硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置的制作方法

文档序号:5926648阅读:183来源:国知局
专利名称:硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种质量检测设备,尤其涉及一种硅片及硅太阳电池片缺陷检测
直O
背景技术
硅片及硅太阳电池片可能存在材料本身的缺陷、结晶缺陷、碎片、材料污染等故障,这些故障在后继的制造过程或使用中,会使太阳电池的性能劣化,所以需要在前期予以检测。目前,太阳电池生产线上,硅片及硅太阳电池片的缺陷检测手段大多是依靠人工目视的检测方法,漏检率和误差率非常高,影响了太阳电池生产的质量和进度。因此,无接触式的动态监测规模生产中硅片及硅太阳电池片缺陷故障的状况,在串焊和层压之前对硅片及硅太阳电池片可能的缺陷故障问题进行统计分析,对尽可能早地鉴别缺陷类型及其可能的成因以便于能及时发现工艺或设备中的问题而避免更多的成品率损失显得非常必要。

实用新型内容本实用新型的目的,就是为了提供一种硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置,以实现在生产线上对硅片及硅太阳电池片进行动态检测。为了达到上述目的,本实用新型采用了以下技术方案一种硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置,设置在生产线中硅片或硅太阳电池片的路径上,包括硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构、红外成像机构和计算机;硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构设置在硅片及硅太阳电池片的近旁激发硅片及硅太阳电池片发光,红外成像机构设置在硅片或硅太阳电池片的上方检测硅片的发光信号并将其传输到计算机,计算机通过安装在其内的图像采集、图像处理及数据分析软件得出硅片及硅太阳电池片的缺陷参数。所述的硅片光致发光激发机构包括LED光源和第一光源电源,在LED光源前端设有第一滤光片,LED光源与第一滤光片连成一体设置在硅片的下方,LED光源将发出的光通过第一滤光片处理成特定波长的发光信号投射到硅片上激发硅片发光,第一光源电源与 LED光源相连向LED光源提供电能并控制其发光强度。所述的硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构包括激光器和第二光源电源,激光器设置在硅片或硅太阳电池片的斜上方,激光器将发出的光投射到硅片或硅太阳电池片上激发硅片或硅太阳电池片发光,第二光源电源与激光器相连向激光器提供电能并控制其发光强度。所述的红外成像机构前端设有第二滤光片。本实用新型的硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置通过LED光源或激光器激发待测硅片或硅太阳电池片产生特定波长的发光信号,通过红外成像机构和计算机检测并处理硅片发出的特定波长的发光信号,得到其可靠的缺陷参数数据。能方便快速地检测出硅片材料本身的缺陷、结晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷,并且实现了无接触检测,具有结构简单、使用方便、缺陷参数检测可靠精确等优点和特点。
图1是本实用新型硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置的结构示意图。
具体实施方式
参见图1,本实用新型硅片缺陷检测装置,设置在生产线中硅片或硅太阳电池片1 的路径上,包括硅片或硅太阳电池片光致发光激发机构2、红外成像机构3和计算机4。硅片或硅太阳电池片光致发光激发机构2设置在硅片或硅太阳电池片1的近旁激发硅片或硅太阳电池片发光,红外成像机构3设置在硅片或硅太阳电池片的上方检测硅片或硅太阳电池片的发光信号并将其传输到计算机,计算机4通过安装在其内的图像采集、 图像处理及数据分析软件得出硅片或硅太阳电池片的缺陷参数。本实用新型中的硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构2可以采用两种结构形式,两种结构形式的硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构可以并存设置,选择使用。第一种结构形式包括LED光源21和第一光源电源22,在LED光源21前端设有第一滤光片23, LED光源21与第一滤光片23连成一体设置在硅片1的下方,LED光源21将发出的光通过第一滤光片23处理成特定波长的发光信号投射到硅片或硅太阳电池片1上激发硅片发光,第一光源电源22与LED光源21相连向LED光源提供电能并控制其发光强度。第二种结构形式包括激光器M和第二光源电源25,激光器M设置在硅片或硅太阳电池片1的斜上方,激光器M将发出的光投射到硅片1上激发硅片或硅太阳电池片发光,第二光源电源25与激光器相连向激光器提供电能并控制其发光强度。在红外成像机构3的前端设有第二滤光片31。在检测过程中,首先利用LED光源或激光器发出的光激发待测硅片,LED光源发光强度的大小通过对第一光源电源的控制来实现;激光器发光强度的大小通过对第二光源电源的控制来实现。由于硅片或硅太阳电池片在被激发后会产生特定波长的发光信号,通过检测并处理硅片或硅太阳电池片发出的特定波长的发光信号,从而得到其可靠的缺陷参数数据。
权利要求1.一种硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置,设置在生产线中硅片或硅太阳电池片的路径上,其特征在于包括硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构、红外成像机构和计算机; 硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构设置在硅片或硅太阳电池片的近旁激发硅片或硅太阳电池片发光,红外成像机构设置在硅片或硅太阳电池片的上方检测硅片或硅太阳电池片的发光信号并将其传输到计算机,计算机通过安装在其内的图像采集、图像处理及数据分析软件得出硅片或硅太阳电池片的缺陷参数。
2.如权利要求1所述的硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置,其特征在于所述的硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构包括LED光源和第一光源电源,在LED光源前端设有第一滤光片,LED光源与第一滤光片连成一体设置在硅片或硅太阳电池片的下方,LED光源将发出的光通过第一滤光片处理成特定波长的发光信号投射到硅片上激发硅片或硅太阳电池片发光,第一光源电源与LED光源相连向LED光源提供电能并控制其发光强度。
3.如权利要求2所述的硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置,其特征在于所述的硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构包括激光器和第二光源电源,激光器设置在硅片或硅太阳电池片的斜上方,激光器将发出的光投射到硅片或硅太阳电池片上激发硅片发光,第二光源电源与激光器相连向激光器提供电能并控制其发光强度。
4.如权利要求1所述的硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置,其特征在于所述的红外成像机构前端设有第二滤光片。
专利摘要本实用新型提供了一种硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置,它包括硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构、红外成像机构和计算机;硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构设置在硅片或硅太阳电池片的近旁激发硅片发光,红外成像机构设置在硅片或硅太阳电池片的上方检测硅片或硅太阳电池片的发光信号并将其传输到计算机,计算机通过安装在其内的图像采集、图像处理及数据分析软件得出硅片或硅太阳电池片的缺陷参数。本实用新型的硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置能方便快速地检测出硅片材料本身的缺陷、结晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷,并且实现了无接触检测,具有结构简单、使用方便、缺陷参数检测可靠精确等优点和特点。
文档编号G01N21/88GK202305422SQ201120392780
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月16日 优先权日2011年10月16日
发明者丁叶飞, 刘小宇, 张滢清, 薛永胜 申请人:上海太阳能工程技术研究中心有限公司
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