监测和控制FOUP中的半导体衬底的温度的系统和方法与流程

本发明实施例涉及监测和控制FOUP中的半导体衬底的温度的系统和方法。

背景技术：

通常，在不同晶圆加工工具或设备的装载端口之间，在整个半导体制造设施(还称为“fab”)中通过晶圆载体成批地在一起储存和运输多个半导体衬底。这种工具通常实施用于IC芯片制造的各种光刻、蚀刻、材料/膜沉积、固化、退火、检验或其他工艺。一种这样的晶圆载体为前开式统集盒(FOUP)，所述FOUP是设计未在受控环境中容纳从300mm至450mm的范围尺寸的多个晶圆的塑料外壳。通常，每个晶圆载体容纳约25个晶圆。单个晶圆垂直堆放在FOUP中并且储存在具有多个单独的晶圆架或插槽的晶圆支撑架中。

技术实现要素：

根据本发明的一个实施例，提供了一种用于前开式统集盒(FOUP)中的半导体衬底的温度监测系统，包括：温度检测器，位于所述FOUP中并且配置为获取所述半导体衬底的温度数据；以及可编程控制器，与所述温度检测器连接并且配置为控制所述温度检测器的操作。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种用于FOUP中的半导体衬底的温度监测和控制系统，包括：可移动温度检测器，位于所述FOUP中并配置为获取所述半导体衬底的温度数据；以及温度控制器，与所述可移动温度检测器连接并配置为根据所述温度数据确定是否改变所述半导体衬底的一个的温度。

根据本发明的又另一实施例，还提供了一种监测和控制FOUP中的半导体衬底的温度的方法，所述方法包括：将温度检测器设置在所述FOUP中以面向所述半导体衬底的一个的部分；通过所述温度检测器获取所述半导体衬底的所述一个的温度数据；比较所述温度数据与预定温度以提供比较结果；以及根据所述比较结果确定是否改变所述半导体衬底的所述一个的所述温度。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例的用于前开式统集盒(FOUP)中的半导体衬底的温度监测系统的功能框图。

图2是根据本发明的一些实施例的用于FOUP中的半导体衬底的温度监测系统的示意性截面图。

图3是根据本发明的一些实施例的用于FOUP中的半导体衬底的温度监测和控制系统的功能框图。

图4是根据本发明的一些实施例的用于FOUP中的半导体衬底的温度监测和控制系统的示意性截面图。

图5是根据本发明的一些实施例的用于FOUP中的半导体衬底的温度监测和控制系统的功能框图。

图6是根据本发明的一些实施例的用于FOUP中的半导体衬底的温度监测和控制系统的示意性截面图。

图7是根据本发明的一些实施例的用于FOUP中的半导体衬底的温度监测和控制系统的示意性截面图。

图8是示出根据本发明的一些实施例的监测和控制FOUP中的半导体衬底的温度的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了多个不同的实施例或实例以实现本发明的不同特征。下面将描述元件和设置的特定实例以简化本发明。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本发明。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括第一部件和第二部件以直接接触方式形成的实施例，也可以包括额外的部件可以形成在第一和第二部件之间，使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可以在各实施例中重复参考标号和/或字符。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。

如上所述，通常，多个半导体衬底(例如，半导体晶圆)通常通过诸如前开式统集盒(FOUP)的晶圆载体成批地在一起储存和运输。然而，对于先进技术，不仅在加工工具中而且在FOUP中，热效应是半导体衬底上或中的器件的关键因素。因此，有必要精确地监测和控制半导体衬底的温度以防止由热量所致的出现在器件中的缺陷(例如，器件漂移、栅极氧化层损坏、金属电子迁移或充电增强)，所述热量诸如从高温源或邻近机器提供的热累积。

因此，本发明提供了一种用于FOUP中的半导体衬底的温度监测系统，其包括温度检测器和可编程控制器。图1是根据本发明的一些实施例的用于FOUP 20中的半导体衬底的温度监测系统10的功能框图。图2是根据本发明的一些实施例的用于FOUP 20中的半导体衬底210的温度监测系统的示意性截面图。

