专利名称：磁－光记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种磁——光记录介质，尤其与一种能实现磁感应地再现超级分辨能力的磁——光记录介质有关。
特别是磁感应超级分辨率(MSR)再现方法是作为一种再现小于光斑直径的记录标记的方法而提出的。
在该方法中，在再现用激光照射时磁——光盘是转动的，在该磁盘内含有相堆积着的记录层和再现层的许多层，以便在磁——光盘的圆周方向形成温度分布，于是，小的记录标记便可通过这种温度分布而读出。据此，可以获得相当于实质上用小于再现激光光斑直径的光斑来再现的分辨率。
此外，作为一种能用磁感应超级分辨率来再现记录在小于束斑的段(period)内之记录标记的介质，在日本专利未审定公开NO.2000-200448中已公开了一种磁感应超级分辨能力介质，它是用具有预定特性的三层磁层构成的。
该介质由一层再现层、一层中间层和一层记录层这三层磁层构成，它是一种双掩膜(double mask)磁感应超级分辨能力介质(双掩膜背孔检测Double mask Rear Aperture DeteceionD-RAD介质)，其中一层低温掩膜(称正面掩膜)形成于光束光斑上温度分布的低温区，而一层高温掩膜(称背面掩膜)做在高温区。
根据这类介质，记录标记的长度为0.38μm，是形成在磁道间距为0.9μm的凸区衬底上的，可以用等于或小于300奥斯特的再现磁场重现。
此外，为了进一步提高记录介质的记录密度，必须缩减介质半径方向的磁道间距和缩减记录标记的记号长度。
作为一种缩短磁道间距以提高密度的方法，有一种方法使用了凸区凹槽衬底在凸区和凹槽上都形成有记录标记。
即使把凸区凹槽衬底用到D-RAD介质中，只要它是一种约2.3GB/3.5英寸的高密度介质，它就能构成一种难以从邻近磁道发生串道(cross talk)的介质。
但是，在这种缩减凸区凹槽衬底的磁道间隙以进一步提高介质的容量的情况下，就出现了一个问题从邻近磁道来的串道不可以忽略不计且再现功率裕度也比设计值更窄了。
例如，当一种磁道间距约0.5μm的高密度D-RAD介质用LD波长为660nm、NA为0.55的光学系统再现时，在从一个邻近磁道来的串道就会达到不能忽略不计的程度，在数据的记录和再现的实际应用程度中就会成为一个问题。
图12和图13分别说明传统D-RAD介质的串道对再现功率(Pr)的相关性。
纵轴指的是与发生的串道总量相等的分贝值CNR(dB)，横轴指的是再现功率(mW)。
图12涉及一种磁道间距0.65μm的凸区凹槽衬底，图13则涉及一种磁道间距0.50μm的凸区凹槽衬底。
图中，在与一个凸区相邻的一个凹槽内，存有最短标记长为0.300μm的8T标记，其通过串道而漏到凸区的信号的分贝值是可测到的。
根据图12，即使再现功率Pr从3.6mw上升到约5.5mw(毫瓦)，串道是20dB或更少些，这在实际应用中是不成问题的。
此外，从Pr＝3.8mw作为CNR上升(Prth)到再现成一个其串道等于或小于20dB(到Pr＝5.5mw)的一个点，这一区域可视为再现功率裕度，在图12的情况下，它有±18.3％的再现功率裕度。
相反，在图13所示的磁道间距为0.50mw的凸区凹槽衬底中，当再现功率Pr大致为4.5mw时其串道已超过20dB。
即高串道出现在高功率Pr侧，即使在低再现功率区，串道的影响也变得显著了。在图13中，再现功率裕度缩减为约±9.0％。
可以想像，高串道出现于高功率Pr侧似乎是出于以下机理。
图14是在一个传统的D-RAD介质再现时对相应磁层的磁化状态作出的解释性说明。
图14指出了作为D-RAD介质三层磁层的再现层51，中间层52和记录层53的磁化的方向。
