专利名称：用于在电子器件中形成腔室的方法和由此形成的器件的制作方法
背景技术：
许多半导体器件包含用于各种用途的成型的室。例如，喷墨器件包含被制造用来容纳墨水的室，所述墨水被气泡的散发所驱动。在流体光器件中，利用室来容纳流体或气态物质以及各种光控器件。由于对这种器件的需求，因此存在对制造这种器件的大规模的可靠的方法的需求。人们渴望能够解决现有技术中固有问题的方法。诸如此问题的例子包括材料配准控制、材料破损、边界渗漏、以及由在组装过程中(如标定和界面结合稳定性)导致的机械应力引起的破损，但并不局限于这些问题。
另外，一些微电子机械(MEMS)器件利用容纳在固定的腔室中的液态物质来促进MEMS器件的功能。器件组装工序包括流体填充步骤或工序。由于腔室的最佳密封必须是没有渗漏和气泡等等，因此流体填充工序可能是复杂的。因此，人们期望能够提供一种方法以及由此产生的电子器件，在该电子器件中，在组装过程中流体或流体化的材料能够以一种减少渗漏、气泡以及空隙等的方式被引入。
附图简述
图1是本文公开的形成方法的实施方案流程图；图2是本文公开的腔室形成方法的实施方案详细流程图；图3A至3D是集成电路器件实施方案的横截面序列描述，该集成电路器件通过本文公开方法的实施方案而制备；图4A和4B是在本文公开方法的实施方案之后发生的任选步骤；和图5是利用电子器件的显示器的示意图，该电子器件具有本文所描述的腔室。
发明详述参考附图，下文将更加详细地描述本发明的实施方案，附图中显示了各种实施方案。但是，本发明可以以不同的方式来实施，并且其构建不应该局限于本文提出的实施方案。另外，提供这些实施方案，以使本文公开的内容详尽而完整并且将本发明的范围完全告知本领域的技术人员。在附图中，为了清楚，层以及区域的厚度均被放大。在全部附图中，相同的数字表示相同的元件。
本文公开的内容是用于在电子器件中(如集成电路器件)形成至少一个腔室的方法。本文所考虑的集成电路器件的类型包括微电子机械器件，特别是光学微电子机械器件，但并不局限于这些器件。可以在许多系统和装置中使用这种器件。所述系统的非限定性例子包括显示器，例如空间光调节器等等。
在本文所公开的方法中，在固体化芯材料上制备合适的外表面，该固体化芯材料同在衬底上形成的几何凹槽相符合。一旦适当地制备了该固体化芯材料的外表面，则在该固体化芯材料外表面以及至少该几何凹槽周边区域的衬底上以覆盖方式沉积材料层，以使该沉积的材料层和衬底限定出腔室。
可以使用任意合适的方法来制备该固体化芯材料的外表面，所述方法能提供适当的特性如平面性。该方法的例子包括抛光、整平等，但并不局限于这些例子。可以通过合适的适当作用于该固体化芯材料的工序来完成抛光。这些工序可包括(但不局限于)适当的湿或干蚀刻工序以及机械和/或化学工序，从而提供具有所期望的平整性的固体化芯材料的外表面。
在该固体化芯材料已制备的外表面以及该几何凹槽周围衬底之上以覆盖方式沉积至少一层材料层，其中所述固体化芯材料安置在该几何凹槽中。可以通过任意允许在衬底上以覆盖方式形成适当均匀层的沉积方法来完成该材料层的沉积，其具有贴近于由所述沉积层和该衬底所限定的腔室的内表面，其具有由所述固体化芯材料的外表面所确定的平面以及表面特性。
如本文所定义的，术语“固体化”是指具有足够的固体特性以允许在至少一个表面上进行加工和允许合适的材料在其上沉积。
在本文公开方法的实施方案中，如图1中流程图所描述，为了在电子器件中形成腔室，可以把合适的芯材料引入衬底中的几何凹槽，如数字110所示。本文中使用的术语“衬底”广义上意味着包括任意的基底支撑材料以及通常存在于电子器件中(如集成电路器件)的构建结构。衬底可以由合适的半导体材料组成并且以合适的方式来配置。
