专利名称：无软磁下层的垂直磁记录介质及其制造方法
技术领域：
本发明涉及改进的垂直磁记录介质(perpendicular magnetic recording media)及其制造方法。本发明特别适用于制造采用颗粒垂直型磁记录层的具有很高面记录密度至超高(ultra-high)面记录密度的介质，例如硬盘。
背景技术：
磁介质广泛地应用于多种用途，特别是在计算机产业中用于数据/信息的存取(通常采用盘的形式)，而人们不断努力的目标是增加面记录密度(areal recordingdensity)，也即磁介质的位密度(bit density)。常规的薄膜型磁介质薄膜中，粒化成微细颗粒的多晶磁合金层(fine-grained polycrystalline magnetic alloy layer)作为活性记录层，而根据磁材料颗粒的磁畴(magnetic domain)的取向，该薄膜型磁介质薄膜通常划分为“纵向”型或“垂直”型。
已经发现，垂直记录介质优于纵向介质之处在于，垂直记录介质可以达到很高的位密度而不发生后者所具有的热稳定性限制。在垂直磁记录介质中，剩磁化(residual magnetization)在垂直于磁介质表面的方向(“易磁化轴”)上形成，该磁介质通常为合适基材上的磁材料层。可以通过采用具有所述垂直磁介质的“单极(single-pole)”磁换能器或“磁头(head)”而得到很高至超高的线性记录密度。
目前，使用垂直磁介质的有效且高位密度的记录方法需要插入较厚(相对于磁记录层)的“软”磁下层(underlayer)(“SUL”)，也即该磁层具有低于约1kOe的较低矫顽磁性(coercivity)，例如是NiFe合金(坡莫合金(Permalloy))，其插入位置介于非磁性(non-magnetic)基材(例如玻璃，铝(Al)或铝合金)与“硬”磁记录层之间，该“硬”磁记录层具有较高的矫顽磁性，通常约为3～8kOe，例如是具有垂直方向各向异性的钴合金(例如，Co-Cr合金，具体如CoCrPtB)。该软磁下层用于引导磁通量(magnetic flux)从磁头出发通过硬磁垂直记录层。
如
图1所示，对于通常的现有技术的具有垂直取向的磁介质1的垂直记录系统10，该垂直记录系统10具有较厚的软磁下层(SUL)4，较薄的硬磁记录层6，以及磁头换能器(magnetic transducer head)9，其中标号2示出了非磁性基材，标号3示出了形成于基材2的表面2A上的任选的粘合层，标号4示出了软磁下层(SUL)，标号5示出了至少一层的非磁性籽晶(seed)层(有时称为“中间(intermediate)”层或是“夹层”(interlayer))，标号6示出了其易磁化轴垂直于所述膜表面的至少一层硬磁性垂直记录层。
仍然参看图1，标号9M和9A分别示出了磁头换能器9的主(写入(writing))极和辅助极。较薄的夹层5由一层或多层的非磁性材料组成，用于(1)防止软磁下层4和至少一层的硬磁记录层6之间的磁相互作用；以及(2)提高所述至少一层的硬磁记录层6的所需微结构性质和磁性。
如图中箭头所示，示出了磁通量φ的路径，通量φ从磁头换能器9的主写入极9M出发，进入并经过位于主极9M下方区域的至少一层的垂直取向的硬磁记录层6，进入并通过一定距离的软磁下层(SUL)4，接着从该区域离开，并经过位于磁头转换器9辅助极9A下方区域的至少一层的垂直硬磁记录层6。如图箭头所示在图中标出垂直磁介质21经过磁头转换器9的移动方向。
介质1的叠层终端是形成于硬磁性层6上的保护性罩面(overcoat)层7，例如是类金刚石(diamond-like)的碳(DLC)，以及形成于所述保护性罩面层上的润滑性外涂层(topcoat)8，例如是全氟聚醚(PFPE)材料。