在再现磁场61从下方施加的情况下，光束则从上方照射到磁层上。图14表示出在光束所照之处光束斑点BS附近的磁场状态，介质沿图右上方移动，光束斑点上的温度分布可分成三个区域(低温区A，中温区B和高温区C)。
相对于磁化方向，向上指示记录方向L1，向下方向则批示擦除方向L2。
如图14所示，当再现磁场61沿着记录方向L1施加时，在低温区A的光束斑点内，中间层52都顺着外磁场方向L1磁化，与中间层52交互藕合的再现层51则顺着擦除方向L2磁化，于是在再现层51形成低温掩膜A1。此时，不论低温区记录层53的磁化方向如何，中间层52的磁化方向都是一致的，于是在沿着记录方向L1的记录层53和中间层52的磁化中间产生一个界面磁壁62。
另一方面，在高温区C的光束斑点内由于中间层52的磁化达到了居里温度，自发磁化消失(用空白部分表示)，作用于再现层51的交互藕合力消失。相应地，在高温区C，再现层51的磁化都与外磁场方向L1一致，即在再现层51，所有的自发磁化都与记录方向L1一致，于是形成了高温掩膜C1。
此外，在中温区B，记录在记录层53的记录标记借助于交互藕合通过中间层52被传送到再现层51。此处，传送到再现层51的记录标记的磁化方向即记录方向L1。即在此情况下，中温区B内的磁化方向与高温掩膜C的方向相同。
图15(a)和15(b)的视图是从D-RAD介质上方看到的串道发生的情形。
图15(b)表示的是磁道间距TP相对较宽的情况和光束斑点BS内的高温掩膜C1未覆盖邻近的记录标记M1，因而未形成串道。
另一方面，如图15(a)的情况在磁道间距TP比图15(b)窄的也有一种由顺着记录方向L1的自发磁化做得的高温掩膜C1覆盖着邻近的记录标记M1的情况。
可以想像，此时，应当自然屏蔽起来的记录标记M1是彼此连接的，而且进行传递使得和高温掩膜C1的磁化方向L1一致，从而作为一种串道信号，它会影响邻近磁道记录标记的再现。
另一方面，即使高温区的掩膜没有覆盖邻近磁道的标记的情况下，可以想像，出于以下机理邻近磁道的标记是会被传递的。
如图16所示，随着受再现磁场61所决定的记录方向L1定向的高温区C的再现层51受磁化，有一漏磁场63在图中斜箭头所指示的方向产生。这和处于传递状态时中温区B内中间层52的磁化方向是相同的，而且作用在助长传递的方向。该漏磁场63的形成是随着再现层51的磁化强度而正比例地增强的，而且是随着距离的平方反比例地减弱的。
在一般情况下，因为D-RAD介质的再现层51使用的是一种在接近200℃时其饱和磁化强度值随温度而正比增高的材料，可以想像，随着高温区C的掩膜形成，而且会达到邻近磁道的记录标记M1，从高温区C的再现层51的掩膜来的漏磁场63就会作用于助长传递的方向，如图17所示，它对邻近磁道有串道作用。
与此相似，在传统的D-RAD介质内，当磁道做得较窄时，由于再现层内存在着有自发磁化的高温掩膜，于是就产生串道，所以借助于磁道窄化来实现高密度是受限制的。
据此，从邻近磁道来的串道得以降低，而且即使当磁道间距较传统介质的做得还要窄的时候其记录噪声和擦除噪声也能降低。
图2表示本发明各磁层的组成、居里温度和补偿温度的图。
图3在再现层内和中间层内，饱和磁化和温度间的关系图。
图4本发明磁盘串道对再现功率(磁道间距为0.50μm的衬底)的相关图。
图5本发明的一个磁盘再现时的磁化状态的说明性视图。
图6表示本发明的一个磁盘内2T8T图像的信号再现波形图。
图7表示在一个传统的高温区内不存在掩膜的磁盘内2T8T图案的信号再现波形图。
图8本发明第二个磁光记录介质实施例的结构示意图。
图9MO振幅和每层磁——光记录介质再现功率的关系图。
图10本发明第三个磁——光记录介质实施例的结构示意图。
图11本发明第四个磁——光记录介质实施例的结构示意图。
图12(磁道间距为0.65μm的衬底)一个传统D-RAD介质的串道对再现功率的相关图。