参考图1和图2，FOUP 20构造为在受控环境中牢固地且安全地容纳(hold)半导体衬底210。FOUP 20允许半导体衬底210被去除用于通过具有装备装载端口和机器人处理系统的机器进行加工或检测。在一些实施例中，FOUP 20包括覆盖件(未标示)以围绕用于包含半导体衬底210的体积。在一些实施例中，FOUP 20包括隔开的架子(未示出)以用于容纳半导体衬底210。在一些实施例中，FOUP 20包括门(未示出)，所述门打开以允许半导体衬底210被放入FOUP 20内或从FOUP 20去除。

仍参考图1和图2，温度检测器110设置在FOUP 20中并配置为获取半导体衬底210的温度数据。在一些实施例中，温度检测器110通过序贯检测获取每个半导体衬底210的温度数据。在一些实施例中，温度检测器110进一步配置为获取FOUP 20的温度数据。在一些实施例中，温度检测器110是热电偶、IC温度传感器、红外辐射温度计或其他合适的温度检测器。在一些实施例中，红外辐射温度计包括具有允许辐射进入的窗口的外壳、内部光学系统和与估算单元联接的红外线传感器。允许辐射进入的窗口用以关闭辐射温度计的外壳的内部，从而防止内部光学系统和红外线传感器被污染和破坏。

在一些实施例中，温度检测器110为热成像摄像机(还称为红外摄像机或热成像摄像机)，热成像摄像机为使用红外辐射形成图像的器件，与使用可见光形成图像的常用摄像机类似。代替可见光摄像机的450纳米至750纳米的范围，红外摄像机在长达14,000nm(14μm)的波长下操作。

热成像摄像机可具有合适的分辨率、视场(FOV)、瞬时视场(IFOV)和噪声等效温差(NETD)。在一些实施例中，热成像摄像机的分辨率为160×120、320×240、640×480或1280×1024像素。

术语“FOV”是指在设定距离下热成像摄像机可看到的最大区域。在一些实施例中，热成像摄像机的FOV为67°×50°、32°×24°、25°×18.8°或22°×16°。

术语“IFOV”是指在设定距离下可检测到或看到的FOV内的最小细节。在一些实施例中，热成像摄像机的IFOV为0.10mrad至2.00mrad的范围。在一些实施例中，热成像摄像机的IFOV小于或等于1.50mrad。在一些实施例中，热成像摄像机的IFOV为1.36mrad。

术语“NETD”是指产生等于系统自身噪声的输出信号所需的红外辐射的量。这是系统的噪声额定值并且应该尽可能低。在一些实施例中，热成像摄像机的NETD小于或等于0.10℃@+30℃/50mK。在一些实施例中，热成像摄像机的NETD小于或等于0.05℃@+30℃/50mK。在一些实施例中，热成像摄像机的NETD小于0.05℃@+30℃/50mK。

在一些实施例中，热成像摄像机配置为捕捉半导体衬底210的一个的部分的温度分布图像。在一些实施例中，半导体衬底210的一个的部分包括侧面、上表面的部分、下表面的部分或它们的组合。

如图1所示，可编程控制器120与温度检测器110连接并且配置为控制温度检测器110的操作。在一些实施例中，通过可编程控制器120控制的温度检测器110的操作包括位置、移动速度、检测时间、焦距调整、其他合适操作或它们的组合。在一些实施例中，在可编程控制器120中设定一组指令以控制温度检测器110。在一些实施例中，在温度检测器110中建立可编程控制器120。在一些实施例中，可编程控制器120设置在FOUP 20的内部。在一些实施例中，可编程控制器120设置在FOUP 20的外部。

在一些实施例中，如图1所示，温度监测系统10还包括数据接收模块130。在一些实施例中，如图1和图2所示，数据接收模块130配置为接收通过温度检测器110检测的半导体衬底210的温度数据。因此，温度监测系统10可检测并实时监测半导体衬底210和FOUP 20的每个的温度以实施精确的温度控制，由此防止由热量所致的半导体衬底210的器件中出现缺陷。

在一些实施例中，如图1所示，温度监测系统10还包括数据传输模块140。在一些实施例中，数据传输模块140连接在温度检测器110和数据接收模块130之间以将温度数据从温度检测器110传输至数据接收模块130。在一些实施例中，数据传输模块140为无线的，诸如蓝牙、WiFi或其他合适的无线网络。