基材2通常是盘形的，它由非磁性金属或合金组成，例如是铝或铝合金，具体如在其沉积表面(deposition surface)上具有Ni-P镀层的Al-Mg合金，或者，基材2由合适的玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷(glass-ceramic)、聚合材料或这些物质的复合体(composites)或层叠体(laminates)组成。如果存在任选的粘合层3时，它可以由最高约200厚度的材料层组成，所述物质例如为钛、钛合金、镉、或镉合金。软磁下层4通常由约50至约150nm厚的软磁材料层组成，所述软磁材料选自Ni、NiFe(坡莫合金)、Co、CoZr、CoZrCr、CoZrNb、CoFeZrNb、CoFe、Fe、FeN、FeSiAl、FeSiAlN、FeCoB、FeCoC等。夹层5通常由一层或多曾最高约300厚度的非磁性材料组成，例如Ru、TiCr、Ru/CoCr37Pt6、RuCr/CoCrPt等；所述至少一层的硬磁垂直记录层6通常由约50至约250厚的钴合金层组成，所述合金包括一种或多种选自以下的元素Cr、Fe、Ta、Ni、Mo、Pt、V、Nb、Ge、B和Pd。
制造垂直介质(media)(例如上述介质1)的问题在于，很难形成一种垂直硬磁记录层6，使其具有用于使易磁化轴进行垂直取向(例如hcp(0002)取向)所需的晶体取向(crystallographic orientation)和膜性质。更具体来说，根据常规方法制备得到的不具有下面的软磁下层(SUL)4并具有(0002)取向的垂直磁记录层6中，经常呈现很大的晶体分布，从而导致在数据写入/读取过程中产生大量噪音。此外，这种根据常规方法制备得到的垂直磁记录层6呈现较差的磁性质。
另外，生产具有厚软磁下层(SUL)的垂直磁记录介质大大增加了生产工艺的复杂性，这是由于要求厚膜SUL在短时间内进行溅射淀积(sputter deposited)，同时又要求保持高产量。更进一步地，厚膜溅射淀积工艺(thick film sputter depositionprocess)不利地在真空室内表面以及相关的溅射设备部件上产生多余涂层，从而使得清理生产设备的停工时间增加。
综上所述，显然需要一种垂直磁介质的产品方案以及相应的制造方法，该方案及其方法不需要叠层中存在SUL，同时为垂直记录层提供优秀的晶体取向和磁性质。
发明内容
本发明的一个优点是获得改进的垂直磁记录介质。
本发明的另一优点是获得不含软磁下层(SUL)的改进的垂直磁记录介质。
本发明的另一个优点是获得改进的制造垂直磁记录介质的方法。
本发明的其它优点和技术特征将在以下说明书中分段(in part)进行阐述，本领域技术人员通过阅读以下部分可以轻而易举地进行了解，也可以通过实施本发明来进行理解。也可以按照所附权利要求书中具体指出的内容来理解和获得本发明的优点。
根据本发明的一个方面，通过改进的垂直磁记录介质分段实现上述优点和其它的优点，所述介质包括(a)具有平坦表面的非磁性基材；(b)覆盖在该基材的平坦表面上的一些薄膜层的叠层(stack)，所述叠层包括具有垂直于叠层平面的易磁化轴的至少一层垂直磁记录层，所述叠层中不含软磁下层(“SUL”)。
根据本发明的一些实施方式，所述叠层包括位于所述至少一层垂直磁记录层下方的第一、第二和第三下层；第一下层与所述基材相邻，该第一下层是具有平滑表面的无定形层；所述第二下层覆盖在第一下层上，具有第一晶体取向；所述第三下层覆盖在第二下层上，并具有第二晶体取向；所述至少一层的垂直磁记录层覆盖在第三下层上，并具有与该第二晶体取向相近的晶体取向。
优选地，所述第一晶体取向为fcc；第二晶体取向为hcp；所述至少一层的垂直磁记录层具有hcp(0002)的晶体取向。
