专利名称：记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种记录介质，该记录介质包括衬底和磁膜，该衬底具有限定相位坑序列的表面，该磁膜基于磁化方向在该衬底的表面上限定记录标记。
背景技术：
例如，如日本专利申请公报No.6-202820中所公开的，所谓的并行ROM-RAM磁光盘是公知的。RAM(随机存取存储器)信息可以在任何时候以类似于普通磁光盘的方式，被写入到形成在磁光盘中的衬底的表面上的磁记录膜中。在衬底的表面上已经建立了相位坑。相位坑用于保持ROM(只读存储器)信息。
将激光束照射到磁光盘上，以读出ROM信息。所照射的激光束以各种强度从磁光盘反射。该光强度取决于是否存在相位坑。光强度的这种变化被用来读出ROM信息。同样将激光束照射到磁光盘上，以读出RAM信息。在激光束中，偏振面响应于由磁记录膜导致的极性克尔效应而旋转。偏振面的旋转被用来区分RAM信息中所包含的二进制数据或位数据。但是，ROM信息和RAM信息的读出不能如所期望的那样同时实现。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种具有磁膜的记录介质，该磁膜使得能够以足够的精度来区分记录标记中的信息，而与相位坑的最小坑长度的最小化无关。
根据本发明的第一方面，提供了一种记录介质，该记录介质包括衬底，该衬底的表面上限定有多个相位坑序列；以及磁膜，其根据磁化方向在所述衬底的表面上限定多个记录标记，其中在振幅比a/b与双折射差d[nm]之间建立了以下关系，振幅比a/b是在电信号的最大振幅值b和该电信号的最小振幅值a之间得到的，而双折射差d[nm]是在第一和第二双折射值之间得到的，[表达式1]a/b≥0.0177d+0.2568 (1)所述第一双折射值是对针光束单次穿过所述衬底而测量的，该衬底的姿势为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于该光束的基准面旋转20度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，该衬底的姿势为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的径向线(radial line)，相对于所述基准面旋转20度，基于穿过所述磁膜的光束而在光检测器中产生电信号，这些光束具有彼此垂直的偏振面。
发明人对如上所述从光检测器输出的电信号进行了观察。采用示波器来进行观察。在示波器的屏幕上出现了双重再现(duplex reproduced)波形。这与按照通常方式基于记录标记来读出信息的情况不同。双重再现波形由具有相对较大的第一振幅值的再现波形和具有小于该第一振幅值的第二振幅值的再现波形构成。第二振幅值的再现波形与第一振幅值的再现波形是同步的。发明人披露了振幅比与双折射差之间的相关性。振幅比与第一和第二振幅值之间的比(即最大和最小振幅之间的比)相对应。双折射差与第一和第二双折射值之间的差相对应。已经证实，[表达式1]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。这种类型的记录介质使得能够基于记录标记以足够的精度可靠地实现信息的记录和再现，而与相位坑的经减小的最小坑长度无关。
具体地，优选地建立以下关系[表达式2]a/b≥0.0185d+0.1918(2)发明人披露了，[表达式2]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。另外，优选地建立以下关系 a/b≥0.0186d+0.1506(3)发明人披露了，[表达式3]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。
同时，优选地建立以下关系[表达式4]a/b≤0.8(4)发明人披露了，[表达式4]的建立使得即使在相位坑序列的最小坑长度小于根据光盘(CD)标准的最小坑长度时，也能够在基于相位坑序列读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。
