信息记录介质以及盘设备的制作方法

专利名称：信息记录介质以及盘设备的制作方法
技术领域：
本发明的一个实施例涉及一种信息记录介质，例如能够从光入射面侧在多个记录膜上记录/重放信息的多层光盘。

背景技术：
作为实现视频和音乐内容记录的DVD标准的信息记录介质的光盘被广泛使用，并且只读光盘、能只记录一次信息的一次写入型光盘、以及由计算机外部存储器、记录/重放视频等表示的可重写光盘等也是可用的。就能够进行记录的光盘来说，由于其低的制造成本，在其记录层中使用有机染料的一次写入型光盘最流行。在例如CD-R、DVD-R等之类的在其记录层中使用有机染料的一次写入型光盘中，以激光束照射由沟槽定义的记录区(轨道)来加热树脂基片至其玻璃转化点Tg或更高的温度，从而引起该沟槽中的有机染料膜的热分解并产生负压。结果是，沟槽中的树脂基片变形来形成记录标记。
与现有光盘相比，实现高密度、高性能记录/重放的下一代光盘使用具有大约405nm波长的蓝激光束作为记录/重放激光束。使用红外激光束或红激光束执行记录/重放的现有光盘利用在比记录/重放激光束的波长(780和650nm)更短的波长处具有吸收峰值的有机染料材料。因此，现有光盘实现所谓的H(高)到L(低)特性，借助这一特性，由激光束照射形成的记录标记的光反射率比在该激光束照射之前要低。相反，当利用激光束执行记录/重放时，在比记录/重放激光束的波长(405nm)更短的波长处具有吸收峰值的有机染料材料不仅在对于紫外线的稳定性等方面而且在对于热的稳定性上都差。这将造成记录标记的对比度和清晰度低的问题。日本专利申请公开2005-297407披露了一种有机染料材料，该有机染料材料在比写入光束波长要长的波长处具有包含在记录层中的有机染料化合物的吸收峰值。在使用这种材料时，光盘具有所谓L(低)到H(高)特性。该特性使得记录标记的光反射率变得高于激光束照射之前的光反射率。
例如象在日本专利申请公开2000-322770披露的那样，已被研究了信息记录介质的多层结构来进一步增加记录容量。在DVD和HD DVD中，具有两层或多层的多层盘都遭受由于球面象差和来自非重放层的信号泄露所引起的重放信号质量劣变的影响。
例如，有机染料材料是流体，并通过涂覆来形成信息记录层。在传统DVD中，沟槽中的信息记录层的厚度等于槽岸的信息记录层厚度。但为了实现更高密度的记录，由于轨道间距降低及沟槽宽度变小，信息记录层厚度在沟槽内和沟槽外具有差异。因此，即使利用其沟槽深度被设计为传统制作方式的基片，也无法获得稳定的信号，并且信号质量趋于劣变。
即使在把用于单层一次写入介质的透光基片形状应用到利用具有L-H记录特性的有机染料材料的单面、多层一次写入型光学记录介质时，也难于执行各层稳定的记录/重放，并且要求了根据每一层构形的优化基片形状。


发明内容
本发明的一个目的是提供具有两个或多个记录层的信息记录介质，其能够通过优化基片的沟槽形状来提高记录/重放特性。
本发明的信息记录介质的特征在于 从内圆周侧开始依次配置的数据导入区、数据区、和数据导出区， 形成在数据导入区中的记录有记录管理数据的记录管理带， 形成在数据区中的记录管理带的扩展区， 形成在数据导入区中的用于管理记录管理带的扩展区位置的记录管理数据复制带， 该介质具有由同心环形或螺线形的沟槽和槽岸指定的轨道， 该介质从光入射侧开始依次具有第一基片、第一记录层、第二基片、和第二记录层，或从光入射侧开始依次具有第一基片、第一记录层、中间层、第二基片、和第二记录层， 轨道间距是在250nm到500nm的范围内，并且 在第一基片和第二基片上的沟槽的半最大全宽度是在47.5％到72.5％的范围内。
本发明的一种盘设备的特征在于包括 检测装置，用于检测通过以激光束照射信息记录介质而获得的反射光，其中所述信息记录介质具有 从内圆周侧开始依次配置的数据导入区、数据区、和数据导出区， 形成在数据导入区中的记录有记录管理数据的记录管理带， 形成在数据区中的记录管理带的扩展区， 形成在数据导入区中的用于管理记录管理带的扩展区位置的记录管理数据复制带， 该介质具有由同心环形或螺线形的沟槽和槽岸指定的轨道， 该介质从光入射侧开始依次具有第一基片、第一记录层、第二基片、和第二记录层，或从光入射侧开始依次具有第一基片、第一记录层、中间层、第二基片、和第二记录层， 轨道间距是在250nm到500nm的范围内，并且 第一基片和第二基片上的沟槽的半最大全宽度是在轨道间距的47.5％到72.5％的范围内；以及 产生装置，用于根据由该检测装置检测的反射光来产生重放信号。
根据本发明，能够获得一种信息记录介质，其能够通过设置将被使用的基片的沟槽宽度来稳定地执行记录/重放。
本发明的附加目的和优点将在随后的描述中阐明，这些目的和优点将从描述中逐步显见，或能通过本发明的实践而得知。本发明的目的和优点可利用在下文中具体指出的手段及组合来实现及获得。



现在将参考附图描述实现了本发明各种特征的一般结构。提供该附图及相关说明来图示本发明的各种实施例，而不限制本发明的范围。
图1是截面图，示出根据本发明的双层一次写入型信息记录介质的结构实例； 图2是示意图，用于说明本发明信息记录介质中的槽岸和沟槽的形状； 图3是曲线图，示出L0层的推挽信号特性与透光基片的沟槽宽度之间的相关性； 图4是曲线图，示出L1层的推挽信号特性与透光基片的沟槽宽度之间的相关性； 图5是曲线图，示出L0层的推挽信号特性与透光基片的沟槽深度之间的相关性； 图6是曲线图，示出L1层的推挽信号特性与透光基片的沟槽深度之间的相关性； 图7是曲线图，示出L0层的SbER与透光基片的沟槽宽度之间的相关性； 图8是曲线图，示出L1层的SbER与透光基片的沟槽宽度之间的相关性； 图9是曲线图，示出L0层的SbER与透光基片的沟槽深度之间的相关性； 图10是曲线图，示出L1层的SbER与透光基片的沟槽深度之间的相关性； 图11是曲线图，示出L0层的PRSNR与透光基片的沟槽宽度之间的相关性； 图12是曲线图，示出L1层的PRSNR与透光基片的沟槽宽度之间的相关性； 图13是曲线图，示出L0层的PRSNR与透光基片的沟槽深度之间的相关性； 图14是曲线图，示出L1层的PRSNR与透光基片的沟槽深度之间的相关性 图15是曲线图，示出在L0层具有恒定沟槽宽度时L1层的沟槽宽度与反射率之间的关系； 图16是曲线图，示出在L0层具有沟槽宽度＝256nm时L1层的摆动信号特征； 图17示出在该一次写入型信息存储介质中的RMD复制带RDZ和记录管理带RMZ中的数据结构； 图18是用于说明根据本发明的信息记录/重放设备的实施例的结构框图； 图19示出该一次写入型信息存储介质中的有界区的结构； 图20示出一次写入型信息存储介质中的有界区的另一结构； 图21示出在控制数据带CDZ和R-物理信息带RIZ中的数据结构； 图22是在摆动频率调制中的180°相位调制和NRZ方法的说明示意图； 图23A至23C是记录膜的形状和尺寸的特征说明示意图； 图24是一次写入型信息存储介质中的摆动地址格式的说明示意图； 图25A至25D是在摆动数据单元中的摆动同步模式和位置关系的比较说明示意图； 图26是一次写入型信息存储介质中的关于摆动地址信息中的数据结构的说明示意图； 图27是根据本发明第二实施例的单面双层盘的截面图； 图28示出导入区的结构； 图29示出数据导入区中的RMD复制带的配置； 图30示出数据导入区中的记录位置管理带(L-RMD)的数据结构； 图31示出数据导入区中的R-物理格式信息带(R-PFIZ)的PS块的结构； 图32示出扩展前与扩展后的中间区的构形； 图33示出扩展前的中间区的构形； 图34示出扩展后的中间区的构形； 图35示出导出区的结构； 图36是B格式光盘的规范的说明示意图； 图37示出B-格式中的警哨码(picket code)(纠错块)的构形； 图38是B格式中的摆动地址的示例图； 图39示出通过结合MSK和STW方案的摆动地址的详细结构； 图40示出一个ADIP单元，该ADIP单元是一组56个摆动的单元并且表示1位″0″或″1″； 图41示出一个ADIP字，该ADIP字包括83个ADIP单元并且表示一个地址； 图42示出一个ADIP字； 图43示出包括在ADIP字中的15个半字节； 图44示出B格式的轨道结构； 图45示出B格式的记录帧； 图46A和46B示出记录单元块的结构； 图47示出数据运行进入和数据运行退出的结构； 图48示出与摆动地址相关的数据格式；以及 图49A和49B是分配在数据运行退出区末端的保护3区的说明示意图。