本发明的实施方式包括第一下层(可以包括多个无定形层)的厚度约为30至约1000，包含20～90原子％Cr和最高约80原子％的至少一种选自以下的元素Ta、Ti、Zr、Nb、Hf、V、Mo和W；所述第二下层的厚度约为5至约400，包含选自以下的元素Ag、Pt、Pd、Cu和Au，所述第一晶体取向为fcc(111)；第三下层的厚度约为1单分子层(monolayer)至约500，并包含Ru或Ru合金；所述至少一层的垂直磁记录层的厚度约为30至约350，包含Co和至少一种选自以下的元素Cr、Ni、Pt、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、B、Cu、Ag、Ge和Fe；所述基材包括选自以下的非磁性物质Al、Al-Mg合金、其它铝合金、镀覆了Ni-P的Al或Al合金、玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷、聚合材料、以及这些材料的复合体或层叠体；该叠层包括覆盖在所述垂直磁记录层上的保护性罩面层，和覆盖在该保护性罩面层上的润滑外涂层。
本发明的另一方面提供一种改进的垂直磁记录介质的制造方法，该方法包括以下步骤(a)提供具有平坦表面的非磁性基材；和(b)形成覆盖在该基材平坦表面上的一些薄膜层的叠层，该叠层包括具有垂直于叠层平面的易磁化轴的至少一层垂直磁记录层，所述叠层中不含软磁下层(“SUL”)。
根据本发明的一些实施方式，步骤(b)包括形成叠层，该叠层中的第一、第二和第三下层位于所述至少一层的垂直磁记录层下方；步骤(b)包括形成叠层，使得所述第一下层与基材相邻，并且为具有平滑表面的无定形层；所述第二下层覆盖在第一下层上，并具有第一晶体取向；所述第三下层覆盖在第二下层上，并具有第二晶体取向；所述至少一层的垂直磁记录层覆盖在第三下层上，并具有与所述第二晶体取向相近的晶体取向。
优选地，步骤(b)包括形成叠层，以使得所述第一晶体取向为fcc；所述第二晶体取向为hcp；所述至少一层的垂直磁记录层具有hcp(0002)的晶体取向。
本发明的实施方式包括在步骤(b)中形成的叠层满足以下条件，使得所述第一下层的厚度约为30至约1000，包含20～90原子％Cr和最高约80原子％的至少一种选自以下的元素Ta、Ti、Zr、Nb、Hf、V、Mo和W；所述第二下层的厚度约为5至约400，包含选自以下的元素Ag、Pt、Pd、Cu和Au，且所述第一晶体取向为fcc(111)；所述第三下层的厚度约为1单分子层至约500，并包含Ru或Ru合金；所述至少一层的垂直磁记录层的厚度约为30至约350，并包含Co和至少一种选自以下的元素Cr、Ni、Pt、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、B、Cu、Ag、Ge和Fe。
根据本发明的实施方式，步骤(a)包括提供一种基材，该基材由选自以下的非磁性材料组成Al、Al-Mg合金、其它铝合金、镀覆了Ni-P的Al或Al合金、玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷、聚合材料、以及这些材料的复合体或层叠体；且该方法还包括以下步骤(c)在所述垂直磁记录层上形成保护性罩面层，和(d)在所述保护性罩面层上形成润滑外涂层。
本发明的另一个方面提供一种改进的垂直磁记录介质，该介质包括(a)具有平坦表面的非磁性基材；(b)覆盖在该基材的平坦表面上的薄膜层的叠层，该叠层包括(i)覆盖所述平坦表面并与该平坦表面接触的第一下层，该第一下层包含Cr和至少一种选自以下的元素Ta、Ti、Zr、Nb、Hf、V、Mo和W；(ii)覆盖所述第一下层，而且与之接触的第二下层，它包含选自以下的元素Ag、Pt、Pd、Cu和Au；(iii)覆盖所述第二下层，而且与之接触的第三下层，其包含Ru或Ru合金；(iv)覆盖所述第三下层，而且与之接触的至少一层垂直磁记录层，其具有垂直于所述叠层平面的易磁化轴，该垂直磁记录层包含Co和至少一种选自以下的元素Cr、Ni、Pt、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、B、Cu、Ag、Ge和Fe。
根据本发明的实施方式，所述第一下层为具有平滑表面的无定形层；所述第二下层具有第一晶体取向；所述第三下层具有第二晶体取向；所述至少一层的垂直磁记录层具有与该第二晶体取向相类似的晶体取向。
