专利名称：只写一次记录介质和其缺陷区域管理方法及装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及只写一次的光学记录介质，用于管理其中缺陷管理信息的方法和装置，尤其涉及用于分配临时缺陷管理区域的方法和装置、用于对缺陷管理分配备用区域的方法、以及光学记录介质，其中在诸如Blu-ray(蓝射线)盘的只写一次类型的光学记录介质上分配临时缺陷管理区域和备用区域。
背景技术：
作为一类光学记录介质，光盘可记录大量数据并得到了广泛的使用。当前，诸如蓝射线(Blu-ray)盘的一类新颖的高密度数字多功能盘(HD-DVD)正在开发中。该类介质可长时间地记录并存储高质量的视频数据和高保真的音频数据。
Blu-ray盘是可存储比常规DVD更多数据量的新一代光学记录方案。
Blu-ray盘一般采用波长为405纳米的紫光蓝激光。该波长比常规DVD上使用的红色激光短。红色激光的波长是650纳米。Blu-ray盘厚度为1.2毫米直径为12厘米，并包括厚度约为0.1毫米的光线传送层。因此，Blu-ray盘可存储比常规DVD更多的数据量。
用于读写Blu-ray盘上数据的光盘装置如图1所示。它包括用于从光盘10中读写信号的光学采集器11、用于将从光学采集器11中读取的信号处理成重放信号，或用于将外部输入数据流调制并处理成适于记录的记录信号的视频盘记录仪(VDR)系统12、以及用于编码外部输入的模拟信号并将已编码的模拟信号输出到VDR系统12的编码器13。
Blu-ray盘可以是可改写类型的，在此称为Blu-ray可改写盘(BD-RE)。BD-RE具有可改写功能，使得视频和音频数据能在其上重复写入、擦除、并改写。
如图2所示的BD-RE分成导入区域(LIA)、数据区域和导出区域(LOA)，且数据区域的前后都分配有内部备用区域(ISA)和外部备用区域(OSA)。
使用以上述方式配置的BD-RE，图1所示的光盘装置的VDR系统12将外部输入的数据编码并调制成适于记录的信号，并按对应于错误校正块单元的簇单元进行记录。如果在BD-RE上记录数据时在数据区域中出现了缺陷区域，则根据线性替换操作在缺陷区域上记录的一个簇单元数据也被记录在备用区域上(例如BD-RE上的内部备用区域)。可执行一系列的线性替换操作。
因此，即使在可改写Blu-ray盘的数据区域中出现了缺陷区域，光盘装置的VDR系统12仍然将在缺陷区域上记录的簇单元数据记录到备用区域上。当对可改写Blu-ray盘执行回放操作时，读取并重放记录在备用区域上的数据从而可防止数据录制出错。
有关Blu-ray盘的各种标准正在开发中。
在这方面，数据不能改写(不可改写的)而只能写一次的第二类Blu-ray盘，在此称为只写一次的Blu-ray盘(BD-WO)。当不需要重复改写数据时，只写一次的Blu-ray盘就有用了。在BD-WO中，需要管理缺陷区域。
但是由于可在BD-RE上重复记录数据(因为BD-RE的特征)，可改写Blu-ray盘的缺陷管理区域(DMA)的大小相对较小(参见图2中的DMA1～DMA4)。相反，由于在只写一次Blu-ray盘上只能记录数据一次，BD-WO中管理缺陷区域所需的区域比只写一次Blu-ray盘所需区域大。因此，应将足够大的缺陷管理区域分配给BD-WO。
当应用了横截面双层记录技术使得该盘一侧上具有0.85NA(透镜数字孔径)的两个记录层时，具有足够大的缺陷管理区域的诸如BD-WO的Blu-ray盘可存储比常规DVD更大量的数据。存储容量的增长通过经透镜到达光盘的近距离辐射射线来获取。
Blu-ray盘一般具有高数字孔径透镜、增大的密度、以及0.32μm的磁迹间距。使用Blu-ray盘技术制造的光盘能以比DVD ROM和CD ROM快得多的速度来传送数据。在格式化视频和音频数据时，当前应用于DVD的诸如MPEG2(视频)、AC3、MPEG1和层2(音频)的格式化方法应当用来保持与常规方法的兼容性。有效保护数据的HD-DVD类盘(诸如BD-WO)的特征应当是使得其数据可在大多数当前使用的常规DVD盘上存储并从其中进行复制。
发明内容
因此，本发明涉及诸如BD-WO的只写一次光学记录介质、其缺陷管理信息管理方法、以及用于实现该方法的装置，基本上避免了因背景技术的限制和缺点而引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的是要提供用于管理只写一次光学记录介质上的缺陷管理信息的方法，以及包括缺陷管理信息的记录区域的记录介质。
本发明的另一目的是要提供对只写一次Blu-ray盘的缺陷管理方法，以及包括缺陷管理信息的记录区域的记录介质。
本发明的其它优点、目的和特征将在随后的说明书中进行部分地陈述，且它们对本领域技术人员而言在仔细阅读随后的内容之后将部分地变得更为显然，或者可从本发明的实践中学习。本发明的目的和其它优点可通过在说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现并获取。
