本发明涉及了一种压控振荡器，尤其涉及了一种用于全MOS电压基准源的预抑制电路。
背景技术：
SOC的发展使得越来越小的芯片能够集成越来越多的功能模块，相应的，每个功能模块所占用的面积也越来越小。电压基准源是模拟集成电路的重要模块之一，为系统提供高精度的基准电压。传统的电压基准源需要大面积的三极管和电阻，以获得较高的精度。为了减小电压基准源的版图面积，国内外研究人员设计了不同结构的全MOS 电压基准源。
可见，在不增加占用面积的条件下，提高电压基准源的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比是关键技术，具有广泛的应用前景。
技术实现要素：
本发明所要解决的主要技术问题是提供一种用于全MOS电压基准源的预抑制电路，能够提高电压基准源的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种用于全MOS电压基准源的预抑制电路，包括：采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路，将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压；获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电，极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。
相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：本发明提供了一种用于全MOS电压基准源的预抑制电路，电压基准源的输出基准电压为1.53V；电源电压在3.4~5.5V范围内，线性调整率为97.8μV/V；PSRR在10 Hz处为-143.2dB，在100Hz处为-123.3dB，在1kHz处为103.3dB；环境温度在-45℃~125℃范围内，平均温度系数为8.7×10-6/℃。
附图说明
图1为本发明的全MOS 电压基准源整体电路。
具体实施方式
下文结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。
参考图1，一种用于全MOS电压基准源的预抑制电路，包括：采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路，将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压；获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电，极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。
全MOS 电压基准源，主体电路由PM4~PM6，NM1~NM5管组成。三条支路的电流分别为I1，I2，I3，具体关系为I1=I2<I3；NM1~NM3管工作在亚阈值区，NM4管工作在线性区，NM5管工作在饱和区；NM1~NM5 管的工作特性可通过调节PM4~PM6管的尺寸来实现。
由于VTH 具有负温度系数(约为-1.2 mV/℃)，只需调节NM4与NM5管的宽长比或者λ值就可得到一个与VTH相抵消的正温度系数，二者相加就可以得到一个零温度系数的带隙基准电压。λ值会随着输入电压的变化发生微小的变化，这种微小的变化会使得输出带隙基准电压不再为零温度系数。
预抑制电路，包括NM12~NM14，PM1~PM3，PM7管和C1，R1。PM7管具有较大的宽长比，可以将vGS7钳位在阈值电压附近；NM12~NM14，PM1~PM3 和PM7管构成反馈调节电路；当vreg增大时，通过反馈调节可以使PM1管的过驱动电压减小；C1和R1构成密勒补偿电路，使环路稳定；该反馈环路的直流开环增益可表示为：
（1）
只需要选择合适的器件参数使该系数为零，就可使vreg 与vin 无关。
本实施例中，所述一种用于全MOS电压基准源的预抑制电路，电压基准源的输出基准电压为1.53V；电源电压在3.4~5.5V范围内，线性调整率为97.8μV/V；PSRR在10 Hz处为-143.2dB，在100Hz处为-123.3dB，在1kHz处为103.3dB；环境温度在-45℃~125℃范围内，平均温度系数为8.7×10-6/℃。
以上所述，仅为本发明较佳实施例，不以此限定本发明实施的范围，依本发明的技术方案及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应属于本发明涵盖的范围。