优选地，所述第一晶体取向为fcc；第二晶体取向为hcp；所述至少一层的垂直磁记录层具有hcp(0002)的晶体取向。
通过阅读以下详细描述，本发明的其它优点和各个方面对于本领域技术人员来说是显而易见的，其中示出并描述了本发明的各种实施方式，这些实施方式仅仅是简单地描述了用于实现本发明的最佳实施方式。如下所述，本发明可以采用其它的或者不同的实施方式，本发明的各种细节在各个明显的方面可以进行改变而并不背离本发明的精神。相应地，这些附图以及描述在本质上被认为是说明性的而非限制性的。
附图简述可以结合以下附图阅读本发明的以下实施方式的详细描述，以助于理解，其中相同的数字用于代表同样的或类似的技术特征，其中有多种特征不一定按其比例示出，而是为了最好地显示适当的特征进行描绘，图中图1示意性地示出了常规技术的磁记录、存取系统10的一部分的简化截面图，所述系统10由垂直磁记录介质1和单级磁头换能器9组成；图2示意性地显示了本发明改进的垂直磁记录介质11的一部分的简化截面图；图3显示了图2介质的CoPtOx的垂直磁记录层的θ-2θX射线衍射扫描图；图4显示了图2介质的CoPtOx的垂直磁记录层的X射线摇摆曲线扫描(rockingcurve scan)图；和图5显示了图2的垂直磁记录介质的MOKE回路(loop)。
说明书详述本发明提出并解决由于常规垂直磁记录介质方案中要求包括较厚软磁下层(SUL)而带来的问题、不足和缺点，并基于以下认识SUL的关键作用除了为如图1所示的从单极记录头出发的磁场提供闭合回路以外，还是为了提供一种表面形貌(surface morphology)以改善形成(formation)而使得垂直磁记录层具有所需的高质量晶体取向，也即其晶体取向具有狭窄的范围或分布。
更具体来说，研究表明，无定形的SUL对于以后在其上形成具有所需的垂直于层平面的易磁化轴取向(例如hcp(0002)取向)的高质量磁记录层来说是必须的。具体来说，证实了在不存在无定形SUL的情况下，所需的易磁化轴hcp(0002)取向的质量很差，其具有很大的晶体分布。含有这种低质量磁记录层的磁介质在数据读/写过程中产生极大的记录噪音。另外，证明如果SUL和垂直磁记录层之间的任何下层的较差的(0002)取向会导致垂直磁记录层的磁性质很差。
本发明中描述了具有垂直磁记录层(其具有高质量的晶体取向)、且不需要SUL层的垂直磁记录介质的设计和制造。根据本发明的实施方式，垂直磁记录介质包括以下组成的叠层制造位于至少一层的垂直磁记录层下方的第一、第二和第三下层；其中第一下层与介质基材相邻，且第一下层为具有平滑表面的无定形层；所述第二下层覆盖在第一下层上，具有第一晶体取向；所述第三下层覆盖在第二下层上，并具有第二晶体取向；所述至少一层的垂直磁记录层覆盖在第三下层上，并具有与该第二晶体取向相近似的晶体取向。例如但不限于，所述第一晶体取向为fcc；第二晶体取向为hcp；所述至少一层的垂直磁记录层具有很高质量的hcp(0002)的晶体取向。
如图2所示，途中显示了了本发明改进的垂直磁记录介质11的一部分的简化截面示意图，其中标号2示出了非磁性基材，标号3’示出了非磁性下层，其由第一、第二、第三下层3A、3B、3C组成，标号6示出了至少一层的硬磁垂直记录层，其易磁化轴与薄膜平面垂直，标号7示出了保护性罩面层，标号8示出了润滑性外涂层8。
更具体来说，根据本发明，介质11的下层3’由第一、第二、第三下层3A、3B、3C组成，其代替了如图1所示的现有技术的垂直介质1中非磁性粘合层3、软磁下层(SUL)4和非磁性夹层5的组合。所述第一下层3A与基材2相邻，且为具有平滑表面的无定形层；所述第二下层3B覆盖在第一下层3A上，且具有第一晶体取向；所述第三下层3C覆盖在第二下层3B上，并具有第二晶体取向。至少一层垂直磁记录层6覆盖在第三下层3C上，并具有与第二晶体取向相近的晶体取向。
优选地，所述第二下层3B的第一晶体取向为fcc；第三下层3C的第二晶体取向为hcp；且所述至少一层的垂直磁记录层6具有hcp(0002)的晶体取向。
