技术总结
本发明提供了一种用于全MOS电压基准源的预抑制电路，采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路，将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压；获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电，极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。电压基准源的输出基准电压为1.53V；电源电压在3.4~5.5V范围内，线性调整率为97.8μV/V；PSRR在10 Hz处为‑143.2dB，在100Hz处为‑123.3dB，在1kHz处为103.3dB；环境温度在‑45℃~125℃范围内，平均温度系数为8.7×10‑6/℃。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：傅崇辉
文档号码：201611256884
技术研发日：2016.12.30
技术公布日：2017.05.17