为了达到这些目的和其它优点并根据本发明的目的，如在此包括并广泛描述地，对只写一次记录介质的缺陷管理方法包括管理具有至少一个记录层的只写一次的光学记录介质上的缺陷的方法，该方法包括将至少一个替换区域和多个临时缺陷管理区域分配到光学记录介质的步骤，其中临时缺陷管理区域是分别提供的；并将缺陷管理信息记录在多个临时缺陷管理区域的至少之一上。
在本发明的另一方面中，管理只写一次的光学记录介质上的缺陷的装置具有至少一个记录层，该装置包括用于将至少一个替换区域和多个临时缺陷管理区域分配到光学记录介质的步骤，其中临时缺陷管理区域被分别提供；以及用于将缺陷管理信息记录在多个临时缺陷管理区域的至少之一上的装置。
在本方面的又一方面中，只写一次的光学记录介质包括至少一个替换区域；以及多个分配到光学记录介质的临时缺陷管理区域，其中临时缺陷管理区域被分别提供。
可以理解，本发明的前面一般描述和随后详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供本发明的如权利要求声明的进一步解释。
参阅附图和以下详细说明书，本发明的其它目标和优点可得到更全面的理解，其中图1是一般光盘装置的示意配置；图2示出BD-RE记录区域的配置；图3示出本发明BD-WO的光盘装置的示意配置；图4示出根据本发明一实施例的只写一次光学记录介质的记录区域的一个示例；图5示出根据本发明另一实施例的只写一次光学记录介质的记录区域的另一示例；图6示出根据本发明又一实施例的只写一次光学记录介质的记录区域的又一示例；图7示出根据本发明一实施例的只写一次光学记录介质的记录区域的另一示例；图8示出本发明的临时缺陷管理区域使用方法的一个示例；图9示出本发明的临时缺陷管理区域使用方法的另一示例；图10示出本发明的临时缺陷管理信息的合成方法的一个示例；图11示出本发明的临时缺陷管理信息的合成方法的另一示例；图12根据本发明一实施例示出TDDS的配置和信息内容的一个示例；图13是示出本发明的临时缺陷管理区域的已满标记配置的一个示例的示图。
具体实施例方式
现在将详细引用本发明的优选实施例，其示例在附图中示出。可能时，相同的标号将在所有附图中使用以指相同或相似的部件。
参见图13，根据本发明的BD-WO的光盘记录/复制装置20包括光学采集器22，用于从诸如BD-WO的光学记录介质21中读/写数据、用于控制光学采集器22以保持光学采集器22中物镜和光学记录介质21之间距离并用于跟踪附着轨迹的的采集伺服单元23、用于处理输入数据并将其提供给光学采集器22的数据处理器24、用于与外部主机30交换数据的接口25、用于擦除有关缺陷管理的信息的存储器27、以及用于控制以上单元的微型计算机26。装置20的所有组件在操作上都可耦合。主机30与装置20的接口25相连，用于记录/复制送往/来自光学记录介质21的数据以交换命令和数据。
当载入诸如BD-WO的光学记录介质时，装置20将诸如DMA(缺陷管理区域)信息、TDMA(临时缺陷管理区域)信息等的有关缺陷管理的信息载入存储器27或其它适当存储器。在操作期间，存储器27根据缺陷管理操作周期性地更新。现有方法可使用图1和图3中所示的装置或其它适当装置或系统来实现。
图4示出根据本发明一实施例的BD-WO的记录区域配置的一个示例。图4中所示的BD-WO具有单层盘的结构(即它具有单个记录层)。此外，图4中所示的BD-WO包括导入区域(LIA)、数据区域和导出区域(LOA)。用户数据区域位于数据区域。导入和导出区域包括最终的或持久的缺陷管理区域(DMA 1～DMA4)。每个区域中所示箭头分别表示数据记录方向的示例。
根据本发明，临时缺陷管理区域(TDMA1或TDMA2)在BD-WO的导入区域和数据区域中提供。在此，TDMA(临时缺陷管理区域)可与最终缺陷管理区域(DMA1、DMA2、DMA3、DMA4)区分开。特别地，临时缺陷管理区域(TDMA)是在BD-WO完成之前用来“临时”记录并管理缺陷管理信息的BD-WO区域。然后，缺陷管理信息被记录到图4所示记录层的多个缺陷管理区域至少一个上，例如DMA1～DMA4。例如当已经完成将数据记录在BD-WO的用户数据区域时，BD-WO被视为要完成了。
图4所示BD-WO的数据区域包括用户数据区域、内部备用区域(ISA0)和外部备用区域(OSA0)。在OSA0中提供了第二个TDMA2。OSA0还可包括一个替换区域R/A，用于替换记录对应于用户数据区域中缺陷的数据。整个ISA0可用作R/A。即，在图4所示实施例中，可在BD-WO上的指定区域分开提供多个临时缺陷管理区域(TDMA1、TDMA2)。例如，TDMA1在导入区域中提供，而TDMA2在外部备用区域中提供。这种指定区域的一个示例是BD-WO的内部圆周区域和外部圆周区域。特别地，图4示意地示出内部圆周区域在内部圆周区域提供而外部圆周区域在数据区域的末端部分提供。
在BD-WO外部圆周区域中提供的TDMA2的大小可以是固定的。另一方面，TDMA2的大小可根据备用区域(例如OSA0)的大小而改变。在更具体的示例中，当OSA的大小是N×256簇时，TDMA2的大小是M×256簇。在此，M是根据N/4确定的整数(M＝N/4)。例如，当N＝64时，备用区域(OSA0)的大小是16384簇，且因为M＝N/4，TDMA2的大小是4096簇。