根据本发明的实施方式，具有平滑表面且具有无定形性的第一下层3A(可以由多个无定形层组成)的厚度约为30至约1000，包含20～90原子％Cr和最高约80原子％的至少一种选自以下的元素Ta、Ti、Zr、Nb、Hf、V、Mo和W；所述第二下层3B的厚度约为5至约400，包含选自以下的元素Ag、Pt、Pd、Cu和Au，且所述第一晶体取向为fcc(111)；所述第三下层3C的厚度约为1单分子层至约500，包含Ru或Ru合金；所述至少一层的垂直磁记录层的厚度约为30至约350，并包含Co和至少一种选自以下的元素Cr、Ni、Pt、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、B、Cu、Ag、Ge和Fe。
如上所述，基材2通常是盘形的，它可以由非磁性金属或合金组成，例如是铝或铝合金，具体如在其沉积表面上具有Ni-P镀层的Al-Mg合金，或者，基材2由合适的玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷、聚合物或这些材料的复合体或层叠体组成；保护性罩面层7可以包括形成于硬磁层6上的类金刚石的碳(DLC)层；润滑性外涂层8形成于保护性罩面层上，该外涂层8例如是由全氟聚醚(PFPE)材料组成的。
介质11的各层3A、3B、3C、6和7均可以通过常规的方法形成，例如通过合适的薄膜沉积技术形成，所述技术包括但不限于DC或RF磁控管溅射(magnetron sputtering)(静态或是流动)(static or pass-by)、真空沉积(vapordeposition)、离子电镀(ion plating)等。如果需要的话，所述硬磁垂直记录层6可以通过反应溅射沉积(reactive sputter deposition)法而形成颗粒层，如果需要，所述保护性罩面层7可以通过离子束沉积(ion beam deposition(IBD))法形成。最后，所述润滑性外涂层8可以通过常规方法形成，例如浸涂法、喷涂法等方法。
参见图3，途中以图表的方式示出了结构如图2的介质中的CoPtOx垂直磁记录层的θ-2θX射线衍射扫描(diffraction scan)结果；显示了所需的hcp(0002)晶体取向的存在。图4以图表的方式示出了结构如图2的介质中的CoPtOx垂直磁记录层的X射线摇摆曲线扫描结果；图中显示了3°的狭窄的半峰全宽(full-width athalf-maximun(FWHM))，这证明已经形成了极佳的易磁化轴与膜层垂直的hcp(0002)晶体取向，其适用于垂直记录介质。图5以图表的方式显示了结构如图2的介质的垂直磁记录介质的MOKE回路(loop)，清楚地证明了其磁性质适用于垂直记录介质。
需要注意，本发明的上述实施方式仅仅是示例性的而非限制性的。例如，尽管图2的示例性实施方式示出的垂直硬磁记录层6是单层的，但是本发明并不局限于此。相反，层6可以包括多个垂直磁层，它可以与非磁性间隔层相邻或是相叠。最后，垂直记录层6的组合物不局限于示例性的Co合金，根据本发明揭示的原理，还可以采用其它能够形成具有垂直于该薄膜层的易磁化轴的薄膜层的磁性物质，并与适当的下层结合。
如上所述，本文揭示了众多的具体细节，例如特定的材料、结构、工艺等，用便更好地理解本发明。然而，不需要采用这些具体揭示的细节也可以实现本发明。在其它情况下，并没有详细描述公知的加工材料和工艺，以避免本发明不必要地混淆。
在本文中仅仅描述了本发明的优选实施方式和仅仅一些其变化形式的例子。可以理解本发明可以适用于各种其它组合和环境，而且在所描述的揭示的思想内可以进行改变和/或修改。
权利要求
1.一种垂直磁记录介质，其包括(a)具有平坦表面的非磁性基材；(b)覆盖在所述基材的所述平坦表面上的薄膜叠层，该叠层包括具有垂直于所述叠层平面的易磁化轴的至少一层垂直磁记录层，所述叠层中不含软磁下层，即“SUL”。
