一种用于全MOS电压基准源的预抑制电路的制作方法

技术特征：

1.一种用于全MOS电压基准源的预抑制电路，其特征在于包括：采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路，将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压；获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电，极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。

2.根据权利要求1所述的一种用于全MOS电压基准源的预抑制电路，其特征在于：全MOS 电压基准源，主体电路由PM4~PM6，NM1~NM5管组成；三条支路的电流分别为I1，I2，I3，具体关系为I1=I2<I3；NM1~NM3管工作在亚阈值区，NM4管工作在线性区，NM5管工作在饱和区；NM1~NM5 管的工作特性可通过调节PM4~PM6管的尺寸来实现。

3.根据权利要求1所述的一种用于全MOS电压基准源的预抑制电路，其特征在于：预抑制电路，包括NM12~NM14，PM1~PM3，PM7管和C1，R1；PM7管具有较大的宽长比，可以将vGS7钳位在阈值电压附近；NM12~NM14，PM1~PM3 和PM7管构成反馈调节电路；当vreg增大时，通过反馈调节可以使PM1管的过驱动电压减小；C1和R1构成密勒补偿电路，使环路稳定；该反馈环路的直流开环增益可表示为：

（1）。