为什么在BD-WO的外部圆周区域中提供的TDMA2的大小可根据备用区域(OSA0)的大小而改变是有原因的。一个原因是，当在备用区域中提供要写入数据的替换区域时，替换区域的大小、临时缺陷管理区域的大小和备用区域的大小是互相相关的。如果其中之一的大小减小，则其它的大小将增大(反之亦然)。与TDMA2的大小相比，在该特定实施例中，在内部圆周区域(导入区域)内提供的临时缺陷管理区域(TDMA1)的大小保持固定值。在本发明的该实施例中，导入区域中提供的临时缺陷管理区域(TDMA1)可根据TDMA2的使用而使用。例如，当备用区域(OSA0)中提供的TDMA2不管理缺陷时，可将备用区域分配为具有‘0’大小。因而，TDMA2的大小变成‘0’。当所有的数据区域都用来记录用户数据时这种情形会存在。无论如何，导入区域的TDMA1仍然可用，且通过使用DDS(盘定义结构)对特定信息的管理和描述也可用。然而，DDS不可用于缺陷列表的管理。以下将参照图10和图11提供更具体的讨论。
当在用户数据区域中检测到缺陷区域时，要记录到缺陷区域的数据被记录到替换区域R/A，且与该缺陷区域相关联的缺陷管理信息被记录到TDMA1和TDMA2的一个或多个中。
图5示出本发明一实施例，它示出了BD-WO的另一配置。图5所示的BD-WO是具有包括导入区域、数据区域和导出区域的配置的单层盘。每个区域中的箭头被用来表示记录数据的方向。每一个内部和外部备用区域ISA0和OSA0都包括一替换区域R/A，用于替换记录对应于用户数据区域中缺陷区域(如果发现的话)的数据。
在图5所示实施例中，在数据区域的开始部分(例如内部备用区域ISA0)提供了临时缺陷管理区域(TDMA1)。第二个TDMA2在外部备用区域(OSA0)中提供。结果，在本发明该实施例中，在BD-WO的预定区域中(ISA0、OSA0)分开提供了多个临时缺陷管理区域(TDMA1和TDMA2)。第一个TDMA(TDMA1)在内部备用区域中提供，而第二个TDMA(TDMA2)在外部备用区域中提供。广言之，多个临时缺陷管理区域的每一个在BD-WO的指定区域中分开提供。在此示例中，指定区域是内部圆周区域和外部圆周区域。更精确地，在图5所示实施例中，内部圆周区域在数据区域的开始部分提供，而外部圆周区域在数据区域的结束部分提供。
在该实施例中，在BD-WO的外部区域中提供的临时缺陷管理区域(例如TDMA2)的大小是固定的或可根据备用区域(OSA0)的大小是可变的。类似地，TDMA1的大小可固定或按需变化。但是，导入区域中的TDMA1最好具有固定大小，而OSA0中的TDMA2具有可变大小。
根据该示例，当检测到缺陷区域时，要记录到缺陷区域中的数据被记录到替换区域R/A，而与该缺陷区域相关联的缺陷管理信息被记录在TDMA1和TDMA2的一个或多个中。用于记录缺陷信息的替换区域在备用区域之一中提供。
图6示出根据本发明的BD-WO的另一记录区域配置。图6中示出的BD-WO具有两个记录层(层0和1)。第一层(层0)包括导入区域、数据区域50a、以及外部区域“外部区域0”。第二层(层1)包括导出区域、数据区域50b、以及外部区域“外部区域1”。在每一层上都提供多个DMA(DMA1～DMA4)。每个数据区域50a和50b包括至少一个备用区域。相应区域中的箭头表示记录方向的示例。
在该实施例中，临时缺陷管理区域(TDMA1或TDMA3)在导入区域或导出区域中的每一层上提供。内部备用区域(ISA0、ISA1)和外部备用区域(OSA0、OSA1)分别在每一层上的数据区域50a和50b中提供。临时缺陷管理区域(TDMA2或TDMA4)分别在外部备用区域(OSA0或OSA1)的每一层上提供。在该示例中，整个ISA0和ISA1都可用作替换R/A。OSA0和OSA1的每一个都可包括替换区域R/A。
该实施例可广泛地描述为具有多个分开的临时缺陷管理区域(TDMA1、TDMA3、TDMA2、TDMA4)，每一个都在BD-WO的指定区域中提供。第一对(TDMA1、TDMA3)在导入和导出区域中提供，而第二对(TDMA2、TDMA4)在外部备用区域OSA0和OSA1中提供。该实施例还可被描述为多个临时缺陷管理区域，分别在双层BD-WO的内部圆周区域和外部圆周区域中的(每一层上)指定区域内提供。特别地，内部圆周区域在导入和导出区域中提供，而外部圆周区域在相应数据区域的结束部分提供。
在BD-WO的外部圆周区域中提供的TDMA2和TDMA4的大小固定或可根据相关联备用区域的大小而变化。例如，当外部圆周区域(OSA0、OSA1)之一的大小是N×256簇时，TDMA2和TDMA4之一的尺寸可以变成M×256簇。这里，M是根据N/4(M/4)确定的整数。例如，当N＝32时，每个(或任一个)外部备用区域(OSA0、OSA1)的大小是8192簇，而每个(或任一个)TDMA2和TDMA4的大小变成2048簇(TDMA2＝TDMA4＝8192簇)，因为M＝N/4＝8。类似地，TDMA1和3的大小可固定或变化。但导入和导出区域中的每个TDMA1和3最好都具有固定大小，而外部备用区域OSA0和OSA1中的每个TDMA2和4则具有可变大小。