根据本发明的第二方面，提供了一种记录介质，该记录介质包括衬底，该衬底的表面上限定有多个相位坑序列；以及磁膜，其根据磁化方向在所述衬底的表面上限定多个记录标记，其中在双折射差d[nm]与所述相位坑序列中的相位坑的光学深度Pd[λ]和在所述相位坑中限定的倾斜表面的倾斜角S的乘积之间建立以下关系，双折射差d[nm]是在第一和第二双折射值之间得到的，[表达式5]Pd·S≤-0.2236d+8.8616(5)所述第一双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，该衬底的姿势为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于该光束的基准面旋转20度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，该衬底的姿势为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的径向线，相对于所述基准面旋转20度，而λ表示用于读出信息的光束的波长。
发明人披露了光学深度Pd和倾斜角S的乘积与第一和第二双折射值之间的双折射差之间的相关性。发明人披露了，[表达式5]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。这种类型的记录介质使得能够基于记录标记以足够的精度可靠地实现信息的记录和再现，而与相位坑的经减小的最小坑长度无关。
具体地，优选地建立以下关系 Pd·S≤-0.2338d+9.6817(6)发明人披露了，[表达式6]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。另外，优选地建立以下关系[表达式7]Pd·S≤-0.2345d+10.201(7)发明人披露了，[表达式7]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。
同时，优选地建立以下关系[表达式8]Pd·S≥2.00(8)发明人披露了，[表达式8]的建立使得即使在相位坑序列的最小坑长度小于根据光盘(CD)标准的最小坑长度时，也能够在基于相位坑序列读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。
优选地，将记录标记的最小标记尺寸设定为大于任意上述记录介质中的相位坑序列中的相位坑的最小坑长度。与最小坑长度等于最小标记尺寸的记录介质相比，该记录介质使得能够在基于记录标记读出信息的过程中使相位坑序列的影响最小化。可以减少在区分记录标记时的抖动。即使在相位坑序列中的最小坑长度变小时，也可以基于记录标记以足够的精度读出信息。通常，当在相位坑序列中最小坑长度被设置得较小时，相位坑的光学深度被设置得较大。相位坑的较大光学深度导致在区分记录标记时的抖动增加。换句话说，在区分记录标记时精度降低。如果将最小标记尺寸设置为大于所限定的最小坑长度，则可以使精度的降低最小化。
具体地，优选地将最小标记尺寸设置为等于最小坑长度与一整数的乘积。该记录介质使得能够基于从相位坑序列读出的信息而产生时钟信号。该时钟信号可用于基于记录标记记录和再现信息。根据相位坑序列产生的时钟信号反映了相位坑序列的移动速度的波动，使得由此可以在基于记录标记记录和再现信息时消除移动速度的波动的影响。这使得能够基于记录标记以较高精度实现信息的记录和再现。
可以将所述相位坑序列中的相邻相位坑序列之间的间隔设定在1.0μm到1.2μm的范围内。可以将最小坑长度设定在0.55μm到0.65μm的范围内。所设定的间隔和最小坑长度有助于以较高密度来构建相位坑。发明人披露了，即使以集中的方式以较高密度设置了相位坑，也可以基于相位坑序列和记录标记序列以足够的精度读出信息。
图1是示意性表示作为根据本发明的记录介质的示例的磁光盘的立体图。
图2是沿图1中的线2-2截取的经放大的部分剖视图。
图3是示意性表示该磁光盘的衬底的结构的放大立体图。
图4是沿图3中的线4-4截取的经放大的部分剖视图。
图5是用于说明测量双折射率的方法的示意图。
图6是示意性表示磁光盘驱动器的结构的示意图。