该几何凹槽或空腔可以具有任意适合于相关电子器件的最终用途的合适结构。可以通过任意合适的制造工艺来形成衬底中所限定的凹槽。这些工艺通常为各种湿或干蚀刻技术。但是，如果条件适当的话，可以通过合适的其它技术来形成该几何凹槽，所述其它技术包括(但不局限于)化学气相沉积以及物理气相沉积。可以构建该凹槽以包含合适的侧壁、底壁等等。因此，通过非限定性的例子，该几何凹槽或空腔可以是在生产各种构件中形成的腔室，如喷墨器件腔室、显示器像素室或其它的腔室，这些腔室通常需要密封以容纳液态或气态物质。该几何凹槽或空腔可以含有或可以不含有各种微型结构或微电子机械(MEMS)系统结构，这取决于系统的需要。当在本文中使用时，术语“微电子机械系统”可以广泛地解释为小型化和超小型化系统，该系统包括(但并不局限于)硅基机械器件、化学和生物致动器以及小型化非硅结构(如由塑料或陶瓷制成的器件)。这样的系统可以包含传感、处理、和/或执行功能。本文中使用的“微型结构”是指在相关的器件上研制的配置和结构，这些结构可包括弯曲部分、端子(post)、铰链(hinge)等等。
使用的芯材料是双稳态(bistate)的材料，该材料初始以流体状态的形式存在，与衬底的形式不同但与该衬底相容，然后由于固化处理而实现固化。该固化处理可以是可逆的、部分可逆的，或是可逆的并且可以是物理或化学处理的结果。这种处理的例子包括(但不局限于)改变温度、聚合、单体交联、单体/聚合体凝胶交联等等。该芯材料在它初始的流体状态和固化状态下均能与所述几何凹槽结构以及其中含有的任意器件相适应。“相容性”应该包括与限定凹槽的材料的热和化学相容性，该材料即衬底和其中含有的任意微型结构的材料、MEMS结构以及类似的结构。
被利用并被导入衬底中几何凹槽的双稳态芯材料可以是在第一条件或环境下以固态形式存在的材料，并且在第二条件或环境下基本流体化。当在本文中使用时，术语“环境”是指至少一种影响该芯材料形态的特性或因素。该特性的非限定性例子包括温度和磁场中的至少一种。所述特性或因素可以发生在含有所述芯材料的腔室外部。如果希望或需要，可以通过在该腔室或相关器件元件中引发的事件来改变或影响所述特性或因素。
在至少一个环境特性是温度的场合下，芯材料可以是在第一温度下以固体形式存在的材料，并且在高于第一温度的第二温度下基本被流体化。通常，该流体化温度允许把流体化的芯材料引入到在衬底中所限定的几何凹槽中，而不损害或降解该衬底材料。或者，该双稳态芯材料可以在初始液态下被引入，并随之通过适当的工艺来固化，例如通过任意合适的化学或物理处理而引起交联，这对于本领域技术人员是已知的。
可以在本文公开的方法中使用的材料和化合物包括各种蜡和那些具有熔化或流体化温度和固化温度的聚合物，该聚合物和蜡适合于和半导体材料一起使用。这些材料和化合物的非限定性例子包括各种蜡、萘、萘衍生物、丙烯酸类单体、丙烯酸类单体衍生物、丙烯酸灰聚合物、樟脑、樟脑衍生物、camphinic酸聚合物以及聚酯。有用的成分包括那些含有聚戊二酰亚胺(如聚甲基戊二酰亚胺(PMGI)、聚二甲基戊二酰亚胺)、取代的环烯(如苯并环丁烯)以及丙烯酸衍生物(如烷基丙烯酸酯，聚甲基丙烯酸甲酯是其中的一种)中至少一种的物质。
在本文公开的制造工序和方法中，引入的芯材料和几何凹槽相适应。一旦被固化，该芯材料提供至少一个外表面，该外表面被用于支持形成至少一个将要形成的腔室的壁。被引入的芯材料外表面可以被制备用来支持和形成所期望的腔室的壁，并且可以给予如此形成的腔室壁表面适当的特性。如数字120所示，可以制备规定容限(receivingtolerance)的层，以提供所期望的特性如平面性和一致性。
当在本文中使用时，“平面性”被定义为表面特性和在规定的容许偏差内的局部形态偏差，给予所述层的规定的容许偏差适合于该层。因此，当需要特定的表面光滑度和层厚度时，该固化的芯材料外表面可被制备用于提供在容许误差范围内的内部对立的层表面。
在本文中使用的术语“一致性”是指在固化芯材料和周围的衬底之间以基本均一连续的方式结合或接触，该方式避免了不连续和不规则，尤其是在衬底和芯材料之间的连接处。