为什么在BD-WO的外部圆周区域中提供的临时缺陷管理区域(TDMA2、TDMA4)的大小可根据备用区域(OSA0、OSA1)的大小而改变是有原因的。一个原因是，当在备用区域中提供替换区域作为临时缺陷管理区域的备选时，替换区域的大小、临时缺陷管理区域的大小和备用区域的大小是互相相关的。相比之下，在内部圆周区域(导入和导出区域)中提供的临时缺陷管理区域(TDMA1、TDMA3)的大小最好是固定的。
在图6示例中，在导入和导出区域中提供的临时缺陷管理区域(TDMA1、TDMA3)可根据临时先前管理区域TDMA2、TDMA4的使用而使用。例如，当外部备用区域(OSA0、OSA1)中提供的临时缺陷管理区域(TDMA2、TDMA4)不管理缺陷区域时，备用区域(ISA0、ISA1)可分配为‘0’大小。因而，当所有数据区域用来记录用户数据时，TDMA2的大小变成‘0’。然而，导入区域的临时缺陷管理区域(TDMA1、TDMA3)仍然可用，且指定信息的管理和描述仍然可以进行。在该情形中，不能管理DFL(缺陷列表)。这在下面将参照图10和图11进行更详细的描述。
当发现缺陷区域时，要记录到用户数据区域的缺陷区域的数据被记录到替换区域R/A，且与缺陷区域相关联的缺陷管理信息被记录到BD-WO预定区域中提供的临时缺陷管理区域(TDMA1、TDMA2、TDMA3、TDMA4)的一个或多个之中。在图6示例中，在备用区域之一的一部分中提供替换区域。
图7示出根据本发明一实施例的BD-WO的记录区域配置的另一示例。，除了现在TDMA在每一层的内部和外部备用区域中提供之外，该示例与图6的示例相同。即，图7的示例是图5中所示单层盘配置的双层盘版本。
特别地，图7中的BD-WO示出双层BD-WO的配置，包括导入区域、导出区域、数据区域50a和50b、以及外部区域(外部区域0、全部区域1)相应区域中的箭头表示记录方向的示例。
根据本实施例，第一临时缺陷管理区域(TDMA1、TDMA3)在每个记录层上相应数据区域50a、50b的开始部分提供。即，它们在数据区域的内部备用区域ISA0和ISA1中提供。第二临时缺陷管理区域(TDMA2、TDMA4)在每个记录层上相应数据区域的结束部分处提供。即，它们在数据区域50a和50b的外部备用区域(OSA0、OSA1)中提供。
描述性地，图7中所示的本发明实施例包括多个临时缺陷管理区域(TDMA1、TDMA2、TDMA3、TDMA4)，其中每个TDMA在数据区域的开始部分(内部备用区域)和数据区域的结束部分(外部备用区域)提供。
在BD-WO的外部圆周区域中提供的临时缺陷管理区域(TDMA2、TDMA4)的大小可固定或根据外部备用区域(OSA0)的大小而变化。根据本实施例，如果在将数据记录到BD-WO时检测到缺陷区域，要记录到缺陷区域的数据可替换地记录到替换区域R/A，且与缺陷区域相关联的缺陷管理信息被记录到它们相应的BD-WO预定区域中提供的临时缺陷管理区域(TDMA1、TDMA2、TDMA3、TDMA4)的一个或多个之中。TDMA1和3的大小固定，而TDMA2和4的大小可变。
在另一实施例中，记录缺陷管理信息的方法包括以下步骤提供一最近的缺陷管理区域和一临时缺陷管理区域、替换地将缺陷管理信息记录到备用区域而非临时缺陷管理区域、将缺陷管理信息记录到在BD-WO相应预定区域中分开提供的多个临时缺陷管理区域中、并在完全使用临时缺陷管理区域之后将缺陷管理信息记录到最近的缺陷管理区域。
将图4中BD-WO的配置用作示例，提供了多个临时缺陷管理区域(TDMA1、TDMA2)，且在导出区域中提供的缺陷管理区域(DMA1、DMA2、DMA3、DMA4)是最近的缺陷管理区域。如果在记录数据时检测到缺陷区域，则要记录到数据区域的数据被替换地记录到备用区域中提供的替换区域，且相应缺陷管理信息被记录到临时缺陷管理区域中。在临时缺陷管理区域(TDMA)完全用完从而没有更多的TDMA可用于记录缺陷管理信息之后，将“最后的”或最近的缺陷管理信息记录到最近的缺陷管理区域中(DMA1～DMA4)。
图8示出根据本发明一实施例使用单层或双层BD-WO中的多个临时缺陷管理区域(TDMA1～TDMA4)的方法的一个示例。在该方法中，TDMA1存储TDDS(临时盘定义结构)和TDFL(临时缺陷列表)。然而，尽管未在示图中示出，TDMA2也包括TDDS和TDFL。图8中所示实施例示出特定缺陷管理信息(TDDS和TDFL)在记录到TDMA2之前被记录到TDMA1。尽管仅示出TDMA1和TDMA2，该方法可应用于所有TDMA(TDMA1～TDMA4)。
现在提供对TDDS和TDFL的讨论。在本发明，TDDS指临时盘定义结构并与DDS(盘定义结构)不同，因为TDDS是临时的。类似地，TDFL指临时缺陷列表，并因为TDFL是临时的也与DFL(缺陷列表)不同。在此，TDFL和TDDS被包括在多个TDMA中。