图13(磁道间距为0.5μm的衬底)一个传统D-RAD介质的串道对再现功率相关图。
图14在传统D-RAD介质再现时磁化状态的说明性视图。
图15(a)和15(b)在传统D-RAD介质内串道发生状态的说明性视图。
图16在传统D-RAD介质中再现时所发生的漏磁场的说明性视图。
图17在传统D-RAD介质中用于说明漏磁场对邻近磁道的影响的视图。
这里，当把金属加到第一磁层以便使第一磁层的居里温度变得差不多等于第二磁层的居里温度时，没有自发磁化的高温掩膜就会形成。
一种能调节第一磁层的居里温度和补偿温度的磁性材料可以作这种金属使用。这种金属是Cr，Mn，MnCr和Nb中之一种。
在本发明中，诸如玻璃或聚碳酸酯(PC)树脂可作衬底使用。较为可取的是把一个下面层(底层)做在衬底上，而且该下面层是一种由具有克耳(Kerr)转角增强性能的材料做成的介电层，尤其是一种诸如SiN或AlN材料可供使用。
作为第一磁层，可以使用一种主要含有GdFeCo并加有诸如Cr或Mn的金属材料。
作为第二磁层，可以使用一种主要含有GdFeCo或GdFe并加有诸如Si、Al或Ti的金属材料。
作为第三磁层，可以使用TbFeCo或DyFeCo。
本发明中，第一磁层即通常所说的再现层，其温度变成或高于预定温度的第一磁层区即是一个高温区，在该区域内形成一种在再现记录标记时阻止信息读出的掩膜。虽然该预定温度不可以作为一个常数来预设，但举例而言，它大约200℃。
在第一磁层高温区形成的掩膜称为高温掩膜。
本发明的磁——光记录介质可借助于在一片衬底上顺次堆积一个高反射系数层、第一磁层、第二磁层和第三磁层而构筑起来。此外，可以做一个下面层插入在衬底和高反射系数层之间。
此外，这种磁光记录介质可以这样构筑把第四磁层、第一磁层、第二磁层和第三磁层顺次堆积在一片衬底上，第四磁层是用与第二磁层相同的材料做的。可以做一个下面层插在衬底和第四磁层之间。
更进一步，磁——光记录介质还可以这样构筑，把一种高反射系数层、第四磁层、第一磁层、第二磁层和第三磁层顺次堆积在衬底上。在这种情况下，也可做一个下面层插在衬底和高反射系数层之间。
这里，一种具有可增强反射光量性质的材料可用作高反射系数层，例如，可使用AgPdCu，Al，AlCr和AlTi中的任何一种。
此外，作为衬底，可以使用只在凸区上含有记录标记的一种凸区衬底，或者既在凸区又在凹槽上含有记录标记的一种凸区凹槽衬底。
在下文中，本发明将会依据图示实施例而得到详细描述。顺便提一下，本发明不仅限于此。
图1是本发明一个磁——光记录介质(在下文中，常常简称为磁盘)实施例的剖视图。其中，衬底1是一种磁道间距为0.5μm的凸区凹槽衬底。
本发明的磁盘可顺次由下面层2，第一磁层3，第二磁层4，第三磁层5，保护层6和热传导层4在衬底1上用DC溅射方法形成。一束光从衬底1上面照射到磁盘上，而再现磁场61则从热传导层7一侧施加上去。
这里，虽然玻璃材料可作衬底1用，SiN作下面层2和保护层6用，但本发明不受此限。
第1磁层3相当于传统的再现层51，第二磁层4相当于传统的中间层52，而第三磁层5相当于传统的记录层53。
第1磁层3的材料是Gd21.0Fe55.9Co14.4Cr8.7，第二磁层的材料是Gd28.5Fe65.1Co4.3Si2.2，第三磁层的材料是Tb22.3Fe61.4Co16.3。
该热传导层7用AlCr。
形成SiN层2和6的溅射条件是压力为0.8Pa的Ar和N2气，输入的电功率为0.8KW，形成磁层3、4和5以及热传导层7的溅射条件是压力为0.5-1.0Pa的Ar气，输入电功率为0.5-0.8KW。顺便提一下，所达到的真空度是等于或低于5×10-5Pa。
相应各层的膜厚从衬底1处起依次为在下面层内为90nm，在第1磁层内为40nm，在第2磁层内为40nm，在第3磁层内为50nm，在保护层内为60nm和热传导层内为15nm。