可以通过任意合适的方法来完成制备规定容限的层，该方法包括(但并不限于)平整、抛光等等。如先前所示，平整和/或抛光可以通过任意合适的物理、化学、或物理/化学方法来完成。该平整/抛光过程可以单独地作用于芯材料的外表面，从而提供合适的外表面特性。该平整/抛光过程还可以使芯材料外表面尺寸符合周围衬底表面，从而提供平坦连续的表面以建立后续层。
当在本文中使用术语“层容限”时，被引入的芯材料的外表面应具有所期望的平面性，从而适合于沉积覆盖的层以及所期望腔室的内壁的形成。可以确定和定义平面性，这取决于所期望的电子器件的最终用途。但是，如一般所认为，该芯材料的外表面将精确地同衬底结构以及围绕几何凹槽的边界相符合。而且诸如平面性的特性将适合于电子器件被赋予的最终用途。因此，当要在光传送和/或接受工作中使用该电子器件，平面偏差须适合于光透明性、传输等等。
在本文所公开的方法中，然后在芯材料的制备的外表面以及周围衬底之上形成层(如材料层)，如数字130所示。可以使用合适的沉积方法来形成该材料层。合适的沉积方法的非限定性例子包括附加的方法如直接瞄准撞击沉积(比如溅射、离子镀以及各种其它的物理气相沉积技术)。合适的附加方法的非限定性例子还包括通常被称为化学气相沉积的扩散对流传质技术。其它合适的沉积技术包括喷涂、辊涂以及旋涂等等。
按照期望或所需可以对所形成的外层做进一步加工以形成最终的外层。例如，沉积的外层可以暴露于各种固化工序中，以实现外层和衬底之间的交联、结合等等。这样的工序包括那些通常用于制造涂层和透镜的工序。合适的后沉积固化工序的非限定性例子包括那些适合用于旋涂聚合薄膜的工序，该聚合薄膜利用双酚A酚醛清漆的多功能环氧树脂衍生物材料制成，厚度超过10μm。这样的材料在Angelo等的美国专利No.5102772中已讨论，其详细说明在此引入作为参考。
固化处理可以包括(但并不限于)由各种机制引发的阳离子聚合，使如上所述的热环氧树脂材料转变为适当的聚合材料，从而含有高度的交联密度，所述机制包括紫外光(特别是在365-436nm范围内)、电子轰击以及X射线轰击。
可以被用作适当的壁材料包括各种用于制作薄膜的材料，在光学微电子机械器件中，壁材料可以是具有合适的透光度、反射特性的材料，当该材料用作薄膜层时。壁材料的例子包括(但并不限于)丙烯酸酯、环氧树脂、聚碳酸酯以及聚酰亚胺。可以选择那些由阳离子聚合单体(如环氧和乙烯类化合物)组成的材料。在另一方面，也可以使用诸如原硅酸四乙酯(TEOS)、硅酸盐、聚碳酸酯、氟化镁以及石英等材料。
当完成了外层沉积工序时，就实现了材料层和衬底之间的密封接合，并且在密封腔室中含有芯材料。在沉积材料层之后，包含在腔室中的固化的芯材料可以转化为合适的流体化材料。可以通过任意的化学或物理加工使之转化成适当的流体化材料。因此，在使用低熔点的蜡的情况下，通过提高温度可以使固化的芯材料回到流体状态。
根据要赋予电子器件的最终用途，芯材料可以保留在如此形成的腔室中或在随后的步骤中被移除。可以通过在衬底中制备的合适的通道或注入口来实现芯材料的移除。在外层沉积步骤之后，在腔室中保留至少一部分流体化芯材料的情况下，在微电子机械器件运行时该芯材料可以被利用，或者，至少不影响该器件的功能。因此，根据最终的用途，选择芯材料以拥有合适的绝缘和光传输等性能。例如，在那些腔室中含有至少一个微镜器件的构件中，流体状态下芯材料在运行条件下表现出低熔化温度和低黏度。
在图2中概述了描述本文公开的方法的更详细的流程图，如标注数字210所示，在图2中适当的MEMS器件被安置在衬底中的空腔中。可以通过任意适合的微制造方法来完成该安置。这些方法的例子包括(但并不限于)模片固定(die attachment)、引线接合(wire bonding)以及其它本领域技术人员已知的微制造技术。如先前所公开，在衬底中限定的几何凹槽或空腔可以具有任意对于所得腔室来说希望或需要的合适表面形状和/或结构。
