专利名称：磁光记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种可以通过借助于使用磁光效应的激光束来读出其上数据的磁光记录介质。更特别地，本发明涉及一种磁光记录介质，它包括至少一个再生层和一个记录层，在其上，使用具有350-450nm波长的蓝紫激光束来执行基于磁致超分辨率的读出处理。
存在这样一种通过使用激光束的热能量由基于基本原理的磁光记录装置来可重写地记录带有高密度的数据信号的方法，其中，开始使磁光记录介质的一个磁性层的局部在居里温度或补偿温度上被加热，然后使被加热部分的矫顽力减少或消失，随后是这样的处理使磁化方向转换为由外部加上的记录磁场的方向，该外部磁场例如可以是在最后形成的信息磁畴之前被加上的，换言之，该处理即为执行数据信号的记录过程。
上述磁光记录介质包括一个由聚碳酸酯树脂所构成的透明衬底，该衬底例如可以具有由顺序分层薄片层构成的主表面，其中包括例如硅氮化物或铝氮化物的绝缘体膜；一个磁记录层，该记录层例如可由稀土氧化物过渡金属合金的非晶体膜所构成，并且在相对于膜表面的垂直方向上带有磁化的易磁化轴以及超磁光效应特性；另一个是由例如硅氮化物或铝氮化物所构成的绝缘体膜；一个例如由铝、金、或银所构成的反射层；以及例如由紫外线固化型的树脂所构成的保护层。
通过使上述磁光记录介质暴露在从例如透明衬底的一侧照射来的激光束，可以形成上述的信息磁畴，换言之，相对于该磁化层可以执行数据信号的记录。在这个被记录的数据信号的再生过程中，类似于上述过程，将上述磁光记录介质暴露在从例如所述透明衬底的一侧照射来的激光束下以通过诸如在磁化层的信息磁畴中所产生的克尔效应这样的磁光效应检测极化面实际的旋转角度，从而随后可以执行所记录数据的再生。
一般地，不仅在磁光记录介质的情况中，而且在包括用于数字音频记录的光盘和用于数字视频记录的盘或类似的光盘中，可以通过在多数情况中执行再生过程中的信-噪比(S/N)来确定光盘的线性记录密度。不仅如此，再生模式下的信号量依赖于记录信号的比特阵列的循环周期、激光束的波长λ、以及物镜的数值孔径N.A.。
更特别地，可以通过再生光学系统的激光波长λ以及还可以通过光检测限制换言之就是通过由物镜的数值孔径N.A.确定的光折射限制来确定比特周期“f”。更准确地说，由借助于“f=λ/(2N.A.)”所表示的方程来定义位于光检测限制处的比特循环周期“f”。
因此，为了在磁光记录介质中实现所记录数据信号的较高密度，需要缩短再生光学系统的激光波长λ，反之应该增加物镜的数值孔径N.A.。但是，在现有技术范围内，改进激光束的激光波长λ和物镜的数值孔径N.A.都是有限的。
近年来，现代技术已经得到发展，开发出一种半导体激光器，例如具有波长大约为400nm的激光的GaN激光器，可以获得具有波长为350nm到450nm的紫外线激光束。另外，例如通过树脂压膜所获得的物镜的数值孔径N.A.大约为0.7。
考虑到上述情况，已经进行了有关磁光记录介质的结构以及用于记录和再生这种记录介质的方法的一些研究、开发以及建议。
有关记录方法，例如，已经建议了一种被称为“标记长度记录方法”。根据该记录方法，信息标记不是通过这样一种被称为“标记位置记录方法”的方法来记录的，该方法即其中根据标记的存在来记录信息，而是通过这种方法来记录的其中通过改变标记的长度从而使其边缘部分具有该信息来获得该记录介质的线性记录密度。
对于另一种记录方法，例如，已经建议了一种被称为“激光脉冲照射磁场调制记录方法”。根据该记录方法，根据外部磁场的相位，发射记录激光束以便于使其波形成为一个脉冲形式，而不是连续的。其结果防止了在磁道方向上的不必要的扩展，从而减少相邻磁道中的交叉写入以及交叉删除，并且提高磁道的密度。