图7是表示相位坑序列与激光束的偏振面之间的位置关系的经放大的部分立体图。
图8是示意性表示信号处理单元的结构的框图。
图9示意性表示了显示在示波器上的RAM信息的再现波形。
图10是表示最大和最小振幅之比与双折射差之间的关系的曲线图。
图11是表示最大和最小振幅之比与相位坑的光学深度和相位坑的倾斜表面的角度的乘积之间的关系的曲线图。
图12是表示双折射差与相位坑的光学深度和相位坑的倾斜表面的角度的乘积之间的关系的曲线图。以及图13是表示抖动与最大和最小振幅之比之间的关系的曲线图。
具体实施例方式
下面将结合附图来说明本发明的实施例。
图1表示作为根据本发明的记录介质的示例的磁光盘11。磁光盘11是所谓的并行ROM-RAM磁光盘。磁光盘11的直径例如被设置为120mm。应当注意，这种介质可以采用卡等的形状来代替盘形。
图2示意性地表示了磁光盘11的剖面图。该磁光盘11包括盘形的衬底12。衬底12由透明材料制成。该透明材料可以是树脂材料，例如聚碳酸脂、非晶聚烯烃等。采用注入模制来形成衬底12。在衬底12的表面上依次形成有底膜(undercoat film)14、磁记录膜15、辅助磁膜16、覆盖膜(overcoat film)17、反射膜18以及保护膜19。底膜14可以由诸如SiN的透明材料制成。磁记录膜15可以由诸如TbFeCo的透明磁性材料制成。同样，辅助磁膜16可以由诸如GbFeCo的透明磁性材料制成。覆盖膜17可以由诸如SiN的透明材料制成。反射膜18可以由诸如铝的能够建立镜面的材料制成。保护膜19例如可以由UV可固化树脂材料制成。
如图3所示，在衬底12的表面上形成相位坑序列21。各个相位坑序列21包括相位坑22。各个相位坑22被形成为具有光学深度Pd的凹坑。各个相位坑序列都建立一记录磁道。在衬底12的径向上，以被称作“磁道间距”Tp的间隔设置这些相位坑序列21。磁道间距Tp可以设置在例如1.0μm至1.2μm的范围内。最小坑长度PL可以设置在例如0.55μm至0.65μm的范围内。因此可以在磁光盘11中以高密度形成相位坑22。应当注意，响应于其他条件的改变，磁道间距Tp和最小坑长度PL可以取任意值。
在衬底12的整个表面上形成有底膜14、磁记录膜15、辅助磁膜16、覆盖膜17、反射膜18以及保护膜19。因此，相位坑序列21覆盖有底膜14、磁记录膜15、辅助磁膜16、覆盖膜17、反射膜18以及保护膜19。在相位坑序列21上的磁记录膜15中建立多个记录标记23。因此，反射膜18的镜面与相位坑序列21和记录标记23相对。例如，在整个磁记录膜15中建立向下磁化的情况下，在记录标记23中建立向上磁化。这种反向的磁化使得能够建立记录标记23。记录标记23分别具有被设置为大于最小坑长度PL的最小标记尺寸ML。这里，记录标记23的最小标记尺寸ML被设置为等于最小坑长度PL和一整数的乘积。
在磁光盘11中，相位坑22的光学深度Pd[λ]与限定在相位坑22中的倾斜表面的倾斜角S[°]的乘积被设置在1.0到8.5的范围内。如图4所示，倾斜表面24沿着相位坑22的轮廓形成。相位坑22的底部25从衬底12的表面12a凹陷光学深度Pd。倾斜角S是在光学深度Pd的一半处(在下文中被称为“半深度”)确定的。在半深度处，与衬底12的表面12a平行地限定义了基准面26，用于确定倾斜角S。与基准面26平行地限定了第一和第二平面27a、27b。第一平面27a位于基准面26与底部25之间距离基准面26五分之一的半深度的位置处。第二平面27b位于基准面26与衬底12的表面12a之间距离基准面26五分之一的半深度的位置处。根据倾斜表面24在第一平面27a和第二平面27b上的位置来限定测量平面28。在测量平面28与基准面26之间测量倾斜表面24的倾斜角S。
在磁光盘11中，第一和第二双折射值之间的差被设置为小于25nm。以下将该差称为“双折射差”。在这种情况下，利用第一倾斜光束的单次穿过来测量衬底12的第一双折射值。同样，利用第二倾斜光束的单次穿过来测量衬底12的第二双折射值。如图5所示，例如，为了测量第一双折射值，将衬底12保持为下述的姿势绕通过光束29在衬底12上的光点与相位坑序列21相切的切线32，相对于垂直于光束29的基准面31旋转等于20度的倾斜角α。同样，为了测量第二双折射值，将衬底12保持为下述的姿势绕通过光束29在衬底12上的光点的径向线33，相对于基准面31旋转等于20度的倾斜角β。可以采用传统的双折射测量仪器(例如，ORC Manufacturing Co.，Ltd.，发布的ADR-200B)来测量第一和第二双折射值。