第一磁层3是一种GdFeCoCr膜(膜厚为40nm)，它显示从室温到居里温度时的纵向磁化，它的补偿温度Tcomp是90℃而居里温度TC1接近210℃。这里，附加的Cr是一种反铁磁性材料，加入的目的是调节第一磁层3的居里Tc和校正Tcomp。
本发明的特征在于附加预定数量的Cr以便使第一磁层(再现层)3的居里Tc差不多与第二磁层(中间层)4的居里温度保持一致。
作为附加到第一磁层3材料，虽然任何材料只要能沿着使它们彼此接近的方向去调节补偿温度Tcomp和居里温度Tc的都可以用，但有一种具有反铁磁性或抑制氧化的材料诸如Mn，MnCr或Nb可用来代替Cr。然而，诸如Si或Al这样的非磁性金属它不能调节补偿温度Tcomp和居里温度Tc，因而它们是不能采用的。此外，更可取的是使Cr的附加量处于能得到与中间层的居里温度相同水平的范围内。
第二磁层4是一种稀土富磁化(下文中表示为富RE)组合物的面内磁化膜(GdFeCoSi膜膜厚为50nm)，其中单一层内，补偿温度Tcomp看不出会达到居里温度，而其居里温度是210℃。第二磁层在预定温度或更高些时有纵向磁化，以便在堆积着的薄层内把记录标记的信息传递到再现层。
这里，附加了Si以降低居里温度Tc，而且除了Si，也可附加像Al，Ti或类似的非磁性金属。更可取的是，Si的附加量可定在能在约200℃时形成高温掩膜的范围内。
第三磁层5在室温(约从10℃-35℃)附近其具有补偿温度为Tcomp，而且是一种过渡金属富磁化(下文表示为富TM)组合物的TbFeCo膜(膜厚为60nm)，达到居里温度时显示出纵向磁化。
图2表示每层磁层的组合物，居里温度Tc和补偿温度Tcomp。
图3表示在再现层3和中间层4内饱和磁化强度Ms和温度间的关系曲线。这里，横轴表示温度(℃)，纵轴表示饱和磁化强度(emu/cc)。
根据本发明再现层3的特性曲线G1，可以得知居里温度是210℃，补偿温度是90℃。
在图3中，根据一种传统的不含Cr的再现层(GdFeCo)的特性曲线G3，其补偿温度Tcomp是20℃，居里温度是320℃，与本发明再现层(GdFeCoCr)的特性曲线G1比较，虽然其补偿温度Tcomp低，而居里温度高，但通常其饱和磁化强度Ms也高。
此外，本发明再现层特性曲线G1的居里温度和中间层特性曲线G2的居里温度Tc这两者都约为210℃，彼此差不多是一致的。
此外，因为本发明再现层3的特性曲线G1的饱和磁化的强度比传统的再现层特性曲线G3的低，结果来自再现层的漏磁场就低。
虽然图3也示出了以GdFeCoSi层作为附加了Si的再现层的特性曲线G4以资比较，由于Si是用来代替Cr的，其补偿温度Tcomp低至仅约20℃。虽然其居里温度通过提高Si的附加量而能进一步下降，但Tcomp是不能再增高了。按照这条特性曲线G4，因为它的变化是与传统再现层的特性曲线G3相似的，即使加了Si，也不可能作出调整去降低居里温度Tc和增高补偿温度Tcomp。
下面，将对示于图1中的本发明磁盘的串道进行评估。
图4是本发明磁——光记录介质的串道对再现功率的相关图。它表示漏到凸区的CNR的测量值，这是用LD波长为660nm、NA为0.55的测试器测得的，在此情况中邻近凸区的凹槽中记录的是8T标记。
根据图4，20dB的串道发生在再现功率Pr约为5.7mw处。即不论用的是小于传统的磁道间距为0.5μm的凸区凹槽衬底的事实，再现功率的裕度成为约±27.3％，由此可知，比起图13所示传统的D-RAD介质来，串道对邻近标记的影响可以得到更有效的抑制。
如上所述，在本发明的磁——光记录介质中，为了减少串道，可以把Cr作为构筑再现层的组成材料加入以便使再现层3的居里温度差不多与中间层4的一致。可以想像，串道减少了，换句话说，再现功率裕度是提高了，这是因为在形成于再现层3高温区C内的高温掩膜中没有自发磁化存在。