另一方面，已经建议了一些磁致超分辨率读出方法作为再生方法。
为了实现上述“磁致超分辨率读出方法”，尤其，要引入这种包括至少一个再生层和一个记录层的磁光记录介质。这种方法包括用于使被记录在记录层上的数据信号具有高的矫顽力从而可以被传送到再生层上的处理过程。在该方法中，通过由激光束照射到再生层上所产生的再生层的磁光效应来使极化面旋转。借助于检测极化面的旋转，可以执行被记录数据的读出(再生)。在这种情况中，借助于使用在由激光束所产生的光点在再生层中的热分布，在再生层光点中形成或删除所记录的一部分数据信号以便于光读出器可以有限制地在一个单独光点内读出单独的信息磁畴，因此可以基于比上述光检测限制处的比特循环周期小的循环周期来再生信息磁畴。
上述提到的磁致超分辨率读出方法在例如日本专利申请公开文本平-1-143041/1989以及在日本专利申请公开文本平-1-143042/1989中公开，它们都是USP5018119的基本申请。用于实现磁致超分辨率读出方法的这种磁光记录介质主要包括再生层(读出)、中间层以及记录层，它们都在室温下彼此磁耦合。在数据再生处理过程中，通过使照射激光束光点内加热的再生层的被记录的磁畴在承受更高温度的部分扩展或收缩或转换，从而在再生模式中可以降低数据标记之间的干扰从而可以在小于光折射限制的循环周期基础上执行再生处理，并因此可以使线性记录密度和磁道记录密度提高，如在上述发明中所建议的那样。
另外，作为上述磁致超分辨率读出方法的一部分，还有另一种被称为“中央孔径检测类型磁性超分辨率”(在下面说明中将被称为“CAD-MSR”)的现有技术，该技术被安排基于在日本专利No.2839783(日本专利申请公开文本平-5-081717/1995)中所公开的方法独自读出位于再生激光束光点的中央部分的被记录位(即，被磁化记录畴)，所述该日本专利是USP5707727的基本申请。
参考图2，如同在示意性截面图中所示，用于实现上述CAD-MSR读出方法的磁光记录介质包括下列部分由例如聚碳酸酯构成的在其上有第一绝缘体膜5的透明衬底10；再生层(读出)1；辅助再生层2；非磁性中间层4；记录层3；第二绝缘体膜6；以向上方向分层排列的热控制层7。另外，通过覆盖热控制层7的顶表面来表面地形成保护层8。
尽管如此，经图3中的示意性截面图所示，一般地，上述磁光记录介质包括一个再生层(读出)1、一个辅助再生层2、一个非磁性中间层(分离层)4、以及一个记录层3。其中，再生层1和辅助再生层2都分别由具有平面磁各向异性的磁性层所构成。记录层3包括具有正交的磁场各向异性的磁性层，而非磁性中间层4包括一个非磁性材料层。
响应记录信号被记录的记录标记M，换言之，即信息磁畴被形成(即，被记录)记录层3上。
注意，图3中所示的轮廓箭头示意性地显示了磁化方向。
通过用再生激光束L穿过光学透镜即物镜来照射磁光记录介质来执行基于上述CAD-MSR方法的从该磁光记录介质上读出被记录的数据(换言之，即再生)。在发出再生激光束L之后，从辅助再生层2的被加热部分中消失了磁化效应从而导致在退磁部分上形成一个再生窗口W，即一个孔径。这样依次使再生层1经该再生窗口W与记录层3磁性耦合从而进一步导致记录标记M被传送到再生层1上。然后，被传送的记录标记M使再生激光束产生克尔旋转。借助于检测由该返回激光束所执行的克尔旋转的实际角度，可以最终执行记录信号的读出。
如前所述，当根据磁致超分辨率读出方法，通过降低具有波长为350nm到450nm的蓝紫激光束的折射限制来在执行各种数据的再生时，可以获得比使用常规的具有波长接近于600nm到800nm的红色激光束的常规磁致超分辨率读出方法大双倍的高表面密度。
尽管如此，当使用兰紫激光束时，降低了信号量(载波电平)，并因此增加了诸如降低载波-噪声比(C/N)以及即增加了抖动值这样的问题。