磁光盘11使得能够基于相位坑序列21创建所谓的ROM(只读存储器)信息。沿着相位坑序列21照射激光束来读出ROM信息。从磁光盘11反射的光的光强响应于相位坑22不存在和存在而变化。利用光强的这种变化来区分二进制数据。这里，ROM信息与记录在磁光盘11中的图像信息相对应。可以采用诸如MPEG的数据压缩方法来减小图像数据的量。同样，磁光盘11使得能够基于记录标记23创建所谓的RAM(随机存取存储器)信息。沿着相位坑序列21照射激光束来读出RAM信息。激光束的偏振面响应于磁记录膜15的极性科尔效应而旋转。利用偏振面的这种旋转来区分二进制数据。沿着相位坑序列21在磁记录膜15上照射激光束来记录RAM信息。同时以预定强度向磁记录膜15施加磁场。响应于磁记录膜15的温度的升高和磁场的反向，在特定方向上建立了磁化。这里，RAM信息与记录在磁光盘11中的浊音(sonant)信息相对应。可以采用诸如MP3的数据压缩方法来减小浊音信息的量。
接下来，对制造磁光盘11的方法进行简要说明。首先，模制出衬底12。例如采用注入模制机。将诸如流体聚碳酸酯、流体聚烯烃等的流体倒入模具或压模中。压模用于在衬底12的表面上形成相位坑22。衬底12的厚度例如被设置为1.2mm。当采用聚碳酸酯作为衬底12的材料时，可以在注入模制之后对衬底12进行退火处理。退火处理有助于减小衬底12的双折射差。优选地，将退火处理的温度设置为等于或小于120摄氏度。高于120摄氏度的温度会导致衬底12的特性的较大变化。应该注意，可以采用与上述方法不同的任意方法来形成衬底12。
此后，在衬底12的表面上依次形成底膜14、磁记录膜15、辅助磁膜16、覆盖膜17、反射膜18和保护膜19。例如，采用溅射来形成膜14-19。在溅射设备的各个室内设定等于或小于5e-5[Pa]的真空。
首先将衬底12传送至第一室内。第一室内设置有Si靶。向第一室内引入Ar气和N2气。在第一室内进行反应溅射，以形成SiN膜或底膜14。例如，SiN膜的厚度被设置为大约80.0nm。
然后将衬底12传送至第二室内。在第二室中，在衬底12的表面上依次形成磁记录膜15和辅助磁膜16。这里，磁记录膜15例如由厚度为大约30.0nm的Tb22(Fe88Co12)78合金膜制成。辅助磁膜16例如由厚度为大约4.0nm的Gd19(Fe80Co20)81合金膜制成。
再次将衬底12传送至第一室内。在辅助磁膜16的表面上依次形成覆盖膜17和反射膜18。覆盖膜17例如由厚度为大约5.0nm的SiN膜制成。反射膜18例如由厚度为大约50.0nm的铝膜制成。在反射膜18上形成保护膜19。保护膜18例如由UV可固化树脂涂层制成。通过这种方式形成了磁光盘11。应该注意，除了上述材料以外，可以从适于用于进行光磁记录的记录介质的任意普通材料中选择材料。
采用磁光盘驱动器35来对磁光盘11进行记录/再现操作。例如，磁光盘驱动器35例如包括被设计用来支撑磁光盘11的主轴36，如图6所示。主轴36用于驱动磁光盘11，以使其绕主轴36的纵轴旋转。
磁光盘驱动器35包括光源或半导体激光二极管37。半导体激光二极管37被设计用来发出线偏振的光束，即激光束38。当磁光盘11被设置在主轴36上时，所谓的光学系统39用于将激光束38引导至磁光盘11。
例如，光学系统39包括与磁光盘11的表面相对的物镜41。例如，分束器42位于半导体激光二极管37与物镜41之间。来自半导体激光二极管37的激光束38经过分束器42。然后，激光束38通过物镜41照射到磁光盘11上。物镜41用于在磁光盘11的表面上形成微射束点。激光束38穿过衬底12、底膜14、磁记录膜15、辅助磁膜16和覆盖膜17。激光束38最终到达反射膜18。反射膜18对激光束38进行反射。所反射的激光束38经物镜41被引导至分束器42。