2.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于所述叠层包括位于所述至少一层的垂直磁记录层下方的第一、第二和第三下层。
3.如权利要求2所述的磁记录介质，其特征在于所述第一下层与所述基材相邻，且所述第一下层为具有平滑表面的无定形层；所述第二下层覆盖在所述第一下层上，且所述第二下层具有第一晶体取向；所述第三下层覆盖在所述第二下层上，且所述第三下层具有第二晶体取向；和所述至少一层的垂直磁记录层覆盖在所述第三下层上，且所述至少一层的垂直磁记录层具有与所述第二晶体取向相近的晶体取向。
4.如权利要求3所述的磁记录介质，其特征在于所述第一晶体取向为fcc；所述第二晶体取向为hcp；且所述至少一层的垂直磁记录层具有hcp(0002)的晶体取向。
5.如权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于所述第一下层的厚度约为30至约1000，，包括20～90原子％Cr和最高约80原子％的至少一种选自以下的元素Ta、Ti、Zr、Nb、Hf、V、Mo或W。
6.如权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于所述第一下层包括多层无定形层。
7.如权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于所述第二下层的厚度约为5至约400，所述第二下层包含选自以下的元素Ag、Pt、Pd、Cu或Au，所述第一晶体取向为fcc(111)。
8.如权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于所述第三下层的厚度约为1单分子层至约500，且包含Ru或Ru合金。
9.如权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于所述至少一层的垂直磁记录层的厚度约为30至约350，且包含Co和至少一种选自以下的元素Cr、Ni、Pt、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、B、Cu、Ag、Ge或Fe。
10.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于所述基材包括选自以下的非磁性物质Al、Al-Mg合金、其它铝合金、镀覆Ni-P的Al或Al合金、玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷、聚合材料、以及这些材料的复合体或层叠体。
11.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于所述叠层包括覆盖在所述垂直磁记录层上的保护性罩面层和覆盖在所述保护性罩面层上的润滑外涂层。
12.一种垂直磁记录介质的制造方法，该方法包括以下步骤(a)提供具有平坦表面的非磁性基材；和(b)形成覆盖在所述基材的所述平坦表面上的薄膜叠层，所述叠层包括具有垂直于所述叠层平面的易磁化轴的至少一层垂直磁记录层，所述叠层中不含软磁下层，即“SUL”。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于步骤(b)包括形成所述叠层，该叠层中具有位于所述至少一层垂直磁记录层下方的第一、第二和第三下层。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于步骤(b)包括形成所述叠层，使得所述第一下层与所述基材相邻，并且所述第一下层为具有平滑表面的无定形层；所述第二下层覆盖在所述第一下层上，且所述第二下层具有第一晶体取向；所述第三下层覆盖在所述第二下层上，且所述第三下层具有第二晶体取向；和所述至少一层的垂直磁记录层覆盖在所述第三下层上，且所述至少一层的垂直磁记录层具有与所述第二晶体取向相近的晶体取向。