使用稀土元素过渡金属磁性膜来作为通用的磁光记录介质，例如，TbFeCo或GdFeCo的薄非晶体合金膜，是公知的，它们具有这样的特性在具有上述波长为350nm到450nm的兰紫激光束的范围内，可以降低作为与该磁光记录介质的信号量(载波电平)成比例的磁光效应的克尔旋转角度或法拉弟旋转角度。
另外，常用的检测再生光束的Si光检测器被公知具有这样的特性在将从记录在记录介质上的磁化信息中所获得的光学信息转换为电信号时的信号量由于在350nm到450nm的波长范围内的量子效率的衰减而减少。
因此，如上所述，在使用具有350nm到450nm波长的蓝紫光激光束的磁光记录/再生方法的情况中，带来好处是；通过缩短激光束的波长而带来了光检测限制的提高，同时，还带来了不好的效果由于激光束波长的缩短而导致磁光效应的衰减以及由于光检测器灵敏度的衰减而导致的信号量的衰减(载波电平)，这导致了载波-噪声(C/N)比的衰减以及抖动的增加。
在记录随机标记时的C/N比和抖动依赖于各种情况，比如组成、膜的厚度、膜构成条件或磁光记录介质的相应磁性层的类似情况。但是，即使这些条件都是最佳，与使用具有600nm到800nm波长的常用红激光束时的情况相比，在通过使用蓝紫激光束来执行磁性感应超分辨率读出的情况中，C/N比和抖动都会衰减。
图4显示了使用具有635nm波长的红激光束的情况中，载波电平、噪声电平以及C/N的检测结果。图5显示了使用具有406nm波长的蓝紫激光束的情况中的这些检测结果。
在下列条件下执行对红激光束和蓝紫激光束的这些检测检测装置物镜的数值孔径N.A.是0.6，该磁光记录介质的磁道间距是0.55μm，记录标记的长度是0.4μm和1.6μm。
从图4和5中可知，当使用蓝紫激光束时，在读出相同长度的记录标记的情况中，载波电平、噪声电平C/N都衰减。
本发明的发明者经仔细思考和研究后最终发现能够有效改进上述问题的磁光记录介质。
换言之，本发明提供了一种磁光记录介质，它在其衬底上具有至少一个再生层和一个记录层，并且在其上可以执行基于磁致超分辨率读出方法的数据再生。作为在其上形成再生层和记录层即记录/再生磁性层的基本表面的衬底的表面或形成在该衬底上的绝缘体膜(该绝缘体膜在下面被称为“第一绝缘体膜”)的表面具有0.3nm或更少的表面粗糙度Ra。应该注意，Ra表示在JIS B0601中所定义的平均中心粗糙度，并且在本说明书中仅被称为“表面粗糙度”。
正如通常情况中的那样，根据本发明，根据光强度调制或磁场调制可以执行在这种磁光记录介质上的记录处理，即，构成信息标记(磁畴)。
根据实际上使用蓝紫激光束的磁致超分辨率读出方法来执行记录在这种磁光记录介质上的磁化信号的再生(读出)。在本发明中，为一个优选结构选择上述的表面粗糙度，能减少噪声并因此能改进C/N比和抖动情况。
从随后结合附图对当前最佳实施例的描述中将使本发明的上述以及其它目的、特征以及效果变得显著，其中这些附图有
图1是根据本发明的磁光记录介质的一个例子的示意性截面图；图2是根据本发明的磁光记录介质的另一个例子的示意性截面图；图3是根据磁致超分辨率读出方法对再生记录数据方法例子的解释；图4是显示使用具有635nm波长的红激光束进行再生的检测结果的表；图5是显示使用具有406nm波长的蓝紫激光束进行再生的检测结果的表；图6是显示根据本发明的第一实施例以及第一比较例子的检测磁光记录介质的检测结果的表；图7是显示根据本发明的第二和第三实施例以及第二比较例子的检测磁光记录介质的检测结果的表；图8是显示根据本发明的第四实施例以及第三和第四比较例子的检测磁光记录介质的检测结果的表。
根据本发明的磁光记录介质基于作为其基本原理的磁致超分辨率读出方法。但是，是通过特别使用蓝紫激光束(即，具有350nm到450nm波长的激光束)来执行磁光记录介质的再生或记录/再生。
