本发明涉及一种钢线切割领域，具体涉及一种金刚石切割线的制备工艺。
背景技术：
金刚石切割线又称为金刚线，还被称为之位钻石切割线或者钻石线。目前主流的用于光伏领域的硅片切割线是超精细切割钢丝，直径大约是120um，原料采用高碳钢，材质在80c，86c，90c不等。金刚石切割线有其特有的优点：可实现高速切割，切割速度可以提高到原来的2倍，耗时自然减少；环保生产，金钢线的切割工艺中只需要水或是水基冷却清洁液就可以，真正实现了环保生产和制造。
金刚石切割线目前还是一个相对较新的技术，还没有达到普及，主要的金刚线依赖进口，我国本土的公司金刚线的供给还比较少，所以价格比较高，金钢石材料价格比较镀铜镀锌材料高很多。同时，金刚线太粗从而导致硅片损失较大。硅片的损失与切割线的粗细有直接联系，越粗自然损失越多。目前主流的切割线是超精细切割钢丝，直径大约是120um。而在实际应用中的金刚线直径大约是250um，是超精细切割钢丝的两倍多。由于金刚石的存在，切割后会有切痕从而导致晶硅电池片转换效率低下。
针对上述问题，本发明提供一种金刚石切割线制备工艺，可以解决上述问题。
技术实现要素：
本发明提供一种金刚石切割线的制备工艺，所述制备工艺的制备方法如下：
(1)制备金刚石，将所述金刚石和预处理液进行混合，得到处理液a，将金属线材在处理液a中走线，得到预处理金属线材；
(2)对步骤(1)中的预处理金属线材进行电镀处理，得到金刚石切割线粗品；
(3)将步骤(2)中得到的金刚石切割线粗品在离子液体中走线，即可制备得到金刚石切割线。
作为本发明的一种实施方式，所述步骤(1)中的金刚石采用微波等离子体化学气相沉积的方法制备得到，其中，主要的参数如下：
以p型si(100)单晶晶片为基片，以ch4/h2体系作为气源，其中基片温度分两个阶段，第一阶段的基片温度为650℃，第二阶段的基片温度为720℃；
且基片温度为650℃时，微波的功率为3500w，沉积气压为2.3kpa，沉积时间为4h；基片温度为720℃时，微波的功率为3000w，沉积气压为3.4kpa，沉积时间为0.5h。
作为本发明的一种实施方式，所述ch4/h2体系中各气体的浓度分别为：h2为200sccm，ch4为15sccm。
作为本发明的一种实施方式，所述预处理液的制备原料包含：
80-100份水、5-10份聚丙烯酸锌、0.1-3份十八烷基-二甲基-(3-三甲氧基硅丙基)氯化铵、0.01-0.1份硬脂基三甲基溴化铵。
作为本发明的一种实施方式，所述预处理液的制备原料包含：
90-100份水、5-8份聚丙烯酸锌、0.1-2份十八烷基-二甲基-(3-三甲氧基硅丙基)氯化铵、0.01-0.05份硬脂基三甲基溴化铵。
作为本发明的一种实施方式，所述预处理液的制备原料包含：
99份水、5份聚丙烯酸锌、0.15份十八烷基-二甲基-(3-三甲氧基硅丙基)氯化铵、0.02份硬脂基三甲基溴化铵。
作为本发明的一种实施方式，所述聚丙烯酸锌的制备方法如下：
在搅拌下，将1重量份的氯化锌溶液加入2重量份的丙烯酸中，以氨水调节反应液ph至9，搅拌至均匀后加入0.5g/ml的过硫酸氨0.1份和0.5g/ml的亚硫酸氢钠溶液0.1份，搅拌均匀，置于60℃水浴中反应4小时，得到淡黄色凝胶，将其在60℃真空烘箱中抽真空烘干后，粉碎。
作为本发明的一种实施方式，所述步骤(2)中电镀的电镀液包含水、硼酸溶液、无水二氯化镍、苦基磺酸钠。
作为本发明的一种实施方式，所述离子液体为1-羧甲基-3-甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐。
本发明的第二方面提供一种金刚石切割线，其由上述的金刚石切割线的制备工艺制备得到。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1：本发明通过微波等离子体化学气相沉积的方法制备得到的金刚石的扫描电镜图(jsm-it100多功能扫描电镜)。
