专利名称：磁记录介质、其制造方法及磁读/写装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及磁记录介质、其制造方法、以及利用该磁记录介质的磁读/写装置。
背景技术：
作为一种磁读/写装置的硬盘驱动器(HDD)的记录密度目前每年增大60％或更多，并且该趋势被认为将持续下去。因此，目前正在进行对适用于高记录密度的磁记录头和磁记录介质的开发。
现在，通常被安装在商业可得的磁读/写装置中的磁记录介质是平面磁记录介质，其中磁性膜中的易磁化轴的取向平行于基片。这里，易磁化轴表示沿其容易发生磁化的轴线，并且在Co合金的情况下，表示具有hcp结构的Co的c轴。
在平面磁记录介质中，当记录密度增加时，磁性膜的每比特的体积变得过小，从而由于热波动效应可能破坏读/写特征。另外，当记录密度增大时，由于在记录比特之间的边界区域上的退磁场的影响，容易增加介质噪音。
相反，所谓的垂直磁记录介质即使在记录密度增大时也可以防止噪音的增加，因为退磁场在记录比特之间的边界区域上的影响较小，并形成清楚的比特边界，在所述垂直磁记录介质中，磁性膜中的易磁化轴的取向垂直基片。而且，近年来，该垂直磁记录介质已经变成了关注的焦点，因为记录密度越高，其更加静磁稳定、并且抗热波动性(thermal fluctuationresistance)越强。
最近，响应进一步增加磁记录介质的记录密度的需求，正在开发单极头的使用，其在垂直磁记录介质上具有较好的写能力。为了有效地使用单极头，已经提出了，在作为记录层的垂直磁记录膜和基片之间提供由软磁性材料构成的称为衬底层的层，以提高磁通量在单极头和磁记录介质之间的流通效率。
然而，在只提供衬底层的磁记录介质中，读/写特征变得不足，从而，需要具有较好的记录读/写特征的磁读/写介质。
通常，垂直读/写介质具有这样的结构，其中在基片上形成衬底层(软磁性底涂膜)、底涂膜，其使磁记录膜的易磁化轴的取向垂直于基片表面、包括Co合金的垂直磁记录膜、以及保护膜。
为了改进磁记录介质的读/写特性，当然可以在垂直磁记录膜上使用低噪音的磁性材料，并且已经提出了几种用于改进层结构的方法，例如日本专利2669529、日本未审查的专利申请第一公开Hei 08-180360、以及日本未审查的专利申请第一公开Hei 07-192244。
日本专利2669529提出了这样的方法，其中增加在Ti合金底涂膜与六边形磁性合金膜之间的晶格一致性，并通过在非磁性基片与六边形磁性合金膜之间提供Ti底涂膜、并在Ti底涂膜中引入其它元素，而改进六边形磁性合金膜的c轴取向。
然而，当利用Ti合金底涂膜时，磁性合金膜中的交换耦合变大，从而，由于介质噪音增大而难于进一步增加记录密度。
日本未审查的专利申请第一公开Hei 08-180360提出了这样的方法，其中通过在非磁性基片与Co合金垂直磁记录膜之间形成由Co和Ru构成的底涂膜，而改进Co合金垂直磁记录膜的c轴取向。
然而，由Co和Ru构成的底涂膜降低了垂直磁记录膜中包括的剩余磁化强度Mr与饱和磁化强度Ms的比值，即Mr/Ms。从而，由于Co合金磁性膜中的热稳定性下降，使得进一步增加记录密度变得困难。
日本未审查的专利申请第一公开Hei 07-192244提出了在基片和Co合金垂直磁记录膜之间形成Pt底涂膜。
然而，当在Pt底涂膜上形成垂直Co合金磁记录膜时，在其之间的晶格尺寸失配增大，从而在垂直磁记录膜的晶体结构中发生畸变。因此，在垂直磁记录膜中的磁颗粒之间的交换耦合变强，并且介质噪音增加，从而难于进一步增加记录密度。
发明内容
考虑上述问题，因此，本发明的目的是提供一种磁记录介质，其具有改善的读/写特性并高密度地读取和写入数据，本发明还提供其制造方法、以及磁读/写装置。
为了获得上述目的，本发明使用下面的结构(1)用于解决上述问题的第一发明是一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、垂直磁记录膜，其易磁化轴的取向通常垂直于所述基片、以及保护膜，其中所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，并且所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。
(2)用于解决上述问题的第二发明是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述第一底涂膜的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于10nm。
(3)用于解决上述问题的第三发明是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述第二底涂膜的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于10nm。
(4)用于解决上述问题的第四发明是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述第一底涂膜具有fcc结构。
(5)用于解决上述问题的第五发明是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，具有无定形结构或微晶结构的籽晶膜被提供在所述软磁性底涂膜和所述第一底涂膜之间。
(6)用于解决上述问题的第六发明是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述第一底涂膜包括C。
(7)用于解决上述问题的第七发明是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，所述材料包括至少Co和Pt、并且其负核场(-Hn)等于或大于0。
(8)用于解决上述问题的第八发明是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，具有颗粒结构的所述第一底涂膜由Pt或Pd以及氧化物构成。
(9)用于解决上述问题的第九发明是一种磁记录介质，其中，在如(8)所述的磁记录介质中，所述氧化物选自于SiO2、Al2O3、Cr2O3、CoO和Ta2O5。
(10)用于解决上述问题的第十发明是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述第二底涂膜具有颗粒结构，并由Ru或Ru合金以及氧化物构成。
(11)用于解决上述问题的第十一发明是一种磁记录介质，其中，在如(10)所述的磁记录介质中，所述氧化物选自于SiO2、Al2O3、Cr2O3、CoO和Ta2O5。
(12)用于解决上述问题的第十二发明是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，在所述材料中，SiO2、Al2O3、ZrO2、Cr2O3和Ta2O5中的至少一种被添加到CoPt合金或CoCrPt合金中。