用于本发明磁光记录介质的这种磁致超分辨率读出方法的基本原理还包括先前已经在说明书中描述过的CAD-MSR方法(中央孔径检测磁致超分辨率读出方法)；在日本专利申请公开文本平-9-171643/1997中所描述的前孔径检测磁致超分辨率读出方法(在下面的说明书中将只被称为FAD-MSR)；在作为USP5168482基础申请的日本专利申请公开文本平-3-093058/1991中所描述的后孔径检测磁致超分辨率读出方法(在下面的说明书中将只被称为RAD-MSR)；在作为USP6027825基础申请的日本专利申请公开文本平-6-290496/1994中所描述的畴壁置换检测方法(在下面的说明书中将只被称为DWDD)；以及在例如日本专利申请公开文本平-8-7350/1998中所描述的磁性放大磁光系统(MAMMOS)。
根据本发明，在磁光记录介质上执行这种磁致超分辨率读出方法，并且在这种情况中所使用的激光束特别是上述具有短波长的蓝紫激光束。一个其上的记录/再生磁性层具有至少一个再生层和记录层的底部表面，例如，这种磁光记录介质的衬底表面，或者在表面上构成第一绝缘体膜的情况中第一绝缘体膜的表面被做成具有0.3nm或更少的表面粗糙度。该表面粗糙度的值可以尽可能的小，只要它是0.3nm或更小即可。
通过惯用的记录方法以及用于惯用磁光记录介质的磁光记录装置可以执行磁光记录介质上的记录过程。例如，可以采用光强度调制方法或磁场调制方法。
本发明的一个方面是在其上根据使用蓝紫激光束的CAD-MSR来执行再生(读出)的磁光记录介质。通过在再生层上照射激光束，可以通过磁光效应(克尔效应或法拉弟效应)将该再生层上的磁化状态信号转换为可以被读出的光信号。当执行磁致超分辨率读出时，由于可以在比再生激光点直径小的特定部分处发现根据记录层上的磁化方向的正交磁化，因此，可以读出具有比光衍射限制更短时间的信号。
可以如图3所示地执行基于CAD-NSR的再生(读出)方法。在本发明中，将具有350nm到450nm波长的蓝紫光激光束用作激光束L。
图1示出了本发明的磁光记录介质例子的示意性截面图。例如，将本发明的磁光记录介质用于基于CAD-MSR方法的再生。然而应该注意的是，本发明的范围不局限于所示出的结构。
在图1所示的磁光记录介质的实际例子中，可以这样构造例如，将第一绝缘体膜5、再生(读出)层1、辅助再生层2、非磁性中间层4、记录层3、第二绝缘体膜6、以及热控制层7依次分层排列在由聚碳酸酯树脂所构成的透明衬底10的表面上。另外，通过覆盖在其顶表面上来表面地构成一个保护层8。
在图1中，记录层3包括第一磁性膜31、第二磁性膜32以及第三磁性膜33。在这种情况中，第一、第二和第三磁性膜31-33中的每个都包括在室温下其成分范围从补偿成分到过渡金属主导成分的稀土过渡金属磁性膜。记录层可以被作成在3个磁性膜成分中在所希望的温度范围内具有高饱和磁化。
根据使用本发明的磁光记录介质的CAD-MSR方法的实验应用结果，可以确定C/N(载波电平相对于噪声电平)比被改善并且减少了抖动值。
其次，下面将通过参考由创造性的磁光记录介质的实际例子来描述本发明的实际构成。但是，可以理解的是，本发明的范围并不局限于下面所示的通过在由注射压膜形成聚碳酸酯衬底之时设置压膜温度使其为120℃，作为使用镍压膜的注射压膜机器的压膜条件，使透明衬底10具有0.25nm的表面粗糙度Ra。这里，通过原子力显微镜(AFM)来检测这个表面粗糙度。在这个实施例中，透明衬底10具有120mm的直径以及0.6mm的厚度并且还有具有形成于其上的0.40μm磁道间距的磁道槽(导向槽)。其次，如图1所示，将第一绝缘体膜5、再生层1、辅助再生层2、非磁性中间层4、记录层3、第二绝缘体膜6、以及热控制层7依次分层排列在透明衬底10上。另外，通过表面覆盖在热控制层7的表面上从而形成保护层8。