临时缺陷列表(TDFL)包含在使用介质期间被确定为有缺陷的(部分)簇列表。与此相关，TDDS指定有关缺陷管理的盘的格式和状态，且一般而言提供整体的管理信息。盘的格式可包括有关盘上区域的特定布局的信息，用于管理缺陷区域，而盘的状态可包括各种标记(解释如下)。TDFL包括缺陷区域和替换区域的地址。记录在临时缺陷管理区域(例如TDMA1和TDMA2)的TDDS和TDFL，变成写入最近的缺陷管理区域(例如DMA1-4)的持久信息(DDS和DFL)。当盘完成或不再管理缺陷时，存储在TDMA中的最后的TDDS和TDFL分别作为DDS信息和DFL信息被传送并记录在DMA的至少之一。在将数据记录到用户数据区域期间，周期性地或同时更新TDDS和TDFL，并将更新记录在TDMA中。这些的特定操作将随着讨论的进展而变得越来越显然。
在图8所示实施例中，TDMA1首先(在TDMA2使用之前)用来将诸如TDDS和TDFL信息的缺陷管理信息记录其中。当TDMA1装满时，TDMA2用来将缺陷管理信息记录其中。然而，在另一变体中，首先使用的是TDMA2(在TDMA1之前)。在此情形中，当TDMA2装满时，TDMA1被用来记录缺陷管理信息。在这种情形中，提供多个TDMA中哪个区域已满的通知的信息由TDMA的“已满标记”来表示。“已满标记”指示是必要的，因为在此揭示的优选实施例需要表示多个TDMA中哪个区域已满的信息。在一示例中，该TDMA1已满标记被包括在TDDS中。
因此，在图8的实施例中，顺序使用TDMA1和TDMA2或TDMA2和TDMA1以将缺陷管理信息存储其中。在其它实施例中，TDMA1和TDMA2位于BD-WO的导入和导出区域。使用特定的TDMA依赖于各个因素，其示例将在对使用多个TDMA的方法的讨论中提供。
应注意，图8的方法和在此讨论的任何其它方法(图9-13)可应用于图4、5、6和7的盘结构以及在此讨论的任何其它变化。还应注意，本发明包括在BD-WO的每个记录层上包括一个或多个TDMA的实施例。
在图8和随后的图9中，仅示出TDMA1和2。这些仅是表示的一个示例，并可表示位于BD-WO上的任何其它TDMA(例如TDMA1和3、TDMA2和4、TDMA3和6等)。
图9示出根据本发明一实施例使用单层或双层BD-WO中的多个临时管理区域(TDMA1～TDMA4)的方法的另一个示例。然而，图9的示例以及图8的示例在讨论图12所示的TDMA已满标记以及图13所示的相关结构的示例之后将得到更好的理解。
图12示出根据本发明缺陷管理信息的写入配置的一个示例。在该示例中示出的是表示TDMA是否已满的TDMA已满标记。该已满标记被记录在TDDS中。如上所述，TDDS包括整体的管理信息。为了管理本发明中的缺陷区域，使用TDMA已满标记和诸如‘TDMA1大小’、‘TDMA2大小’等的指示符。另一方面，在每个情形中并非都需要已满标记和大小指示符。特别地，已满标记提供有关特定区域是否已满的信息，并可以是对应于特定区域的1比特指示。在所示实施例中，如果特定区域是该结构的TDMA，且相应已满标记的比特值为“1”，则相应区域(例如TDMA1)被视为已满或在‘已满’状态。因此，由于该TDMA已满，不再使用该特定TDMA。
图13示出8比特TDMA已满标记的一个示例，表示一个或多个TDMA(TDMA1～TDMA4)是否已满。图13中所示结构包括在图12所示TDDS的字段中。在记录如图8所示的TDDS和TDFL时，TDDS的大小固定，例如1个簇，而TDFL的大小可变。图6和图7中所示的双层BD-WO的TDFL的大小可从1个簇变成8个簇。该大小是考虑整个盘的容量和备用区域的大小而确定。
根据使用多个TDMA的方法，如果在将数据记录到BD-WO时造成或发现缺陷区域，记录或要记录在BD-WO缺陷区域上的数据被记录到BD-WO的预定替换区域(例如备用区域)。有关图13的更多讨论将在下面提供。
现在提供对图9的讨论。如所述，图9示出本发明的临时缺陷管理区域使用方法的另一示例。在使用图9中示出的使用临时或缺陷管理区域的方法中，TDMA1和TDMA2不需确定任何使用顺序就可随机使用。参照图12和13讨论的TDMA已满标记都可在此等价地应用。
如果在图8和9所示情形中TDMA已满标记表示特定TDMA已满，随后的或另一个TDMA被用来将缺陷管理信息存储其中。在诸如图9所示情形的随机情形中，未指定使用顺序。但是，如果所有TDMA已满，则不再管理BD-WO上的缺陷。当不再管理缺陷时，从TDMA传送TDDS和TDFL的最后或最近信息，并将其记录在至少一个DMA(DMA1～DMA4)上以反映当前的盘状态。对DMA上最终信息的记录的更多讨论将在后面提供。
根据图9实施例，缺陷区域的数据被记录在预定替换区域上。与该缺陷区域和替换区域相关的缺陷管理信息被随机记录在所需TDMA上。例如，与位于BD-WO上缺陷区域最近的TDMA可用于记录这种缺陷管理信息。因此，如图9所示，TDMA可变化地或可按需使用。
在本发明的使用临时缺陷管理区域的另一方法中，多个临时缺陷管理区域可依赖于各种条件可变地使用。
例如，考虑根据图5-7所示的各个实施例用于管理缺陷的区域包括TDMA1和TDMA2。当使用BD-WO时，缺陷管理信息可仅记录在TDMA2上。然后最近的缺陷管理信息可在退出BD-WO时记录在TDMA1上。换言之，选择记录缺陷管理信息的区域在使用盘时记录缺陷管理信息的区域和在退出盘时记录缺陷管理信息的区域之间确定。