具体实施方式
参选以下本发明的优选实施方法的详述以及包括的实施例可更容易地理解本发明的内容。除非另有限定，本文使用的所有技术以及科学术语具有与本发明所属领域普通技术人员通常理解的相同的含义。当存在矛盾时，以本说明书中的定义为准。
如本文所用术语“由…制备”与“包含”同义。本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形，意在覆盖非排它性的包括。例如，包含所列要素的组合物、步骤、方法、制品或装置不必仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的其它要素或此种组合物、步骤、方法、制品或装置所固有的要素。
连接词“由…组成”排除任何未指出的要素、步骤或组分。如果用于权利要求中，此短语将使权利要求为封闭式，使其不包含除那些描述的材料以外的材料，但与其相关的常规杂质除外。当短语“由…组成”出现在权利要求主体的子句中而不是紧接在主题之后时，其仅限定在该子句中描述的要素；其它要素并不被排除在作为整体的所述权利要求之外。
当量、浓度、或者其它值或参数以范围、优选范围、或一系列上限优选值和下限优选值限定的范围表示时，这应当被理解为具体公开了由任何范围上限或优选值与任何范围下限或优选值的任一配对所形成的所有范围，而不论该范围是否单独公开了。例如，当公开了范围“1至5”时，所描述的范围应被解释为包括范围“1至4”、“1至3”、“1至2”、“1至2和4至5”、“1至3和5”等。当数值范围在本文中被描述时，除非另外说明，否则该范围意图包括其端值和在该范围内的所有整数和分数。
单数形式包括复数讨论对象，除非上下文中另外清楚地指明。“任选的”或者“任意一种”是指其后描述的事项或事件可以发生或不发生，而且该描述包括事件发生的情形和事件不发生的情形。
说明书和权利要求书中的近似用语用来修饰数量，表示本发明并不限定于该具体数量，还包括与该数量接近的可接受的而不会导致相关基本功能的改变的修正的部分。相应的，用“大约”、“约”等修饰一个数值，意为本发明不限于该精确数值。在某些例子中，近似用语可能对应于测量数值的仪器的精度。在本申请说明书和权利要求书中，范围限定可以组合和/或互换，如果没有另外说明这些范围包括其间所含有的所有子范围。
此外，本发明要素或组分前的不定冠词“一种”和“一个”对要素或组分的数量要求(即出现次数)无限制性。因此“一个”或“一种”应被解读为包括一个或至少一个，并且单数形式的要素或组分也包括复数形式，除非所述数量明显旨指单数形式。
“聚合物”意指通过聚合相同或不同类型的单体所制备的聚合化合物。通用术语“聚合物”包含术语“均聚物”、“共聚物”、“三元共聚物”与“共聚体”。
“共聚体”意指通过聚合至少两种不同单体制备的聚合物。通用术语“共聚体”包括术语“共聚物”(其一般用以指由两种不同单体制备的聚合物)与术语“三元共聚物”(其一般用以指由三种不同单体制备的聚合物)。其亦包含通过聚合四或更多种单体而制造的聚合物。“共混物”意指两种或两种以上聚合物通过物理的或化学的方法共同混合而形成的聚合物。
本发明提供一种金刚石切割线的制备工艺，所述制备工艺的制备方法如下：
(1)制备金刚石，将所述金刚石和预处理液进行混合，得到处理液a，将金属线材在处理液a中走线，得到预处理金属线材；
(2)对步骤(1)中的预处理金属线材进行电镀处理，得到金刚石切割线粗品；
(3)将步骤(2)中得到的金刚石切割线粗品在离子液体中走线，即可制备得到金刚石切割线。
金刚石
金刚石俗称“金刚钻”。也就是我们常说的钻石的原身，它是一种由碳元素组成的矿物，是自然界由单质元素组成的粒子物质，是碳同素异形体(金刚石，石墨烯，富勒烯，碳纳米管，蓝丝黛尔石等)。
金刚石是目前在地球上发现的众多天然存在中最坚硬的物质，同时金刚石不是只有在地球才有产出，现发现在天体陨落的陨石中也有金刚石的生成态相。