具体实施例方式 随后将参照附图描述根据本发明的各个实施例。根据本发明的实施例，信息记录介质通常具有两个或更多个记录层，轨道间距是在250到500nm的范围内，并且基片的沟槽的半最大全宽度是在该轨道间距的47.5％到72.5％的范围内。
本发明的信息记录介质是一种多层的信息记录介质，其中从内圆周侧开始配置有数据导入区、数据区、和数据导出区，在数据导入区中形成有记录了记录管理数据的记录管理带，在数据区中形成有记录管理带的扩展区，在该数据导入区中形成有管理该记录管理带的扩展区位置的记录管理数据复制带，并且具有由同心圆环或螺线状沟槽和槽岸定义的轨道，并且具有下列特征特性。
根据介质的制造过程，本发明的信息记录介质从光入射侧开始依次具有第一基片、第一记录层、第二基片、和第二记录层，或依次具有第一基片、第一记录层、中间层、第二基片、和第二记录层。
本发明的信息记录介质的特征在于轨道间距是在从250nm到500nm的范围内，并且第一基片的沟槽的半最大全宽度是在轨道间距的47.5％到72.5％的范围内。
假设该槽岸和沟槽意味着一个凸形区是一个槽岸而形成在相邻槽岸之间的凹进部分的底部是一个沟槽，当从光的入射侧来看时，凹进和凸起具有同心圆环或螺线形状，形成在第一基片、第一记录层、第二记录层、第二基片等的表面上。
从光的入射侧开始，该第一记录层依次有第一染料层和第一反射层。从光的入射侧开始，该第二记录层依次有第二染料层和第二反射层。
下面将参考附图更详细地描述本发明。
根据本发明一个实施例的一次写入型信息记录介质包括了在记录层中使用了有机染料材料的染料层，并且是所谓的L-H介质，其中的反射率在非记录状态中是低值，而在记录状态中增加。图1示出利用这种记录层的双层一次写入型信息记录介质的结构实例。
该双层一次写入型信息记录介质具有的结构从读出面开始依次包括第一透光基片51、第一染料膜52、第一反射膜53、第二透光基片54、第二染料层55、第二反射层56、和第三透光基片57。这些层的第一有机染料膜52和第一反射膜53形成第一记录层58，而第二染料层55和第二反射层56形成第二记录层59。
在第一基片上，槽岸和沟槽以轨道间距存在，该轨道间距是在250nm到500nm的范围内。
在根据本发明的一次写入型光信息记录介质中，光被聚焦在这种沟槽上来记录和重放信息。
作为透光基片材料，聚碳酸酯(PC)或聚丙烯的(PMMA)聚甲基丙烯酸甲酯丙烯酸脂是被通常使用的材料。
通过例如旋涂等手段使用包括有机染料材料的涂覆溶液来施加记录层，以便具有大约从30nm到150nm范围内的膜厚度。作为反射层，通过溅射等方法形成包括Ag合金作为主要成分的膜，以便具有大约从20nm到200nm范围内的膜厚度。作为使用这种有机染料层的盘结构的特性特征，虽然在该透光基片上的槽岸或沟槽形状是矩形或梯形的形状，但由于是通过旋涂制作的该有机染料膜，所以在有机染料材料和反射膜之间的界面不具有矩形的形状，而是近似于正弦波的形状，如图1所示。这是由于有机染料被溶入例如2，2，3，3-四氟-1-丙醇(TFP)等溶剂中同时通过旋涂被施加，该染料溶液趋于滞留在沟槽而不是槽岸中，并且当该溶剂在涂覆之后被干燥时，该槽岸和沟槽具有不同的记录膜厚度分布。这种有机染料层的形状与几乎原样重放基片形状并且通过溅射等方法制作的无机材料记录膜的形状大为不同。
图1所示本实施例的单面双层一次写入型光信息记录介质的制造如下。
靠近读出面的第一记录层(L0)被形成在0.6mm厚的第一透光基片上，并且通过形成一个染料层和反射膜来制造，该染料层是通过旋涂有机染料溶液并干燥溶剂而获得的。
远离读出面的第二记录层(L1)的制造方法通常包括两种不同的方法正向层叠方法和反向层叠方法。
在正向层叠方法中，例如光聚合物(2P)剂之类的UV-固化树脂被施加在L0层的反射膜上，并从上面以压模顶压该敷层来转移槽岸和沟槽，因此制备第二透光基片。此后，该第二透光基片被UV固化，并除去压模以形成该第二基片上的沟槽形状。因此，当从读出侧来看时，沟槽的投影方向与L0层的投影方向吻合，并且依次层叠了第一基片、第一记录层、第二基片和第二记录层。在2P剂组成的透光基片上旋涂有机染料记录材料，以便形成反射膜，以此制作L1层。UV粘合剂被施加在L1层的反射膜上，并利用UV固化将0.6mm厚的基片彼此附着，以此完成一个盘的制作。在这种情况下，层结构是不同的。
另一方面，在反向层叠方法中，还要制备第二透光基片用于L1层。如在L0层中那样，在0.6mm厚的第二透光基片上实现有机染料涂覆和反射膜溅射，以便制造L1层基片。通过粘合剂把L0层基片和L1层基片彼此附着，以便制造单面双层一次写入型介质。在此情况下，分层结构具有的次序是第一基片、第一记录层、中间层(粘合剂层)、第二记录层、和第二基片。
在下列实施例中，将示例通过正向层叠方法制作的单面双层一次写入型介质。
作为使用在第一染料层和第二染料层中的用于记录层的染料材料，能够使用具有通过组合由下列结构式(I)表示有机金属合成物部分与染料材料部分(未示出)获得的一种结构的有机染料材料。
化学式1实施例(A3)中基于有机染料的记录材料的结构式
在结构式(I)中，中心金属M通常使用钴或镍，并且也可以从钪、钇、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、锝、铼、铁、钌、锇、铑、铱、钯、白金、铜、银、金、锌、镉、水银、等中选择。
作为染料材料部分，能够使用青蓝染料、聚乙烯基染料、单次甲基菁染料和偶氮基染料。
作为反射膜，能够使用包括Ag、Au、Cu、Al、Ti等作为主要组分的金属膜。
随后描述用于本实施例的一种记录/重放设备。
为了实现在本实施例的双层一次写入型光信息记录介质上的稳定的信息记录和重放，需要根据例如记录材料、轨道间距等特征的情况来确定适当的沟槽宽度和沟槽深度。
从电版处理中的盘母版制作的模具通过注模处理来制作透光基片，透光基片上的凹坑和沟槽形状几乎再现了该盘母版的沟槽形状。作为该盘母版的制造方法，通常的实践是采用曝光的方法，例如使用具有波长范围从UV到DUV(190nm到450nm)的激光束曝光，并使用碱性溶液生成光致抗蚀剂(photoresist)。而且，可以使用一种用EB(电子束)曝光装置来曝光EB(电子束)光致抗蚀剂并类似地用碱性溶液生成光致抗蚀剂的方法。做为选择，可以使用一个通过激光束改变无机材料的晶体情况并使用在非晶体部分和晶体部分之间的蚀刻比率差值的方法。
图2是示意图，用于说明在本发明的信息记录介质上的槽岸和沟槽的形状。
如图2所示，在本发明的信息记录介质中，假设Wg是沟槽61和槽岸62的沟槽宽度、TP是相邻沟槽之间的轨道间距、Dg是槽岸的高度(即沟槽的深度)、Wgt是顶部宽度、Wgb是底部宽度、θ是沟槽的侧壁角。此时，沟槽宽度Wg由下式给出 Wg＝(Wgt+Wgb)/2(1) 在给定侧壁角θ和沟槽深度Dg的情况下，能被制造的沟槽宽度假定在Wgt＝TP时有最大值Wg(Max)，此时的Wgb由下式给出 Wgb＝TP-2·Dg/tanθ(2) 因此，代入到公式(1)中得到 Wg(Max)＝TP-Dg/tanθ(3) 另一方面，由于当Wgb＝0时保证有最小值Wg(Min)，此时有 Wgt＝2·Dg/tanθ(4) 代入到公式(1)中得到 Wg(Min)＝Dg/tanθ(5) 因此，能被制造的沟槽宽度的范围由下式限定 Dg/tanθ≤Wg≤TP-Dg/tanθ(6) 如果沟槽形状近似于矩形，则会发生转移误差(例如在转移时树脂不能达到压模的沟槽底部，在移除时围绕槽岸形成钩爪等等)。因此，实验已揭示，随着沟槽侧壁的倾角θ变小，尤其在该倾角小于70°时，转移特性会变得较好。如可从不等式(6)中看到的那样，制造的透光基片的沟槽形状具有能利用增加沟槽形状的侧壁角而制作的该沟槽宽度的较宽范围。如果该最大倾角是70°，则可被用于本实施例的沟槽宽度的范围由下式定义 Dg/2.75≤Wg≤TP-Dg/2.75(7) 因此，该沟槽宽度取决于沟槽深度和轨道间距。能够制作的沟槽宽度伴随深度的降低而变得较宽。侧壁角的调整取决于要被加到盘母版的光致抗蚀剂的分解性，并且可根据期望分解性来选择光致抗蚀剂。满足不等式(6)的全部沟槽宽度条件都能被用于由本实施例处理的双层一次写入型信息记录介质。就这些条件而言，选择并且使用具有能确保满意的循轨特征的沟槽宽度条件和重放信号特征条件的透光基片。