双束Wollaston 43与分束器42相对。分束器41用于对从磁光盘11返回的激光束38进行反射。激光束38经分束器41被引导至双束Wollaston 43。双束Wollaston 43将激光束38分为偏振面彼此垂直的两个光束。
双束Wollaston 43的后面设置有对分光检测器44。对分光检测器44被设计用来在双束Wollaston 43处进行分束后检测各个偏振面的激光束38。将激光束38转换为各个偏振面的电信号。然后在加法放大器45处对这些偏振面的电信号进行求和。检测整个激光束38的强度。按照这种方式根据加法放大器45的输出来读出ROM信息。还在减法放大器46处对这些电信号进行减法操作。检测从磁光盘11反射的激光束38的偏振面与反射之前的激光束38的偏振面之间的旋转。按照这种方式根据减法放大器46的输出来读出RAM信息。
磁头滑块47与物镜41相对。磁头滑块47上安装有电磁换能器。该电磁换能器可以位于从物镜41引导到磁光盘11的激光束38的路径的延伸部分上。激光束38的照射造成磁记录膜15的温度升高。电磁换能器用于向磁记录膜15施加用于记录的磁场。温度的升高使得磁记录膜15中的磁化响应于用于记录的磁场的方向而旋转。以这种方式将RAM信息写入到磁记录膜15中。应该注意，可以采用所谓的光调制记录来代替所述的磁调制记录。
如图7所示，激光束38的偏振面48被设定为与磁光盘驱动器35中的相位坑序列21垂直。换句话说，向相位坑22和磁记录膜15施加了所谓的垂直偏振的激光束38。垂直偏振的激光束38有助于减少在读出ROM和RAM信息时的抖动。
如图8所示，例如，将加法放大器45的输出提供给信号处理电路51以读出ROM信息。还将加法放大器45的输出提供给PLL(锁相环)电路52。PLL电路52根据从加法放大器45提供的ROM信息的数据串来产生时钟信号。将该时钟信号提供给信号处理电路53。还将减法放大器46的输出提供给信号处理电路53。信号处理电路53被设计用于与来自PLL电路52的时钟信号同步地对减法放大器46的输出中的二进制数据进行检测。记录标记23的最小标记尺寸ML是相位坑22的最小坑长度PL与一整数的乘积，从而只要与该时钟信号同步地创建记录标记23，就能够从记录标记23中可靠地读出二进制数据。来自PLL电路52的时钟信号跟随磁光盘11的旋转的波动。因此，在对记录标记23进行读/写时，可以显著地消除该波动的影响。
例如，在要从上述磁光盘驱动器35中的磁光盘11读出RAM信息时，将从减法放大器46输出的电信号的最小振幅值a和最大振幅值b之间的振幅比a/b设定在0.40到0.90的范围内。这使得在读出RAM信息时能够可靠地实现等于或小于8％的抖动。这里，电信号的最小振幅a和最大振幅b分别取决于显示在示波器上的再现波形，例如图9所示。当按照与普通磁光盘相同的方式形成连续槽来代替相位坑序列21时，在示波器上仅观察到最大振幅b的再现波形。
发明人对磁光盘11的特性进行了观察。制备了多个衬底12。根据8-14调制(EFM)在各个衬底12上形成相位坑序列21。将磁道间隙Tp设定为1.1μm。将相位坑22的宽度设定为0.55μm。将最小坑长度PL设定为0.60μm。针对各个衬底12将相位坑22的实际深度分别设定在38.0nm到121.0nm的范围内。在各个衬底12中，选择性地设定相位坑22的倾斜表面24的倾斜角S。例如，通过改变在形成压模的工艺中所施加的抗蚀剂树脂的厚度、通过改变照射到模制衬底12上的深紫外光的曝光时间等来调节实际深度和倾斜角S。以这种方式基于相位坑序列21创建了ROM信息。
第一衬底12由Teijin Chemicals Limited发布的被称为PanliteST-3000的聚碳酸酯制成。在注入模制之后省略了退火处理。使得第一衬底12具有等于43nm的双折射差。第二和第三衬底12同样由聚碳酸酯制成。在注入模制之后对衬底12进行一小时的退火处理。在100摄氏度的温度下对第二衬底12进行退火处理。使得第二衬底12具有等于34nm的双折射差。在120摄氏度的温度下对第三衬底12进行退火处理。使得第三衬底12具有等于25nm的双折射差。第四衬底12由JSRCorporation发布的被称为ArtonD4810的非晶聚烯烃制成。在注入模制之后省略了退火处理。使得第四衬底12具有等于17nm的双折射差，而与热处理的省略无关。发明人还制备了由ZEON Corporation发布的被称为ZEONEXE28R的非晶聚烯烃制成的第五衬底12。在注入模制之后省略了退火处理。使得第五衬底12具有等于大约10nm的双折射差，而与热处理的省略无关。使用ORC Manufacturing Co.，Ltd.发布的ADR-200B来测量双折射差。将激光束的波长设定为635nm。
