专利名称：刻蚀方法及在这种刻蚀中使用的框架部件、掩模及预制的基板部件的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及具有导电材料表面层的基板的电化学刻蚀。
背景技术：
电化学刻蚀是在例如所谓的PCB(印刷电路板)或PWB(印制布线板)以及半导体晶片的制造中在基板上产生图形的技术。在两种情况中，基板包括粘附到非导体基底的金属膜。通常，光敏抗蚀剂涂层涂覆到金属膜，由此使用光刻工艺将需要的图形从掩模或模板(master)上转移到抗蚀剂涂层，由此产生未覆盖的选择部分。在基板和相对的极板电极之间的导电刻蚀剂中施加电流进行电化学刻蚀步骤，基板和极板连接到公共电源分别作为阳极和阴极。该刻蚀步骤期间，金属膜的未覆盖部分溶解，图形转移到金属膜。这种类型的电化学刻蚀例如可以参见EP-A1-0 392 738、EP-A2-0 563 744以及WO98/10121中。
电化学刻蚀的一个主要任务是在基板的表面上实现均匀的刻蚀工艺，同时保持高制造成品率。当刻蚀大基板时特别难以实现。制造PCB/PWB使用的基板或面板的常规尺寸为610×457mm，当然其它尺寸也常使用。这种要刻蚀的大面积和薄金属膜的组合，通常1-35μm厚，对于所得刻蚀工艺基板上的电阻分布很重要。通常，电流提供到基板周边的一个或多个接触区域。由此，朝基板中心电阻增加。朝中心相应降低的电流密度导致基板的周边比中心部分刻蚀工艺快。这导致刻蚀图形的不均匀性。原则上，较厚的金属膜也存在相同的问题。由于工艺期间金属膜变薄，从基板边缘到中心的电阻将增加并导致以上介绍的不均匀性。
在刻蚀图形中获得高度的均匀性也要求仔细地优化极板的几何结构和尺寸、极板与基板的对准以及极板和基板之间的距离。此外，应该确定基板周边的均匀电流分布，需要许多和/或大接触面积。这种优化很难在高生产率下结合大规模生产。
刻蚀图形的均匀性也受图形布局影响，即如果露出金属的程度在基板的表面上不同，由于露出大量金属的区域显示出比露出少量金属的区域的刻蚀工艺慢。
以上问题在半导体的制造中也很明显。虽然基板通常具有较小的面积，但各电路的数量很大，并且金属膜很薄，通常300nm-3μm。因此，从基板边缘到中心的电阻分布会影响电化学刻蚀工艺的均匀性。
发明内容
本发明的一个目的是解决或消除以上提到的一些或所有问题。更具体地，本发明允许高质量工业化规模地制造每件产品，也基于具有大表面积和/或提供有薄金属膜的基板。
该目的至少部分通过附带的权利要求书中陈述的方法、框架(frame)部件、掩模和预制的基板部件实现。
根据本发明，通过提供与要刻蚀的中心表面区域相邻的框架，可以减小或消除边缘效应，即，通过框架吸收该处形成的任何过量的电场，可以防止在中心表面区域部分的周边形成的高电流密度。当阴极大于要刻蚀的表面区域部分时或者当阴极与之未对准时，可以形成这种过量的电场。由此，提供框架用于一个和具有不同图形布局和基板尺寸的相同极板。
当适当设计时，框架也能够保护下面的表面层，以便刻蚀步骤期间引入表面层的电流均匀地分布在极板的周边。由此，这种框架能够在下表面层中形成屏蔽的“分布区”，其中电流允许均匀地分布在将电化学刻蚀的中心表面区域部分周围。因此，通过在极板的周边提供框架，可以确定在中心表面区域部分周围均匀的电流分布。因此，可以实现和现有的相比更均匀的刻蚀工艺。提供框架也允许简化极板的接触，即使用比现有技术方法中更少和/或更小的接触区域。
根据本发明的第一方案，框架包括在刻蚀步骤期间放置在基板上分离、导电的框架部件。由此，框架部件具有远离基板的导电面，即朝向阴极。通过框架部件吸引电场的导电面，这种框架部件能防止在中心表面区域部分周边形成高电流密度。框架部件也在下面的表面层中形成屏蔽的“分布区”。