金刚石的用途非常广泛，例如：工艺品和工业中的切割工具。
金刚石膜的制备方法有热化学气相沉积(tcvd)和等离子体化学气相沉积(pcvd)两大类。现正在研究将研制得到的金刚石膜作耐磨涂层、声学膜片、光学窗口、集成电路高热导基片。
常规的用于钢丝线上的金刚石一般采用电镀的方法将颗粒状的金刚石镀在钢丝线上，此种方法制备得到的金刚线线粗，且切割表面的会比较粗糙。
本发明提供一种金刚石的制备方法，其主要采用微波等离子体化学气相沉积法(mpcvd)制备得到。
微波等离子体(cvd)是以石英管为反应室，甲烷和氢气等反应气源从反应室的顶部输入，用于沉积的衬底置于衬底座上，频率为2.45ghz或915mhz的微波在反应室的中部从波导管输入，形成辉光放电区，在衬底上沉积金刚石。
微波等离子体cvd法可利用高强度的微波源激发基片上方的气源使之产生等离子体，实现金刚石的沉积。
此方法制备得到的金刚石为纳米薄膜结构，使得制备得到的金刚线可达到超精细水平，且表面光滑，能够满足市面上的切割的要求。
作为本发明的一种实施方式，所述微波等离子体化学气相沉积的主要试验参数如下：
以p型si(100)单晶晶片为基片，以ch4/h2体系作为气源，其中基片温度分两个阶段，第一阶段的基片温度为650℃，第二阶段的基片温度为720℃；
且基片温度为650℃时，微波的功率为3500w，沉积气压为2.3kpa，沉积时间为4h；基片温度为720℃时，微波的功率为3000w，沉积气压为3.4kpa，沉积时间为0.5h。
所述ch4/h2体系中各气体的浓度分别为：h2为200sccm，ch4为15sccm。
本发明中，采用微波等离子体化学气相沉积制备金刚石分两个阶段，第一阶段的基片温度为650℃，微波的功率为3500w，沉积气压为2.3kpa，沉积时间为4h，所述ch4/h2体系中各气体的浓度分别为：h2为200sccm，ch4为15sccm；反应结束后，调节基片温度为720℃时，微波的功率为3000w，沉积气压为3.4kpa，沉积时间为0.5h，所述ch4/h2体系中各气体的浓度分别为：h2为200sccm，ch4为15sccm。
本发明中，采用两个阶段制备得到金刚石的结构为复合结构，即在金刚石薄膜的表面会复合有金刚石颗粒，此金刚石形貌为现阶段未发现的形貌。
预处理液
本发明中所述预处理液的制备原料包含：
80-100份水、5-10份聚丙烯酸锌、0.1-3份十八烷基-二甲基-(3-三甲氧基硅丙基)氯化铵、0.01-0.1份硬脂基三甲基溴化铵。
作为本发明的一种实施方式，所述预处理液的制备原料包含：
90-100份水、5-8份聚丙烯酸锌、0.1-2份十八烷基-二甲基-(3-三甲氧基硅丙基)氯化铵、0.01-0.05份硬脂基三甲基溴化铵。
作为本发明的一种实施方式，所述预处理液的制备原料包含：99份水、5份聚丙烯酸锌、0.15份十八烷基-二甲基-(3-三甲氧基硅丙基)氯化铵、0.02份硬脂基三甲基溴化铵。
作为本发明的一种实施方式，所述聚丙烯酸锌的制备方法如下：在搅拌下，将1重量份的氯化锌溶液加入2重量份的丙烯酸中，以氨水调节反应液ph至9，搅拌至均匀后加入0.5g/ml的过硫酸氨0.1份和0.5g/ml的亚硫酸氢钠溶液0.1份，搅拌均匀，置于60℃水浴中反应4小时，得到淡黄色凝胶，将其在60℃真空烘箱中抽真空烘干后，粉碎。
电镀
本发明中所述电镀试验是在超声波下进行电镀。
本发明中所述电镀中电镀液包含水、硼酸溶液、无水二氯化镍、苦基磺酸钠。
作为本发明的一种实施方式，所述电镀液中各成分的比例为：50重量份水、1.5重量份硼酸溶液、15重量份的无水二氯化镍、12重量份的苦基磺酸钠。
所述硼酸溶液的浓度为35g/l。
所述电镀的试验参数为：电镀液的ph值为3.5，电流密度为2.5a/dm2，镀液温度为42℃，电镀时间为0.5h，超声波的频率为25khz。