(13)用于解决上述问题的第十三发明是一种制造磁记录介质的方法，其中，在非磁性基片上依次形成至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、垂直磁记录膜，其易磁化轴的取向通常垂直于所述基片、以及保护膜，所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，并且所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。
(14)用于解决上述问题的第十四发明是一种包括磁记录介质和磁头的磁读/写装置，所述磁头在所述磁记录介质上读取和写入数据，其中所述磁记录介质在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、以及垂直磁记录膜，其易磁化轴的取向通常垂直于所述基片，所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，并且所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。
(15)用于解决上述问题的第十五发明是一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向和晶体直径、垂直磁记录膜，其易磁化轴的取向通常垂直于所述基片、以及保护膜，其中所述底涂膜由包括至少Pt和C的合金或包括至少Pd和C的合金构成。
(16)用于解决上述问题的第十六发明是一种磁记录介质，其中，在如(15)所述的磁记录介质中，所述底涂膜的C含量等于或大于1原子％并等于或小于40原子％。
(17)用于解决上述问题的第十七发明是一种磁记录介质，其中，在如(15)所述的磁记录介质中，所述底涂膜的C含量等于或大于5原子％并等于或小于30原子％。
(18)用于解决上述问题的第十八发明是一种磁记录介质，其中，在如(15)所述的磁记录介质中，所述底涂膜的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于15nm。
(19)用于解决上述问题的第十九发明是一种磁记录介质，其中，在如(15)所述的磁记录介质中，包括Ru和Co中的至少一种的中间膜被提供在所述底涂膜和所述垂直磁记录膜之间。
(20)用于解决上述问题的第二十发明是一种磁记录介质，其中，在如(15)所述的磁记录介质中，具有无定形结构或微晶结构的籽晶膜被提供在所述底涂膜和所述垂直磁记录膜之间。
(21)用于解决上述问题的第二十一发明是一种磁记录介质，其中，在如(15)所述的磁记录介质中，所述底涂膜由如下材料中的一种构成Pt-C合金、Pt-Fe-C合金、Pt-Ni-C合金、Pt-Co-C合金、Pt-Cr-C合金、Pd-C合金、Pd-Fe-C合金、Pd-Ni-C合金、Pd-Co-C合金、或者Pd-Cr-C合金。
(22)用于解决上述问题的第二十二发明是一种磁记录介质，其中，在如(15)所述的磁记录介质中，所述底涂膜的微晶的平均直径等于或大于5nm并等于或小于12nm。
(23)用于解决上述问题的第二十三发明，其中，在如(15)所述的磁记录介质中，所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，所述材料包括至少Co和Pt、并且其负核场(-Hn)等于或大于0。
(24)用于解决上述问题的第二十四发明，其中，在如(15)所述的磁记录介质中，所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，在所述材料中，SiO2、Al2O3、ZrO2、Cr2O3和Ta2O5中的至少一种被添加到CoPt合金或CoCrPt合金中。
(25)用于解决上述问题的第二十五发明是一种制造磁记录介质的方法，所述方法包括以下步骤在非磁性基片上依次形成至少软磁性底涂膜、底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向和晶体直径、垂直磁记录膜，其易磁化轴的取向通常垂直于所述基片、以及保护膜，并且所述底涂膜由包括至少Pt和C的合金或包括至少Pd和C的合金构成。
(26)用于解决上述问题的第二十六发明是一种制造磁记录介质的方法，其中，在如(25)所述的制造磁记录介质的方法中，在150至400℃的温度下形成所述底涂膜。
(27)用于解决上述问题的第二十七发明是一种包括磁记录介质和磁头的磁读/写装置，所述磁头在所述磁记录介质上读取和写入数据，其中所述磁头为单极头，所述磁记录介质在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向和晶体直径、垂直磁记录膜，其易磁化轴的取向通常垂直于所述基片、以及保护膜，并且所述底涂膜由包括至少Pt和C的合金或包括至少Pd和C的合金构成。
下面将描述负核场。
如图2所示，在过程(history)曲线(MH曲线)中，如果点“b”表示经过点a的切线与表示饱和磁化强度的直线的交点，其中点a表示当外部磁场下降时其上磁场强度变为零的点，那么，可以将负核场(-Hn)表示为从Y轴(M轴)到点b之间的距离Oe。
注意，当点b位于外部磁场为负数的区域中时，则负核场(-Hn)具有正值(见图2)，相反，当点b位于外部磁场为正数的区域中时，则负核场(-Hn)具有负值(见图3)。
可以通过利用振动样品磁强计或Kerr效应测量装置测量负核场(-Hn)。
注意，1Oe＝约79A/m。
另外，可以通过利用例如TEM(投射电子显微镜)观察介质截面而获得每层膜的厚度。
图1为示出本发明磁记录介质的第一实施例的截面图；图2是说明负核场(-Hn)的示意图；图3是说明负核场(-Hn)的示意图；图4为示出本发明磁记录介质的第二实施例的截面图；图5为示出本发明磁记录介质的第三实施例的截面图；图6为示出本发明磁记录介质的第四实施例的截面图；图7示出了底涂膜中的C含量与读/写特性之间的关系；图8为示出本发明磁记录介质的第五实施例的截面图；图9为示出本发明的磁读/写装置实例的示意结构；图10为示出允许使用图9中所示的磁读/写装置的磁头实例的示意结构。
具体实施例方式
图1示出了本发明的磁记录介质的第一实施例。这里所示的磁记录介质在非磁性基片1上提供软磁性底涂膜2、两层底涂膜3和4，其控制在其紧上方的膜的取向、垂直磁记录膜5，其易磁化轴通常取向为垂直于基片、保护膜6、以及润滑膜7。
具体是，通过在非磁性基片1上依次形成由软磁性材料构成的软磁性底涂膜2、第一底涂膜3、第二底涂膜4、垂直磁记录膜5、保护膜6、以及润滑膜7，而形成磁记录介质。
可以使用由例如铝或铝合金的金属材料构成的金属基片作为非磁性基片1，或者可以使用由例如玻璃、陶瓷、硅、碳化硅或碳的非金属材料构成的非磁性基片。