根据本发明的第二方案，框架形成在抗蚀剂涂层中。与本发明的第一方案相比，本方法简化了，省略了提供分离的框架的步骤，同时保持了框架的以上提到的优点。此外，与第一方案相比，由于裸露的金属区域通常较小，因此刻蚀需要的电功率量减小。
根据本发明的第二方案，框架包括抗蚀剂涂层和下面的金属层。
根据第二方案，框架可以提供在同时具有电路图形的抗蚀剂涂层中。光刻时，通过掩模曝光抗蚀剂涂层，掩模含有框架图形以及中心表面区域部分中要刻蚀的电路图形。此外，电路图形可以包括在分离的掩模中。对于构图和随后的刻蚀，也可以提供抗蚀剂图形引入框架图形的预制的基板。在另一实施例中，在刻蚀步骤之前，包括定义了至少框架的抗蚀剂涂层的叠置结构固定到基板。
根据第二方案的优选实施例，框架包括电场分布部分，设置在中心表面区域部分附近并具有将下面的表面层未暴露到给定程度曝光的电场分布图形，由此防止了电化学刻蚀期间在中心表面区域部分周边形成过量的电流密度。更具体地，通过吸引电场，电场分布部分使中心表面区域部分周边形成的高电流密度最小。由此，阴极和中心表面区域部分之间的任何未对准的影响以及阴极几何结构的影响减小。通过优化电场分布图形中下表面层的暴露程度，可以控制中心表面区域部分周边的刻蚀速率。优选，电场分布部分中的暴露程度在约30-90％的范围内，优选约50-90％。这样可以在基板的表面上产生适当均匀的电流分布，即适当的均匀刻蚀速度。当暴露程度超过90％时，存在刻蚀步骤期间下面的导电表面层会被完全除去的危险，导致中心表面区域部分周边不需要的电接触损失。如果暴露程度太低，那么电场会集中到中心表面区域部分周边，在该处产生过量的电流密度。为了提供分布区域，即包括下面的表面层以便刻蚀步骤期间电流引入表面层内均匀地分布在基板周边周围，优选框架具有周围周边部分，将下面的表面层暴露到约0-60％，优选约0-50％范围的暴露程度。通常，周边部分具有近0％的暴露程度，由于在基板的该部分中对曝光的需要很小。任何过量的电场主要吸引到电场分布部分的暴露区域。然而，为了简化，周边部分可以具有与电场分布部分相同程度的曝光。
根据本发明的另一优选实施例，内框架结构提供在电路图形的各电路之间。在该内框架结构中，保护下面的表面层以便所述刻蚀步骤期间引入到所述表面层内的电流均匀地分布在各电路的周边周围。由此，内框架结构在中心表面区域部分中提供了导体减少了刻蚀步骤期间电路图形内电流的任何差异，也防止了刻蚀步骤期间各电路的任何未控制的断裂。通过适当地设计内框架结构，由此可以在各电路之间均匀地分布电流，并平衡整个中心表面区域部分上的刻蚀速度。内框架结构可以包括在刻蚀步骤期间放置在基板上分离、导电的框架部件，或者通过在抗蚀剂涂层中形成图形形成。在后一情况中，内框架结构从框的电场分布部分延伸并具有将下面的表面层暴露到给定程度曝光的电场分布图形。通过优化暴露程度，可以在中心表面区域部分内平衡刻蚀速度。现已发现内框架结构中下面表面层的暴露程度优选在约30-90％的范围内，更优选约50-90％。当暴露程度超过90％时，存在刻蚀步骤期间下面的导电表面层被完全除去的危险，导致不希望地损失了中心表面区域部分内的电接触。如果暴露程度太低，电场会集中到内框架结构的边缘，在该处产生过量的电流密度。这种不可控制的电流密度会导致刻蚀步骤期间不希望和不可控制的各电路断裂。
现已发现为了优化性能，框架中以及内框架结构中电场分布图形的未覆盖部分应基本上均匀地分步。还发现对于足以穿过来覆盖部分达到下面导电表面层的电场，电场分布图形的未覆盖部分应具有至少约100μm的横向尺寸。在一个可行的电场分布图形中，未覆盖部分基本为圆形，当然也可以使用其它形状。未覆盖部分可以具有任何几何形状，例如任何多边形或椭圆形的形式。
在一个简单的实施例中，电场分布图形为屏幕图形。通过例如激光印刷机在光刻工艺中产生掩模将图形转移到基板上可以容易地产生这种图形。