衬底可以是任意适合于形成空腔、相关腔室以及最终电子器件的材料。因此，衬底可以是能够支撑适当的CMOS结构的材料。在本发明的范围内，还应该考虑到在合适的衬底上建造合适的构件，从而容纳腔室和任意关联的MEMS器件。
一旦安置了该MEMS器件，芯材料就可以被引入到相关的腔室并与该MEMS器件接触，如数字220所示。如上所述，该双稳定性芯材料可以具有合适的特性以允许它以流体状态或固态的形式存在，例如，这取决于场应力。该芯材料可以是“双功能材料”。正如本文所使用的术语“双功能材料”，该材料在第一条件下表现为流体状态，并且在第二条件下表现为固态。应该明白的是，在固态下该材料基本上是用作为芯材料。但在流体状态下，该材料可以具有其它的特性如光调节和改进的折射率。这些特性在某些情况下可有助于集成的MEMS器件的最佳运行。可至少部分地通过至少一个外部场应力来控制条件。外部场应力的例子包括(但并不局限于)诸如温度磁场操作等条件。因此，双功能流体在第一温度下为流体状态，并且在低于第一温度的第二温度下是固态。同样，该双功能材料对应于第一磁场条件可表现为流体状态，并且对应于第二磁场条件表现为固态。
可以引入芯材料以充分接触相应的腔室表面和MEMS器件。当在本文中使用时，术语“充分接触”是指基本上连续地同相应的腔室表面和MEMS器件接触，避免空隙和气泡等等。
所述芯材料可以含有低熔蜡、萘、萘衍生物、丙烯酸类单体、丙烯酸类聚合物、樟脑、樟脑衍生物、camphinic酸衍生物以及聚酯中的至少一种。通常，选择那些能够在第一温度下以流体状态形式存在的材料，并且该材料在更低的温度下能转变成固态。当温度升高或者其它的触发事件作用时，该双功能芯材料能过转变回到流体状态。选择能够同MEMS器件和空腔保形接触的材料。一旦被置于空腔中，该芯材料将提供适合于随后的处理和加工的外表面区域。
一旦该芯材料被安置，该引入的芯材料的外表面被制备用于接收覆盖材料层，如数字230所示。也可以使用其它的操作和制作步骤。这样的制作步骤的非限定性例子包括诸如包装、设置和切割相关的衬底晶片等操作。该芯材料可以起到保护微电子机械器件以及其它微结构的作用。
在制备的芯材料之上制作材料层，如数字240所示。可以通过适当的沉积工艺来制作外材料层。可利用任意合适的沉积工艺以提供适当厚度和大小的层。而且所选择的沉积工艺应该允许沉积层和周围的衬底之间密封连接，以实现该材料层和衬底之间密闭结合。
一旦该材料层紧密地覆盖在该芯材料和相关的衬底之上，可以从因此形成的腔室中移除该芯材料，如数字250所示，或者按照所期望或所需来转化或利用该芯材料，如数字260所示。
可以通过各种方法来移除芯材料。可以加热该芯材料并把腔室置于适当的真空中或通过加压的惰性气体(如氮气)从而清除该芯材料。其它合适的清除工艺包括伴随或不伴随相关气体清除和/或加热过程的溶剂暴露。合适溶剂的非限定性例子包括二甲苯、γ丁基丙酮、环戊烯酮(cyclopentatone)、苯甲醚、己烷、环己烷、甲基异丁基酮(MIBK)等等。一旦移除了该芯材料，可以按照所期望或所需来填充或密封该腔室。
如果希望移除芯材料，则移除过程可以在制造过程中的任意合适的点发生。因此，在至少某些随后的制造工序中可以把该共形材料保留在已确定的空腔中，以作为包含在其中的精密微电子机械器件的保护性介质。所述制造工序包括(但并不限于)晶片包装、安置、切割等等。
或者，该芯材料可以转变为在随后的电子器件运行过程中有用的形态。这种转变可以是温度变化和/或化学变化的结果。在这种情况下，该芯材料可以从固态转变成流体状态物质，该流体状态物质可以支持MEMS器件的功能。可以通过任意适当的机械或化学方法来实现这种转变，升高温度只是其中一种。