图5是在本发明的磁——光记录介质再现时其磁化状态的说明性剖视图。
它与表示于图14中传统D-RAD介质的比较，在低温区A与现有技术相似，用再现磁场61在再现层形成低温掩膜，而在中温区B，记录层的磁化传递到再现层。但是，本发明中图5的磁化状态不同于现有技术的是在高温区C的再现层3和中间层4中不存在自发磁化(用空白部分表示)。
相应地，可以说形成在高温区C的高温掩膜是一种不存在自发磁化的掩膜。
因为高温掩膜是一种不存在自发磁化的掩膜，则图16和图17中所说的漏磁场63就不会产生，就不会招致邻近磁道记录标记的迁移。即可以说，对邻近磁道的串道就不会发生。此外，由于在图5的再现层3的高温区C中不存在自发磁化，也就没有东西进入其中，然而，在这里就形成了禁止读出信息的高温掩膜。这可由以下再现波形进一步证实。
图6是一种观察到的再现波形，它相应于在本发明的磁——光介质内通过光调制而记录下的2T和8T连续记录标记的图象。
图7是观察到的一种介质其2T8T连续标记的再现波形，其中只存在低温掩膜，而形成在传统磁盘内高温区的高温掩膜则没有。其水平方向是时间轴，其纵向的上部指示一个标记而下部指示的是再现出来的空白。
在图7中，在8T空白再现之后，2T标记的再现信号的幅值减少了。另一方面，在图6中，可以看出却使8T空白再现之后，2T标记的幅值也并未变坏。
在图7的传统磁盘中，可以想像因为波形干涉通过圆周方向的串道发生在2T标记再现之时，其幅值就变小。另一方面，在图6所示本发明的磁盘中，再现信号的波形干涉很难发生，可以说其分辨率是高的，于是可以获得幅值没有恶化的波形，可以认为在高温区C形成了所谓的掩膜。
即根据上述结果，在图1所示本发明的磁盘中，因为没有自发磁化的高温掩膜形成在再现层3的高温度区C，就获得了具有足够的再现功率裕度的再现信号，串道也能得以减少。
下面，将对高温掩膜的形成导致的噪声予以描述。一般，在高温掩膜形成时，由于自发磁化的波动会产生噪声分量。如果这种噪声分量大，信号质量(SNR信噪比)就受影响，相应地就希望这种分量要尽可能地小。
记录在记录层5的记录标记为0.300μm时，噪声分量可用磁——光记录和再现设备(MO仪)测量，在图1本发明的磁盘中，记录噪声是5.64mV，擦除噪声是5.08mV。
另一方面，在传统的D-RAD介质中，记录噪声为9.04mV，擦除噪声为6.35mV。
即在本发明的介质中，与现有技术相比，记录噪声下降1/2.6倍(8.4dB)。相应地，可以说与传统介质相比，记录噪声和擦除噪声都下降很多。
可以想像这是由于这些事实引起的，即因为在再现层3的高温区形成的高温掩膜是没有自发磁化的，当再现层3是沿着外磁化方向磁化时由所引发的磁化旋转产生的噪声就不会发生。
迄今，作为第1个实施例，它描述的是在第1磁层(再现层3)内附加Cr，在再现层的高温区C形成的高温掩膜没有自发磁化，从而减少了串道。但是，在所述磁盘中，即使如前所述用Mn，MnCr和Nb中任何一种金属来代替Cr，也可以获得相似的效果。
此外，在第1实施例中，虽然Cr的加入量是8.7％，但本发明不受此限，只要所得的组分区间能达到中间层的居里温度，它也能取得降低串道的相似效果。
(第2实施例)图8是一个磁盘的结构剖视图，相对于第1实施例中构成的磁盘而言，其中，在下面层2和第1磁层3之间提供了一层高反射系数层11。
当加入高反射系数层11时，对载波(信号质量SNR中的S)有影响的MO振幅能得到放大。
作为高反射系数层11，可以用AgPdCu.不过，除了高反射系数层11以外，各层薄膜的膜厚度状况和膜形成条件可以与第1实施例同，而AgPdCu层也可在同第1实施例的热传导层相同的条件下形成。此外，作为高反射系数层11，除了AgPdCu，还可以用Al、AlCr、AlTi；或同样有高反射系数的材料。