为了实现在本实施例的可记录信息介质上的稳定的信息记录/重放，要求稳定地读取地址信息而不取决于非记录状态或记录状态。为此目的，必须通过在作为记录区的沟槽区上稳定地形成一射束点来执行循轨。这将使用一种推挽方法。当在反射膜上的沟槽和槽岸区之间的厚度阶跃Dr由下式给出时，该推挽方法中的循轨误差检测信号变为最大 Dr＝λ/8nd(8) 其中nd是该记录膜材料对记录/重放激光波长的折射率。由于假设的情况是该沟槽形状为一种矩形，所以实际上如果该沟槽形状是一个梯形形状的话，则当Dr落在以下范围中时，循轨误差信号将变得最大 1/8nd≤Dr＜λ/4nd(9) 但是这将取决于沟槽的侧壁倾角。在如相变胶片那样的喷镀膜的情况下，由于透光基片的形状被几乎再现，所以在记录膜上的沟槽和槽岸区之间的厚度阶跃Dr变得几乎等于在透光基片上的沟槽和槽岸区之间的厚度阶跃Dg，将被制作的透光基片的沟槽深度Dg变成几乎等于Dr。但是，当应用一种有机染料膜时，由于该溶液趋向滞留在沟槽区中，所以在记录膜上的阶跃厚度Dr变得小于在透光基片上的阶跃厚度Dg。因此，为了获得满意的循轨误差信号，在透光基片上的阶跃厚度Dg必须设置为相当大，使得满足 Dr≤Dg(10) 对于推挽信号特性来说，下限值由公式(4)限定。在本实施例中，由于相对于大约400nm的波长来说该有机染料材料的折射率是在n＝1.3到2.0的范围内，所以Dr的下限值的范围是从25nm到40nm。因此，透光基片上的沟槽深度Dg必须至少大于这一下限值＝25nm。因此在本实施例中，由于轨道间距是400nm，所以当深度例如是25nm时，根据公式(2)，该能被制作的沟槽宽度的半最大全宽度Wg由下式定义 10nm≤Wg≤390nm(11) 除了沟槽深度之外，推挽方法中的循轨误差检测信号取决于轨道间距TP、沟槽宽度、和射束点的尺寸。在本实施例中，由于使用的激光束的中心波长是405nm、物镜的NA是0.65，并且PC(在405nm的折射率＝1.65)被用作透光基片，所以射束点尺寸是0.52μm。在这种光学系统中，为了指定使得推挽信号落入本实施例的单面双层信息记录介质的上述范围中的沟槽宽度，通过设置各种沟槽宽度的情况来测量推挽信号特性和记录信号重放特征(SbER，PRSNR)。
应该指出，在下列DVD格式/标志图许可协议的工作簿上描述了PRSNR的定义及测量方法用于高密度只读盘的DVD规范，部分1，版本0.9，附件H(DVD Specifications for High Density Read-OnlyDisc PART 1 Physical Specifications Version 0.9，Annex H)。根据本发明的实施例，PRSNR是15或更高。在下列DVD格式/语句许可协议的书上描述了SbER的定义及测量方法用于高密度只读盘的DVD规范，部分1，版本0.9，附件H。根据本实施例，该SbER可以是5.0×10-5或更小。
应该指出，在测量PRSNR和SbER的同时，信息也被记录在相邻的轨道上。
示例 L0和L1层都使用具有由上述结构式(I)给出的平台的偶氮基金属合成物染料，其中替代物基团R1＝R2＝R3＝CH3，R4＝R5＝C1，而中心金属M＝Cu。L0层的染料膜厚度和反射膜厚度分别是90nm和25nm，L1层的染料膜厚度和反射膜厚度分别是90nm和120nm。中间层膜厚度是15nm。在本试验中使用的透光基片条件包括轨道间距TP＝400nm，并且对于L0层来说，该沟槽深度条件范围＝55nm到70nm，对于L1层来说，该沟槽深度条件范围＝60nm到90nm。作为一种评估机器，使用ODU-1000((PULSTEC TECHNOLOGY公司)作为具有记录/重放光束的中心波长＝405nm，物镜NA＝0.65的光学系统。
要被测量的选项包括 1.推挽信号； 2.SbER； 3.PRSNR； 4.反射率；及 5.摆动串扰量。
推挽信号特征 为了实现在本实施例的单面双层一次写入型信息记录介质上的稳定的信息重放，根据稍后描述的H-格式，期望推挽信号值满足 0.30≤(I1-I2)pp/(I1+I2)dc≤0.60 图3和图4示出了关于在L0及L1层的推挽信号特性和透光基片的沟槽宽度之间的相关性的实验结果。图3和图4揭示了当用于L0层的沟槽宽度的最小值是198nm而最大值是292nm时，该推挽信号特征是落入在上述的范围内的。因此发现，在下述范围内能够实现满意的循轨特性 198nm≤Wg(L0)≤292nm(12) 图5和图6示出了关于L0及L1层的推挽信号特性和透光基片的沟槽深度之间的相关性的实验结果。
此时，确认了实现满意循轨特性的沟槽深度的最小值是50.2nm，最大值是67.3nm。因此发现，当沟槽深度落入下述的范围内时，能够制作具有满意循轨特性的透光基片 50.2nm≤Dg(L0)≤67.3nm(13) 在另一方面，对于该L1层来说，确认了实现满意循轨特性的沟槽深度的最小值是194nm，最大值是287nm。因此至少使用条件 194nm≤Wg(L1)≤287nm(14) 能制造实现满意循轨特性的L1基片。此时，确认了实现满意循轨特性的沟槽深度的最小值是73.6nm，最大值是86.9nm。因此，在下述范围内存在实现满意的循轨特性的沟槽深度条件 73.6nm≤Dg(L1)≤86.9nm(15) 这些结果表明，作为一个整体与单层一次写入型介质相比，借助在一个方向上变更基片形状来增加沟槽宽度，能通过制造本实施例使用的单面双层一次写入型介质来实现满意的推挽特性。
重放信号特性 要求本实施例使用的单面双层一次写入型信息记录介质实现可靠的信息记录和重放。DVD-R等通常使用抖动值来作为用于评估这种特性的一个指数。然而，在本实施例的高密度介质上的信息记录的重放信号特性则是使用两个指针估计的即SbER和PRSNR。因此，在各种条件下测量在透光基片的沟槽形状和记录信息的重放信号特性之间的相关性。
图7和图8示出关于在L0及L1层的SbER值和透光基片的沟槽宽度之间的相关性的测量结果。
为了实现记录信息的稳定重放，要求一个等于或小于SbER＝1.0E-5的值。在针对L0层的当前实验结果中，落入在标准值范围中的沟槽宽度的最小值是198nm，而最大值是285nm。因此，找到了一个条件，满足在下述范围内存在的一个满意条件 198nm≤Wg(L0)≤285nm(16) 此时，落入在标准值范围中的沟槽深度的最小值是50.2nm，而最大值是64.3nm。因此发现，在下述范围内存在满意条件 50.2nm≤Dg(L0)≤64.3nm(17) 在另一方面，图9和图10示出关于在L0及L1层的SbER值和透光基片的沟槽深度之间的相关性的测量结果。对于L1层来说，落入在标准值范围中的沟槽宽度的最小值是194nm，而最大值是287nm。因此发现，在该范围内存在符合该基准值的一个条件 194nm≤Wg(L1)≤287nm(18) 此时，落入在标准值范围中的沟槽深度的最小值是73.6nm，而最大值是86.9nm。因此发现，在该范围内存在一个令人满意的条件 73.6nm≤Dg(L1)≤86.9nm(19) 通过把透光基片的沟槽宽度设置到该沟槽宽度和沟槽深度的上述范围中，能够制造展现出具有优良SbER值的信号特性的记录介质。
图11和12示出的测量结果表示了作为重放信号的另一特征指数的PRSNR值和沟槽的沟槽宽度之间的相关性。为了实现记录信息的稳定重放，要求等于或高于15dB的PRSNR值作为标准值。
