1.一种低温漂的全MOSFET基准电压源，包括正温度系数电压产生电路、核心电路、零极点补偿电路，其特征在于，所述的正温度系数电压产生电路包括两个P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管PMOSFET(8)与(9)、两个增强型N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管NMOSFET(2)与(7)、两个耗尽型N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管NMOSFET(3)与(5)，正温度系数电压产生电路的输出端与核心电路的输入端连接；所述核心电路包括两个P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管PMOSFET(10)与(11)、两个增强型N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管NMOSFET(1)与(4)，核心电路的输入端与正温度系数电压产生电路的输出端连接，核心电路的输出端与零极点补偿电路的输入端连接；所述零极点补偿电路包括一个增强型N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管NMOSFET(6)、两个电容C1与C2、三个电阻R1、R2与R3，零极点补偿电路的输入端与核心电路的输出端连接，零极点补偿电路的输出端经电阻R2连接至核心电路，为核心电路提供偏置电压。
2.根据权利要求1所述的一种低温漂的全MOSFET基准电压源，其特征在于：所述的正温度系数电压产生电路中的第一个NMOS管(5)和第四个NMOS管(3)为耗尽型NMOS管，第一个NMOS管(5)的源极分别与其栅极、公共地端GND连接；第一个NMOS管(5)的漏极分别与第二个NMOS管(7)的源极、第一个PMOS管(8)的栅极、第二个PMOS管(9)的栅极、核心电路中第一个PMOS管(10)的栅极、核心电路中第二个PMOS管(11)的栅极连接；第二个NMOS管(7)的漏极与电源电压VDD连接，第二个NMOS管(7)的栅极分别与第三个NMOS管(2)的漏极、第二个PMOS管(9)的漏极连接；第三个NMOS管(2)的源极与第四个NMOS管(3)的漏极连接，第三个NMOS管(2)的栅极分别与核心电路中第一个NMOS管(1)的栅极、核心电路中第二个NMOS管(4)的栅极连接；第四个NMOS管(3)的栅极分别与其源极、公共地端GND连接；第一个PMOS管(8)的源极与电源电压VDD连接，第一个PMOS管(8)的漏极与第二个PMOS管(9)的源极连接。
3.根据权利要求1所述的一种低温漂的全MOSFET基准电压源，其特征在于：所述的核心电路中第一个PMOS管(10)的源极与电源电压VDD连接，第一个PMOS管(10)的栅极分别与第二个PMOS管(11)的栅极、正温度系数电压产生电路中第一个PMOS管(8)的栅极、正温度系数电压产生电路中第二个PMOS管(9)的栅极、正温度系数电压产生电路中第二个NMOS管(7)的源极、正温度系数电压产生电路中第一个NMOS管(5)的漏极连接，第一个PMOS管(10)的漏极与第二个PMOS管(11)的源极连接；第二个PMOS管(11)的漏极分别与第一个NMOS管(1)的漏极、零极点补偿电路中NMOS管(6)的栅极连接；第一个NMOS管(1)的源极与第二个NMOS管(4)的漏极连接，第一个NMOS管(1)的栅极分别与第二个NMOS管(4)的栅极、正温度系数电压产生电路中第三个NMOS管(2)的栅极、零极点补偿电路中电阻R2、零极点补偿电路中电阻R3连接；第二个NMOS管(4)的源极与公共地端GND连接。
4.根据权利要求1所述的一种低温漂的全MOSFET基准电压源，其特征在于：所述的零极点补偿电路中NMOS管(6)的栅极分别与电阻R1、核心电路中第二个PMOS管(11)的漏极、核心电路中第一个NMOS管(1)的漏极连接，NMOS管(6)的漏极与电源电压VDD连接，NMOS管(6)的源极分别与电容C2、电阻R2连接；电阻R1与电容C1串联，分别与NMOS管(6)的栅极、公共地端GND连接；电阻R2与电阻R3串联，再与电容C2并联，分别与NMOS管(6)的源极、公共地端GND连接。