上述预处理金属线材经电镀后得到金刚石切割线粗品。
离子液体
离子液体(或称离子性液体)是指全部由离子组成的液体，如高温下的kci,koh呈液体状态，此时它们就是离子液体。在室温或室温附近温度下呈液态的由离子构成的物质，称为室温离子液体、室温熔融盐。
离子液体是指在室温或接近室温下呈现液态的、完全由阴阳离子所组成的盐，也称为低温熔融盐。离子液体作为离子化合物，其熔点较低的主要原因是因其结构中某些取代基的不对称性使离子不能规则地堆积成晶体所致。它一般由有机阳离子和无机或有机阴离子构成，常见的阳离子有季铵盐离子、季鏻盐离子、咪唑盐离子和吡咯盐离子等，阴离子有卤素离子、四氟硼酸根离子、六氟磷酸根离子等。
本发明将上述制备得到的金刚石切割线粗品在离子液体中走线，即可制备得到金刚石切割线。本发明中，所述离子液体为1-羧甲基-3-甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐。
本发明中所述处理液a中金刚石和预处理液的质量比为1：4。
另外，作为本发明的一种实施方式，本发明中所述金属线材在处理液a中走线之前，经过酸洗步骤。
所述酸洗步骤为：
a)将金属线材完全浸入酸洗槽内，时间控制范围：3-5分钟；
b)用清水冲洗步骤a)中的金属线材；
c)在酸洗槽内加入酸洗溶液，步骤b)中的金属线材完全浸入酸洗溶液中，时间控制范围：3-5分钟；
d)使用水对金属线材表面进行冲洗，冲刷金属线材表面残留的酸洗溶液，即可。
其中，酸洗溶液的制备原料，按照质量分数计，包含：h2so415wt％，硫脲0.1wt％，l-天冬氨酸锌1wt％和余量水。
作为本发明的一种实施方式，所述金属线材为直径是0.14毫米的不锈钢丝。
机理解释：常规采用微波等离子体化学气相沉积制备得到的纳米金刚石要求表面光滑，质量高。本发明中，采用微波等离子体的化学气相沉积制备得到的纳米金刚石在光滑的表面上复合有那么金刚石颗粒，将此形貌的金刚石颗粒和金属线材进行混合后，不仅能够提高金刚线的切割效率，且被切割表面粗糙程度有很大的改善；得到的金刚线的直径也满足超精细切割钢丝的要求；且本发明通过后期在离子液体中的走线，由于阴阳离子之间的作用力，增加金刚石和金属线材之间的作用力，同时能够弥补金刚石之间过大的凹凸，提高切割效率。
实施方式1：本实施方式提供一种金刚石切割线的制备工艺，所述制备工艺的制备方法如下：
(1)制备金刚石，将所述金刚石和预处理液进行混合，得到处理液a，将金属线材在处理液a中走线，得到预处理金属线材；
(2)对步骤(1)中的预处理金属线材进行电镀处理，得到金刚石切割线粗品；
(3)将步骤(2)中得到的金刚石切割线粗品在离子液体中走线，即可制备得到金刚石切割线。
实施方式2.实施方式1所述的一种金刚石切割线的制备工艺，所述步骤(1)中的金刚石采用微波等离子体化学气相沉积的方法制备得到，其中，主要的参数如下：
以p型si(100)单晶晶片为基片，以ch4/h2体系作为气源，其中基片温度分两个阶段，第一阶段的基片温度为650℃，第二阶段的基片温度为720℃；
且基片温度为650℃时，微波的功率为3500w，沉积气压为2.3kpa，沉积时间为4h；基片温度为720℃时，微波的功率为3000w，沉积气压为3.4kpa，沉积时间为0.5h。
实施方式3.实施方式2所述的一种金刚石切割线的制备工艺，所述ch4/h2体系中各气体的浓度分别为：h2为200sccm，ch4为15sccm。
实施方式4.实施方式1所述的一种金刚石切割线的制备工艺，所述预处理液的制备原料包含：
80-100份水、5-10份聚丙烯酸锌、0.1-3份十八烷基-二甲基-(3-三甲氧基硅丙基)氯化铵、0.01-0.1份硬脂基三甲基溴化铵。
实施方式5.实施方式3所述的一种金刚石切割线的制备工艺，所述预处理液的制备原料包含：