根据针对L0层的实验结果，实现标准值或更高值的沟槽宽度的最小值是194nm，而最大沟槽宽度是292nm。因此，发现在该范围中存在实现良好PRSNR的一个沟槽宽度条件 194nm≤Wg(L0)≤292nm(20) 图13和14示出的测量结果表示了作为重放信号的另一特征指数的PRSNR值和沟槽的沟槽深度之间的相关性。
此时，符合该标准值范围中的沟槽深度的最小值是50.2nm，而最大值是63.5nm。因此，发现在该范围中存在实现良好PRSNR的一个沟槽深度条件 50.2nm≤Dg(L0)≤63.5nm(21) 对于L1层来说，发现符合该标准值范围的该沟槽宽度的最小值是186nm，而最大值是287nm。因此，发现在该范围中存在实现良好PRSNR的一个沟槽宽度条件 186nm≤Wg(L1)≤287nm(22) 此时，符合标准值范围的沟槽深度的最小值是73.6nm，而最大值是86.9nm。因此，这揭示出在该范围中存在实现良好PRSNR的一个沟槽深度条件 73.6nm≤Dg(L1)≤86.9nm(23) 因此，使用具有上述沟槽宽度和沟槽深度范围的透光基片，能够制造实现具有良好PRSNR的信号特性的单面双层一次写入型信息记录介质。
结果总结 下面的表1总结了该透光基片的沟槽宽度的试验结果范围，该透光基片满足该满意的循轨特征及SbER和PRSNR指数；而下面的表2总结了该透光基片的沟槽深度的试验结果范围，该透光基片满足该满意的循轨特征及SbER和PRSNR指数。
表1沟槽宽度范围的实验结果总结 表2沟槽深度范围的实验结果总结 确认符合这三个条件的特征的该沟槽宽度Wg和沟槽深度Dg的范围 194nm≤Wg(L0)≤285nm (24) 194nm≤Wg(L1)≤287nm (25) 50.2nm≤Dg(L0)≤63.5nm(26) 73.6nm≤Dg(L1)≤86.9nm(27) 如果包括该测量值的误差，并且该沟槽宽度被既针对L0层又针对L1层设置，则满足 190nm≤Wg(L0)≤290nm (28) 能够制作一种双层一次写入型信息记录介质，其满足在信息重放设备中的令人满意的信息记录/重放特性，该信息重放设备能够被用于随后将描述的H格式。在本实施例中，由于TP＝400nm，所以就该轨道间距TP来说，通常一个双层一次写入型信息介质只需要具有符合下式的沟槽宽度Wg 0.475nm≤Wg/TP≤0.725nm(29) 就深度而言，由于几个百分比的测量误差是在预期范围内，所以如果L0层和L1层的深度是在下式的范围内，则能够实现在记录/重放设备中的满意的记录/重放特性征的一种双层一次写入型信息介质 50nm≤Dg(L0)≤65nm(30) 70nm≤Dg(L1)≤85nm(31) L1层的反射率和摆动信号特性 循轨特性和重放信号特性取决于由于基片形状的原因而被最终制作的记录膜和反射膜形状。通常，依据记录光束功率和重放信号电平，要求L0层具有较高的光透射率，因为这将有利于L1层的记录/重放。尤其是随着增加线速度的记录速度，这种要求将变得更突出。为了增加L0层的透射率，反射膜层的厚度被降低，并且具有光吸收率的染料记录膜的厚度被降低。然而，考虑到溅射处理的稳定性，要求该半透明反射膜的厚度被调整到从20nm到30nm的范围内。而且，优先于记录信号的调制度，要求把染料膜的厚度调整在从60nm到120nm的范围内。因此，厚度降低具有局限性。随着降低该沟槽宽度，反射率降低而透射率增加。然而，在L0层上的写入之前的地址重放所需的反射率R(L0)需要被确保是在从4.5％到9.0％的范围内。同样，在L1层上的写入之前在L0层上的写入之后的L1层的反射率R(L1)被确保是在从4.5％到9.0％的范围内，并且当该反射率是在这一范围内的尽可能的高值时，保证了较高的重放信号质量。如果厚度超过150nm，则总体反射膜的反射率不增加，并且染料膜的厚度只能在从60nm到120nm的范围内调整。另一方面，L0层和L1层的反射率都能通过沟槽宽度来调整。由于光束焦点被调整到该沟槽底部，所以反射率随着沟槽宽度的增加而增加。另一方面，反射率随着沟槽宽度的降低而降低。
图15示出了当分别使用225nm、256nm和285nm的三种不同沟槽宽度的L0层时在改变该L1层的沟槽宽度时的该L1层的反射率的测量结果。
如可从图15中看到的那样，反射率能够随着L1层的沟槽宽度的增加而增加。L1层的反射率随着L0层的沟槽宽度的降低而增加。这是由于L0层的透射率增加。利用其是L0层的沟槽宽度的80％或更小的L1层的沟槽宽度，该L1层的反射率不超过标准值反射率的下限值4.5％。根据这些结果，当L1层的反射膜/记录膜的沟槽宽度大于L0层的反射膜/记录膜的沟槽宽度时，该L1层的信息重放信号质量将会变好。但是，如果该L1层的沟槽宽度太大，则由于来自相邻轨道的摆动串扰成分的增加，地址信息的稳定重放将趋向被禁止。
图16示出当L0层的沟槽宽度是256nm时的作为L1层的摆动信号特性指数，即摆动幅度波动的Wpp-最大/Wpp-最小的测量结果。
为了稳定地读出地址信息，必须保持Wpp-最大/Wpp-最小≤2.3。
在TP＝400nm，L0层和L1层的Wpp-最大/Wpp-最小都从大约290nm的沟槽宽度超出2.3。因此，摆动幅度信号的稳定重放要求 Wg/TP≤0.725(32) 如上所述，能够从L1层的记录/重放信号特征制作出具有两种不同特征类型的介质。因此，L0层和L1层的沟槽宽度必须是满足在不等式(34)的范围之内的下列不等式的一个组合。L0层满足 Wg(L0)≤0.725×TP(33) L1层满足 0.8×Wg(L0)≤Wg(L1)≤0.725×TP(34) 在能被设定在上述范围内的L0层和L1层的组合中，可以制作具有两种不同使用用途的介质。在其中的L1层的沟槽宽度大于L0层的沟槽宽度的一种组合中，L1层的沟槽宽度是在下式的范围内 Wg(L0)≤Wg(L1)≤0.725×TP(35) 在此情况下，由于通过降低沟槽宽度而降低了该L0层的反射率，所以使得能保证高质量的重放信号，并且该透射率能是尽可能的高，因而能抑制L1层的记录光量。由于该L1层的沟槽宽度被增加到不受任何摆动串扰影响的范围，所以能保证该重放信号所需求的反射率。因此，这种组合能够支持高速度记录。另一方面，在其它组合中，L1层的沟槽宽度变得小于L0层的沟槽宽度，并且这些沟槽宽度满足 0.8≤Wg(L1)/Wg(L0)≤1.0(36) 在此情况下，L1层的地址信息重放具有高可靠性，并且由于能确保宽的沟槽宽度以及抑制反射率，所以能保证大的读出功率。因此，这种组合适于这样一种介质不要求任何高速记录/重放，给出对于L1层的地址信息的重放特征的优先级，并要求具有较高的信息精度，例如专业传播用途及数据备份用途的理想特征。
如上所述，通过不仅设置L0层和L1层的沟槽宽度范围、而且设置该L0层和L1层的相对沟槽宽度值，则能够满足该反射率标准和摆动信号标准。而且，能够根据L0层和L1层的沟槽宽度之间的幅度关系而制造根据使用用途的一次写入性信息介质。
下面将描述能被用于本发明信息记录介质的标准示例。
§1.H格式 下面将描述使用在本发明中的第一个下一代光盘HD DVD系统(以下称为H格式)。
在使用″L→H″记录膜时，可使用形成凸纹凹坑区211的一种方法，该凸纹凹坑区211如图17-(a)所示如在系统导入区SYLDI中作为将被预先形成在烧录区BCA中的细致不均形状的实际内容。作为另一实施例，还可提供在数据导入区DTLDI和数据区DTA中形成沟槽区214或槽岸和沟槽区的一种方法。在其中把系统导入区SYLDI和烧录区BCA分开定位的一个实施例中，如果烧录区BCA的内部与凸纹凹坑区211彼此重叠，则由于不必要的干扰而增加从该烧录区BCA中形成的数据到重放信号的噪声成分。
当按照烧录区BCA中的细致不均形状的实施例形成沟槽区214或槽岸和沟槽区来取代凸纹凹坑区211时，减小了由于不必要的干扰引起的从烧录区BCA中的数据到重放信号的噪声成分，因此提高了重放信号的质量。