此外，如高反射系数层非常厚，第1磁层3的磁化信息就无法再现，因而其厚度必须做得使预定的光束量能够透过。这里，AgPdCu层厚度约为2nm。
在第1实施例的磁盘中，由于第1磁层的居里温度设得比现有技术的低，其克尔(Kerr)旋转角θK也稍低些。于是，当加入诸如具有高反射数R的AgPdCu层11时，所观察到的MO振幅就能在量上按正比于R×θK的比例而恢复起来，结果，克尔(Kerr)旋转角也能提高。
图9是MO振幅和每种磁——光记录介质再现功率的关系曲线图。这里，曲线a1涉及图1所示本发明第1实施例的磁——光记录介质，曲线a2涉及图8所示本发明第2实施例的磁——光记录介质，曲线b1涉及图14所示传统D-RAD介质，曲线b2涉及加有高反射系数层的传统D-RAD介质的一种介质。
横轴表示再现功率Pr而纵轴表示MO振幅。根据此图，可以了解与曲线a1的磁盘和曲线b1的磁盘相比较，由于曲线a2的磁盘和曲线b2的磁盘都加了高反射系数层，相应地，其MO振幅提高了。即，借助于所加的高反射系数层11，在传统D-RAD介质和本发明第2实施例的磁盘中其MO振幅都提高了。
进一步，把曲线a2和曲线b2相比，在第2实施例的磁盘中，可以说M0振幅能差不多恢复到传统磁盘的同样水平。此外，在第2实施例的磁盘中，相对于串道的再现功率裕度变成约±28.2％，且串道能压低到第1实施例的同样水平。
(第3实施例)图10是本发明第3实施例的磁——光记录介质的结构剖视图。在这磁——光记录介质中，相对于图1所示的第1实施例而言，在下面层2和第1磁层3之间加有组分和第2磁层4相同的第4磁层12。这里，第4磁层12是一种厚度约30nm的GdFeCoSi层，而且在与第2磁层相同的条件下形成。其他各层的膜厚状态和成膜条件与第1实施例同。
这里，第4磁层12的克尔(Kerr)旋转角θK在高温(约150℃-200℃)相比第1磁层3的大约0.05度。因而，磁盘的MO振幅能得以放大。用MO仪观察，MO振幅比第1实施例约大10％。相对串道的再现功率裕度约±28.0％，差不多与第2实施例相同。
相应地，也在第3实施例的这种介质中，减少串道的效果，保证再现功率裕度和提高MO振幅都能同样得到。
(第4实施例)图11是本发明第4个磁——光记录介质实施例的结构剖视图。
在这个介质中，相对于第3实施例的磁——光记录介质而言，把高反射系数层13加在下面层2和第4磁层12之间。这里，作为高反射系数层13，同样可用第2实施例中所示的AgPdCu层，或者与它相似的材料。相应层的膜厚和膜形成条件都按上述实施例相同。
这里，在把约2nm的AgPdCu层形成为高反射系数层13的情况下，其MO振幅要比第3实施例的大约20％。相对串道的再现功率裕度是±28.5％。
相应地，在第4实施例的介质中，可以知道相对于带有窄磁道间距的高密度衬底而言，也能实现减少串道，保证足够的功率裕度和提高MO振幅的目的。
此外，相似于第1实施例，在第4实施例中它也能减少因掩膜噪声引发的噪声。
附带提及，虽然所提供的衬底在实施例中是放在第1磁层侧的，但衬底也可以放在热传导层侧，使得可以进行前向照射。
按照本发明，由于没有自发磁化的高温掩膜是在第1磁层(再现层)的高温区形成的，以便保存信息用于记录标记的再现，即使在磁——光记录介质中使用了其磁道间距比传统的还要窄的凸区凹槽衬底，但仍能实现减少从邻近磁道来的串道以及降低记录噪声和擦除噪声的目的。
此外，因为用作实现记录标记再现的第1磁层的居里温度是做得和用作实现记录标记交换藕合的第2磁层(中间层)的居里温度几乎一致的，即使在使用其磁道间距比传统窄的凸区凹槽衬底的磁——光记录介质中，减少从邻近磁道来的串道和降低记录噪声和去磁噪声也是能实现的。
进而言之，因为把含Cr的磁性材料用于第1磁层，即使使用了磁道间距比传统窄的凸区凹槽衬底的磁——光记录介质中，减少来自邻近磁道的串道和降低记录噪声和去磁噪声也是能实现的。