90-100份水、5-8份聚丙烯酸锌、0.1-2份十八烷基-二甲基-(3-三甲氧基硅丙基)氯化铵、0.01-0.05份硬脂基三甲基溴化铵。
实施方式6.实施方式3所述的一种金刚石切割线的制备工艺，所述预处理液的制备原料包含：
99份水、5份聚丙烯酸锌、0.15份十八烷基-二甲基-(3-三甲氧基硅丙基)氯化铵、0.02份硬脂基三甲基溴化铵。
实施方式7.实施方式3所述的一种金刚石切割线的制备工艺，所述聚丙烯酸锌的制备方法如下：
在搅拌下，将1重量份的氯化锌溶液加入2重量份的丙烯酸中，以氨水调节反应液ph至9，搅拌至均匀后加入0.5g/ml的过硫酸氨0.1份和0.5g/ml的亚硫酸氢钠溶液0.1份，搅拌均匀，置于60℃水浴中反应4小时，得到淡黄色凝胶，将其在60℃真空烘箱中抽真空烘干后，粉碎。
实施方式8.实施方式1所述的一种金刚石切割线的制备工艺，所述步骤(2)中电镀的电镀液包含水、硼酸溶液、无水二氯化镍、苦基磺酸钠。
实施方式9.实施方式1所述的一种金刚石切割线的制备工艺，所述离子液体为1-羧甲基-3-甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐。
实施方式10.本实施方式提供一种金刚石切割线，其由实施方式1-9中任一项所述的金刚石切割线的制备工艺制备得到。
下面通过实施例对本发明进行具体描述。有必要在此指出的是，以下实施例只用于对本发明作进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，该领域的专业技术人员根据上述本发明的内容做出的一些非本质的改进和调整，仍属于本发明的保护范围。
另外，如果没有其它说明，所用原料都是市售的。
实施例1：本实施例提供一种金刚石切割线的制备工艺，所述制备工艺的制备方法如下：
(1)制备金刚石，将所述金刚石和预处理液进行混合，得到处理液a，将金属线材在处理液a中走线，得到预处理金属线材；
(2)对步骤(1)中的预处理金属线材进行电镀处理，得到金刚石切割线粗品；
(3)将步骤(2)中得到的金刚石切割线粗品在离子液体中走线，即可制备得到金刚石切割线。
步骤(1)中
所述金刚石采用微波等离子体化学气相沉积的方法制备得到，具体制备参数如下：
第一阶段的基片温度为650℃，微波的功率为3500w，沉积气压为2.3kpa，沉积时间为4h，所述ch4/h2体系中各气体的浓度分别为：h2为200sccm，ch4为15sccm；反应结束后，调节基片温度为720℃时，微波的功率为3000w，沉积气压为3.4kpa，沉积时间为0.5h，所述ch4/h2体系中各气体的浓度分别为：h2为200sccm，ch4为15sccm。
以p型si(100)单晶晶片为基片，以ch4/h2体系作为气源，其中基片温度分两个阶段，第一阶段的基片温度为650℃，第二阶段的基片温度为720℃；
且基片温度为650℃时，微波的功率为3500w，沉积气压为2.3kpa，沉积时间为4h；基片温度为720℃时，微波的功率为3000w，沉积气压为3.4kpa，沉积时间为0.5h。
所述预处理液的制备原料包含：99份水、5份聚丙烯酸锌、0.15份十八烷基-二甲基-(3-三甲氧基硅丙基)氯化铵、0.02份硬脂基三甲基溴化铵。
所述聚丙烯酸锌的制备方法如下：在搅拌下，将1重量份的氯化锌溶液加入2重量份的丙烯酸中，以氨水调节反应液ph至9，搅拌至均匀后加入0.5g/ml的过硫酸氨0.1份和0.5g/ml的亚硫酸氢钠溶液0.1份，搅拌均匀，置于60℃水浴中反应4小时，得到淡黄色凝胶，将其在60℃真空烘箱中抽真空烘干后，粉碎。
本实施例中所述处理液a中金刚石和预处理液的质量比为1：4。
所述金属线材在处理液a中走线之前，经过酸洗步骤。
所述酸洗步骤为：
a)将金属线材完全浸入酸洗槽内，时间控制范围：3-5分钟；
b)用清水冲洗步骤a)中的金属线材；
c)在酸洗槽内加入酸洗溶液，步骤b)中的金属线材完全浸入酸洗溶液中，时间控制范围：3-5分钟；