可以使用无定形玻璃或结晶玻璃作为玻璃基片。可以使用通用的纳钙玻璃或硅铝酸盐玻璃作为无定形玻璃，而可以使用锂基结晶玻璃作为结晶玻璃。可以使用具有例如通用的氧化铝、氮化铝、氮化硅、或其纤维加固产物作为主要成分的的烧结体作为陶瓷基片。
非磁性基片1的平均表面粗糙度Ra等于或小于2nm(20)，优选等于或小于1nm，这在高密度记录应用方面是希望的，因为可以降低磁头在读取和写入时的浮动高度。
非磁性基片1的微小波度(Wa)等于或小于0.3nm(尤其优选等于或小于0.25nm)，这在高密度记录应用方面是希望的，因为可以降低磁头在读取和写入时的浮动高度。
另外，倒角部分的倒角边缘部分和侧面部分的至少一部分的平均表面粗糙度等于或小于10nm(尤其优选等于或小于9.5nm)，这在磁头的浮动稳定性方面是优选的。
在80μm的测量范围中，可以利用例如表面粗糙度测量装置P-12(KLA-Tencor Co.)，将波度(Wa)作为平均表面粗糙度测量。
提供软磁性底涂膜2，以增加从磁头产生的磁通量的垂直方向分量，并使在其上记录数据的垂直磁记录膜5的磁通量方向更稳定地位于垂直方向上。该操作尤其在使用用于垂直记录的单极头作为磁读/写头时变得更加重要。
软磁性底涂膜2由软磁性材料构成，所述材料可以是包括Fe、Ni或Co的材料。
下面是这些材料的实例FeCO合金(FeCO、FeCoB等)、FiNi合金(FeNi、FeNiMo、FeNiCr、FeNiSi等)、FeAl合金(FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、FeAlO等)、FeCr合金(FeCr、FeCrTi、FeCrCu等)、FeTa合金(FeTa、FeTaC、FeTaN等)、FeMg合金(FeMgO等)、FeZr合金(FeZrN等)、FeC合金、FeN合金、FeSi合金、FeP合金、FeNb合金、FeHf合金、以及FeB合金、CoB合金、CoP合金、CoNi合金(CoNi、CoNiB、CoNiP等)、和FeCoNi合金(FeCoNi、FeCoNiP、FeCoNiB等)。
另外，可以使用这样的材料，其具有由FeAlO、FeMgO、FeTaN、FeZrN等构成的微晶结构，并且其结合60原子％或更多的Fe，或者所述材料具有颗粒结构，其中精细晶体颗粒分散在阵列中。
除了上述材料，还可以使用Co合金作为软磁性底涂膜2的材料，所述合金结合80原子％或更多的Co，并结合如下物质中的至少一种或多种Zr、Nb、Ta、Cr、Mo等。
CoZr合金、CoZrNb合金、CoZrTa合金、CoZrCr合金、CoZrMo合金等可以适用作该材料。
软磁性底涂膜2的矫顽力Hc优选等于或小于100Oe(并尤其优选等于或小于20Oe)。
超过上述范围的矫顽力Hc是不希望的，因为软磁性特性变得不足，并且回读波形不是所谓的方波，而是变成了畸变波形。
软磁性底涂膜2的饱和磁通密度Bs优选等于或大于0.6T(尤其优选等于或大于1T)。低于该范围的Bs是不希望的，因为回读波形不再是所谓的方波，而是变成了畸变波形。
软磁性底涂膜2的饱和磁通密度Bs和厚度t的积，Bs·t优选等于或大于40T·nm(尤其优选等于或大于60T·nm)。低于该范围的积Bs·t是不希望的，因为回读波形变成畸变波形，并且OW特性(重写特性)下降。
可以使用溅射方法、镀覆方法等作为形成软磁性底涂膜2的方法。
软磁性底涂膜2可以具有这样的形式，使得形成其的材料在表面(所述表面在底涂膜3的一侧)上部分或完全氧化。
尤其是，在距离软磁性底涂膜2的表面预定深度的区域中，形成软磁性底涂膜2的材料可以局部氧化、或者该区域由该材料的氧化物形成。
底涂膜3控制在其紧上方的第二底涂膜4和垂直磁记录膜5的取向和晶体直径。
用于第一底涂膜3中的材料为Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金。具体是，可以使用Pt、Pd、Pt合金、Pd合金或PtPd合金。
通过在第一底涂膜3中使用Pt、Pd、或包括Pt和Pd至少一种的合金，可以使在第一底涂膜3上提供的第二底涂膜4和垂直磁记录膜5的取向为有利的。
为了使第一底涂膜3的晶体颗粒为微晶，在第一底涂膜3中优选使用其中对Pt添加另一种元素的Pt合金；或者其中对Pd添加另一种元素的Pd合金。
所添加的元素优选为B、C、P、Si、Al、Cr、Co、Ta、W、Pr、Nd、Sm等。
其中，添加C是优选的。通过在第一底涂膜3中结合C，可以使第二底涂膜4和垂直磁记录膜5的结晶为有利的。
另外，可以使用这样的合金材料，所述材料在包括Pt和Pd的合金材料(PtPd合金)中具有上述给出的添加元素。
尤其优选的是，第一底涂膜3由以下物质中的任何一种构成Pt-C合金、Pt-Fe-C合金、Pt-Ni-C合金、Pt-Co-C合金、Pt-Cr-C合金、Pd-C合金、Pd-Fe-C合金、Pd-Ni-C合金、Pd-Co-C合金、Pd-Cr-C合金、或Pt-Pd-C合金。
第一底涂膜3的厚度优选等于或大于0.5nm并等于或小于10nm(尤其为1-7nm)。当第一底涂膜3的厚度在该范围内时，垂直磁记录膜5的垂直取向尤其高，并且可以减少在读取和写入时磁头和软磁性底涂膜2之间的距离。从而，读取信号的分辨率没有下降，因此可以改进读/写特性。
当所述厚度低于该范围，垂直磁记录膜5的垂直取向降低，因此读/写特性和热稳定性下降。
另外，当该厚度高于该范围时，晶体颗粒变得粗糙，并且在读取和写入时磁头和软磁性底涂膜2之间得距离变大。从而回读信号的分辨率和回读输出变差。
第一底涂膜3优选具有fcc结构。当第一底涂膜3具有fcc结构，其紧上方的第二底涂膜4和/或垂直磁记录膜5的取向是优选的，并且可以使晶体颗粒为微晶。晶体状态可以通过例如X射线衍射或TEM(透射电子显微技术)来确定。
第一底涂膜3可以具有由Pt和氧化物构成的颗粒结构。另外，其可以具有由Pd和氧化物构成的颗粒结构。
所述氧化物可以使用SiO2、Al2O3、Cr2O3、CoO或Ta2O5。
第一底涂膜3的晶体颗粒的平均直径优选等于或大于5nm并等于或小于12nm。可以通过利用TEM(透射电子显微技术)观察第一底涂膜3的晶体颗粒并处理观察到的图像而获得平均直径。
第一底涂膜3的表面分布影响垂直磁记录膜5和保护膜6的表面分布，因此，为了使磁记录介质的表面不规则性较小、并且减小磁头在读取和写入时的浮动高度，第一底涂膜3的平均表面粗糙度Ra优选等于或小于2nm。
因为所述平均表面粗糙度Ra等于或小于2nm，可以使磁记录介质中的表面不规则性较小，并可以使磁头在读取和写入时的浮动高度充分低，从而可以增加记录密度。
当形成第一底涂膜3时，为了使垂直磁记录膜5的晶体颗粒为微晶，可以使用包括氧气或氮气的处理气体作为膜显影气体。例如，在通过利用溅射法形成第一底涂膜3的情况下，优选使用这样的气体，所述气体为以约0.05至10％(优选0.1至3％)的体积将氧气混入氩气而形成的混合气体，或者为以约0.01至20％(优选0.02至5％)的体积将氮气混入氩气而形成的混合气体。