电子器件的运行、环境温度暴露或该电子器件本身周围的其它环境因子可以导致实现温度的升高。转化可以是单向的，也可以是双向的。因此，如果在腔室中保留芯材料，当温度升高或发生其它的触发事件时，该芯材料可以转变成官能流体，并保留在该状态下。该芯材料也可以回到其固态下，这取决于温度条件。
在许多情况下，由于MEMS元件的易碎性，加工为电子机械系统器件(如微镜、法布里-珀罗器件、基于衍射的器件)可能比较困难。加工操作可以包括(但不限于)诸如割据和包装操作。加工需要透明包装的光学MEMS器件可能比较复杂。
所述的双功能材料在其固态下在组装和加工过程中可以起到保护精密微电子机械系统装置元件的作用。一旦加工完成，该材料可以按照所期望或所需被转化和/或被溢出。
参考附图3A、3B、3C和3D(这些附图提供了构建的次序)，可以进一步阐述和示范形成至少一个封闭腔室的方法。如图3A所示，未完工的集成电路器件310包含合适的衬底312以及在其上构建的适当的架构(architectural structure)314。可以通过任意建造或装配次序来加工该架构314。所产生的架构314具有至少一个几何凹槽316，该凹槽316从架构314的上部区域318延伸到架构314的主体内，一直到接近于衬底312的位置。
如在图3A、3B、3C和3D中所述的实施方案，电子器件310被描述为具有至少一个几何凹槽316，处于图示简便的目的，该凹槽316包含了该器件的大部分。应该明白的是，几何凹槽316可以具有成品电子器件所期望的或所要求的任意合适的尺寸和/或结构。也可以按照电子器件的最终用途所要求或规定来配置多重凹槽316。通常，该几何凹槽316具有至少一个侧壁结构320和邻接安置的底层结构322。
如在图3A中所述，在制作过程中电子器件310也包含适当的微电子机械器件324，该器件324被安置在几何凹槽316的适当的结构中，如底层322。微电子机械器件324具有合适的引线接合326以提供微电子机械器件324和其它元件之间的粘合和电连通，所述元件在器件310上或者远离器件310。
如本文所公开，用于形成至少一个封闭腔室的方法可以利用预形成的未完工的集成电路器件310，该集成电路器件含有已经设置在其上的微电子机械器件324。所述方法也可以构思工序，如把微电子机械器件324安置在集成电路器件结构上作为系统方法的一部分。可以通过任意合适的方法把微电子机械器件324安装或定位到集成电路器件结构中。
如图3B所示，可以在衬底312中制备适当的通道、孔或通口328、330。如所描述的，通道328、330从衬底312的较低面332延伸直至几何凹槽316的底层322。也可以用适当的堵塞材料临时或永久性地填塞通道328、330。
因该明白的是，这样的通道328、330可认为是任意的。通道328、330可以提供适当的进入几何凹槽316内部的通道，该通道用于以后最终形成的腔室中芯材料的移除和/或材料的替换。但是，在芯材料保留在将形成的腔室中的情况下，这样的通道328、330可以省略。
可以通过任意适当的方法来引入芯材料334，该方法可把该材料有效的引入到凹槽316的所有区域。可通过任意适当的包括几何开口316的顶面的开口引入材料，或在反向进入过程的情况下通过孔328、330引入。选择的材料可以不同并且可以是与架构314、任意的微电子机械器件324以及引线结合326中的材料相兼容的。芯材料334与几何凹槽316的几何结构相似从而提供至少是临时的支撑结构。合适的芯材料334包括(但不限于)低熔蜡、萘、萘衍生物、丙烯酸类单体、丙烯酸类聚合物、樟脑、樟脑衍生物、camphinic酸衍生物、聚酯及其混合物。适合的材料可以在流体状态下被引入几何凹槽316中，并且由于温度变化、交联等原因可以实现固化。
芯材料334的添加产生了被填充的几何凹槽316。当固化时，芯材料334提供了外层面336。如图3B中所述，可通过过量填注或覆盖围绕几何凹槽316的架构314的上表面的方式来添加芯材料334。在这种方式中，可引入足够的材料以允许覆盖和制备另外的表面。
