1.一种双输出低温漂基准电压源，包括基准电压源本体，其特征是，基准电压源本体由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成；其中启动电路的输出端接电流产生电路的输入端，电流产生电路的输出端接双输出基准电压产生电路的输入端；
所述双输出基准电压产生电路由MOS管M11-M17和电容C1-C3组成；MOS管M11和MOS管M12的源极与电源VDD连接；MOS管M11的栅极与MOS管M12的栅极连接后，作为双输出基准电压产生电路的输入端；MOS管M13的漏极与MOS管M11的漏极连接；MOS管M12的漏极与MOS管M14的漏极连接；MOS管M13的栅极与漏极共接后与MOS管M14栅极连接；MOS管M13的源极与地GND连接；MOS管M14的源极与MOS管M15的漏极连接；MOS管M15的栅极与漏极共接后，经过电容C3与地GND连接；MOS管M15的源极与MOS管M16的漏极连接；MOS管M16栅极与漏极共接后作为整个基准电压源本体的第一输出端，输出基准电压Vref1；电容C2并联于MOS管M17栅极与地GND之间；MOS管M16的源极与MOS管M17的漏极连接；MOS管M17的栅极与漏极共接后作为整个基准电压源本体的第二输出端，输出基准电压Vref2；电容C1并联于MOS管M16栅极与地GND之间；MOS管M17的源极与地GND连接。
2.根据权利要求1所述的一种双输出低温漂基准电压源，其特征是，双输出基准电压产生电路的MOS管M13是3.3V的MOS管，MOS管M14-M17是1.8V的MOS管。
3.根据权利要求1所述的一种双输出低温漂基准电压源，其特征是，双输出基准电压产生电路的电容C1-C3为普通电容。
4.根据权利要求1所述的一种双输出低温漂基准电压源，其特征是，所述启动电路由MOS管M1-M4和电容C0组成；MOS管M1和MOS管M2的源极与电源VDD连接；MOS管M3的源极与地GND连接；MOS管M1的栅极与漏极共接后经电容C0与地GND相接；MOS管M2的栅极和MOS管M3的栅极共接后与MOS管M1的漏极连接；MOS管M2的漏极和MOS管M3的漏极共接后与MOS管M4的源极连接；MOS管M4的栅极与MOS管M3的栅极连接；MOS管M4的漏极作为启动电路的输出端。
5.根据权利要求4所述的一种双输出低温漂基准电压源，其特征是，启动电路的电容C0为普通电容。
6.根据权利要求1所述的一种双输出低温漂基准电压源，其特征是，所述电流产生电路由MOS管M5-M10和电阻R0组成；MOS管M5和MOS管M6的源极与电源VDD连接；MOS管M9的源极与地GND连接；MOS管M10的源极经电阻R0与地GND连接；MOS管M5的漏极与MOS管M7的漏极连接；MOS管M7的源极与MOS管M9的漏极连接；MOS管M6的漏极与MOS管M8的漏极连接；MOS管M8的源极与MOS管M10的漏极连接；MOS管M6的栅极与漏极共接后与MOS管M5的栅极连接；MOS管M7的栅极与漏极共接后与MOS管M8的栅极连接；MOS管M9的栅极与漏极共接后与MOS管M10的栅极连接；MOS管M5的漏极作为电流产生电路的输入端，MOS管M6的漏极作为电流产生电路的输出端。
7.根据权利要求6所述的一种双输出低温漂基准电压源，其特征是，电阻R0为高掺杂多晶硅电阻。