根据使用临时缺陷管理区域的方法的另一实施例，当把数据记录在BD-WO上时，如果在记录数据的过程期间造成或发现了缺陷区域，则记录(或要记录)在缺陷区域上的数据被记录在预定替换区域上。缺陷管理信息在使用该盘时被记录在TDMA2上。相同的缺陷管理信息在退出该盘时再次记录在TDMA1上。
作为使用该盘的另一种方法，使用各种对象用来选择多个临时缺陷管理区域之一。使用该盘的一种方法是基于重要性的。例如，当更新缺陷管理信息的重要性较低时，TDMA2可用来记录缺陷管理信息。当更新缺陷管理信息的重要性较高时，TDMA1(取代TDMA2)可用来记录缺陷管理信息。在此，用来确定重要性的准则可不同地设置。刷新缺陷管理信息(更新)的频率可以是有条件的，或基于设计者的选择。退出盘的时间还可被指定为是记录缺陷管理信息中的重要时间。在这种情形中使用盘的时间被视为较不重要，从而在该时间段中缺陷管理信息可在TDMA2(而不是TDMA1)上记录。退出盘的时间被视为较重要，从而在该时间段中缺陷管理信息可在TDMA1(而不是TDMA2)上记录。使用TDMA1(或TDMA3)优于使用TDMA2(或TDMA4)，因为TDMA1和3位于导入和导出区域而不是数据区域，所以在载入盘时可更快速简便地访问它们。设计者决定使用的各方法可区别地使用。
用来确定重要性的标准之一是更新间隔。换言之，如果前一缺陷管理信息的更新时间与当前缺陷管理信息的更新时间之间的间隔较长，当前的更新信息被视为相对重要。在此情形中，即使该盘正在使用中，缺陷管理信息仍可记录到TDMA1上。确定重要性的另一准则是造成或发现的缺陷区域数量。如果有相对较多的缺陷区域，由于它被视为需要更高可靠性，即使该盘正在使用中缺陷管理信息仍可被记录到TDMA1上。
根据使用目标，如果根据重要性缺陷管理信息被记录在TDMA上，由于TDMA1位于内磁轨上，重要信息在载入盘的初始时间一开始就能快速并精确地获得。
图10和11示出本发明的临时缺陷管理信息合成方法的两个不同示例。在一实施例中，本发明提供合成缺陷管理信息并将其记录在TDMA上的方法，其中TDDS和TDFL彼此分开。本发明的另一实施例提供合成缺陷管理信息并将其记录在TDMA上的方法，其中TDDS和TDFL彼此结合。图10示出前一情形(分开)而图11示出后一情形(结合)。在此，每次更新缺陷管理信息时，都把最近的TDFL和TDDS信息记录到TDMA中。
特别地，图10示出合成缺陷管理信息并将其记录在TDMA上的方法，其中TDDS和TDFL彼此分开。每个TDDS具有例如1个簇的固定大小，而每个TDFL的大小可变化，例如从1个簇到8个簇。
图11示出示出合成缺陷管理信息并将其记录在TDMA上的方法，其中TDMA上的TDDS和TDFL彼此结合。缺陷管理信息以TDFL+TDDS的形式记录，如图11所示。由于如上所述TDFL的大小可从1个簇到8个簇地变化，TDFL+TDDS的大小也可从1个簇到8个簇地变化。
再参看图12，每个TDMA(TDMA1～TDMA4)的大小以及TDMA已满标记在TDDS中示出。根据图4和图5的配置，仅描述TDMA1和TDMA2的大小的信息在TDDS中提供。根据图6和图7的配置，可以说描述TDMA1、TDMA2、TDMA3和TDMA4的大小的信息在TDDS中提供。即，根据本发明缺陷管理信息被记录在BD-WO的预定区域中提供的多个临时缺陷管理区域里。因此，信息和比特的量和类型、以及用于描述TDMA大小的表达方式并不限于图12的示图。
再次参看图13，画出的8比特是示出临时缺陷管理区域已满标记的示例。TDMA已满标记的一个比特被分配给每个TDMA，如图13所示从TDMA1到TDMA4。例如，具有值‘00000011’的TDMA已满标记表示TDMA1和TDMA2已满。其大小和位映像不限于图13中描述的TDMA已满标记的偏置。
如图13所示，在该示例中，从TDMA1到TDMA4的每个TDMA对应于TDMA已满标记从b0到b3的每个比特。根据图4和图5中的盘配置，TDMA3和TDMA4的已满标记比特并不是必须定义的。TDMA3和TDMA4的已满标记比特可根据图6和图7中所示的双层盘配置来定义。在双层BD-WO中，从逻辑观点看，TDMA2和TDMA4可用作统一的临时缺陷管理区域。类似地，TDMA1和TDMA3也可用作统一的临时缺陷管理区域。因此，定义已满标记的方法可以是对TDMA1+TDMA3定义一已满标记(或比特)，而对TDMA2+TDMA4定义另一已满标记(或比特)。
因此，当缺陷管理信息被记录到多个临时缺陷管理区域时，系统可确定是否有写区域可用。
行业可应用性本发明提供在BD-WO上写入数据期间发现缺陷区域时的缺陷管理方法。特别地，通过替换地将要记录在缺陷区域中的缺陷管理信息记录到BD-WO的替换区域，并通过将缺陷管理信息记录到在盘的预定区域中分开提供的多个临时缺陷管理区域，可在BD-WO上实现使用缺陷管理信息来写入、记录、复制和管理缺陷区域。
对本领域技术人员而言，可对本发明作出各种更改和变化而不偏离本发明的精神或范围是显而易见的。因而，本发明旨在包括落于所附权利要求书及其等效方案的范围内的本发明的更改和变化。
权利要求