如图3C中所述，芯材料334的外层表面336的制备可包括拉平、整平等操作，从而提供具有适合于随后覆盖层沉积的容差的表面。因此，在需要光传输或透明的情况下，芯材料334的外层表面336将被拉平或整平以获得适合于覆盖层内表面的品质。在图3C中，外层表面336被拉平以和周围架构314的上表面318相一致。
如图3D中所述，在制备了芯材料334的合适的表面之后，可以把覆盖表层338沉积覆盖在架构314的上表面318、衬底312和芯材料334的外表面336之上。可以通过任意的方法来完成覆盖/外/上层338的沉积，所述任意的方法应该允许以密封的方式连接架构314的上表面318和外层338的底表面340。这种方法的例子包括在涂层和透镜制作中使用的自旋结合和固化。
从图3D我们应该理解，通过结合区域和接触芯材料334的上表面336的区域，外层338的底表面340可以基本上保形和接触。
根据对于电子器件310的最终用途，芯材料334可以如图3D中所述被从腔室350中移除。腔室350可以被密封。根据所期望或所需，可以把不同的材料引入到腔室350中。当希望替换材料时，可以流体化芯材料334并利用真空或通过开口328、330控制惰性气体来清除。可使用适当的方法来完成流体化，如加热所述组件或其所位于的区域。除清除过程之外，还可利用各种溶剂，或用溶剂替代清除过程。这样的溶剂的非限定性例子包括二甲苯、丁基丙酮、环戊烯酮、苯甲醚、己烷、环己烷、甲基异丁基酮(MIBK)等等。按照所希望或所需要也可以使用各种含水醇类混合物。
也可以用适当的工作流体或气体352替代芯材料334，如图4B中所述。参考图4A和4B，具有附着在其上的顶层338(在一个实施方案中光学质量层)的器件310可以消除芯材料334以形成腔室350，其通过光学质量层338和几何凹槽316来限定的(如图3D中所示)。如所期望或需要，适当的流体如介电流体或合适的气体352可通过通道328、330被引入到确定的腔室350中。可以用填口塞342、348来密封该开口328、330，并且按照所期望或需要可准备使用器件310。
本文公开的器件可用于连接适当的显示器。一个非限定性的例子是用于如图5所述的器件中的空间光调节器。图5是使用如本文所述的MEMS器件502的图像投影系统500的示意图。MEMS器件502的一个非限定性的例子是微镜器件。在图5中，来源于被定向在第一光路的光源504的光线通过透镜506被集中在MEMS器件502上。虽然显示为单透镜，但透镜506通常是透镜、积分器和反射镜的集合，这些器件一同把来源于光源504的光线集中和引导到MEMS器件502的表面上。图像数据和来自控制器514控制信号被写到合适的SRAM单元、DRAM单元或与每个MEMS器件502相关的单元上。在这些相关单元中的数据促使一些MEMS器件502活动至“开”的状态。在“开”的状态中，光被引导至第二光路。在那些处于“关”或静止状态中的MEMS器件502中的单元可以引导光线进入光阱508或者使光线离开第二光路。
投影系统500可以包括至少一个在第二光道中用于分析选择性定向光的元件510。这种元件510的一个非限定性的例子是投影透镜。虽然在图5中描述的是单元件510，但可以使用多重元件。如上所述，该投影透镜把光线聚集在单图像平面或荧屏512上，所述光线通过器件502被定向在第二光路。
虽然详细地描述了几个实施方案，但显而易见的是，对那些本领域的技术人员来说该公开的实施方案可以修改。因此，前面所述应该被认为是示范性的而不是限制性的。
权利要求
1.一种用于在电子器件(310)中形成腔室(350)的方法，该方法包括在固化的芯材料(334)上制备外层表面(336)，该固化芯材料(334)在形成于衬底(312)中的凹槽(316)中，和在固化芯材料(334)的制备的外层表面(336)和围绕凹槽(316)的部分衬底(312)上建立层(338)，该建立的层(338)和衬底(312)限定出腔室(350)。
