相比，本发明升华结晶装置至少具有以下优点：加热丝处于真空环境中，加热丝不会被氧化，延长了加热丝的寿命，加热丝在相同电流时所发出的热温度比非真空高，所耗电量降低，节省了能源，并且保温层直接包覆于外管上，加热效果不会受到外界温度的影响。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明：

图1为现有技术中升华结晶装置的结构示意图；

图2为本发明的升华结晶装置的结构示意图。

具体实施方式

本发明是一种升华结晶装置，下面结合附图对本发明的工作机制作进一步说明。

如图2所示，升华结晶装置包括外管1、位于外管1内呈螺旋状的若干加热丝2、包覆于外管1外侧的保温层3、位于若干加热丝2中的装料管4、收料管5。

外管1为玻璃石英管，外管1设有位于前端的抽气口11、位于后端的封口部12，外管1包括呈管状的外侧壁131、位于外侧壁131内呈管状的内侧壁133、连接外侧壁131底部与内侧壁133底部的底壁132、自内侧壁133向内延伸形成的弯折部134、位于外侧壁131前端的前壁135，弯折部134形成收口状态，封口部12位于内侧壁133底部，封口部12密封外管1后端，加热丝2紧贴于内侧壁133的周围，内侧壁133围成收容空间1330，装料管4、收料管5位于收容空间1330内。

升华结晶装置对OLED有机材料100进行提纯时，首先通过抽气口133将外管1中空气抽空，使外管1变成真空环境，OLED有机材料100放置于装料管4内，通过控制加热丝2电流的大小控制温度的高低，装料管4周围加热丝2的电流大于收料管5周围加热丝2的电流，使装料管4处的温度高于收料管5处的温度，OLED有机材料100在高温下升华，最后在低温作用下冷凝后结晶于收料管5内，加热丝2处于真空环境中，加热丝2不会被氧化，延长了加热丝2的寿命，加热丝2在相同电流时所发出的热温度比非真空高，所耗电量降低，节省了能源，加热丝2紧贴于内侧壁133的周围，热量直接传导至外管1，加热效果更好，保温层3直接包覆于外管1上，加热效果不会受到外界温度的影响，弯折部134形成收口状态，将升华的OLED有机材料阻挡于内侧壁133内，防止OLED有机材料100污染加热丝2，影响加热丝2的使用寿命与加热效果。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。