液相法制备纳米磷化铟材料的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种液相法制备纳米磷化铟材料，以InCl3·4H2O和PBr3为原料，LiBH4为还原剂，三辛基磷为溶剂，分别以In和Bi作为催化剂，在300℃下经过溶液-液相-固相方法合成。十四酸作为表面活性剂，十八烯作为溶剂。本发明的有益效果为：溶剂热法除了以上所述的优点外，还能防止有毒物质的挥发，避免了使用有机铟，同时为大规模制备纳米结构的InP提供了可能。
【专利说明】】攸相法制备纳未碟化钢材料
【技术领域】
[0001]本发明涉及材料领域，具体是一种液相法制备纳米磷化铟材料。
【背景技术】
[0002]磷化铟(InP)是一种直接带隙半导体，在室温下它的带宽为1.35eV，并具有较大的激子波尔半径(AB=Hnm)，因而显示出更强的量子限域效应。作为新一代重要的电子功能材料，InP纳米材料具有诸多优越性质，如高热导率、高抗辐射阻抗、高饱和电场电子漂移速度、高载流子迁移率，以及对大于其禁带宽度的光子的吸收系数很大等，在生物传感器、抗辐射太阳能电池、平板液晶显示、光纤通信、激光器芯片和通讯卫星等许多高【技术领域】均有着广泛应用。所以，如何制备InP纳米材料便成为半导体材料领域的聚焦热点。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种液相法制备纳米磷化铟材料。
[0004]本发明的技术方案是这样实现的:液相法制备纳米磷化铟材料，以InCl3.4H20和PBr3为原料，LiBH4为还原剂，三辛基磷为溶剂，分别以In和Bi作为催化剂，在300°C下经过溶液-液相-固相方法合成。十四酸作为表面活性剂，十八烯作为溶剂。
[0005]本发明的有益效果为:溶剂热法除了以上所述的优点外，还能防止有毒物质的挥发，避免了使用有 机铟，同时为大规模制备纳米结构的InP提供了可能。
【具体实施方式】
[0006]下面结合具体实施例对本发明作进一步解释说明。
[0007]实施例1液相法制备纳米磷化铟材料，以InCl3.4H20和PBr3为原料，LiBH4为还原剂，三辛基磷为溶剂，分别以In和Bi作为催化剂，十四酸作为表面活性剂，在300°C下经过溶液-液相-固相方法合成。
[0008]实施例2液相法制备纳米磷化铟材料，以InCl3.4H20和PBr3为原料，LiBH4为还原剂，十八烯作为溶剂，十四酸作为表面活性剂，分别以In和Bi作为催化剂，在300°C下经过溶液-液相-固相方法合成。
[0009]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明披露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.液相法制备纳米磷化铟材料，其特征在于，以InCl3.4H20和PBr3为原料，LiBH4为还原剂，三辛基磷 为溶剂，分别以In和Bi作为催化剂，在300°C下经过溶液-液相-固相方法合成。
2.根据权利要求1所述的液相法制备纳米磷化铟材料，其特征在于，十四酸作为表面活性剂，十八烯作为溶剂。
【文档编号】B82Y40/00GK103663397SQ201310655422
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年11月30日 优先权日:2013年11月30日
【发明者】孙永平 申请人:孙永平