1.一种管理具有至少一个记录层的只写一次的光学记录介质上的缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤将至少一个替换区域和多个临时缺陷管理区域分配到所述光学记录介质，其中所述临时缺陷管理区域分开提供；以及将缺陷管理信息记录在所述多个临时缺陷管理区域的至少一个上。
2.如权利要求1所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步骤中，所述多个临时缺陷管理区域的之一被分配到所述光学记录介质的内部圆周区域，而所述多个临时缺陷管理区域的之一被分配到所述光学记录介质的外部圆周区域。
3.如权利要求1所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步骤中，所述多个临时缺陷管理区域的之一在所述光学记录介质的导入区域中提供，而所述多个临时缺陷管理区域的之一在所述光学记录介质的数据区域的结束部分中提供。
4.如权利要求1所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步骤中，所述多个临时缺陷管理区域的之一在所述光学记录介质的数据区域的开始部分中提供，而所述多个临时缺陷管理区域的之一在所述光学记录介质的所述数据区域的结束部分中提供。
5.如权利要求1所述的管理方法，其特征在于，所述分配步骤还包括分配至少一个内部备用区域，所述区域的至少一部分用作替换缺陷区域的替换区域；分配至少一个外部备用区域，所述区域的一部分用作替换缺陷区域的替换区域；以及分配所述至少一个外部备用区域和所述至少一个内部备用区域的至少之一的一部分，作为管理缺陷管理信息的临时缺陷管理区域。
6.如权利要求5所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步骤中，所述至少一个内部备用区域包括第一内部备用区域，其整个分配区域用来替换缺陷区域。
7.如权利要求5所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步骤中，所述至少一个内部备用区域包括分配到数据区域开始部分的第一内部备用区域，而所述至少一个外部备用区域包括分配到数据区域结束部分的第一外部备用区域。
8.如权利要求1所述的管理方法，其特征在于，所述临时缺陷管理区域的第一个具有固定大小，而所述临时缺陷管理区域的第二个具有可变大小。
9.如权利要求8所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步骤中，所述临时缺陷管理区域的第一个被分配到导入区域，而所述临时缺陷管理区域的第二个被分配到外部备用区域。
10.如权利要求8所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步骤中，所述临时缺陷管理区域的第一个和第二个被分别分配到所述光学记录介质的内部备用区域和外部备用区域。
11.如权利要求1所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步骤中，所述光学记录介质具有至少两个记录层，第一记录层包括具有固定尺寸的临时缺陷管理区域和具有可变尺寸的临时缺陷管理区域，而第二记录层包括具有固定尺寸的临时缺陷管理区域和至少一个具有可变尺寸的临时缺陷管理区域。
12.如权利要求11所述的管理方法，其特征在于，所述具有固定尺寸的临时缺陷管理区域分别位于第一和第二记录层的导入区域，而所述具有可变尺寸的临时缺陷管理区域分别位于所述第一和第二记录层的外部备用区域。
13.如权利要求11所述的管理方法，其特征在于，所述具有固定尺寸的临时缺陷管理区域分别位于第一和第二记录层的内部备用区域，而所述具有可变尺寸的临时缺陷管理区域分别位于所述第一和第二记录层的外部备用区域。
14.如权利要求12所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步骤中，所述第一记录层包括第一内部备用区域，其整个区域用来替换缺陷区域，以及具有可变分配大小的外部备用区域，而所述第二记录层包括第二内部备用区域和所述外部备用区域。
15.如权利要求1所述的管理方法，其特征在于，所述光学记录介质是只写一次Blu-ray盘(BD-WO)。
16.如权利要求1所述的管理方法，其特征在于，在所述记录步骤中，所述缺陷管理信息包括至少一个临时缺陷列表(TDFL)和至少一个临时盘定义结构(TDDS)。
17.如权利要求8所述的管理方法，其特征在于，所述第一和第二临时缺陷管理区域按顺序使用。
18.如权利要求8所述的管理方法，其特征在于，所述第一和第二临时缺陷管理区域相对彼此无优先权地随机使用。
19.如权利要求16所述的管理方法，其特征在于，所述至少一个临时缺陷列表和所述至少一个临时盘定义结构是分开的。
20.如权利要求16所述的管理方法，其特征在于，所述至少一个临时缺陷列表和所述至少一个临时盘定义结构是结合的。
21.如权利要求16所述的管理方法，其特征在于，提供多个所述临时缺陷管理区域中哪个区域已满的通知的信息由已满标记来表示。
22.如权利要求16所述的管理方法，其特征在于，每个所述临时缺陷管理区域的大小被记录在所述TDDS中。