在一些实施例中，如图2所示，温度监测系统还包括位于FOUP 20中的轨迹112，并且温度检测器110配置为通过可编程控制器120的控制在轨迹112上移动。在一些实施例中，如图2所示，轨迹112设置在FOUP 20的侧壁上。在一些实施例中，轨迹112具有垂直于或基本上垂直于半导体衬底210的一个的上表面(或下表面)的轴(未标示)，因此温度检测器110可迅速获取所有半导体衬底210的温度数据。在一些实施例中，轨迹112为直线形状。在一些实施例中，在顶视图中，轨迹112可在半导体衬底210周围移动。

在其他实施例中，轨迹(未示出)为环形并且位于FOUP 20的侧壁上并且围绕半导体衬底210，因此在轨迹上移动的温度检测器(未示出)可获取半导体衬底210的一个的完整外周部分的温度数据。在其他实施例中，环形轨迹可沿着垂直于或基本上垂直于半导体衬底210的一个的上表面(或下表面)的方向移动。

在一些实施例中，如图2所示，温度监测系统还包括位于FOUP 20中并且配置为旋转半导体衬底210的旋转构件150。在一些实施例中，FOUP 20包括隔开的架子(未示出)，并且旋转构件150与隔开的架子连接以旋转隔开的架子和位于隔开的架子中的半导体衬底210。在一些实施例中，旋转构件150与隔开的架子的最低的架子接触。在一些实施例中，旋转构件150与半导体衬底210不接触。

本发明还提供了用于FOUP中的半导体衬底的温度监测和控制系统，其包括可移动温度检测器和温度控制器。图3是根据本发明的一些实施例的用于FOUP中的半导体衬底的20的温度监测和控制系统30的功能框图。图4是根据本发明的一些实施例的用于FOUP 20中的半导体衬底210的温度监测和控制系统的示意性截面图。FOUP 20的实施例在上文例示，因此此处省略。

参考图3和图4，可移动温度检测器310位于FOUP 20中并配置为获取半导体衬底210的温度数据。在一些实施例中，可移动温度检测器310通过序贯检测获取每个半导体衬底210的温度数据。在一些实施例中，可移动温度检测器310进一步配置为获取FOUP 20的温度数据。在一些实施例中，可移动温度检测器310为热电偶、IC温度传感器、红外辐射温度计或其他合适的温度检测器。在一些实施例中，可移动温度检测器310是热成像摄像机。

在一些实施例中，可编程控制器(未示出)建立在可移动温度检测器310中。可编程控制器可控制可移动温度检测器310的操作，诸如位置、移动速度、检测时间、焦距调整、其他合适操作或它们的组合。

仍参考图3和图4，温度控制器320与可移动温度检测器310连接并配置为根据温度数据确定是否改变半导体衬底210的一个的温度。在一些实施例中，温度控制器320配置为比较温度数据和预定温度(或预定温度范围)，因此确定是否改变半导体衬底210的一个的温度。

在一些实施例中，如图3所示，温度监测和控制系统30还包括数据传输模块330。在一些实施例中，数据传输模块330连接在可移动温度检测器310和温度控制器320之间以将温度数据从可移动温度检测器310传输至温度控制器320。在一些实施例中，数据传输模块330为无线的，诸如蓝牙、WiFi或其他合适的无线的网络。

在一些实施例中，如图3所示，温度监测和控制系统还包括与温度控制器320连接的气体入口342和气体出口344。在一些实施例中，如图4所示，气体入口342和气体出口344设置在FOUP 20的表面上。在一些实施例中，诸如惰性气体源的气体源(未示出)连接在气体入口342和温度控制器320之间。在一些实施例中，如果通过温度控制器320比较，半导体衬底210的温度数据高于预定温度，则将冷却惰性气体通过气体入口342注入FOUP 20中以降低半导体衬底210的温度，并通过气体出口344将FOUP 20中的气体排放。相反，在一些实施例中，如果通过温度控制器320比较，半导体衬底210的温度数据低于预定温度，则将热惰性气体通过气体入口342注入FOUP 20中以提高半导体衬底210的温度，并通过气体出口344将FOUP 20中的气体排放。