经下面所示过程来分别形成上述层。开始，分别把包括Si、Tb、Gd、FeCo、Fe以及Al的靶固定在包含一对真空室的磁控溅射装置中。其次，将透明衬底10固定在衬底支撑物上，然后，经一个低温泵将保留在该真空室中的空气完全排出直到最终产生低于1×10-5(Pa)的高真空。
然后，当将空气排出第一真空室时，分别将50(sccm)的氩气和30(sccm)的N2气分别馈送到第一真空室中，然后，在调整主阀门直到第一真空室中的压力达到0.24(Pa)之后，通过在Si靶上采用RF反应溅射处理，可以在透明衬底10上形成厚度为40nm的硅氮化物膜，并完全形成第一绝缘体膜5。
然后，分别关闭用于馈送氩气和N2气的阀门，然后，将衬底支撑物从第一真空室中传送到第二室中。随后，经一个低温泵将保留在第二真空室中的空气完全排出直到最终产生低于1×10-5(Pa)的高真空。
随后，当将空气排出第二真空室时，分别将100(sccm)的氩气馈送到第二真空室中。在调整主阀门直到第二真空室中的压力达到0.12(Pa)之后，通过采用DC-溅射处理，依次在第一绝缘体膜5上分层排列30nm厚GdFeCo的再生层1、8nm厚GdFe的辅助再生层2、4nm厚Al的非磁性中间层4、记录层3的10nm厚GdFeCo的第一磁性膜31、记录层3的30nm厚TbFeCo的第二磁性膜32、以及记录层3的30nm厚TbFeCo的第三磁性膜33。
其次，分别关闭用于馈送氩气的阀门，然后，将衬底支撑物从第二真空室中传送到第一真空室中。随后，将衬底支撑物放入第一真空室内部时，通过一个低温泵将保留在第二真空室中的空气完全排出直到最终产生低于1×10-5(Pa)的高真空。
然后，当将空气排出第一真空室时，分别将50(sccm)的氩气和30(sccm)的N2气分别馈送到第一真空室中，然后，在调整主阀门直到第一真空室中的压力达到0.24(Pa)之后，通过在Si靶上采用RF反应溅射处理，可以形成厚度为20nm的硅氮化物膜，并完全形成在第二绝缘体膜6上。
然后，分别关闭用于馈送氩气和N2气的阀门，随后，经一个低温泵将保留在第一真空室中的空气完全排出直到最终产生低于1×10-5(Pa)的高真空。
随后，当将空气排出第一真空室时，分别将100(sccm)的氩气馈送到第一真空室中，然后，在调整主阀门直到第一真空室中的压力达到0.23(Pa)之后，通过采用DC-溅射处理，依次在第二绝缘体膜6形成40nm厚铝的热控制层7。
通过调整施加到每个靶上的能量来确定上述磁性层和金属层的组成。
然后，将在其上分层形成上述组成膜的透明衬底10抽出真空室。最后，用经紫外线处理过的树脂经涂覆并且随后通过UV射线照射来最终处理被涂覆的树脂从而形成用于保护包括铝的热控制层7的保护膜8，使其具有20μm的厚度。
作为实现上述系列处理的结果，形成磁光记录介质。
在这种情况中，调整再生层1的GdFeCo的组成以显示室温下的平面磁化以及在150℃或更高时的正交磁化，并且使其具有350℃的居里温度。
调整辅助再生层2的GdFe的组成以使其成为从室温到居里温度的过渡金属主导成分的平面磁性膜并且使其具有150℃的居里温度。
对于记录层3的第一磁性膜31，调整GdFeCo的组成以使其成为从室温到居里温度的过渡金属主导成分的正交磁性膜并且使其具有300℃的居里温度。
对于记录层3的第二磁性膜32，调整TbFeCo的组成以使其成为从室温到居里温度的过渡金属主导合成的正交磁性膜并且使其具有280℃的居里温度。