发明人分别基于第一到第四衬底12制备了磁光盘11。在各个磁光盘11中基于8-14调制(EFM)在磁记录膜15中创建记录标记23。采用磁场调制记录。将激光束的波长λ设定为650nm。将物镜的数值孔径NA设定为0.55。所设定的波长λ和数值孔径NA使得激光束能够以1/e2的强度在磁记录膜15的表面上形成光点直径为大约1.1μm的光点。将线速度设定为4.8[m/s]。为各个磁光盘11选择性地设定1.2μm、1.8μm或2.4μm的最小标记尺寸ML。对时钟定时的控制和激光束的控制进行调节，以设定最小标记尺寸ML。对于所有的磁光盘11，将反射率设定为大约19％。这里，发明人在偏离相位坑22的位置处对从反射膜18的镜面反射的激光束的反射率进行测量。以这种方式基于记录标记23创建了RAM信息。
然后，从磁光盘11的相位坑序列21中读出ROM信息。基于所获得的ROM信息来测量抖动或ROM抖动。还从记录标记23中读出RAM信息。基于所获得的RAM信息来测量抖动或RAM抖动。按照与信息的记录相同的方式，将激光束的波长λ设定为650nm。将物镜的数值孔径NA设定为0.55。将线速度设定为4.8[m/s]。将激光束的偏振面设定为垂直于相位坑序列21的方向或寻道方向。
发明人还对所读出的RAM信息中的从上述减法放大器46输出的电信号进行了观察。采用示波器来进行观察。最大振幅值b的再现波形按照与RAM信息的一般读出的情况相似的方式出现在示波器的屏幕上。最小振幅值a的再现波形(小于最大振幅值b的再现波形)也与最大振幅值b的再现波形同步地出现在示波器的屏幕上。发明人根据以与上述相同的方式显示在示波器上的双重再现波形来测量电信号的最大振幅值b和最小振幅值a。
图10是表示振幅比a/b与双折射差之间的关系的曲线图。图10中的虚线表示获得等于或小于8％的ROM抖动所需的振幅比a/b的最大值。如果振幅比a/b超过了该虚线的值，则ROM抖动超过8％。等于或小于0.8的振幅比a/b使得能够可靠地实现等于或小于8％的ROM抖动，而与双折射差的量和/或最小标记尺寸ML的长度无关。图10中的实线表示获得等于或小于8％的RAM抖动所需的振幅比a/b的最小值。如果振幅比a/b低于该实线的值，则RAM抖动超过8％。在该观察中，当把最小标记尺寸ML设定为最小坑长度PL的两倍时，在振幅比a/b与双折射差d[nm]之间建立了以下关系[表达式9]a/b≥0.0177d+0.2568(1)当把最小标记尺寸ML设定为最小坑长度PL的三倍时，在振幅比a/b与双折射差d[nm]之间建立了以下关系[表达式10]a/b≥0.0185d+0.1918(2)
当把最小标记尺寸ML设定为最小坑长度PL的四倍时，在振幅比a/b与双折射差d[nm]之间建立了以下关系[表达式11]a/b≥0.0186d+0.1506(3)通常，记录和再现图像和包括音乐在内的声音需要等于或小于10％的抖动。记录和再现字符和数值数据需要等于或小于8％的抖动。
发明人对上述振幅比a/b与相位坑22的光学深度Pd和倾斜表面24的倾斜角S的乘积PdS之间的关系进行了观察。如图11所示，可以在乘积PdS与振幅比a/b之间观察到预定的相关性。