在一些实施例中，如图4所示，温度监测和控制系统30还包括位于FOUP20中的轨迹312，并且可移动温度检测器310配置为在轨迹312上移动。在一些实施例中，轨迹312位于FOUP 20的侧壁上。在一些实施例中，轨迹312具有垂直于或基本上垂直于半导体衬底210的一个的上表面(或下表面)的轴(未标示)，因此可移动温度检测器310可迅速获取所有半导体衬底210的温度数据。在一些实施例中，轨迹312为直线形状。在一些实施例中，在顶视图中，轨迹312可在半导体衬底210周围移动。

本发明还提供了用于FOUP中的半导体衬底的另一种温度监测和控制系统，其包括可移动温度检测器和温度控制器。图5是根据本发明的一些实施例的用于FOUP 20中的半导体衬底的温度监测和控制系统50的功能框图。图6是根据本发明的一些实施例的用于FOUP 20中的半导体衬底210的温度监测和控制系统的示意性截面图。

如图5和图6所示，温度监测和控制系统50包括可移动温度检测器510和温度控制器520。可移动温度检测器510的实施例可以与可移动温度检测器310的那些相同，因此此处省略。在一些实施例中，可编程控制器(未示出)建立在可移动温度检测器510中。在一些实施例中，可编程控制器控制可移动温度检测器510的操作，诸如位置、移动速度、检测时间、焦距调整、其他合适的操作或它们的组合。温度控制器520的实施例可以与温度控制器320的那些相同，因此此处省略。

在一些实施例中，如图5所示，温度监测和控制系统50还包括数据传输模块530。在一些实施例中，数据传输模块530连接在可移动温度检测器510和温度控制器520之间以将温度数据从可移动温度检测器510传输至温度控制器520。

值得注意，温度监测和控制系统30以及温度监测和控制系统50之间的差异在于温度监测和控制系统50包括与温度控制器520连接的喷嘴540。喷嘴540配置为将惰性气体吹扫至半导体衬底210的一个上以通过温度控制器520的控制改变半导体衬底210的一个的温度。在一些实施例中，诸如惰性气体源的气体源(未示出)连接在喷嘴540和温度控制器520之间。在一些实施例中，如果通过温度控制器520比较，半导体衬底210的一个的温度数据高于预定温度，则通过喷嘴540将冷却惰性气体吹扫至(purged onto)半导体衬底210的一个上以降低半导体衬底210的一个的温度。相反，在一些实施例中，如果通过温度控制器520比较，半导体衬底210的一个的温度数据低于预定温度，则通过喷嘴540将热惰性气体吹扫至半导体衬底210的一个上以提高半导体衬底210的一个的温度。

具体地，在一些实施例中，如图6所示，喷嘴540与可移动温度检测器510集成。在一些实施例中，喷嘴540邻近可移动温度检测器510。在一些实施例中，喷嘴540与可移动温度检测器510接触。因此，可移动温度检测器510获取半导体衬底210的一个的温度数据，然后，将温度数据转移至温度控制器520以实施温度数据和预定温度的比较；随后，温度控制器520可提供给喷嘴540指令以立即改变半导体衬底210的一个的温度。

在一些实施例中，如图6所示，温度监测和控制系统还包括设置在FOUP20中的轨迹512，并且可移动温度检测器510配置为在轨迹512上移动。在一些实施例中，轨迹512位于FOUP 20的侧壁上。在一些实施例中，轨迹512具有垂直于或基本上垂直于半导体衬底210的一个的上表面(或下表面)的轴(未标示)，因此可移动温度检测器510可迅速获取所有半导体衬底210的温度数据。在一些实施例中，轨迹512为直线形状。在一些实施例中，在顶视图中，轨迹512可在半导体衬底210周围移动。

图7是根据本发明的一些实施例的用于FOUP 20中的半导体衬底210的温度监测和控制系统的示意性截面图。图6的实施例和图7的实施例之间的差异在于如图7所示，喷嘴540配置为在位于FOUP 20中的轨迹512上移动，并且可移动温度检测器510和喷嘴540是隔开的，使得FOUP 20中的半导体衬底的温度监测和控制可同时地和单独地实施以节省时间。