d)使用水对金属线材表面进行冲洗，冲刷金属线材表面残留的酸洗溶液，即可。
其中，酸洗溶液的制备原料，按照质量分数计，包含：h2so415wt％，硫脲0.1wt％，l-天冬氨酸锌1wt％和余量水。
所述步骤(2)中，
所述电镀试验是在超声波下进行电镀。
作为本发明的一种实施方式，所述电镀液中各成分的比例为：50重量份水、1.5重量份硼酸溶液、15重量份的无水二氯化镍、12重量份的苦基磺酸钠。
所述硼酸溶液的浓度为35g/l。
所述电镀的试验参数为：电镀液的ph值为3.5，电流密度为2.5a/dm2，镀液温度为42℃，电镀时间为0.5h，超声波的频率为25khz。
上述预处理金属线材经电镀后得到金刚石切割线粗品。
所述步骤(3)
所述离子液体为1-羧甲基-3-甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐。
经过在离子液体中走线之后，使用水对金刚线表面进行冲洗，冲刷金刚线表面残留的离子液体，即可。
采用上述制备得到的金刚石切割线的制备工艺，制备得到金刚线。所述金属线材为直径是0.14毫米的不锈钢丝。
实施例2：本实施例中，与实施例1的区别在于，所述金刚石为市面上普通购买的金刚石粉末，具体购买自珠海国红磨料磨具有限公司。
实施例3：本实施例中，与实施例1的区别在于，所述金刚石采用微波等离子体化学气相沉积的方法制备得到，具体制备参数如下：
基片温度为650℃，微波的功率为3500w，沉积气压为2.3kpa，沉积时间为4.5h，所述ch4/h2体系中各气体的浓度分别为：h2为200sccm，ch4为15sccm。
以p型si(100)单晶晶片为基片。
实施例4：本实施例中，与实施例1的区别在于，所述预处理液的制备原料无聚丙烯酸锌。
实施例5：本实施例中，与实施例1的区别在于，所述电镀液的制备原料不包含苦基磺酸钠。
实施例6：本实施例中，与实施例1的区别在于，所述苦基磺酸钠替换为1,3,6-萘三磺酸钠。
实施例7：本实施例中，与实施例1的区别在于，所述制备工艺的制备方法如下：
(1)制备金刚石，将所述金刚石和预处理液进行混合，得到处理液a，将金属线材在处理液a中走线，得到预处理金属线材；
(2)对步骤(1)中的预处理金属线材进行电镀处理，得到金刚石切割线粗品。
不经过离子液体的走线。
实施例8：本实施例中，与实施例1的区别在于，所述酸洗液的制备原料不包含l-天冬氨酸锌。
实施例9：本实施例中，与实施例1的区别在于，所述制备工艺的制备方法如下：
(1)制备金刚石，将所述金刚石和预处理液进行混合，得到处理液a，将金属线材在处理液a中走线，得到预处理金属线材；
(2)将步骤(1)中得到的预处理金属线材在离子液体中走线，即可制备得到金刚石切割线粗品；
(3)对步骤(2)中的金刚石切割线粗品进行电镀处理，得到金刚石切割线。
实施例10：本实施例中，与实施例1的区别在于，所述预处理液不包含十八烷基-二甲基-(3-三甲氧基硅丙基)氯化铵。
测试：
1、本发明使用日本进口安永金刚线切片机tw320-c进行切割试验，材料使用单晶硅棒，长*宽*高：150mm*25mm*25mm，主要切割工艺条件如下：切割线速度为500-600m/min，切割进给量为0.50-1.50mm/min，丝锯张力为25-40n，切割时间为硅片切割完成结束，天津泰伦特公司水性切削液冷却。
表1金刚线切割性能指标
前述的实例仅是说明性的，用于解释本公开的特征的一些特征。所附的权利要求旨在要求可以设想的尽可能广的范围，且本文所呈现的实施例仅是根据所有可能的实施例的组合的选择的实施方式的说明。因此，申请人的用意是所附的权利要求不被说明本发明的特征的示例的选择限制。而且在科技上的进步将形成由于语言表达的不准确的原因而未被目前考虑的可能的等同物或子替换，且这些变化也应在可能的情况下被解释为被所附的权利要求覆盖。