在优选实施例中，本发明的方法包括以下步骤在电场分布部分和/或内部框架结构的电场分布图形中，形成覆盖部分，覆盖部分具有形状和横向尺寸能使刻蚀步骤期间给定时间之后与这些覆盖部分的一端相邻的各电路自动地断开。在本实施例中，在刻蚀工艺的某个阶段，每个这种覆盖部分下面的导电材料将形成电连接器，这可以由电化学刻蚀中固有的底蚀溶解。当电场聚集到未覆盖表面层的剩余部分时，这种底蚀至少朝刻蚀步骤的端部产生。由此，“电熔丝”集成在抗蚀剂涂层中。通过适当地设计电场分布图形，一定的刻蚀时间之后，中心表面区域部分的选定部分可以自动地与刻蚀工艺分离。在PCB/PWB的制造中为约50-100μm到1-2mm的横向尺寸的伸长结构形式的覆盖部分确定具有适当的熔丝功能。为了制造半导体，覆盖部分可以具有较小的横向尺寸。
优选伸长结构具有三角形，由此金属层的未覆盖部分朝中心表面区域部分变宽。
下面参考附图更详细地介绍本发明。
图1示出了根据本发明第一方案的电化学刻蚀中布局的侧视图；图2-3示出了根据本发明第一方案另一实施例的电化学刻蚀中使用的基板的俯视图；以及图4-6示出了根据本发明第二方案另一实施例的电化学刻蚀中使用的基板的俯视图；图7示出了第二方案的又一实施例的放大俯视图。
图8示出了本发明的又一实施例。
图9示出了第二方案的又一实施例的放大俯视图。
具体实施例方式
图1-3示出了根据本发明第一方案的刻蚀方法中使用的布局。提供具有不导电材料的基底2和导电金属膜3的基板1，抗蚀剂涂层未覆盖在基板1的中心电路部分4中金属膜3的选定部分。通常，在该中心电路部分4中的抗蚀剂涂层限定了几个单独的电路5(由图1-3中的阴影区域表示)。极板6以与基板1共平面的方式排列。电源7连接到电极6和金属膜3，以施加电流穿过电极和基板1之间的刻蚀剂(未示出)，由此溶解了金属膜3的未覆盖部分。以环绕中心电路部分4中的各电路5的方式设置单独的框架部件8。至少在面向电极6的侧面由导电材料制成的框架部件8连接到电源7，与金属膜3的极性相同。
图2示出了第一框架结构，其中设计框架部件8形成环绕中心电路部分4的环绕框架9。在各电路5之间导电金属膜3通常完全暴露。在抗蚀剂涂层首先涂覆到金属膜3的刻蚀方法中使用框架部件8，因此在中心电路部分4中限定的图形中除去抗蚀剂涂层，由此形成各电路5。这可以任何常规方式进行，例如通过光刻、纳米印刷(nanoimprint)等。然后，框架部件8放置在基板1上以提供框架9，因此金属膜3的露出部分选择性地溶解在电化学刻蚀步骤中。在该刻蚀步骤中，框架9吸收了过量的电场，由此防止了在中心电路部分4的周边形成过量的电流密度。此外，框架部件8屏蔽了下面的金属膜3从而形成分布区，在该区中从电源7引入到金属膜3内的电流可以均匀地分布在中心电路部分4的周边。
图3示出了第二个备选框架结构，其中框架部件8也包括了至少部分覆盖中心电路部分4中各电路5之间区域的内部框架结构10。图3的框架部件8在各电路5的周边提供了进一步的电流屏蔽分布，通过防止在各电路5的周边形成过量的电流密度，允许进一步平衡刻蚀步骤期间中心电路部分4中的刻蚀速率。
图1-3的布局也简化了基板1的接触。由于在框架9下面提供以上提到的分布区，因此仅需要一个小接触区11。如果导电框架部件8直接设置在基板1的金属膜3上，那么可以接触框架部件8和该接触区11中的基板1。
图4-6示出了根据本发明第二方案的刻蚀方法中使用的布局。虽然没有在图中示出，可以使用和图1中类似的布局进行刻蚀工艺。第二方案基于以下理解框架9和内部框架结构10可以与基板1上的抗蚀剂涂层成一体。因此，以下说明将关注抗蚀剂涂层的设计。与图2-3类似，图4-6示出了刻蚀步骤之前的基板1，其中图4-6中对应于图1-3中的部件具有相同的参考数字。
