低压输出带隙基准电路的制作方法
【专利摘要】提供一种低压输出带隙基准电路。所述低压输出带隙基准电路包括带隙基准电压产生电路以及负反馈环路，其中，所述负反馈环路包括：第三PMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第三双极性晶体管、第四电阻器、第五电阻器以及第二运算放大器。所述低压输出带隙基准电路能够提供与温度无关的低压输出。
【专利说明】低压输出带隙基准电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种带隙基准电路，更具体地讲，涉及一种能够提供与温度无关的低压输出的带隙基准电路。
【背景技术】
[0002]图1是示出现有技术的传统带隙基准电路的电路图。如图1所示，传统带隙基准电路包括运算放大器0PUPM0S晶体管Ml和M2、双极性晶体管Ql和Q2、以及电阻器R1、R2和R3。传统带隙基准电路的原理是将两个分别具有正、负温度系数的电压，乘以一定的比例系数后相迭加，产生一个与温度无关的基准电压，如等式I所示:
[0003]
【权利要求】
1.一种低压输出带隙基准电路，包括带隙基准电压产生电路以及负反馈环路，其特征在于，所述负反馈环路包括:第三PMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第三双极性晶体管、第四电阻器、第五电阻器以及第二运算放大器， 其中，第三PMOS晶体管的栅极连接到包括在带隙基准电压产生电路中的第一运算放大器的输出端，源极连接到电源VDD，漏极连接到低压输出带隙基准电路的输出端；第五电阻器的第一端连接到低压输出带隙基准电路的输出端，第二端连接到第二运算放大器的正向输入端和第三双极性晶体管的发射极；第三双极性晶体管的基极和集电极接地；第四NMOS晶体管的栅极连接到第二运算放大器的输出端，源极连接到第四电阻器的第一端，漏极连接到低压输出带隙基准电路的输出端；第四电阻器R4的第二端接地；第二运算放大器的反向输入端连接到第四电阻器的第一端。
2.根据权利要求1所述的低压输出带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电压产生电路包括第一运算放大器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一双极性晶体管、第二双极性晶体管、第一电阻器、第二电阻器和第三电阻器， 其中，第四电阻器的阻值大于第五电阻器的阻值，第一电阻器的阻值小于第五电阻器的阻值，第二电阻器和第三电阻器的阻值相等并且大于第一电阻器的阻值。
3.根据权利要求2所述的低压输出带隙基准电路，其特征在于，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管具有相同的尺寸。
4.根据权利要求2所述的低压输出带隙基准电路，其特征在于，低压输出带隙基准电路的输出电压根据以下等式计算:
5.一种低压输出带隙基准电路，包括带隙基准电压产生电路以及输出电路，其特征在于，所述输出电路包括:第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七NMOS晶体管、第三双极性晶体管、第四电阻器、第五电阻器以及第二运算放大器，其中，第二运算放大器、第四电阻器和第七NMOS晶体管构成负反馈环路， 其中，第三PMOS晶体管的栅极连接到包括在带隙基准电压产生电路中的第一运算放大器的输出端，源极连接到电源VDD，漏极连接到第二运算放大器的正向输入端；第三双极性晶体管的基极和集电极接地，发射极连接到第二运算放大器的正向输入端；第四电阻器的第一端连接到第二运算放大器的反向输入端，第二端接地；第七NMOS晶体管的栅极连接到第二运算放大器的输出端，源极连接到第二运算放大器的反向输入端；第四PMOS晶体管的栅极和漏极连接到第七NMOS晶体管的漏极，源极连接到电源VDD ;第五PMOS晶体管的栅极连接到第四PMOS晶体管的栅极，源极连接到电源VDD，漏极连接到低压输出带隙基准电路的输出端；第六PMOS晶体管的栅极连接到第三PMOS晶体管的栅极，源极连接到电源VDD，漏极连接到低压输出带隙基准电路的输出端；第五电阻器的第一端连接到低压输出带隙基准电路的输出端，第二端接地。
6.根据权利要求5所述的低压输出带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电压产生电路包括第一运算放大器、第一 PMOS晶体管、第二 PMOS晶体管、第一双极性晶体管、第二双极性晶体管、第一电阻器、第二电阻器和第三电阻器， 其中，第四电阻器的阻值大于第五电阻器的阻值，第一电阻器的阻值小于第五电阻器的阻值，第二电阻器和第三电阻器的阻值相等并且大于第一电阻器的阻值。
7.根据权利要求6所述的低压输出带隙基准电路，其特征在于，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管和第六PMOS晶体管具有相同的尺寸。
8.根据权利要求6所述的低压输出带隙基准电路，其特征在于，低压输出带隙基准电路的输出电压根据以下等式计算:
【文档编号】G05F1/56GK103631297SQ201210309074
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2012年8月28日 优先权日:2012年8月28日
【发明者】王超 申请人:三星半导体(中国)研究开发有限公司, 三星电子株式会社