当该烧录区BCA中形成的沟槽区214或槽岸和沟槽区的轨道间距被调整到系统导入区SYLDI的轨道间距时，期望一种提高信息存储介质的可制造性的效果。即在制造信息存储介质的原版拷贝时，通过设置原版拷贝记录设备的曝光单元的恒定电动机速度来在系统导入区中形成凸纹凹坑。此时，通过把将在烧录区BCA中形成的沟槽区214或槽岸和沟槽区的轨道间距调整到系统导入区SYLDI中的凸纹凹坑的轨道间距，在烧录区BCA和系统导入区SYLDI之间该电动机速度能被连续保持恒定。因此，由于无需中途改变馈送电动机的速度，所以很难出现间距的不均匀，并且能够提高信息存储介质的可制造性。
通过降低轨道间距和线密度(数据比特长度)，与只读或一次写入型信息存储介质相比，增加了可重写信息存储介质的记录容量。如稍后将被描述的那样，可重写信息存储介质采用槽岸-沟槽记录来消除在相邻轨道之间的串扰影响，因此降低轨道间距。在所有的只读信息存储介质中，一次写入型信息存储介质和可重写信息存储介质的特征在于系统导入/系统导出区SYLDI/SYLDO的数据位长度和轨道间距(对应于记录密度)被设置为大于数据导入/数据导出区DTLDI/DTLDO的数据位长度和轨道间距(以降低记录密度)。
通过把系统导入/系统导出区SYLDI/SYLDO的数据位长度和轨道间距趋近现有DVD的导入区的值，确保与现有DVD的兼容性。
在本实施例中，在一次写入型信息存储介质的系统导入/系统导出区SYLDI/SYLDO中的凸纹阶跃也被设置为与现有DVD-R相比要浅。这将提供降低该一次写入型信息存储介质的预制凹槽的深度、以及提高来自将通过附加记录形成在预制凹槽上的记录标记的重放信号的调制度的效果。反之，当反其道操作时，将形成下列问题。即，来自系统导入/系统导出区SYLDI/SYLDO的重放信号的调制度变小。为解决这一问题，通过设置系统导入/系统导出区SYLDI/SYLDO的粗略数据位长度(和轨道间距)，以便把在最窄位置凹坑和空白的重复频率与重放物镜的MTF(调制传递函数)的光截止频率分离(大大降低该重复频率)，提高来自系统导入/系统导出区SYLDI/SYLDO的重放信号幅度，因此稳定重放。
如图17-(a)所示，初始带INZ指示系统导入区SYLDI的开始位置。作为记录在初始带INZ中的重要信息，离散地分配了多个ID(标识数据)信息数据段，每一ID信息包括物理扇区号PSN(或物理段号PSN)或逻辑扇区号的信息。一个物理扇区记录包括数据ID的数据帧结构的信息、IED(ID检错码)、记录用户信息的主数据和EDC(检错码)。而且，初始带INZ记录该数据帧结构的信息。但是，由于记录用户信息的主数据的信息的全部片段都被设置为″00h″，所以在该初始带INZ中的重要信息仅是前述的数据ID信息。能够从物理扇区号的信息或记录在此带中的逻辑扇区号来检测当前位置。即，当图18中的信息记录/重放单元141起始从信息存储介质重放信息时，其提取记录在该数据ID信息中的物理扇区号或逻辑扇区号的信息，以便确认该信息存储介质中的当前位置，然后移到控制数据带CDZ。
缓冲带1(BFZ1)和缓冲带2(BFZ2)的每一个都包括32个ECC块。由于ECC块包括32个物理扇区，所以该32个ECC块总计有1024个物理扇区。在缓冲带1(BFZ1)和缓冲带2(BFZ2)中，主数据的信息的全部片段都象初始带INZ中那样被设置为″00h″。
存在于连接区CNA中的连接带CNZ被用于该系统导入区SYLDI和数据导入区DTLDI的物理分离，并且具有其上不形成任何凸纹凹坑和预制凹槽的镜面。
只读信息存储介质或一次写入型信息存储介质的基准码带RCZ用于调节重放设备的重放电路，并且记录上述数据帧结构的信息。一个基准码的长度是一个ECC块(＝32个扇区)。只读信息存储介质和一次写入型信息存储介质的基准码带RCZ能够被分配在数据区DTA的邻域。在现有DVD-ROM盘或现有的DVD-R盘的结构中，在基准码带和数据区之间分配控制数据带，并且该基准码带和数据区彼此分离。当基准码带和数据区彼此有分离时，形成下列问题。即，信息记录介质的记录膜的倾斜量、光反射率、或记录灵敏度(在一次写入型信息存储介质的情况下)轻微地改变，并且即使当以基准码带的位置来调整重放设备的电路常数时，关于该数据区的最佳地电路常数也会偏离。为了解决这一问题，当基准码带RCZ被分配在数据区DTA的邻域中时，如果在信息重放设备中优化信息的电路常数，该优化的状态也被与相同的电路常数一起保持在相邻数据区DTA中。为了在数据区DTA中的任意位置精确重放信号，能够通过下列步骤精确地实现在目标位置的信号重放 (1)优化基准码带RCZ中的信息重放设备的电路常量； →(2)在重放数据区DTA中靠近基准码带RCZ的部分的同时再次优化信息重放设备的电路常量； →(3)在对数据区DTA中的目标位置和步骤2)中优化的位置之间的中间位置上的信息进行重放的同时，再次优化电路常量；以及 →(4)在移动到目标位置之后重放信号。
一次写入型信息存储介质或可重写信息存储介质中存在的保护轨道带1 GTZ1和2 GTZ2被用于指定数据导入区DTLDI的起始边界位置以及盘测试带DKTZ和驱动测试带DRTZ的起始边界位置，并且被指定来禁止在这些带上以记录标记格式进行的记录。由于GTZ 1和GTZ2存在于该数据导入区DTLDI中，所以在这些带中预先形成预制沟槽区(在一次写入型信息存储介质中)或沟槽和槽岸区(在可重写信息存储介质中)。由于在预制沟槽区或沟槽和槽岸区中预先记录了摆动地址，所以使用此摆动地址来确定信息存储介质中的当前位置。
盘测试带DKTZ被确保来由信息存储介质生产商执行质量测试(评估)。
驱动测试带DRTZ被确保作为用于在由信息记录/重放设备把信息记录在信息存储介质上之前进行尝试写入的一个带。信息记录/重放设备预先在此带中进行尝试写入，以便检测优化的记录条件(写策略)，并且随后能在优化的记录条件下把信息记录在数据区DTA中。
可重写信息存储介质的盘标识带DIZ中的信息是可选信息记录带，并且能附加记录驱动描述信息，该描述信息包括一组记录/重放设备的生产商名称信息、与其关联的附加信息、以及能够由生产商针对每一组唯一地记录的一个区域。
可重写信息存储介质中的缺陷管理带1(DMA1)和缺陷管理带2(DMA2)是该数据区DTA中的记录缺陷管理信息的带，并且在出现缺陷位置时记录替代位置信息等。除了DMA1和DMA2之外，DMA管理信息(DMA管理器1)能被作为缺陷管理带一起控制。
在该一次写入型信息存储介质中，独立地存在RMD复制带RDZ、记录管理带RMZ和R-物理信息带R-PFIZ。记录管理带RMZ把记录管理数据RMD(稍后将详细描述)记录为与被数据的附加记录处理更新的数据的记录位置相关的管理信息。如将稍后使用图17-(a)和17-(b)描述的那样，在本实施例中，记录管理带RMZ被设置在每一有界区BRDA中，以便允许扩展该记录管理带RMZ的区域。结果是，即使在附加记录的频率增加、及要求的记录管理数据RMD区域的数量增加时，也能通过按照需要扩展该记录管理带RMZ来应对这些增加，因此提供了一个大大增加附加记录的次数的效果。在此情况下，在本实施例中该记录管理带RMZ被分配在对应于每一有界区BRDA的入边界BRDI(紧接在每一有界区BRDA之前分配)中。在本实施例中，对应于第一有界区BRDA#1的入边界BRDI以及数据导入区DTLDI被共同使用来省略数据区DTA中的第一入边界BRDI的构造，因此有助于数据区DTA的有效使用。即，数据导入区DTLDI中的记录管理带RMZ被用作对应于该第一有界区BRDA#1的该记录管理数据RMD的记录位置。
RMD复制带RDZ是记录满足下列条件的记录管理数据RMD的信息的一个带。象在本实施例中那样，通过冗余记录该记录管理数据RMD，能够提高记录管理数据RMD的可靠性。即，当由于附着并形成在一次写入型信息存储介质的表面上的尘埃及以擦痕的影响而使得该记录管理带RMZ中的记录管理数据RMD不能被重放时，记录在此RMD复制带RDZ中的记录管理数据RMD被重放，并且通过循轨来收集其余的必需信息的片段，因此恢复最新的记录管理数据RMD的信息。