在图4中，基板1的金属膜3提供有抗蚀剂涂层。对抗蚀剂涂层制作图形从而限定中心电路部分4中的各电路5以及确定该电路部分4的框架9。框架9包括设计用于屏蔽下面金属膜3的外周边部分9’，由此提供了以上针对图1-3讨论的分布区。为此，周边部分9’通常具有下面金属膜3的低暴露程度，在示出的例子中约20％。框架9也包括电场分布部分9”，设计用于刻蚀步骤期间吸收过量电场，由此防止中心电路部分4边缘的任何电流集中。为此，电场分布部分9”通常具有与各电路5的平均暴露程度相当的下面金属膜3的暴露程度，在示出的例子中约50％。应该注意可以仅使用一个小接触区11，显示为框架9中未覆盖的区域，因为电流基本上均匀地分布在框架9下面金属膜3中基板1周边，特别是它的周边部分9’。由此，提供该设计从而易于接触基板1，以及可以平衡基板1上的刻蚀速度，即使是具有大表面积的基板1。
图5示出了类似于图4中结构的一个实施例，但框架9的周边和电场分布部分9’，9”具有相同的暴露程度，在本例中约50％。此时，同一框架图形执行了吸引过量电场和在基板1周边形成用于电流的分布区的双重功能。
图6的实施例类似于图4的，但包括从电场分布部分9”和中心电路部分4中各电路5之间延伸的内部框架结构10。在本例中，内部框架结构10具有与电场分布部分9”相同的暴露程度，即，约50％。图6中所示的设计提供了刻蚀步骤期间到各电路5周边的均匀电流分布，同时吸引了过量的电场，防止了内部框架结构10边缘的任何电流集中。应该注意内部框架结构10也包含在图5的实施例中。
图7示出了体现本发明另一特点的基板剖面图。这里，电场分布图形的覆盖部分，此时为电场分布部分9”，制作成在周边部分9’和中心电路部分4之间延伸的伸长结构12。结构12具有通常约50-100μm到1-2mm的横向尺寸，由此刻蚀步骤期间给定时间之后中心电路部分4的选定部分自动地断开。更具体地，刻蚀步骤期间结构12之间未覆盖的金属膜3较早溶解，由此在延长结构12下面的金属膜3中形成“导体”。通过刻蚀工艺中固有的底蚀这些导体也将溶解，到溶解时的时间决定于延长结构12的形状和尺寸以及局部电流密度。还应该注意对于类似的刻蚀速率平衡，也可以和图4-6中所示的其它实施例有非常类似的设计。
图8a示出本发明另一实施例的透视图。图8a的实施方式也与图4的类似。基板2覆盖有金属层3，金属层3上涂覆有抗蚀剂层21。图形形成在抗蚀剂层21中限定电场分布部分9”以及周边部分9’。在本例中，电场分布部分9”中的下金属膜3的暴露程度约50％。电场分布部分9”显示为具有圆形孔20的图形。周边部分9’也显示出具有孔22的图形，然而该孔较小并且覆盖了比电场分布部分中的孔小的区域。仅在框架的小部分上显示有孔20，22。在图8a中还显示有接触区11和具有许多单独电路5的中心电路部分4。图8所示的结构显示了刻蚀进行到在没有被抗蚀剂层覆盖的部分框架中表面层已被刻蚀穿通的程度之后的状态。由此，图8b所示的状态为孔中的金属层已被刻蚀穿通但中心表面区中的金属仍然保留时的状态。中心表面区域中的金属层在图8b中显示为完整无缺，但实际上在一些位置中中心表面区中的金属层已被刻蚀穿通。在图8b中，更具体地示出的电场分布部分9”。在图8b中，电场分布部分中的抗蚀剂已除去小部分露出了已除去孔20的下面金属层。然而，在框架中的金属层中仍然有电流路径电接触中心电路部分4。
图9示出了体现本发明另一特点的剖面图。这里，电场分布图形的覆盖部分，此时为电场分布部分9”，形成在在周边部分9’和中心电路部分4之间延伸的伸长结构12。结构12为三角形，在朝向中心表面区域部分的方向中变窄。它们的底部通常约200-1000μm宽，由此刻蚀步骤期间给定时间之后中心电路部分4的选定部分自动地断开。更具体地，刻蚀步骤期间结构12之间未覆盖的金属膜3较早溶解，由此在延长结构12下面的金属膜3中形成“导体”。还应该注意对于类似的刻蚀速率平衡，也可以和图4-6中所示的其它实施例非常类似的设计。
在根据第二方案的刻蚀方法中，抗蚀剂涂层首先涂覆到金属膜3，而在中心电路部分4中限定的图形中除去抗蚀剂涂层，由此形成各电路5。通常，框架9，和可选的内部框架结构10与电路图形同时形成。可以任何方式进行构图，例如通过光刻、纳米印刷等。随后，在电化学刻蚀步骤中选择性地溶解金属膜3的未覆盖部分。