图12是表示双折射差与该乘积PdS之间的关系的曲线图。图12中的虚线表示获得等于或小于8％的ROM抖动所需的乘积PdS的最小值[λ°]。如果乘积PdS的值低于该虚线的值，则ROM抖动超过8％。等于或大于2.00的乘积PdS使得能够可靠地实现等于或小于8％的ROM抖动，而与双折射差的量和/或最小标记尺寸ML的长度无关。图12中的实线表示获得等于或小于8％的RAM抖动所需的乘积PdS的最大值[λ°]。如果乘积PdS超过了该实线的值，则RAM抖动超过8％。在对RAM抖动的该观察中，当把最小标记尺寸ML设定为最小坑长度PL的两倍时，在乘积PaS[λ°]与双折射差d[nm]之间建立了以下关系[表达式12]Pd·S≤-0.2236d+8.8616(5)当把最小标记尺寸ML设定为最小坑长度PL的三倍时，在乘积PdS[λ°]与双折射差d[nm]之间建立了以下关系[表达式13]Pd·S≤-0.2338d+9.6817(6)当把最小标记尺寸ML设定为最小坑长度PL的四倍时，在乘积PdS[λ°]与双折射差d[nm]之间建立了以下关系[表达式14]Pd·S≤-0.2345d+10.201(7)如果在该类型的磁光盘11中磁道间距Tp减小至低于1.0μm，则相位坑序列21中的相邻相位坑序列之间的间隔相对于激光束38的光点直径变窄。这导致产生串扰，从而导致ROM抖动和RAM抖动的增加。例如，参照图10，RAM抖动的实线在使振幅比a/b增大的方向上偏移。相反，ROM抖动的虚线在使振幅比a/b减小的方向上偏移。这导致保持RAM抖动和ROM抖动等于或小于8％所需的振幅比a/b的范围减小。同样，在图12中，RAM抖动的实线在使乘积PdS减小的方向上偏移。ROM抖动的虚线在使乘积PdS增大的方向上偏移。这也导致保持RAM抖动和ROM抖动等于或小于8％所需的乘积PdS的范围减小。如果磁道间距Tp超过了1.2μm，则尽管可以避免ROM抖动和RAM抖动的增大，但是磁光盘11的记录密度会减小。
如果在磁光盘11中最小坑长度PL小于0.55μm，则最小坑长度PL相对于激光束38的光点直径大大减小。这导致分辨率下降，从而导致ROM抖动的增加。在这种情况下，例如，ROM抖动的虚线在图10中在使振幅比a/b减小的方向上偏移。ROM抖动的虚线在图12中在使振幅比a/b增大的方向上偏移。大于0.65μm的最小坑长度PL导致磁光盘11的记录密度减小。应该注意，只要最大坑长度的相位坑22比激光束38的光点直径大，RAM抖动的实线就不会受到图10和12中的相位坑22的最小坑长度PL的影响。最小相位坑PL不会妨碍等于或小于8％的RAM抖动的实现。
如图13所示，发明人对ROM抖动和RAM抖动响应于振幅比a/b的变化而产生的变化进行了观察。从图13中显见，振幅比a/b变得越大，ROM抖动变得越大。如果振幅比超过了0.9，则ROM抖动超过8％。振幅比a/b变得越大，RAM抖动变得越小。如果振幅比低于0.4，则RAM抖动超过8％。已经证明，0.4到0.9范围内的振幅比使得能够可靠地实现经充分减小的抖动[％]。应该注意，发明人在该观察中对磁光盘11使用了第四衬底12。按照与上述相同的方式写入最小标记尺寸ML为1.8μm的记录标记23。按照与上述相同的方式基于相位坑序列21读出ROM信息。还基于记录标记23读出RAM信息。
只要在激光束的光点直径与最小坑长度PL之间以及光点直径与磁道间隙Tp之间建立了上述相关性，就建立了所有曲线图中示出的关系。例如，激光束的光点直径与激光束的波长λ成正比，而激光束的光点直径与数值孔径NA成反比。如果将磁道间距Tp设定在1.0×0.55/0.60[μm]到1.2×0.55/0.60[μm]的范围内，则即使数值孔径NA从0.55到0.60发生变化，也可以建立所有曲线图中示出的关系。可以将最小坑长度PL设定在0.55×0.55/0.60[μm]到0.65×0.55/0.60[μm]的范围内。可以对波长λ应用类似的理念。按照相同的方式保持上述关系中的任意一个，而与衬底12的双折射率的任何变化无关。
权利要求
1.一种记录介质，该记录介质包括衬底，该衬底的表面上限定有多个相位坑序列；以及磁膜，其根据磁化方向在所述衬底的所述表面上限定多个记录标记，其中在振幅比a/b与双折射差d[nm]之间建立了以下关系，所述振幅比a/b是在电信号的最大振幅值b和该电信号的最小振幅值a之间得到的，所述双折射差d[nm]是在第一和第二双折射值之间得到的，[表达式15]a/b≥0.0177d+0.2568(1)所述第一双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿势为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于所述光束的基准面旋转20度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿势为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的径向线，相对于所述基准面旋转20度，基于穿过所述磁膜的光束而在光检测器中产生所述电信号，所述光束具有彼此垂直的偏振面。
