专利名称：硫化镉纳米棒的制备方法
技术领域：
本发明涉及硫化镉纳米棒的制备方法背景技术硫化镉是一种重要的半导体材料，被广泛的应用于太阳能电池、发光二极管等光电子领域。近来由于纳米技术的发展，使得纳米硫化镉拥有一些硫化镉薄膜和块体材料所没有的性质，比如单根硫化镉纳米棒发射蓝色激光等，所以纳米硫化镉引起了广泛的重视。但是，大量、有效、低成本的制备硫化镉纳米棒，是保证硫化镉纳米材料在未来光电子领域广泛应用的前提条件。目前制备硫化镉纳米棒的方法有很多，比如模板辅助电化学法、热蒸发法、激光烧蚀法、溶剂热法，但是上述方法不能全部满足大量、有效、低成本、防止环境污染等要求。
发明内容
本发明的目的是提供一种制备硫化镉纳米棒的方法，以降低成本、不污染环境。
本发明提供的硫化镉纳米棒的制备方法，包括以下步骤1)在溶度为0.01M的含镉离子溶液中，按体积比1∶0.01～100比例加入巯基乙酸，充分搅拌后，再按体积比1∶0.01～100比例加入溶度为0.01M硫化钠；2)把上述配好的溶液放入高压釜中，在100～500℃温度范围内处理1～200小时，然后将溶液离心、干燥，得硫化镉纳米棒。
上述步骤1)按体积比加入巯基乙酸的优选比例为1∶0.5～2，按体积比加入溶度为0.01M硫化钠的优选比例为1∶0.5～2；步骤2)的优选温度150～200℃，时间10小时。在优选条件下获得的硫化镉纳米棒产率高，晶体质量好。
本发明中，所述的含镉离子溶液可以是硫酸镉、硝酸镉溶液。
本发明操作工艺简单，适于大批量生产，成本低，制造过程中对环境无污染。
图1是硫化镉纳米棒的X射线衍射图谱；图2是硫化镉纳米棒的透射电镜照片。
具体实施例方式
以下结合实例进一步说明本发明实施例在60毫升0.01M的硫酸镉溶液中加入50μL的巯基乙酸，搅拌10分钟后，再加入60毫升0.01M硫化钠，把上述配好的溶液放入高压釜中，在150℃下处理60小时，把处理好的溶液离心，干燥。所得物质的X射线图，电镜照片见图1、图2，从图1所示的X射线图，可证明获得物质是硫化镉，图2所示的透射电子显微镜照片，可以证明获得物质是硫化镉纳米棒。
权利要求
1.硫化镉纳米棒的制备方法，其特征是包括以下步骤1)在溶度为0.01M的含镉离子溶液中，按体积比1∶0.01～100比例加入巯基乙酸，充分搅拌后，再按体积比1∶0.01～100比例加入溶度为0.01M硫化钠；2)把上述配好的溶液放入高压釜中，在100～500℃温度范围内处理1～200小时，然后将溶液离心、干燥，得硫化镉纳米棒。
2.根据权利要求1所述的硫化镉纳米棒的制备方法，其特征是在步骤1)中按体积比1∶0.5～2比例加入巯基乙酸。
3.根据权利要求1所述的硫化镉纳米棒的制备方法，其特征是在步骤1)中按体积比1∶0.5～2比例加入溶度为0.01M硫化钠。
4.根据权利要求1所述的硫化镉纳米棒的制备方法，其特征是所说步骤2)为在150～200℃温度范围内处理10小时。
全文摘要
本发明公开的硫化镉纳米棒的制备方法，包括以下步骤1)在溶度为0.01M的含镉离子溶液中，按体积比1∶0.01～100比例加入巯基乙酸，充分搅拌后，再按体积比1∶0.01～100比例加入溶度为0.01M硫化钠；2)把上述配好的溶液放入高压釜中，在100～500℃温度范围内处理1～200小时，然后将溶液离心、干燥，得硫化镉纳米棒。本发明操作工艺简单，适于大批量生产，成本低，制造过程中对环境无污染。
文档编号B82B3/00GK1519199SQ0315080
公开日2004年8月11日 申请日期2003年9月2日 优先权日2003年9月2日
发明者杨德仁, 张辉, 马向阳, 吉宇杰, 阙端麟 申请人:浙江大学