如果通过光刻对抗蚀剂涂层制作图形，那么框架9印刷在光刻工艺中使用的形成掩模或模板的透明片。如果需要，内部框架结构和/或电路图形也可以印刷在相同的掩模上。
此外，框架9和可选的内部框架结构10可以合并在叠层结构(未示出)中。在中心电路部分4中按限定的电路图形除去抗蚀剂涂层之后，在单独的步骤中，这种叠层结构适当地附着到金属膜3。
还可以提供具有金属和覆盖的抗蚀剂涂层的预制基板部件(未示出)，其中框架和可选的内部框架结构提供在交货付款(on delivery)的抗蚀剂涂层上。在简化的随后工艺中，这种预制的基板部件可以提供有电路图形并电化学刻蚀。
还应该注意第一和第二方案可以组合，例如内部框架结构10可以形成在抗蚀剂涂层中，单独的框架部件8用于在中心电路部分4周围形成框架9。还可以在面向电极6的侧面上提供框架部件8，抗蚀剂涂层具有类似于以上针对第二方案讨论的周边部分9’和/或电场分布部分9”中一个的电场分布图形。
还应该理解本发明可以适用于制造任何类型的电路，例如PCB/PWB、半导体晶片、LCD面板等。
权利要求
1.一种刻蚀方法，包括以下步骤在具有导电材料的表面层(3)的基板(1)上涂覆抗蚀剂涂层；在基板(1)的中心表面区域部分(4)中按限定的电路图形除去抗蚀剂涂层；以及电化学地刻蚀所述中心表面区域部分(1)，由此将所述电路图形转移到所述表面层(3)，特征在于在所述中心表面区域部分(4)附近提供框架(9)，所述框架(9)用于吸引电场，并由此防止电化学刻蚀期间在所述中心表面区域部分(4)的周边形成过量的电流密度。
2.根据权利要求1的方法，包括通过在抗蚀剂涂层中形成图形来形成所述框架(9)的步骤。
3.根据权利要求2的方法，其中框架(9)包括电场分布区(9”)，该电场分布区在所述中心表面区域部分(4)的附近提供，并具有未覆盖所述表面层(3)到给定暴露程度的电场分布图形。
4.根据权利要求3或4的方法，其中电场分布部分(9”)中的表面层的暴露程度在约30-90％，优选约50-90％的范围内。
5.根据权利要求3或4的方法，其中框架(9)具有周围周边部分(9’)，其中保护下面的表面层(3)以便所述刻蚀步骤期间引入所述表面层(3)内的电流均匀地分布在基板(1)的周边，其中在所述周边部分(9’)中，下面的表面层(3)优选未覆盖到约0-60％，更优选约0-50％范围内的暴露程度。
6.根据权利要求2-5中的任何一种方法，包括在框架(9)中形成至少一个未覆盖区域(11)的步骤，所述刻蚀步骤期间，电流穿过所述接触区(11)引入到所述表面层(3)内。
7.根据权利要求1-6中的任何一种方法，还包括在所述电路图形的各电路(5)之间提供内部框架结构(10)的步骤，其中在所述内部框架结构(10)中，保护下面的表面层(3)以便所述刻蚀步骤期间引入到所述表面层(3)内的电流均匀地分布在各电路(5)的周边。
8.根据权利要求7的方法，包括通过在所述抗蚀剂涂层中形成图形来形成所述内部框架结构(10)的步骤。
9.根据权利要求7或8的方法，其中所述内部框架结构(10)从电场分布部分(9”)延伸并具有未覆盖所述表面层(3)到给定暴露程度的电场分布图形。
10.根据权利要求9或10的方法，其中内部框架结构(10)中下面的表面层的暴露程度在约30-90％，优选约50-90％的范围内。
11.根据权利要求3-10中的任何一种方法，其中所述电场分布图形的未覆盖部分基本上均匀地分布。
12.根据权利要求3-11中的任何一种方法，其中所述电场分布图形的未覆盖部分基本上为圆形。
13.根据权利要求3-12中的任何一种方法，其中所述电场分布图形的未覆盖部分具有至少约100μm的横向尺寸。
14.根据权利要求3-13中的任何一种方法，其中所述所述电场分布图形为筛网图形。