23.一种管理具有至少一个记录层的只写一次的光学记录介质上的缺陷的装置，其特征在于，所述装置包括一装置，用于将至少一个替换区域和多个临时缺陷管理区域分配到所述光学记录介质，其中所述临时缺陷管理区域分开提供；以及一装置，用于将缺陷管理信息记录在所述多个临时缺陷管理区域的至少一个上。
24.一种只写一次的光学记录介质，其特征在于，包括包括至少一个替换区域的数据区域；以及分配到所述光学记录介质的多个临时缺陷管理区域，其中所述临时缺陷管理区域分开提供，且缺陷管理信息记录在所述临时缺陷管理区域的至少一个上。
25.如权利要求24所述的光学记录介质，其特征在于，所述多个临时缺陷管理区域的至少之一被分配到所述光学记录介质的内部圆周区域，而所述多个临时缺陷管理区域的至少之一被分配到所述光学记录介质的外部圆周区域。
26.如权利要求24所述的光学记录介质，其特征在于，还包括一导入区域，其中所述多个临时缺陷管理区域之一在所述光学记录介质的导入区域中提供，而所述多个临时缺陷管理区域的另一个在所述光学记录介质的数据区域的结束部分中提供。
27.如权利要求24所述的光学记录介质，其特征在于，所述多个临时缺陷管理区域之一在所述光学记录介质的数据区域的开始部分中提供，而所述多个临时缺陷管理区域的另一个在所述光学记录介质的所述数据区域的结束部分中提供。
28.如权利要求24所述的光学记录介质，其特征在于，还包括所述数据区域中的至少一个内部备用区域，所述区域的至少一部分被用作替换缺陷区域的替换区域；以及所述数据区域中的至少一个外部备用区域，所述区域的一部分被用作替换缺陷区域的替换区域，其中所述至少一个外部备用区域和所述至少一个内部备用区域的至少之一的一部分用作管理缺陷管理信息的临时缺陷管理区域。
29.如权利要求28所述的光学记录介质，其特征在于，所述至少一个内部备用区域包括第一内部备用区域，其整个分配区域用来替换缺陷区域。
30.如权利要求28所述的光学记录介质，其特征在于，所述至少一个内部备用区域包括分配到数据区域开始部分的第一内部备用区域，而所述至少一个外部备用区域包括分配到数据区域结束部分的第一外部备用区域。
31.如权利要求24所述的光学记录介质，其特征在于，所述临时缺陷管理区域的第一个具有固定大小，而所述临时缺陷管理区域的第二个具有可变大小。
32.如权利要求31所述的光学记录介质，其特征在于，还包括一导入区域；以及所述数据区域中的一外部备用区域，其中所述临时缺陷管理区域的第一个被分配到所述导入区域，而所述临时缺陷管理区域的第二个被分配到所述外部备用区域。
33.如权利要求31所述的光学记录介质，其特征在于，还包括在所述数据区域中的一内部备用区域和一外部备用区域，其中所述临时缺陷管理区域的第一个和第二个被分别分配到所述光学记录介质的内部备用区域和外部备用区域。
34.如权利要求24所述的光学记录介质，其特征在于，所述光学记录介质具有至少两个记录层，第一记录层包括具有固定尺寸的临时缺陷管理区域和具有可变尺寸的临时缺陷管理区域，而第二记录层包括具有固定尺寸的临时缺陷管理区域和至少一个具有可变尺寸的临时缺陷管理区域。
35.如权利要求34所述的光学记录介质，其特征在于，所述具有固定尺寸的临时缺陷管理区域分别位于第一和第二记录层的导入区域，而所述具有可变尺寸的临时缺陷管理区域分别位于所述第一和第二记录层的外部备用区域。
36.如权利要求34所述的光学记录介质，其特征在于，所述具有固定尺寸的临时缺陷管理区域分别位于第一和第二记录层的内部备用区域，而所述具有可变尺寸的临时缺陷管理区域分别位于所述第一和第二记录层的外部备用区域。
37.如权利要求35所述的光学记录介质，其特征在于，所述第一记录层包括第一内部备用区域，其整个区域用来替换缺陷区域，以及具有可变分配大小的外部备用区域，而所述第二记录层包括第二内部备用区域和所述外部备用区域。
38.如权利要求24所述的光学记录介质，其特征在于，所述光学记录介质是只写一次Blu-ray盘(BD-WO)。
39.如权利要求24所述的光学记录介质，其特征在于，所述缺陷管理信息包括至少一个临时缺陷列表(TDFL)和至少一个临时盘定义结构(TDDS)。
40.如权利要求39所述的光学记录介质，其特征在于，所述至少一个临时缺陷列表和所述至少一个临时盘定义结构是分开的。
41.如权利要求39所述的光学记录介质，其特征在于，所述至少一个临时缺陷列表和所述至少一个临时盘定义结构是结合的。
42.如权利要求39所述的光学记录介质，其特征在于，每个所述临时缺陷管理区域的大小被记录在所述TDDS中。
全文摘要
揭示了一种管理具有至少一个记录层的只写一次的光学记录介质上的缺陷的方法。管理至少一记录层上缺陷的方法包括以下步骤将至少一个替换区域和多个临时缺陷管理区域分配到光学记录介质，其中临时缺陷管理区域分开提供，并将缺陷管理信息记录在多个临时缺陷管理区域的至少一个上。
文档编号G11B11/00GK1759438SQ200380110147
公开日2006年4月12日 申请日期2003年10月1日 优先权日2003年3月13日
发明者朴容彻, 金成大 申请人:Lg电子株式会社