对于记录层3的第三磁性膜31，调整TbFeCo的组成以使其成为从室温到居里温度的过渡金属主导成分的正交磁性膜并且使其具有300℃的居里温度。(比较例子1)除了使用镍压膜的浇注压膜机器的压膜条件之外，以与第一实施例相同方法和结构安排形成磁光记录介质。在这种情况中，压膜温度被设置为135℃，并且使透明衬底10具有0.35nm的表面粗糙度Ra。在下面的说明中，磁光记录介质将被称为光盘No.2。
在上述检测中，在其中将具有635nm波长的红色激光束作为再生激光束的情况中，光盘No.1和光盘No.2都显示了磁致超分辨率读出特性。
图6示出了关于光盘No.1和光盘No.2的如上所述由使用蓝紫激光束的磁光记录/再生装置所检测的记录噪声电平、C/N比以及抖动的结果。
用原子力显微镜(AFM)来检测表面粗糙度。
如上所述，所检测到的磁道间距是0.40μm，在位长度为0.19μm处检测抖动，并且在标记长度为0.25μm和1.0μm处检测C/N比。
从图6中可知，除了在被调整以及最佳条件下带有被调整和最佳结构、组成以及膜厚度之下，作为具有在每个衬底上所形成的磁性层的CAD-MSR介质之外，根据该衬底的表面粗糙度，在噪声电平方面存在一些差别。即，表面粗糙度越小，则所抑制的噪声电平更多，其结果导致较高的C/N比以及较小的抖动。(实施例2)其次，准备在压膜温度为145℃的压膜条件下所形成的并且具有0.38nm的表面粗糙度Ra的聚碳酸酯衬底。
通过使用紫外线灯的紫外线照射来改变该衬底的表面粗糙度。在该实施例中，使用由Technovision Inc.制造的“UVO-CLEANER 144A-100”来作为UV照射装置。该紫外线灯是低压水银网格状灯并且具有20mW/cm2的灯输出。主要的UV波长是184.4nm和253.7nm。在氮气环境中执行UV照射。
使用上述UV照射装置，可以在具有0.38nm表面粗糙度的聚碳酸酯衬底上进行紫外线照射5分钟使其具有0.25nm的表面粗糙度。将具有0.25nm的表面粗糙度的聚碳酸酯衬底用作透明衬底10。
以与实施例1相同方式所形成的带有这个透明衬底10的磁光记录介质将被称为光盘No.3。(实施例3)除了透明衬底10的表面粗糙度为0.30nm之外，实施例3还是基于与为实施例2所提供的方法和结构配置相同的方法和结构，这个0.30nm的表面粗糙度使通过使用UV照射装置在具有0.38nm表面粗糙度的聚碳酸酯衬底上进行紫外线照射5分钟而获得的。在下面的说明中，该实施例3的磁光记录介质将被称为光盘No.4。(比较实施例2)除了在没有UV照射的情况下透明衬底10的表面粗糙度为0.38nm之外，该比较实施例还是基于与为实施例2所提供的方法和结构配置相同的方法和结构。该比较实施例2的磁光记录介质将被称为光盘No.5。
图7示出了如上所述的有关光盘No.3到No.5再生特性的检测结果。
图7还示出了表面粗糙度越小，则所抑制的噪声电平更多。其结果，检测到了较高的C/N比以及较小的抖动。
上述实施例和例子显示了衬底表面粗糙度改变的情况。替代改变透明衬底10的表面粗糙度，可以有选择地改变在该衬底10上所形成的第一绝缘体膜5的表面粗糙度。(实施例4)然后，准备在压膜温度为125℃的压膜条件下所形成的并且具有0.30nm的表面粗糙度Ra的聚碳酸酯衬底。
使用在实施例1中所使用的相同的膜形成装置，在衬底10上形成具有40nm厚度的硅氮化物膜作为第一绝缘体膜5。该膜形成条件如下所述从第一真空室中抽出空气时，分别将50(sccm)氩气和30(sccm)N2气馈送到第一真空室中，然后，调整主要阀门直到第一真空室中的压力达到0.24(Pa)。所获得的第一绝缘体膜5具有0.30nm的表面粗糙度Ra。其它方法和结构配置与为实施例1所提供的相同。该磁光记录介质将被称为光盘No.6。(比较实施例3和4)在比较实施例3和4中，除了调整主阀门使其在室内部分别具有0.34(Pa)和0.44(Pa)的压力并且使第一绝缘体膜5具有0.48nm和0.69nm的表面粗糙度Ra之外，这两个比较实施例是基于与为实施例4所提供的相同的方法和结构安排来形成磁光记录介质的。这些磁光记录介质将分别被称为光盘No.7和No.8。图8示出了根据与如上所述相同的检测方法的有关光盘No.6到No.8的C/N比、噪声以及抖动的检测结果。