第二底涂膜4用于防止垂直磁记录膜5由于在第一底涂膜3与垂直磁记录膜5之间的晶格尺寸差而发生的晶体结构的畸变，并用于减少垂直磁记录膜5的磁颗粒(晶体颗粒)的交换耦合。
Ru或Ru合金可以用于第二底涂膜4中。
通过在第二底涂膜4中使用Ru或Ru合金，可以改进读/写特性。
为了同时减小第二底涂膜4的晶格尺寸并减少垂直磁记录膜5中的交换耦合，优选在第二底涂膜4中使用具有另一种添加入Ru的元素的Ru合金。
所述添加元素优选为B、C、P、Ta、W、Mo等。
第二底涂膜4的厚度优选等于或大于0.5nm并等于或小于10nm(尤其优选为1至6nm)。当第二底涂膜4的厚度在该范围中时，第二底涂膜4的作用(防止垂直磁记录膜5的晶体结构畸变并减少磁颗粒的交换耦合)增强，并且使在读取和写入时磁头和软磁性底涂膜2之间的距离变小。从而，可以改进读/写特性，而不减少回读信号的分辨率。
当该厚度低于该范围时，第二底涂膜4的作用减小，并且读/写特性下降。另外，当所述厚度较大地超过该范围时，晶体颗粒变得粗糙，并且在读取和写入时磁头和软磁性底涂膜2之间的距离变大。从而，回读信号的分辨率和回读输出变差。
第二底涂膜4的厚度的值可以超过10nm(例如，等于或大于15nm)。
优选，第二底涂膜4具有hcp结构。可以通过利用例如X射线衍射或透射电子显微技术(TEM)确定所述晶体结构。
第二底涂膜4可以具有由Ru和氧化物构成的颗粒结构。所述氧化物可以为SiO2、Al2O3、Cr2O3、CoO或Ta2O5。
优选，第二底涂膜4的晶体颗粒的平均直径等于或大于5nm并等于或小于12nm。可以通过利用TEM(透射电子显微技术)观察第二底涂膜4的晶体颗粒并处理观察到的图像而获得平均直径。
垂直磁记录膜5的易磁化轴的取向通常垂直于基片，并且垂直磁记录膜5优选由包括至少Co和Pt的材料构成。
例如，可以使用CoPt合金或CoCrPt合金。另外，可以使用这样的材料，所述材料在CoPt合金或CoCrPt合金中添加SiO2、Al2O3、ZrO2、Cr2O3、以及Ta2O5中的至少一种。
尤其是，优选使用CoCrPt合金或在CoCrPt合金中添加例如SiO2、Al2O3、ZrO2或Cr2O3的氧化物的材料。
在使用没有添加氧化物的CoCrPt合金的情况下，优选，Cr含量等于或大于14原子％并等于或小于24原子％(优选等于或大于15原子％并等于或小于22原子％)，以及Pt含量等于或大于14原子％并等于或小于24原子％(优选等于或大于15原子％并等于或小于20原子％)。
Cr含量低于该范围是不希望的，因为当低于该范围，磁颗粒之间的交换耦合变大，这又导致磁簇直径变大以及噪音增加。另外，Cr含量高于该范围是不希望的，因为当高于该范围时，矫顽力和剩余磁化强度(Mr)与饱和磁化强度(Ms)的比值即Mr/Ms减小。
Pt含量低于该范围是不希望的，因为改进读/写特性的作用变得不足，并且同时，剩余磁化强度(Mr)与饱和磁化强度(Ms)的比值即Mr/Ms减小，热稳定性下降。另外，Pt含量高于该范围是不希望的，因为增加了噪音。
在使用在CoCrPt中添加氧化物的材料的情况下，全部Cr和氧化物的含量优选等于或大于12原子％并等于或小于22原子％(尤其优选等于或大于14原子％并等于或小于20原子％)，并且Pt含量等于或大于13原子％并等于或小于20原子％(尤其优选等于或大于14原子％并等于或小于20原子％)。
全部Cr和氧化物的含量低于该范围是不希望的，因为当低于该范围时，磁颗粒之间的交换耦合变大，这又导致磁簇直径变大以及噪音增加。另外，全部Cr和氧化物的含量高于该范围是不希望的，因为当高于该范围时，矫顽力和剩余磁化强度(Mr)与饱和磁化强度(Ms)的比值即Mr/Ms减小。
Pt含量低于该范围是不希望的，因为改进读/写特性的作用变得不足，并且同时，剩余磁化强度(Mr)与饱和磁化强度(Ms)的比值即Mr/Ms减小，热稳定性下降。另外，Pt含量高于该范围是不希望的，因为增加了噪音。
注意，“易磁化轴通常取向为垂直于基片”表示，在垂直方向上的矫顽力Hc(P)与在平面方向上的矫顽力Hc(L)的关系为，Hc(P)＞Hc(L)。
垂直磁记录膜5可以具有单层结构，其由CoCrPt材料或类似材料构成，或者可以具有由不同成分构成的两层或多层结构。
垂直磁记录膜5的厚度优选为7至30nm(尤其优选为10至25nm)。当垂直磁记录膜5等于或大于7nm，则可以获得充分的磁通量，在回读期间的输出没有减小，并且可以防止由于噪音分量而使对输出波形的确定变得困难。从而，可以获得能够用于增大的记录密度的磁读/写装置。
另外，垂直磁记录膜5的厚度优选等于或小于30nm，因为这样可以防止增大垂直磁记录膜5中的磁颗粒的粗糙度，从而不用担心读/写特性会由于噪音的增加而下降。
垂直磁记录膜5的矫顽力优选等于或大于3000Oe。矫顽力小于3000Oe是不希望的，因为不能获得用于高记录密度所需的分辨率，并且另外，热稳定性下降。
垂直磁记录膜5的剩余磁化强度(Mr)与饱和磁化强度(Ms)的比值即Mr/Ms优选等于或大于0.9。Mr/Ms小于0.9是不希望的，因为热稳定性会下降。
垂直磁记录膜5的负核场(-Hn)优选等于或大于0。负核场(-Hn)小于0是不希望的，因为热稳定性会下降。
垂直磁记录膜5的晶体颗粒的平均直径优选等于或大于5nm并等于或小于12nm。可以通过利用TEM(透射电子显微技术)观察垂直磁记录膜5的晶体颗粒并处理观察到的图像而获得平均直径。
垂直磁记录膜5的ΔHc/Hc优选等于或小于0.25。ΔHc/Hc等于或小于0.25是优选的，因为磁颗粒(晶体颗粒)的直径变化小，在垂直磁记录膜5的垂直方向上的矫顽力变得均匀，从而可以改善分辨率。
保护膜6防止了对垂直磁记录膜5的腐蚀，并且同时当磁头接触介质时防止对介质表面的损伤。从而，可以使用常规熟知的材料，如C、SiO2、或ZrO2。
当保护膜6的厚度等于或大于1nm并等于或小于7nm时，磁头与介质之间的距离变小，从而在高记录密度方面是优选的。
优选，在润滑膜7中使用常规熟知的材料，如全氟聚醚、氟化醇、氟化碳等。
为了制造磁记录介质，可以使用这样的方法通过溅射或类似方法依次形成非磁性基片1、软磁性底涂膜2、第一底涂膜3、第二底涂膜4、以及垂直磁记录膜5；通过溅射或CVD形成保护膜6；以及通过浸渍或类似方法形成润滑膜7。
在本实施例的磁记录介质中，第一底涂膜3由Pt、Pd或Pt和Pd中至少一种的合金构成，第二底涂膜4由Ru或Ru合金构成。从而，改善了读/写特性和热稳定性，并且可以读取和写入高密度数据。
图4示出了本发明的磁记录介质的第二实施例，图中所示的磁记录介质在软磁性底涂膜2和第一底涂膜3之间提供籽晶膜8，其具有无定形结构或微晶结构。
利用这样的合金是有利的，所述合金包括选自于Fe、Co和Ni中的至少一种以及选自于Ta、Nb、Zr、Si、B、C、N和O中的至少一种。
通过提供籽晶膜8，可以形成第一底涂膜3而不受软磁性底涂膜2的结晶、晶体直径或表面状态的影响。
尤其优选的是，在籽晶膜8中使用这样的材料，所述材料的饱和磁通密度Bs等于或大于0.3T，并且矫顽力Hc等于或小于100Oe。通过在籽晶膜8中使用这样的材料，可以防止分辨率由于磁头和软磁性底涂膜2之间的距离而下降。