2.如权利要求1所述的方法，其中芯材料(334)是双功能材料，该双功能材料在第一温度下表现为固态并且在高于第一温度的第二温度下表现为流体状态。
3.如权利要求1-2中至少之一所述的方法，其中，在制备外层表面(336)之前，该方法还包括通过温度变化、聚合和交联之中的至少一种来固化芯材料(334)，并且在建立层(338)之后，该方法还包括把容纳在腔室(350)中的固化的芯材料(334)转变成流体化的芯材料(334)。
4.如权利要求3所述的方法，还包括步骤把至少一个微电子机械器件(324)安置在凹槽(316)中，该安置操作发生在制备外层表面(336)之前；和把芯材料(334)引入到凹槽(316)中以使芯材料(334)和凹槽(316)相互匹配，该引入发生在固化之前。
5.集成电路器件(310)，包括衬底(312)；以覆盖密封方式连接衬底(312)的层(338)，其中衬底(312)和层(338)中的至少一个具有在其中限定的凹槽(316)，衬底(312)和所述层限定了腔室(350)；安置在腔室(350)中的微结构或微电子机械器件(324)；和存在于腔室(350)中的双功能芯材料(334)，该双功能芯材料(334)在第一条件下表现为固态并且在第二条件下表现为流体状态。
6.如权利要求5所述的集成电路器件(310)，其中，双功能芯材料(334)在流体状态时表现出足够的流体化从而使该双功能芯材料(334)在流体状态时适合于从腔室(350)中移除。
7.如权利要求5-6中至少之一所述的集成电路器件(310)，其中双功能芯材料(334)是液态并且具有光调节和改善的折射指数之中至少一种特性，从而使双功能芯材料(334)有助于微电子机械器件(324)的最佳运行。
8.用于制造光学微电子机械器件(324)的方法，包括引入双功能芯材料(334)至衬底(312)中限定的空腔(316)中；和在双功能芯材料(334)和衬底(312)上建立层(338)，在层(338)和衬底(312)中限定出密封腔室(350)。
9.如权利要求8所述的方法，其中，双功能芯材料(334)具有至少两种物理状态，该两种物理状态包括至少在第一条件下的固态和在第二条件下的液态并且其中第一和第二条件是第一和第二温度，其中第二温度高于第一温度，其中在至少与第二温度同样大的温度下引入双功能芯材料(334)，并且其中所述建立发生时双功能芯材料(334)是固态。
10.显示器件(500)，包括光源(504)，该光源用于提供沿着光路的光束；光路上的器件(502)，该器件用于根据图像数据信号选择性地反射一部分沿着第二光路的光束；给光路上的器件(502)提供图像数据信号的控制器(514)，和；至少一个在第二光路上的元件(510)，该元件解析选择性反射光形成图像；其中用于选择性反射光的器件(502)包括衬底(312)；被布置在距离衬底(312)一定的间隔的上部基层(338)，衬底(312)和上部基层(338)限定腔室(350)，其中，上部基层(338)和衬底(312)之中的至少一个是透光的；和至少一个在腔室(350)中支撑的微电子机械器件(324)。
全文摘要
公开了一种用于在电子器件(310)中形成腔室(350)的方法，该方法包括在固化的芯材料(334)上制备外层表面(336)，该固化芯材料(334)在形成于衬底(312)中的凹槽(316)中。该方法还包括在固化芯材料(334)的制备的外层表面(336)和围绕凹槽(316)的部分衬底(312)上建立层(338)，该建立的层(338)和衬底(312)限定出腔室(350)。
文档编号B81B3/00GK1672929SQ20051005919
公开日2005年9月28日 申请日期2005年3月24日 优先权日2004年3月24日
发明者M·戈尔, J·郭 申请人:惠普开发有限公司