2.根据权利要求1所述的记录介质，其中，建立了以下关系[表达式16]a/b≥0.0185d+0.1918(2)。
3.根据权利要求2所述的记录介质，其中，建立了以下关系[表达式17]a/b≥0.0186d+0.1506(3)。
4.根据权利要求3所述的记录介质，其中，建立了以下关系[表达式18]a/b≤0.8(4)。
5.根据权利要求1所述的记录介质，其中，所述记录标记的最小标记尺寸被设定为大于所述相位坑序列中的相位坑的最小坑长度。
6.根据权利要求5所述的记录介质，其中，所述最小标记尺寸被设定为等于所述最小坑长度与一整数的乘积。
7.根据权利要求1所述的记录介质，其中，所述相位坑序列中的相邻相位坑序列之间的间隔被设定在1.0μm到1.2μm的范围内，所述最小坑长度被设定在0.55μm到0.65μm的范围内。
8.一种记录介质，该记录介质包括衬底，该衬底的表面上限定有多个相位凹坑序列；以及磁膜，其根据磁化方向在所述衬底的所述表面上限定多个记录标记，其中在双折射差d[nm]与所述相位坑序列中的相位坑的光学深度Pd[λ]和在所述相位坑中限定的倾斜表面的倾斜角S的乘积之间建立以下关系，A 所述双折射差d[nm]是在第一和第二双折射值之间得到的，[表达式19]Pd·S≤-0.2236d+8.8616(5)所述第一双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿势为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于所述光束的基准面旋转20度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿势为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的径向线，相对于所述基准面旋转20度，而λ表示用于读出信息的光束的波长。
9.根据权利要求8所述的记录介质，其中，建立了以下关系[表达式20]Pd·S≤-0.2338d+9.6817(6)。
10.根据权利要求9所述的记录介质，其中，建立了以下关系[表达式21]Pd·S≤-0.2345d+10.201(7)。
11.根据权利要求10所述的记录介质，其中，建立了以下关系[表达式22]Pd·S≥2.00(8)。
12.根据权利要求8所述的记录介质，其中，所述记录标记的最小标记尺寸被设定为大于所述相位坑序列中的相位坑的最小坑长度。
13.根据权利要求12所述的记录介质，其中，所述最小标记尺寸被设定为等于所述最小坑长度与一整数的乘积。
14.根据权利要求8所述的记录介质，其中，所述相位坑序列中的相邻相位坑序列之间的间隔被设定在1.0μm到1.2μm的范围内，所述最小坑长度被设定在0.55μm到0.65μm的范围内。
全文摘要
本发明公开了一种记录介质。发明人对在读出RAM信息时从光检测器输出的电信号进行了观察。已经证实，该电信号包括具有相对较大的第一振幅值(b)的再现波形和具有小于第一振幅值(b)的第二振幅值(a)的再现波形。第二振幅值(b)的再现波形与第一振幅值(a)的再现波形同步。发明人披露了第一和第二振幅值之比与第一和第二双折射值之间的双折射差之间的相关性。满意的相关性使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。这种类型的记录介质使得能够基于记录标记高精度地实现信息的记录和再现。
文档编号G11B11/105GK1942958SQ20048004280
公开日2007年4月4日 申请日期2004年6月9日 优先权日2004年6月9日
发明者细川哲夫 申请人:富士通株式会社