从前述内容可知，温度监测和控制系统30或50可检测、实时监测和控制半导体衬底210和FOUP 20的每个的温度，因此防止由热量所致的半导体衬底210的器件中发生的缺陷。

图8是示出根据本发明的一些实施例的监测和控制位于FOUP中的半导体衬底的温度的方法800的流程图。

在操作810中，如图3和图4所示，将温度检测器310设置在FOUP 20中以面向(或对齐于)半导体衬底210的一个的部分。在一些实施例中，温度检测器310为热电偶、IC温度传感器、红外辐射温度计或其他合适的温度检测器。在一些实施例中，温度检测器310为热成像摄像机。

任何设置装置可用于设置温度检测器310。在一些实施例中，使用可编程控制器(未示出)设置温度检测器310。在一些实施例中，温度检测器310在轨迹312上移动。在一些实施例中，温度检测器310停在轨迹312的位置，这通过可编程控制器控制。在一些实施例中，不仅温度检测器310的位置而且温度检测器310的移动速度、检测时间、焦距调整、其他合适的操作或它们的组合可在可编程控制器中设定。

在操作820中，通过温度检测器310获取半导体衬底210的一个的温度数据。在一些实施例中，温度检测器310为热成像摄像机，且热成像摄像机配置为捕捉半导体衬底210的一个的部分的温度分布图像。在一些实施例中，半导体衬底210的一个的部分包括侧面、上表面的部分、下表面的部分或它们的组合。

在操作830中，将温度数据与预定温度(或预定温度范围)比较以提供比较结果。在一些实施例中，诸如图3所示的温度控制器320的处理器用于比较温度数据与预定温度。

在操作840中，根据比较结果确定是否改变半导体衬底210的一个的温度。在一些实施例中，诸如图3所示的温度控制器320的处理器用于确定是否改变半导体衬底210的一个的温度。在一些实施例中，如果半导体衬底210的一个的温度数据高于或低于预定温度，则应该改变半导体衬底210的一个的温度。

在一些实施例中，方法800还包括如果确定改变半导体衬底210的一个的温度，则将惰性气体供给至FOUP 20中。任何气体源(或气体供应器)以及管道可用于将惰性气体供给至FOUP 20中。在一些实施例中，如图3所示，在FOUP 20中设置气体入口342和气体出口344。在一些实施例中，将气体源(未示出)连接在气体入口342和温度控制器320之间。在一些实施例中，如果半导体衬底210的温度数据高于预定温度，则通过气体入口342将冷却惰性气体供给至FOUP 20中以降低半导体衬底210的温度，并通过气体出口344将FOUP 20中的气体排放。相反，在一些实施例中，如果半导体衬底210的温度数据低于预定温度，则通过气体入口342将热惰性气体供给至FOUP 20中以提高半导体衬底210的温度，并通过气体出口344将FOUP 20中的气体排放。

在一些实施例中，如果确定改变半导体衬底210的一个的温度，方法800还包括则将惰性气体吹扫在半导体衬底210的一个上。在一些实施例中，如图5所示，在FOUP 20中设置喷嘴540。在一些实施例中，将气体源(未示出)连接在喷嘴540和温度控制器520之间。在一些实施例中，如果半导体衬底210的一个的温度数据高于预定温度，则通过喷嘴540将冷却惰性气体吹扫至半导体衬底210的一个上以降低半导体衬底210的一个的温度。相反，在一些实施例中，如果半导体衬底210的一个的温度数据低于预定温度，则通过喷嘴540将热惰性气体吹扫至半导体衬底210的一个上以提高半导体衬底210的一个的温度。

在一些实施例中，如图4所示，方法800还包括设置温度检测器310以面向(或对齐于)半导体衬底210的下一个的部分。在一些实施例中，方法800还包括通过温度检测器310获取半导体衬底210的下一个的温度数据；比较温度数据与预定温度以提供比较结果；并根据比较结果确定是否改变半导体衬底210的下一个的温度。

根据一些实施例，一种用于FOUP中的半导体衬底的温度监测系统包括温度检测器和可编程控制器。温度检测器位于FOUP中并配置为获取半导体衬底的温度数据。可编程控制器与温度检测器连接并配置为控制温度检测器的操作。