从图8中可知，表面粗糙度值越大，特性衰减得越多。
在使用红色激光束作为再生激光束的情况中，所有光盘No.6到No.8都显示了很好的磁致超分辨率读出特性。
从上述说明可知，可以实现能显示较高C/N比、较小抖动值、以及较高再生功率余量和记录功率余量的磁光记录介质，即使是在这种情况中在磁致超分辨率读出方法中使用具有短波长的蓝紫激光束来通过构成衬底的表面或在其上所构成的第一绝缘体膜的表面，从而使其具有0.3nm或更小的表面粗糙度。
尽管在实施例1-4中记录层3是三层结构，该记录层3可以是如图2所示的单层结构的。
在上述体现本发明的各方面中，执行了基于CAD-MSR方法的磁致超分辨率读出。但是，当被用作能承受磁致超分辨率读出处理的磁光记录介质时，本发明还提供了更好的效果，其中这些磁致超分辨率读出处理包括将记录标记从记录层传送到再生层上的处理，例如诸如FAD-MSR、RAD-MSR、或DWDD或MAMMOS或类似的。当执行这些方法中的任何一种时，该目标记录介质包括至少一个包括多层构造膜的再生层和一个记录层。但是，各层部分的组成可以进行各种改变或变型。
如上所述，根据本发明，可以提供在其特性方面例如C/N比、抖动以及再生功率余量得到改善的磁光记录介质，并且该磁光记录介质能够在光衍射限制条件下很好地再生数据，在可以进行磁致超分辨率读出的情况中，能够在光衍射限制条件下再生数据并且通过使用蓝紫激光束能有较高密度的记录。
尽管以其带有某种特定程度的最佳构成描述了本发明，但是显然可以有许多改变和各种变型。因此，可以理解的是，在不脱离本发明范围和其实质的情况下，除了这里所特别描述的之外，本发明还可以有其它实施方式。
权利要求
1．一种磁光记录介质，包括形成在衬底上的至少一个再生层和一个记录层，该磁光记录介质承受通过蓝紫激光束的照射所进行的磁致超分辨率读出处理，其中所述衬底的表面粗糙度Ra是0.3nm或更小。
2．根据权利要求1的磁光记录介质，其中所述再生层在室温下显示平面磁化以及在150℃或更高温度下显示正交磁化；以及所述记录层包括第一、第二和第三磁性膜，其中每个都是由稀土过渡金属磁性膜所构成，所述磁性膜是具有从室温到居里温度的过渡金属主导成分的正交磁性膜。
3．根据权利要求1的磁光记录介质，其中在所述衬底表面上进行UV(紫外)照射使其具有0.3nm或更小的表面粗糙度Ra。
4．一种磁光记录介质，包括形成在衬底上的至少一个再生层和一个记录层，该磁光记录介质可以承受通过蓝紫激光束的照射所进行的磁致超分辨率读出处理，其中在所述衬底和所述再生层之间构成一个绝缘体膜；以及所述绝缘体膜的表面粗糙度Ra是0.3nm或更小。
5．根据权利要求4的磁光记录介质，其中所述再生层在室温下显示平面磁化以及在150℃或在更高温度下显示正交磁化；以及所述记录层包括第一、第二和第三磁性膜，其中每个都是由稀土过渡金属磁性膜所构成，所述磁性膜是具有从室温到居里温度的过渡金属主导成分的正交磁性膜。
全文摘要
为了在能承受使用蓝紫激光束的照射所进行的磁致超分辨率读出处理的情况下提高磁光记录介质的再生特性,这里提供一种磁光记录介质,它在其上形成有记录/再生磁性层的衬底表面上或在该衬底上所形成的绝缘体膜表面上具有0.3nm或更小的表面粗糙度。
文档编号G11B7/125GK1301015SQ0013550
公开日2001年6月27日 申请日期2000年10月27日 优先权日1999年10月29日
发明者篠田昌孝, 田中靖人, 下马隆司 申请人:索尼株式会社