此外，在所提供的高反射系数层与下面层是紧密接触的，下面层又做得与衬底是紧密接触的情况下，在窄磁道间距的凸区凹槽衬底上，除了可减少串道的产生以外，MO振幅也能得以改进。
权利要求
1.一种至少包括第1磁层、第2磁层和第3磁层三层磁层的磁——光记录介质，在该介质中，经光束照射而记录在第3磁层上的记录标记通过第2磁层被转移到第1磁层上以便再现，而第2磁层是形成在第3磁层上的，第1磁层是形成在第2磁层上的，其中，第1磁层在其温度变到等于或高于预设温度的一个区域内具有一种不存在自发磁化的高温掩膜。
2.根据权利要求1的磁——光记录介质，其中，第1磁层是用加了一种金属的磁性材料制成的，以便使第1磁层的居里温度变成差不多等于第2磁层的居里温度。
3.根据权利要求2的磁——光记录介质，其中，所述的金属是一种能调节第1磁层的居里温度和补偿温度的磁性材料。
4.根据权利要求2的磁——光记录介质，其中，所述的金属是选取自含有Cr、Mn、MnCr和Nb的组的。
5.根据权利要求1-4任何一项中的磁——光记录介质，其中，一种高反射系数层、第1磁层、第2磁层和第3磁层是顺次堆积的。
6.根据权利要求1-4任何一项中的磁——光记录介质，其中，一种第4磁层、第1磁层、第2磁层和第3磁层是顺次堆积着的，该第4磁层是用同第2磁层相同的材料制成的。
7.根据权利要求1-4任何一项中的磁——光记录介质，其中，一种高反射系数层、一种第4磁层、第1磁层、第2磁层和第3磁层是顺序堆积的，该第4磁层是用与第2磁层相同的材料制成的。
8.根据权利要求1-4任何一项中的磁——光记录介质，其中，一种高反射系数层、第1磁层，第2磁层和第3磁层是顺次堆积在位于衬底上的一个下面层上的，而该衬底是一种仅在凸区上含有记录标记的凸区衬底，或者是一种在凸区和凹槽上都含有记录标记的凸区凹槽衬底。
9.根据权利要求1-4任何一项中的磁——光记录介质，其中，一种第4磁层、第1磁层、第2磁层和第3磁层顺次堆积在位于衬底上的一个下面层上，该第4磁层是用与第2磁层相同的材料制成的，而衬底是一种仅在凸区上含有记录标记的凸区衬底，或者是一种在凸区和凹槽上都含有记录标记的凸区凹槽衬底。
10.根据权利要求1-4任何一项中的磁——光记录介质，其中，一种高反射系数层、一种第4磁层、第1磁层、第2磁层和第3磁层顺次堆积在位于衬底上的一个下面层上，该第4磁层是用与第2磁层相同的材料制成的，而衬底是一种仅在凸区上含有记录标记的凸区衬底或者是一种在凸区和凹槽上都含有记录标记的凸区凹槽衬底。
11.根据权利要求5的磁——光记录介质，其中，所述的高反射系数层是用选自含有AgPdCu，Al，AlCr和AlTi的组的材料制成的。
12.根据权利要求7的磁——光记录介质，其中，所述的高反射系数层是用选自含有AgPdCu，Al，AlCr和AlTi的组的材料制成的。
13.根据权利要求8的磁——光记录介质，其中，所述的高反射系数层是用选自含有AgPdCu，Al，AlCr和AlTi的组的材料制成的。
14.根据权利要求10的磁——光记录介质，其中，所述的高反射系数层是用选自含有AgPdCu，Al，AlCr和AlTi的组的材料制成的。
全文摘要
一种至少包含第1磁层、第2磁层、第3磁层三层磁层的磁——光记录介质,其中,经光束照射而记录在第3磁层上的记录标记经第2磁层被转移到第1磁层上以便再现,而第2磁层是形成在第三磁层上的,第1磁层是形成在第2磁层上的,其中,第1磁层在其温度变到等于或高于预设温度的一个区域内具有一种不存在自发磁化的高温掩膜。
文档编号G11B11/00GK1388528SQ0113050
公开日2003年1月1日 申请日期2001年11月15日 优先权日2001年5月25日
发明者玉野井健 申请人:富士通株式会社