根据一些实施例，一种用于FOUP中的半导体衬底的温度监测和控制系统包括可移动温度检测器和温度控制器。可移动温度检测器位于FOUP中并配置为获取半导体衬底的温度数据。温度控制器与可移动温度检测器连接并配置为根据温度数据确定是否改变半导体衬底的一个的温度。

根据一些实施例，一种监测和控制FOUP中的半导体衬底的温度的方法包括：将温度检测器设置在FOUP中以面向半导体衬底的一个的部分；通过温度检测器获取半导体衬底的一个的温度数据；比较温度数据与预定温度以提供比较结果；以及根据比较结果确定是否改变半导体衬底的一个的温度。

根据本发明的一个实施例，提供了一种用于前开式统集盒(FOUP)中的半导体衬底的温度监测系统，包括：温度检测器，位于所述FOUP中并且配置为获取所述半导体衬底的温度数据；以及可编程控制器，与所述温度检测器连接并且配置为控制所述温度检测器的操作。

在上述的温度监测系统中，所述温度检测器为热成像摄像机。

在上述的温度监测系统中，还包括位于所述FOUP中的轨迹，并且所述温度检测器配置为通过所述可编程控制器的控制在所述轨迹上移动。

在上述的温度监测系统中，所述轨迹位于所述FOUP的侧壁上。

在上述的温度监测系统中，所述轨迹具有轴，所述轴垂直于或基本上垂直于所述半导体衬底的一个的上表面。

在上述的温度监测系统中，所述轨迹在所述半导体衬底周围是可移动的。

在上述的温度监测系统中，还包括：数据接收模块；以及数据传输模块，连接在所述温度检测器和所述数据接收模块之间以将所述温度数据从所述温度检测器传输至所述数据接收模块。

在上述的温度监测系统中，所述数据传输模块为无线的。

在上述的温度监测系统中，还包括旋转构件，所述旋转构件位于所述FOUP中并且配置为旋转所述半导体衬底。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种用于FOUP中的半导体衬底的温度监测和控制系统，包括：可移动温度检测器，位于所述FOUP中并配置为获取所述半导体衬底的温度数据；以及温度控制器，与所述可移动温度检测器连接并配置为根据所述温度数据确定是否改变所述半导体衬底的一个的温度。

在上述的温度监测和控制系统中，所述可移动温度检测器为热成像摄像机。

在上述的温度监测和控制系统中，还包括与所述温度控制器连接的气体入口。

在上述的温度监测和控制系统中，还包括与所述温度控制器连接的喷嘴，并且所述喷嘴配置为将惰性气体吹扫至所述半导体衬底的所述一个以通过所述温度控制器的控制来改变所述半导体衬底的所述一个的所述温度。

在上述的温度监测和控制系统中，所述喷嘴与所述可移动温度检测器集成。

在上述的温度监测和控制系统中，还包括位于所述FOUP中的轨迹，并且所述喷嘴配置为在所述轨迹上移动。

在上述的温度监测和控制系统中，还包括：数据传输模块，连接在所述可移动温度检测器和所述温度控制器之间以将所述温度数据从所述可移动温度检测器传输至所述温度控制器。

根据本发明的又另一实施例，还提供了一种监测和控制FOUP中的半导体衬底的温度的方法，所述方法包括：将温度检测器设置在所述FOUP中以面向所述半导体衬底的一个的部分；通过所述温度检测器获取所述半导体衬底的所述一个的温度数据；比较所述温度数据与预定温度以提供比较结果；以及根据所述比较结果确定是否改变所述半导体衬底的所述一个的所述温度。

在上述方法中，还包括设置所述温度检测器以面向所述半导体衬底的下一个的部分。

在上述方法中，还包括：如果确定改变所述半导体衬底的所述一个的所述温度，则将惰性气体供给至所述FOUP中。

在上述方法中，还包括：如果确定改变所述半导体衬底的所述一个的所述温度，则将惰性气体吹扫至所述半导体衬底的所述一个上。

上面论述了若干实施例的部件，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的各个方面。本领域技术人员应该理解，他们可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他用于达到与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点的工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这些等效结构并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。