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于步骤(b)包括形成所述叠层，以使得所述第一晶体取向为fcc；所述第二晶体取向为hcp；和所述至少一层的垂直磁记录层具有hcp(0002)的晶体取向。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于步骤(b)包括形成所述叠层，以使得所述第一下层的厚度约为30至约1000，所述第一下层包含20～90原子％Cr和最高约80原子％的至少一种选自以下的元素Ta、Ti、Zr、Nb、Hf、V、Mo或W；所述第二下层的厚度约为5至约400，且所述第二下层包含选自以下的元素Ag、Pt、Pd、Cu或Au，所述第一晶体取向为fcc(111)；所述第三下层的厚度约为1单分子层至约500，且所述第三下层包含Ru或Ru合金；所述至少一层的垂直磁记录层的厚度约为30至约350，且所述至少一层的垂直磁记录层包含Co和至少一种选自以下的元素Cr、Ni、Pt、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、B、Cu、Ag、Ge或Fe。
17.如权利要求12所述的方法，其特征在于步骤(a)包括提供一种基材，该基材包括选自以下的非磁性物质Al、Al-Mg合金、其它铝合金、镀覆了Ni-P的Al或Al合金、玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷、聚合材料、以及这些材料的复合体或层叠体。
18.如权利要求12所述的方法，其特征在于，该步骤还包括以下步骤(c)在所述垂直磁记录层上形成保护性罩面层，和(d)在所述保护性罩面层上形成润滑外涂层。
19.一种垂直磁记录介质，其包括(a)具有平坦表面的非磁性基材；(b)覆盖在所述基材的所述平坦表面上的薄膜叠层，所述叠层包括(i)覆盖所述平坦表面，并与所述平坦表面相接触的第一下层，所述第一下层包含Cr和至少一种选自以下的元素Ta、Ti、Zr、Nb、Hf、V、Mo或W；(ii)覆盖所述第一下层，并与所述第一下层相接触的第二下层，所述第二下层包含选自以下的元素Ag、Pt、Pd、Cu或Au；(iii)覆盖所述第二下层，并与所述第二下层相接触的第三下层，所述第三下层包含Ru或Ru合金；(iv)覆盖所述第三下层，并与所述第三下层相接触的至少一层垂直磁记录层，所述至少一层垂直磁记录层具有垂直于所述叠层平面的易磁化轴，且所述至少一层垂直磁记录层包含Co和至少一种选自以下的元素Cr、Ni、Pt、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、B、Cu、Ag、Ge或Fe。
20.如权利要求19所述的磁记录介质，其特征在于所述第一下层为具有平滑表面的无定形层；所述第二下层具有第一晶体取向；所述第三下层具有第二晶体取向；和所述至少一层的垂直磁记录层具有与所述第二晶体取向相近的晶体取向。
21.如权利要求20所述的磁记录介质，其特征在于所述第一晶体取向为fcc；所述第二晶体取向为hcp；和所述至少一层的垂直磁记录层具有hcp(0002)的晶体取向。
全文摘要
一种垂直磁记录介质，其包括具有平坦表面的非磁性基材，和覆盖在该基材表面上的薄膜叠层，所述叠层包括具有垂直于叠层平面的易磁化轴的至少一层垂直磁记录层，其中所述叠层中没有软磁下层(“SUL”)。所述叠层包括与该基材表面相邻的具有平滑表面的无定形的第一下层、覆盖在该第一下层上的具有第一晶体取向的第二下层、覆盖在该第二下层上的具有第二晶体取向的第三下层、以及覆盖在该第三下层上的具有与该第二晶体取向相近的晶体取向的至少一层垂直磁记录层。
文档编号G11B5/62GK101071577SQ20071008867
公开日2007年11月14日 申请日期2007年3月15日 优先权日2006年3月15日
发明者A·帕尔霍武斯基, L·M·德沃斯津, R·A·艾迪, R·M·佩尔斯特林 申请人:希捷科技有限公司