RMD复制带RDZ在关闭边界(或多个边界)之时记录该记录管理数据RMD。如将稍后描述的那样，每次关闭一个边界并且设置一个随后的新有界区，定义一个新记录管理带RMZ。因此，换句话说，每当产生一个新的记录管理带RMZ时，关于该紧接在前面的有界区的最后记录管理数据RMD被记录在这一RMD复制带RDZ中。每次将记录管理数据RMD补充记录在该一次写入型信息存储介质上，当相同的信息被记录在这种RMD复制带RDZ中时，通过很小次数的补充记录该RMD复制带RDZ就被充满，导致一个小的附加记录次数的上限值。相反，象在本实施例中那样，当制备一个新记录管理带时(例如边界关闭时或入边界BRDI中的记录管理带充满数据时)，仅将当前记录管理带RMZ中的最后的记录管理数据RMD记录在该RMD复制带RDZ中，因此有效地使用了该RMD复制带RDZ的空间并增加了容许的附加记录次数。
例如，由于附着或形成在一次写入型信息存储介质的表面上的尘埃或擦痕的影响，在附加记录期间(在关闭之前)当对应于有界区BRDA的记录管理带RMZ中的记录管理数据RMD不能被重放时，能通过读出在这一RMD复制带RDZ中记录的最后的记录管理数据RMD来确定该有界区BRDA的位置。因此，通过循轨该信息存储介质的数据区DTA中的剩余空间，能够收集在附加记录(在关闭之前)的有界区BRDA的位置以及在该区域中记录的信息量，因此恢复该最后的记录管理数据RMD的信息。
类似于该控制数据带CDZ中的物理格式信息PFI(将被稍后详细描述)的信息被记录在R-物理信息带R-PFIZ中。
图17示出了存在于该一次写入型信息存储介质中的RMD复制带RDZ和记录管理带RMZ中的数据结构。图17-(a)是比较系统导入区和数据导入区中的数据结构的示意图，而图17-(b)是图17-(a)中的RMD复制带RDZ和记录管理带RMZ的扩大示意图。如上所述，数据导入区DTLDI中的记录管理带RMZ把与对应于第一有界区BRDA的记录位置管理相关的数据一起记录在一个记录管理数据RMD中，并且在每次随着在一次写入型信息存储介质上的附加记录处理执行时产生的记录管理数据RMD的内容被更新时，在前次记录管理数据RMD之后依次附加地记录新的记录管理数据RMD。即，该记录管理数据RMD被记录成具有一个物理段块(该物理段块将被稍后描述)的尺寸单位，并且在每次更新该数据内容时，在前次记录管理数据RMD之后依次附加记录新的记录管理数据RMD。在图17-(b)的实例中，由于在记录管理数据RMD#1和RMD#2被预先记录之后管理数据已被改变，改变(更新)的数据被作为记录管理数据RMD#3记录在紧接该记录管理数据RMD#2之后。因此，该记录管理带RMZ包括一个允许进一步附加记录的保留区273。
图17-(b)示出了存在于数据导入区DTLDI中的该记录管理带RMZ中的结构。而且，在存在于入边界BRDI或有界区BRDA(随后将要被描述)中的记录管理带RMZ(或扩展记录管理带以下称为扩展RMZ)中的结构与图17-(b)示出的结构相同。
在本实施例中，在关闭第一有界区BRDA#1或执行数据区DTA的结束处理(结束)时，执行进行填充的处理，利用最后的记录管理数据RMD填充图17-(b)所示的整个保留区273。结果是，提供下列效果 (1)″未记录的″保留区273消失，并且保证了基于DPD(差分相位检测)的稳定的循轨校正； (2)在先前的保留区273上重复记录最后的记录管理数据RMD，大大地改善在最新的记录管理数据RMD的重放时的可靠性；以及 (3)能够防止在未记录的保留区273上不经意地记录不同的记录管理数据RMD的意外。
上述处理方法不限于在数据导入区DTLDI中的记录管理带RMZ。在本实施例中，就存在于稍后描述的入边界BRDI或有界区BRDA中的记录管理带RMZ(或者扩展记录管理带被称作扩展RMZ)而言，在对应的有界区BRDA被关闭的情况下，或者在对数据区DTA进行终止处理(完成)的情况下，进行用最新记录管理数据RMD填充整个保留区273的处理操作。
RMD复制带RDZ被分为RDZ导入区RDZLI和对应RMZ的末记录管理数据RMD复制带RDZ的记录区271。RDZ导入区RDZLI由数据大小为48KB的系统保留字段SRSF和数据大小为16KB的唯一ID字段UIDF构成。系统保留字段SRSF全部以″00h″设置。
在本实施例中，RDZ导入RDZLI能够被记录在允许附加记录的数据导入区DTLDI中。当制造之后立即发行本实施例的一次写入型信息存储介质时，没有记录该RDZ导入RDZLI。当第一次使用这种一次写入型信息存储介质时，用户方的信息记录/重放设备记录该RDZ导入RDZLI的信息。因此，通过在该一次写入型信息存储介质被装入到该信息记录/重放设备之后而立即查验信息是否被记录在RDZ导入RDZLI，将能够容易地确定该目标一次写入型信息存储介质是处在一种恰在制造/发行之后的状态还是至少使用一次的状态。此外，如图17所示，该RMD复制带RDZ被分配在对应于该第一有界区BRDA的记录管理带RMZ的内圆周侧，而RDZ导入RDZLI能够被分配在该RMD复制带RDZ中。
把表明该一次写入型信息存储介质是处在紧接在制造/交付之后的一种状态还是即使至少使用了一次的信息配置在用于共同使用目标(改进RMD的可靠性)的RMD复制带RDZ中，将能够提高信息采集的使用效率。而且，通过把RDZ导入RDZLI配置在记录管理带RMZ的内圆周侧，能够缩短为了收集必要信息所需要的时间。当把信息存储介质装入到信息记录/重放设备中时，该信息记录/重放设备将从定位在该最内边缘侧的烧录区BCA开始重放，并且在顺序地把重放位置移动到外圆周侧的同时，把重放位置改变到系统导入区SYLDI和数据导入区DTLDI。然后，该设备检测是否信息已被记录在该RMD复制带RDZ中的RDZ导入RDZLI中。由于未在发行之后被立即记录的一次写入型信息存储介质上的记录管理带RMZ中没有对记录管理数据RMD进行记录，所以如果没有信息被记录在RDZ导入RDZLI中，则本设备将确定″该介质在发行之后未被立即使用″，并且能够省略该记录管理带RMZ的重放，因此缩短了收集必要信息所需要的时间。
如图17-(c)所示，唯一ID字段UIDF记录了与信息记录/重放设备相关的信息，该设备使用了发行之后立即第一次使用的一次写入型信息存储介质(开始在一次写入型信息存储介质上记录)。即，字段UIDF记录了驱动器生产商ID 281、序列号283、以及该信息记录/重放设备的型号284。该唯一ID字段UIDF重复八次地记录图17-(c)所示的相同的2KB(精确地说是2,048字节)的信息。如图17-(d)所示，一个唯一的盘ID 287中的信息记录着初次使用(开始记录)的年信息293、月信息294、日信息295、时信息296、分信息297和秒信息298。如图17-(d)所示，在说明时信息的不同片段的数据类型是HEX、BIN、和ASCII，并且2或4字节被用作使用字节的数量。
RDZ导入RDZLI的区大小以及一个记录管理数据RMD的大小可以是64KB的整数倍，即一个ECC块中的用户数据量。在该一次写入型信息存储介质的情况下，不能执行在一个ECC块中的数据已被改变之后用于在信息存储介质上重写该改变的ECC块的数据的处理方法。因此，尤其是在该一次写入型信息存储介质的情况下，以由包括ECC块的数据段的整数倍组成的一个记录簇单元来实现记录。因此，如果该RDZ导入RDZLI的区大小以及一个记录管理数据RMD的大小与该ECC块中的用户数据量不同，则要求填充区或装填区来将这些量调整到该记录簇单元，导致实际记录效率的下降。通过设置RDZ导入RDZLI的区的大小和要被设置为64kb的整倍数的一个记录管理数据RMD的大小，能够避免记录效率的降低。