图5示出了本发明的磁记录介质的第三实施例，所示的磁记录介质在第二底涂膜4和垂直磁记录膜5之间提供中间膜9，其由CoCr合金构成。
有利的是，在中间膜9中使用这样的CoCr合金，其包括选自于如下的一种物质Pt、Ta、Nb、Zr、Si、B、C和O。
通过提供中间膜9，可以防止由于在第二底涂膜4与垂直磁记录膜5之间的界面中的结晶位错，而导致垂直磁记录膜5的结晶性下降。
中间膜9的厚度优选等于或小于5nm(尤其优选等于或小于3nm)。当中间膜9的厚度在该范围中时，中间膜9的作用(防止垂直磁记录膜5的结晶性下降)增强，并且在读取和写入时可以减小磁头与软磁性底涂膜2之间的距离。从而，可以改善读/写特性，而不减小回读信号的分辨率。
图6示出了本发明磁记录介质的第四实施例。所示的磁记录介质具有这样的结构，其中在非磁性基片1上依次形成软磁性底涂膜2、底涂膜23，其控制在其紧上方的膜的取向和晶体直径、中间膜24、垂直磁记录膜5，其易磁化轴通常取向为垂直于基片、保护膜6、以及润滑膜7。
非磁性基片1、软磁性底涂膜2、垂直磁记录膜5、保护膜6以及润滑膜7可以具有与第一实施例中相同的成分。
底涂膜23控制在其紧上方的中间膜24或在其紧上方的中间膜24和垂直磁记录膜5的取向和晶体直径。
在中间膜23中使用的材料为包括至少Pt和C的合金。
利用没有C的Pt是不希望的，因为晶体直径变大，从而由于底涂膜23的影响，外延生长的垂直磁记录膜5中的晶体直径变大，从而噪音增加。
底涂膜23尤其优选由如下的任何物质构成Pt-C合金、Pt-Fe-C合金、Pt-Ni-C合金、Pt-Co-C合金或Pt-Cr-C合金。
在中间膜23中使用的材料为包括至少Pd和C的合金。
在利用没有C的Pd的情况中，晶体直径变大，从而由于底涂膜23的影响，外延生长的垂直磁记录膜5中的晶体直径变大，从而噪音增加。
在使用包括Pd和C的合金的情况下，底涂膜23尤其优选由如下的任何物质构成Pd-C合金、Pd-Fe-C合金、Pd-Ni-C合金、Pd-Co-C合金或Pd-Cr-C合金。
底涂膜23的C含量优选等于或大于1原子％并等于或小于40原子％(尤其优选为等于或大于5原子％并等于或小于30原子％)。
图7示出了底涂膜23的C含量与读/写特性之间的关系。
如图7所示，底涂膜23的C含量小于1原子％是不希望的，因为对读/写特性的改善作用较差。C含量高于40原子％是不希望的，因为将发生对取向的破坏。从而，读/写特性和磁静电特性下降。
底涂膜23的厚度优选等于或大于0.5nm并等于或小于15nm(尤其优选为1至10nm)。当底涂膜23的厚度在该范围中时，垂直磁记录膜5的垂直取向尤其高，并且在读取和写入时，磁头与软磁性底涂膜2之间的距离变小。从而，可以增强读/写特性，而不降低回读信号的分辨率。
当该厚度低于上述范围时，垂直磁记录膜5中的垂直取向减少，并且读/写特性和热稳定性下降。
另外，当该厚度高于上述范围时，晶体颗粒变得粗糙，并且在读取和写入时，磁头与软磁性底涂膜2之间的距离增大。从而，回读信号的分辨率和回读输出变差。
底涂膜23优选具有fcc结构。由于底涂膜23具有fcc结构，其紧上方的中间膜24和/或垂直磁记录膜5的取向较好，并且可以使晶体颗粒为微晶。可以通过例如X射线衍射或透射电子显微技术(TEM)确定颗粒的状态。
底涂膜23的晶体颗粒的平均直径等于或大于5nm并等于或小于12nm。可以通过利用TEM(透射电子显微技术)观察底涂膜23的晶体颗粒并处理观察到的图像而获得平均直径。
底涂膜23的表面分布影响垂直磁记录膜5和保护膜6的表面分布，从而，为了使磁记录介质的表面不规则性较小，并降低磁头在读取和写入时的浮动高度，底涂膜23的平均表面粗糙度Ra优选等于或小于2nm。
因为该平均表面粗糙度Ra等于或小于2nm，从而降低了磁记录介质的表面不规则性，充分减小了磁头在读取和写入时的浮动高度，而可以增加记录密度。
当形成底涂膜23时，为了使垂直磁记录膜5的晶体颗粒为微晶，可以使用包括氧气或氮气的处理气体作为用于形成膜的气体。例如，在利用溅射法形成底涂膜23的情况下，优选使用这样的气体，所述气体为以约0.05至10％(优选0.1至3％)的体积将氧气混入氩气而构成的混合气体，或者为以约0.01至20％(优选0.02至5％)的体积将氮气混入氩气而构成的混合气体。
中间膜24防止垂直磁记录膜5由于在底涂膜23与垂直磁记录膜5之间的晶格尺寸差而发生的晶体结构的畸变，并同时减少垂直磁记录膜5的磁颗粒(晶体颗粒)的交换耦合。
优选在中间膜24中使用具有hcp结构或fcc结构的材料。
中间膜24优选包括Ru和Co中的至少一种。
中间膜24的厚度优选等于或小于10nm(优选等于或小于6nm)，以便不会由于垂直磁记录膜5中的磁颗粒(晶体颗粒)变得粗糙而导致读/写特性的下降，或者因为磁头与底涂膜2之间的距离而分辨率下降。
底涂膜24的厚度的值可以超过10nm(例如，等于或大于15nm)。
注意，在本发明中也可以是不包括中间膜24的结构。
为了制造上述的磁记录介质，使用这样的方法，其中通过溅射法或类似方法在非磁性基片1上依次形成软磁性底涂膜2、底涂膜23、中间膜24、以及垂直磁记录膜5，通过溅射法、CVD法或类似方法形成保护膜6，以及通过浸渍法或类似方法形成润滑膜7。
优选，在150至400℃的温度下形成底涂膜23。
当温度在该范围中时可以获得较好的读/写特性。
在本实施例的磁记录介质中，底涂膜23由包括至少Pt和C的合金构成，或由包括至少Pd和C的合金构成，从而改善了读/写特性和热稳定性，并且使读和写高密度数据变得可能。
图8示出了本发明的磁记录介质的第五实施例。所示的磁记录介质在软磁性底涂膜2和底涂膜23之间提供籽晶膜8，其具有无定形结构或微晶结构。
可以如第二实施例中所示地形成籽晶膜8。
通过提供籽晶膜8，可以形成底涂膜23而不受软磁性底涂膜2的结晶、晶体颗粒直径或表面条件的影响。
图9示出了利用上述磁记录介质的磁读/写装置的实例。所示的磁读/写装置提供在任何上述实施例中的磁记录介质10、旋转磁记录介质10的介质驱动单元11、在磁记录介质10上读和写信息的磁头、头驱动单元13、以及读/写信号处理系统14。读/写信号处理系统14处理输入数据，并将记录信号传送给磁头12，并且可以通过处理来自磁头12的回读信号而输出数据。
可以使用用于垂直磁记录的单极头作为磁头12。
如图10所示，可以使用这样的单极头，其包括主极12a、辅助极12b、以及设置在其连通部分12c上的线圈12d。
根据上述磁读/写装置，因为使用上述磁记录介质10，可以同时增加热稳定性和读/写特性。
因此，根据磁读/写装置，可以防止由于热波动而发生的例如数据丢失的故障，并且同时可以实施高记录密度。
下面将通过示例阐述本发明的工作效果。然而，本发明并不限于下面的实例。