15.根据权利要求3-14中的任何一种方法，还包括形成所述电场分布图形的覆盖部分(12)的步骤，在所述刻蚀步骤期间给定时间之后，所述电场分布图形具有的形状和横向尺寸使得与这些覆盖部分的一端相邻的各电路(5)自动地断开。
16.根据权利要求15的方法，其中所述覆盖部分(12)为具有约50-100μm到1-2mm的伸长结构。
17.根据权利要求1的方法，其中提供框架(9)的步骤包括在基板(1)上设置独立导电框架部件(8)的步骤。
18.根据权利要求7的方法，其中提供内部框架(10)的步骤包括在基板(1)上设置独立导电框架部件(8)的步骤。
19.根据权利要求1-18中的任何一种方法，其中提供框架(9)的步骤包括将至少包括限定框架(9)的抗蚀剂的叠层结构附着到基板(1)的导电表面层(3)。
20.在根据权利要求17的方法中使用的框架部件，该框架部件限定框架(9)并具有至少一个由导电材料制成的表面(3)，在刻蚀步骤期间用于覆盖所述基板(1)，所述表面背离所述基板(1)。
21.根据权利要求20的框架部件，还限定在根据权利要求18的方法中使用的内部框架结构(10)。
22.在根据权利要求1-16中任何一个的方法中使用的掩模，优选借助光刻将框架图形转移到所述表面层(3)上的抗蚀剂涂层上，所述框架图形包括至少所述框架(9)。
23.根据权利要求22的掩模，包括位于中心的模板图形，该图形在所述转移时在抗蚀剂涂层中形成所述电路图形。
24.预制的基板部件，包括导电材料的表面层(3)和覆盖所述表面层(3)的抗蚀剂涂层、用于接收电路图形的所述抗蚀剂涂层的中心表面区域部分(4)，特征在于包括电场分布部分(9”)的框架(9)，所述电场分布部分(9”)具有电场分布图形，该电场分布图形形成在与所述中心表面区域部分(4)相邻的抗蚀剂涂层中，将所述表面层(3)暴露到给定的暴露程度，由此吸引电场并防止在所述电化学刻蚀步骤期间在所述中心表面区域部分(4)的周边形成过量的电流密度。
25.根据权利要求24的预制基板部件，其中框架(9)包括周围的周边部分(9’)，其中保护下面的表面层(3)以便所述刻蚀步骤期间引入到所述表面层内的电流均匀地分布在基板部件的周边周围。
26.根据权利要求24或25的预制基板部件，还包括限定所述中心表面区域部分(4)中的各电路接收区域的内部框架结构(10)，所述内框架结构(10)保护下面的表面层(3)以便所述电化学刻蚀步骤期间引入到所述表面层(3)内的电流均匀地分布在各电路接收区域的周边周围。
27.根据权利要求26的预制基板部件，其中内部框架结构(10)具有电场分布图形，将所述表面层(3)暴露到给定的暴露程度，以防止在所述电化学刻蚀步骤期间在各电路接收区域的周边形成过量的电流密度。
全文摘要
在刻蚀具有导电材料的表面层(3)的基板(1)的方法中，通过电化学刻蚀使电路图形转移到基板(1)的中心表面区域部分(4)中的表面层(3)。为防止在电化学刻蚀步骤期间在中心表面区域部分(4)的周边形成过量的电流密度，在中心表面区域部分(4)的附近提供用于吸引电场的框架(9)。框架(9)可以是与部件分开在刻蚀步骤之前放置在基板(1)上的部分，或者和基板(1)上的抗蚀剂涂层成一体。可以通过任何合适方式，例如通过用合适框架图形的掩模进行光刻曝光从而将框架(9)转移到抗蚀剂涂层。此外，框架(9)可以和刻蚀步骤中电路图形转移至的预制基板部件成一体。
文档编号C25F3/00GK1469941SQ0181764
公开日2004年1月21日 申请日期2001年9月18日 优先权日2000年9月18日
发明者佩·比德森, 比加尼·比加纳森, 米凯尔·加斯塔夫森, 詹尼·斯乔伯格, 斌·谢, 加斯特·比令斯, 乔兰·弗莱尼森, 加斯塔夫森, 比令斯, 比加纳森, 佩 比德森, 弗莱尼森, 斯乔伯格 申请人:奥博杜卡特股份公司