下面将描述图17-(b)中的一个对应于RMZ的最后记录管理数据RMD的记录区271。如日本专利No.2621459中所述的那样，可提供一种记录方法，记录当在导入区中进行的记录中断时的中间信息。在此情况下，每次中断记录或每次执行附加记录处理时，必须在该区中顺序地附加记录中间信息(在本实施例中的记录管理数据RMD)。为此，形成下列问题。即，当记录中断或频繁重复附加记录处理时，此区将很快成充满数据，并且禁止其它的附加记录处理。为了解决这一问题，本实施例的特征在于，仅当满足一个特定条件时才将RMD复制带RDZ设置为能够记录更新的记录管理数据RMD的一个区，并且在该特定条件下来记录每十个抽取的记录管理数据RMD。以此方式，通过减小将被附加记录在该RMD复制带RDZ中的记录管理数据RMD的出现频率，提供防止该RMD复制带RDZ充满数据的效果，并且大大增加针对该一次写入型信息存储介质的附加记录的容许次数。与这种处理并行，在每一附加记录处理都要被更新的记录管理数据RMD被顺序地附加记录在图20-(c)示出的入边界BRDI中的记录管理带RMZ中(就第一有界区BRDA#1而言是在图20-(c)示出的数据导入区DTLDI中)，或使用稍后要被描述的R带而记录在记录管理带RMZ中。当建立一个新的记录管理带RMZ(例如建立随后的有界区BRDA(在BRDI中设置一个新边界)、当在一个R带设置一个新的记录管理带RMZ等等)时，该最后一个记录管理数据RMD(紧接在该新的记录管理带RMZ被建立之前的一个状态中的最新的一个记录管理数据RMD)被记录在该RMD复制带RDZ(在该带中的一个对应RMZ的最后的记录管理数据RMD的记录区271)。以这种方式，能够大大增加针对该一次写入型信息存储介质的可允许的附加记录的次数，并且使用此带将有助于该最新的RMD位置检索。
本实施例的特征在于，在只读、一次写入、可重写信息存储介质的任何之一中，系统导入区都被分配在数据区的相反一侧上，以便把数据导入区夹持在它们之间，并且该烧录区BCA和数据导入区DTLDI被分配在相反侧，以便把系统导入区SYLDI夹持在它们之间。在把信息存储介质插入到信息重放设备中或图18所示的信息记录/重放设备中时，该信息重放设备或信息记录/重放设备将按照下列次序执行处理 (1)重放烧录区BCA中的信息； →(2)重放在系统导入区SYLDI的信息(或控制)数据带CDZ中的信息； →(3)重放在该数据导入区DTLDI中的信息(在一次写入或可重写介质的情况下)； →(4)重新调整(优化)该基准码带RCZ中的重放电路常数；以及 →(5)重放记录在数据区DTA中的信息或新信息的记录。
由于不同的信息片段被根据上述处理次序依次分配，所以能够避免对于内圆周侧的不必要的存取处理，并且能够通过降低存取的次数而到达数据区DTA。因此，能够提供提前记录在数据区DTA中的信息的重放起始时间或记录新信息的效果。由于在系统导入区SYLDI中的信号重放采用一种限制电平检测方法，并且在数据导入区DTLDI和数据区DTA中的信号重放采用PRML方法，所以当数据导入区DTLDI和数据区DTA被彼此相邻并且从内圆周侧进行依次重放时，能够通过仅从限制电平检测电路到PRML检测电路的一次切换就连续地实现在系统导入区SYLDI和数据导入区DTLDI之间的稳定的信号重放。为此原因，由于伴随该重放过程的重放电路的切换次数少，所以有助于过程控制并且能够提前数据区中的重放起始时间。
在只读信息存储介质的数据导出区DTLDO和系统导出区SYLDO中记录的数据具有一种数据帧结构(随后将描述该数据帧结构)，并且该数据帧结构中的主数据值被全部用″00h″设置。这种只读信息存储介质能够使用这种整个数据区DTA作为一个用户数据预记录区201。但是，如将随后描述的那样，在一次写入型信息存储介质和可重写信息存储介质的任一个实施例中，用户数据的可重写/一次写入的可记录范围202到205是比数据区DTA窄。
在一次写入型信息存储介质或可重写信息存储介质中，在数据区DTA的最内圆周侧上确保有备用区SPA。当在该数据区DTA中出现缺陷位置时，则使用备用区SPA执行备份处理。在可重写信息存储介质的情况下，备份日志信息(缺陷管理信息)被记录在缺陷管理带1(DMA1)、缺陷管理带2(DMA2)、缺陷管理带3(DMA3)、以及缺陷管理带4(DMA4)中。作为要被记录在DMA3和DMA4中的缺陷管理信息，记录的内容与将被记录在DMA1和DMA2中的信息相同。在一次写入型信息存储介质的情况下，在执行备份处理时把备份日志信息(缺陷管理信息)记录在数据导入区DTLDI的记录管理带中的记录内容的复制信息C_RMZ中以及边界带(稍后将描述)中。现有的DVD-R盘不执行任何缺陷管理。但是，随着制造的DVD-R盘数量的增加，开始出现局部具有缺陷的DVD-R盘，并且对于改善在一次写入型信息存储介质上的信息记录的可靠性的需求正在增加。
确保这种驱动测试带DRTZ作为一个带，其中在对信息存储介质上进行记录之前，信息记录/重放设备做一个尝试写入。信息记录/重放设备预先在此带中进行尝试写入，以便检测优化的记录条件(写策略)，并且随后能在优化的记录条件下把信息记录在数据区DTA中。
盘测试带DKTZ被确保来由信息存储介质生产商执行质量测试(评估)。
在一次写入型信息存储介质中，保证驱动测试带DRTZ是在两个位置，即在内圆周侧和外圆周侧。能通过利用增加在驱动测试带DRTZ上的尝试写入的次数而精确地改变参数来详细寻求光学记录条件，因此提高在数据区DTA上的记录精度。在这种可重写信息存储介质中，能通过覆写来重新使用该驱动测试带DRTZ。但是，在一次写入型信息存储介质中，为了通过增加尝试写入的次数来提高记录精度，驱动测试带DRTZ被很快用尽，因此形成一个问题。为了解决这一问题，本实施例能够沿着内圆周的方向从外圆周部分开始设置扩展驱动测试带EDRTZ，因此使得可以扩展该驱动测试带。
本实施例具有下列关于设置扩展驱动测试带的方法及在该设置的扩展驱动测试带中的尝试写入方法的特征。
1.从外圆周朝向内圆周侧的方向同时连续设置(成帧)扩展驱动测试带EDRTZ ...扩展驱动测试带1(EDRTZ1)被设置为自数据区中最靠近外圆周的一个位置(最靠近该数据导出区DTLDO的位置)上的实质区。在扩展驱动测试带1(EDRTZ1)用尽之后，扩展驱动测试带2(EDRTZ2)可被随后设置作为在所述带1的内圆周侧上存在的一实质区。
2.从一个扩展驱动测试带EDRTZ中的内圆周侧开始顺序进行尝试写入 ...当在扩展驱动测试带EDRTZ中进行尝试写入时，沿着以螺线状定位的沟槽区214从内圆周侧到外圆周侧实现，并且在先前进行了尝试写入(已经记录)的位置之后紧接的未记录位置进行当前的尝试写入。
该数据区具有一种结构，其中沿着以螺线状从内圆周侧到外圆周侧配置的沟槽区214实现附加记录。由于能够通过在先前尝试写入位置之后的一个位置在扩展驱动测试带中顺序地附加记录尝试写入信息来连续执行″紧接在先的尝试写入位置的确认″→″当前的尝试写入执行″处理，所以不仅有助于尝试写入处理，而且易于管理该扩展驱动测试带EDRTZ中的已经历了尝试写入的那些位置。
3.能够重新设置数据导出区DTLDO来包括扩展驱动测试带EDRTZ ...下面将示例一种情况，其中在数据区DTA的两个位置设置扩展备用区1(ESPA1)和扩展备用区2(ESPA2)，在两个位置设置扩展驱动测试带1(EDRTZ1)和扩展驱动测试带2(EDRTZ2)。在此情况下，在本实施例中的包括到扩展驱动测试带2(EDRTZ2)的一个区能够被重新设置为数据导出区DTLDO。在缩窄与该区的重新设置结合的范围的同时重新设置数据区DTA的范围，并且易于管理数据区DTA中的用户数据一次写入可记录范围205。
扩展备用区1(ESPA1)的设置位置被认为是″已用尽的扩展备用区″，并且进行管理使得一个未记录区(能够进行附加记录的尝试写入的一个区)仅存在于扩展驱动测试带EDRTZ的扩展备用区2(ESPA2)中。在此情况中，记录在扩展备用区1(ESPA1)中并被用作备份信息的无缺陷信息被完整移到扩展备用区2(ESPA2)中的一个非备用区的位置，从而覆写缺陷管理信息。此时，该重新设置的数据导出区DTLDO的开始位置信息被记录在记录管理数据RMD的RMD字段0的最后的(更新的)数据区DTA的分配位置信息中。
下面参照图19描述一次写入型信息存储介质中的有界区的结构。当第一次在一次写入型信息存储介质中进行有界区的设置时，如图19-(a)所示，有界区BRDA#1被设置在内圆周侧(接近数据导入区DTLDI的一侧)，而在此区之后形成一个出边界BRDO。