实例1将清洗过的玻璃基片1(日本Ohara Co.，外直径2.5英寸)装入DC磁控溅射装置(日本ANELVA，C-3010)的膜形成室中。当将空气从膜形成室中排出直到最后获得1×10-5Pa的真空时，通过溅射法，利用由89Co-4Zr-7Nb(Co含量为89原子％、Zr含量为4原子％、以及Nb含量为7原子％)构成的靶在基片1上形成厚度为180nm的软磁性底涂膜2。通过使用振动样品磁强计(VSM)确定该膜的饱和磁通量Bs与膜厚t的积，即B·t为200T·nm。
接着，在240℃下，通过利用75Pt-25C(Pt含量为75原子％，以及C含量为25原子％)的靶，在上述软磁性底涂膜2上形成厚度为5nm的第一底涂膜3。此时，利用TEM观察第一底涂膜3的表面的晶体颗粒，发现其平均直径为8nm。
在第一底涂膜3上，通过利用Ru靶形成厚度为5nm的第二底涂膜4，并通过利用64Co-17Cr-17Pt-2B(Co含量为64原子％、Cr含量为17原子％、Pt含量为17原子％、以及B含量为2原子％)靶形成厚度为20nm的垂直磁记录膜5。注意，在上述溅射步骤中，利用氩气作为膜形成中的处理气体，并在0.6Pa的气压下形成所述膜。
接着，通过利用CVD形成厚度为5nm的保护膜6。
然后，利用浸渍法形成由全氟聚醚构成的润滑膜7，从而获得磁记录介质。表1中示出了该磁记录介质的组成。
比较实例1除了没有提供第一底涂膜3，根据实例1制造所述磁记录介质。表1中示出了该磁记录介质的组成。
比较实例2和3除了没有提供第二底涂膜4，根据实例1制造磁记录介质。表1示出了这两种磁记录介质的组成。
对实例和比较实例中的磁记录介质进行了评估。通过利用由GIZIKCo.(美国)制造的读/写分析器RWA1632和旋转台S1701MP进行对读/写特性的评估。
在对读/写特性的评估中，采用在写部分使用单极电极并在回读部分使用GMR元件的磁头，并且记录频率条件被测量为600kFCI的磁轨记录密度。
在对热波动特性的评估中，使用上述的旋转台和上述的磁头。当在70℃的温度下以50kFCI的磁轨记录密度写入后，根据(S-S0)×100/(S0×3)计算回读输出在写入1秒后的输出减少率(％/10)。在该方程中，S0表示当在磁记录介质上写入信号1秒后的回读输出，以及S表示经过1000秒后的回读输出。表1中示出了测试结果。
表1
如表1所示，提供第一底涂膜3和第二底涂膜4的所述实例表现出比比较实例更优异的读/写特性。
实例2至12除了如表2所示的第一底涂膜3的组成以外，根据实例1制造磁记录介质。
评估了在这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表2中示出了测试结果。
表2
如表2所示，其中第一底涂膜3由Pt或Pt合金构成的实例示出了更好的读/写特性。
实例13至16除了如表3所示的第一底涂膜3的厚度以外，根据实例1制造磁记录介质。
评估在这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表3中示出了测试结果表3
如表3所示，其中第一底涂膜3的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于10nm(尤其优选为1至7nm)的实例中表现出更好的读/写特性。
实例17至20除了如表4所示的第二底涂膜4的组成以外，根据实例1制造磁记录介质。
评估在这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表4中示出了测试结果。
表4
如表4所示，其中第二底涂膜4由Ru或Ru合金构成的实例示出了更好的读/写特性。
实例21至25除了如表5所示的第二底涂膜4的厚度以外，根据实例1制造磁记录介质。
评估在这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表5示出了测试结果。
表5
如表5所示，其中第二底涂膜4的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于10nm(尤其优选为1至7nm)的实例表现了更好的读/写特性。
实例26至32除了如表6所示的软磁性底涂膜2的材料和厚度以外，根据实例1制造磁记录介质。
实例33至35除了在软磁性底涂膜2与第一底涂膜3之间提供籽晶膜8以外，根据实例1制造磁记录介质。
评估这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表6示出了测试结果。
表6
如表6所示，所述实例示出了更好的读/写特性。尤其是，其中提供籽晶膜8的实例中获得了更好的读/写特性。
实例36至40除了在第二底涂膜4与垂直磁记录膜5之间提供中间膜9以外，根据实例1制造磁记录介质。
实例41至44除了如表7所示的垂直磁记录膜5的材料和厚度以外，根据实例1制造磁记录介质。
评估这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表7示出了测试结果。
表7
如表7所示，所述实例示出了更好的读/写特性。
实例45除了如下述形成第一底涂膜3以外，根据实例1制造磁记录介质。
具体为，通过利用75Pd-25C(Pd含量为75原子％，C含量为25原子％)的靶在软磁性底涂膜2上形成厚度为5nm的第一底涂膜3。此时，利用TEM观察底涂膜3的表面的晶体颗粒，并获得其平均直径为8.3nm。
评估在这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表8示出了测试结果。
比较实例4和5除了不提供第二底涂膜4以外，根据实例45制造磁记录介质。评估磁记录介质的读/写特性。表8示出了测试结果。
实例46至54除了如表8所示的第一底涂膜3的组成和厚度以外，根据实例45制造磁记录介质。
评估这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表8示出了测试结果。
表8
如表8中所示，其中第一底涂膜3由Pd或Pd合金构成的实例示出了更好的读/写特性。在利用包括Pt和Pd的合金的情况中也获得了较好的读/写特性。
实例55至77除了如表9所示的第一底涂膜3、第二底涂膜4以及垂直磁记录膜5的组成和厚度以外，根据实例1制造磁记录介质。
评估这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表9示出了测试结果。
表9
如表9所示，其中在第一底涂膜3、第二底涂膜4以及垂直磁记录膜5中使用包括氧化物的材料的实例示出了更好的读/写特性。
实例78将清洗过的玻璃基片1(日本Ohara Co.，外直径2.5英寸)装入DC磁控溅射装置(日本ANELVA，C-3010)的膜形成室中。当将空气从膜形成室中排出直到最后获得1×10-5Pa的真空时，通过溅射法，利用由89Co-4Zr-7Nb(Co含量为89原子％、Zr含量为4原子％、以及Nb含量为7原子％)构成的靶在基片1上形成厚度为180nm的软磁性底涂膜2。通过使用振动样品磁强计(VSM)确定该膜的饱和磁通量Bs与膜厚t的积，即B·t为200T·nm。
接着，在240℃下，通过利用75Pt-25C(Pt含量为75原子％，以及C含量为25原子％)的靶，在上述软磁性底涂膜2上形成厚度为5nm的底涂膜23。此时，利用TEM观察底涂膜23的表面的晶体颗粒，发现其平均直径为8nm。
在底涂膜23上，通过利用Ru靶形成厚度为2nm的中间膜24，并通过利用64Co-17Cr-17Pt-2B(Co含量为64原子％、Cr含量为17原子％、Pt含量为17原子％、以及B含量为2原子％)靶形成厚度为20nm的垂直磁记录膜5。注意，在上述溅射步骤中，利用氩气作为膜形成中的处理气体，并在0.6Pa的气压下形成所述膜。
接着，通过利用CVD方法形成厚度为5nm的保护膜6。
然后，利用浸渍法形成由全氟聚醚构成的润滑膜7，从而获得磁记录介质。
比较实例6至8除了通过利用由Pt、Ru或C构成的靶形成底涂膜23以外，根据实例78形成磁记录介质。表10示出了这些磁记录介质的组成。
评估这些实例和比较实例中的磁记录介质的读/写特性。通过使用由GIZIK Co.(美国)制造的读/写分析器RWA1632和旋转台S1701MP来实施对读/写特性的评估。
在对读/写特性的评估中，采用在写部分使用单极电极并在回读部分使用GMR元件的磁头，并且记录频率条件被测量为600kFCI的磁轨记录密度。
在对热波动特性的评估中，使用上述的旋转台和上述的磁头。当在70℃的温度下以50kFCI的磁轨记录密度写入后，根据(S-S0)×100/(S0×3)计算回读输出在写入1秒后的输出减少率(％/10)。在该方程中，S0表示当在磁记录介质上写入信号1秒后的回读输出，以及S表示经过1000秒后的回读输出。表10中示出了测试结果。
表10
如表10所示，其中底涂膜23由75Pt-25C构成的实例示出了比比较实例优异的读/写特性。
实例79至87除了如表11所示的底涂膜23的组成以外，根据实例78制造磁记录介质。
评估了在这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表11中示出了测试结果。
表11
如表11所示，其中底涂膜23包括至少Pt或C的实例示出了更好的读/写特性。尤其是，其中底涂膜23的C含量等于或大于1原子％并等于或小于40原子％(尤其优选等于或大于5原子％并等于或小于30原子％)的实例示出了更好的特性。
实例88至92除了如表12所示的底涂膜23的厚度以外，根据实例78制造磁记录介质。
评估在这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表12中示出了测试结果。
表12
如表12所示，其中底涂膜23的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于15nm(尤其优选为1至10nm)的实例中表现了更好的读/写特性。
实例93至97除了如表13所示的在形成底涂膜23时的温度以外，根据实例78制造磁记录介质。
评估在这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表13中示出了测试结果。
表13
如表13所示，其中在形成底涂膜23时的温度为150至400℃的实例中示出了更好的读/写特性。
实例98至104除了如表14所示的软磁性底涂膜2的材料和厚度以外，根据实例78制造磁记录介质。
实例105至107除了在软磁性底涂膜2与底涂膜23之间提供籽晶膜8以外，根据实例78制造磁记录介质。
评估在这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表14示出了测试结果。
表14
如表14所示，所述实例示出了更好的读/写特性。尤其是，其中提供籽晶膜8的实例中获得了更好的读/写特性。
实例108至116除了如表15所示的中间膜24和垂直磁记录膜5的材料和厚度以外，根据实例78制造磁记录介质。
评估在这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表15示出了测试结果。
注意在所述表中，Ru/CoCr表示具有这样的双层结构，其中中间膜24在由Ru构成的第一层上提供由CoCr构成的第二层。中间膜24的厚度都是2nm，这表示为2/2。
表15
如表15所示，所述实例示出了更好的读/写特性。
实例117除了如下述形成底涂膜23以外，根据实例78制造磁记录介质。
具体为，通过利用75Pd-25C(Pd含量为75原子％，C含量为25原子％)的靶在软磁性底涂膜2上形成厚度为5nm的底涂膜23。此时，利用TEM观察底涂膜23的表面的晶体颗粒，并获得其平均直径为8.3nm。
评估在这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表16示出了测试结果。
比较实例9除了利用由Pd构成的靶形成底涂膜23以外，根据实例117制造磁记录介质。评估磁记录介质的读/写特性。表16示出了测试结果。
实例118至124除了如表16所示的底涂膜23的组成和厚度以外，根据实例117制造磁记录介质。评估这些实例中磁记录介质的读/写特性。表16示出了测试结果。
表16
如表16中所示，其中底涂膜23包括至少Pd和C的实例示出了更好的读/写特性。
实例125至135根据如表17所示的中间膜24以及垂直磁记录膜5的材料和厚度制造磁记录介质。其它条件根据实例78。评估这些实例中的磁记录介质的读/写特性。表17示出了测试结果。
表17
如表17所示，其中垂直磁记录膜5包括氧化物的实例示出了更好的读/写特性。
工业应用在本发明的磁记录介质中，在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、第一底涂膜、第二底涂膜、垂直磁记录膜、以及保护膜；所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成；并且所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。从而可以改善读/写特性和热稳定性。
另外，在非磁性基片上提供软磁性底涂膜、底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向和晶体直径、垂直磁记录膜，其易磁化轴的取向通常垂直于所述基片、以及保护膜；所述底涂膜由包括至少Pt和C的合金或包括至少Pd和C的合金构成。从而可以改善读/写特性和热稳定性。
权利要求
1.一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、垂直磁记录膜，其易磁化轴通常取向为垂直于所述基片、以及保护膜，其中所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，并且所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。
2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一底涂膜的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于10nm。
3.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二底涂膜的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于10nm。
4.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一底涂膜具有fcc结构。
5.如权利要求1所述的磁记录介质，其中具有无定形结构或微晶结构的籽晶膜被提供在所述软磁性底涂膜和所述第一底涂膜之间。
6.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一底涂膜包括C。
7.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，所述材料包括至少Co和Pt、并且其负核场(-Hn)等于或大于0。
8.如权利要求1所述的磁记录介质，其中具有颗粒结构的所述第一底涂膜由Pt或Pd以及氧化物构成。
9.如权利要求8所述的磁记录介质，其中所述氧化物选自于SiO2、Al2O3、Cr2O3、CoO和Ta2O5。
10.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二底涂膜具有颗粒结构，并由Ru或Ru合金以及氧化物构成。
11.如权利要求10所述的磁记录介质，其中所述氧化物选自于SiO2、Al2O3、Cr2O3、CoO和Ta2O5。
12.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，所述材料在CoPt合金或CoCrPt合金中添加SiO2、Al2O3、ZrO2、Cr2O3、以及Ta2O5中的至少一种。
13.一种制造磁记录介质的方法，所述方法包括以下步骤在非磁性基片上依次形成至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、垂直磁记录膜，其易磁化轴通常取向为垂直于所述基片、以及保护膜；并且其中所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，并且所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。
14.一种提供磁记录介质和磁头的磁读/写装置，所述磁头在所述磁记录介质上读取和写入数据；其中所述磁头为单极头；以及所述磁记录介质在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、垂直磁记录膜，其易磁化轴通常取向为垂直于所述基片、以及保护膜；并且所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。
15.一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向和晶体直径、垂直磁记录膜，其易磁化轴通常取向为垂直于所述基片、以及保护膜；并且其中所述底涂膜由包括至少Pt和C的合金或包括至少Pd和C的合金构成。
16.如权利要求15所述的磁记录介质，其中所述底涂膜的C含量等于或大于1原子％并等于或小于40原子％。
17.如权利要求15所述的磁记录介质，其中所述底涂膜的C含量等于或大于5原子％并等于或小于30原子％。
18.如权利要求15所述的磁记录介质，其中所述底涂膜的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于15nm。
19.如权利要求15所述的磁记录介质，其中包括Ru和Co中至少一种的中间膜被提供在所述底涂膜和所述垂直磁记录膜之间。
20.如权利要求15所述的磁记录介质，其中具有无定形结构或微晶结构的籽晶膜被提供在所述软磁性底涂膜和所述底涂膜之间。
21.如权利要求15所述的磁记录介质，其中所述底涂膜由如下材料中的一种构成Pt-C合金、Pt-Fe-C合金、Pt-Ni-C合金、Pt-Co-C合金、Pt-Cr-C合金、Pd-C合金、Pd-Fe-C合金、Pd-Ni-C合金、Pd-Co-C合金、或者Pd-Cr-C合金。
22.如权利要求15所述的磁记录介质，其中所述底涂膜的晶体颗粒的平均直径等于或大于5nm或者等于或大于12nm。
23.如权利要求15所述的磁记录介质，其中所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，所述材料包括至少Co和Pt、并且其负核场(-Hn)等于或大于0。
24.如权利要求15所述的磁记录介质，其中所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，所述材料在CoPt合金或CoCrPt合金中添加SiO2、Al2O3、ZrO2、Cr2O3、以及Ta2O5中的至少一种。
25.一种制造磁记录介质的方法，所述方法包括以下步骤在非磁性基片上依次形成至少软磁性底涂膜、底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向和晶体直径、垂直磁记录膜，其易磁化轴通常取向为垂直于所述基片、以及保护膜；并且所述底涂膜由包括至少Pt和C的合金或包括至少Pd和C的合金构成。
26.根据权利要求25的制造磁记录介质的方法，其中在150至400℃的温度下形成所述底涂膜。
27.一种提供磁记录介质和磁头的磁读/写装置，所述磁头在所述磁记录介质上读取和写入数据；其中所述磁头为单极头；以及所述磁记录介质在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向和晶体直径、垂直磁记录膜，其易磁化轴通常取向为垂直于所述基片、以及保护膜；并且其中所述底涂膜由包括至少Pt和C的合金或包括至少Pd和C的合金构成。
全文摘要
一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供软磁性底涂膜、第一底涂膜、第二底涂膜、垂直磁记录膜、以及保护膜，并且所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。
文档编号G11B5/73GK1735932SQ200480002118
公开日2006年2月15日 申请日期2004年1月14日 优先权日2003年1月14日
发明者清水谦治, 坂胁彰, 小林一雄, N·T·董, 酒井浩志, 彦坂和志, 及川壮一, 前田知幸, 中村太 申请人:昭和电工株式会社, 株式会社东芝