而且，当将要设置下一有界区BRDA#2时，在前一出边界BRDO(针对BRDA#1来说)之后形成下一入边界BRDI(针对BRDA#2来说)，并且随即设置下一有界区BRDA#2，如图19(b)所示。当下一有界区BRDA#2将被关闭时，紧接在该区BRDA#2之后形成一个出边界BRDO(针对BRDA#2来说)。在本实施例中，通过在前一出边界BRDO(针对BRDA#1来说)之后形成下一入边界BRDI(针对BRDA#2来说)而获得的一对边界的状态被称之为边界带BRDZ。设置边界带BRDZ来避免在由信息重放设备重放时光头在不同有界区BRDA之间的超限运行(以DPD检测方法为前提)。因此，在已经记录了出边界BRDO和入边界BRDI、并且已经执行了在最后的有界区BRDA之后记录一个出边界BRDO的边界关闭处理的先决条件下，专用的重放设备重放其上已被记录了信息的该一次写入型信息存储介质。第一有界区BRDA#1由4080或更多个物理段块组成，并且必须具有该一次写入型信息存储介质的径向上的1.0mm的宽度。图19-(b)示出其中该扩展驱动测试带EDRTZ被设置在该数据区DTA中的一个示例。
图19-(c)示出该一次写入型信息存储介质已经历了最终完成之后的状态。在图19-(c)的示例中，扩展驱动测试带EDRTZ被建在数据导出区DTLDO中，并且已经设置了扩展备用区ESPA。在此情况中，用户数据一次写入可记录范围205是以最后的出边界BRDO来填充，以便不被剩余。
图19-(d)示出在上述边界带BRDZ中的详细数据结构。每一信息都被记录成具有随后描述的物理段块的尺寸单位。在出边界BRDO开始位置，记录了在该记录管理带中记录的内容的复制信息C_RMZ，并且记录了表示出边界BRDO的一个停止块STB。当BRDI中再出现下一边界时，每一个都指示随后出现的一个有界区的第一下一边界标记NBM、第二NBM和第三NBM被不连续地分别记录在针对一个物理段块大小的总共三个位置上，即在从记录了停止块STB的物理段块算起的″第N1″物理段块中、″第N2″物理段块中、以及″第N3″物理段块中。
在BRDI中的下一个边界中，记录更新的物理格式信息U PFI。在现有的DVD-R或DVD-RW盘上，当不出现下一有界区(在最后的出边界BRDO中)时，其中图19-(d)所示的″下一边界标记NBM″所在的位置(一个物理段块大小的位置)被保持作为一个″其中根本不记录数据的位置″。当有界区在这种状态中被关闭时，现有的DVD-R或DVD-RW盘准备好由传统的DVD-ROM驱动器或传统的DVD播放器来重放。这种传统的DVD-ROM驱动器或传统的DVD播放器通过使用记录在一次写入型信息存储介质(现有DVD-R或DVD-RW盘)上的记录标记，根据DPD(差值相位检测)方法来检测循轨误差。但是，在″其中根本不记录数据的位置″的一个物理段块尺寸上不存在记录标记，所以不能实行使用DPD(差值相位检测)的循轨误差检测，并且不能稳定地应用循轨伺服，因此造成一个问题。
作为应对现有的DVD-R或DVD-RW盘的该问题的措施，本实施例采用一种如下的新方法 (1)当不出现下一有界区时，在″其中根本不记录数据的位置″预先记录特定的图形数据；并且 (2)在其中已经记录了特定图形数据的″下一边界标记NBM″的位置局部地和不连续地执行一个特定记录图案的[覆写处理]，使得当出现下一有界区时，使用该图案作为指示″下一有界区的出现″的识别信息。
在(1)中即使不出现下一有界区时，也通过以覆写来设置下一边界标记NBM，能够在″下一边界标记NBM的位置″预先形成特定图案的记录标记，即使在专用的信息重放设备通过DPD方法执行循轨误差检测时也能稳定地应用该循轨伺服，因此提供一种新效果。在该一次写入型信息存储介质上，当在已经形成记录标记的部分上即使部分地覆写新的记录标记，在信息记录/重放设备或信息重放设备中也会存在图18所示的PLL电路的稳定性的失效问题。作为应对这种问题的一种对策，本实施例进一步采用新方法 (3)当在一个物理段块大小的″下一边界标记NBM″的位置进行覆写时，根据单个数据段中的位置改变一个覆写状态； (4)以同步数据432部分地覆写，并且禁止在同步码431上的覆写；以及 (5)在除了数据ID和IED之外的位置执行覆写。
如将随后描述的那样，记录用户数据和保护字段441至448的数据字段411至418被可选地记录在该信息存储介质上。数据段411至418和保护字段441至448的设置被称之为数据段490，并且一个数据段长度匹配一个物理段块长度。图18所示的PLL电路尤其易于导入在VFO字段471和472中的PLL。因此，紧接在VFO字段471和472之前，即使当PLL有相位差时，也能够使用VFO字段471和472容易地导入PLL，因此消除作为整体系统在信息记录/重放设备或信息重放设备中的影响。如上所述，使用这种状态，由于(3)的覆写状态根据在数据段中的位置改变，并且增加了在接近单个数据段中的VFO字段471和472的后缀部分上的特定图案的覆写量，因而有助于该″下一边界标记″的识别，并且能够防止重放时的一个信号PLL的精度降低。
一个物理扇区包括同步码433(SY0到SY3)的位置和分配在相邻同步码433之间的同步数据434的一个组合。信息记录/重放设备或信息重放设备从记录在信息存储介质上的通道位序列提取同步码433(SY0到SY3)，并且检测该通道位序列的分界符。如随后将被描述的那样，该设备从数据ID的信息提取记录在该信息存储介质上的数据的位置信息(物理扇区号或逻辑扇区号)。该设备随后使用紧接该数据ID之后被分配的IED来检测该数据ID的误差。因此在本实施例中，由于(5)在数据ID和IED上的覆写被禁止，并且(4)在除了同步码之外的同步数据432中部分地执行覆写，因而有可能即使在″下一边界标记NBM″中也使用同步码431来检测该数据ID的位置并且重放(以便检测该内容)记录在数据ID中的信息。
图20示出了不同于图19的另一实施例，该实施例与在一次写入型信息存储介质上的有界区的结构相关。图20-(a)和图20-(b)示出与图19相同的内容。图20-(c)是在不同于图19-(c)的一次写入型信息存储介质的最终完成之后的状态。例如，如图20-(c)所示，当在有界区BRDA#3中的信息记录结束之后要执行最终完成时，紧接在该有界区BRDA#3之后形成出边界BRDO作为边界关闭处理。在此之后，紧接在有界区BRDA#3之后形成在出边界BRDO之后的结束符区TRM，因此缩短用于最终完成所需的时间。
在图19-(c)所示的本实施例中，紧接在扩展备用区ESPA之前的一个区必须以出边界BRDO填充，并需要长时间来形成这一出边界BRDO，因此要求一个长的最终完成时间。相反，在图20-(c)示出的本实施例中，形成具有相对短长度的结束符区TRM，结束符区TRM外的整个区被重新定义为新数据导出区NDTLDO，并且结束符区TRM外的一个未记录区被设置为使用禁止区911。即，当最终完成该数据区DTA时，在记录数据的末端形成结束符区TRM(紧接在出边界BRDO之后)。通过把这一区的类型信息设置为新数据导出区NDTLDO的一个属性，该结束符区TRM被重新定义为如图20-(c)所示的新数据导出区NDTLDO。如稍后将描述的那样，此区的类型信息被记录在数据ID的区类型信息935中。更具体地说，通过把结束符区TRM的数据ID中的区类型信息935设置为″10b″，表明了其在该数据导出区DTLDO中的存在。本实施例的最主要特征在于，使用数据ID中的区类型信息935来设置数据导出位置的识别信息。
下面将检验一种情况，其中在信息记录/重放设备或信息重放设备中的信息记录/重放单元141对于一次写入型信息存储介质上的特定目标位置进行粗略存取。紧接在该粗略存取之后，信息记录/重放单元141必须重放该数据ID并解码数据帧号922，以便检测在一次写入型信息存储介质上达到的位置。由于该数据ID包括了数据帧号922附近的区类型信息935，所以在数据导出区DTLDO中的信息记录/重放单元141的存取位置能通过同时地解码这一区类型信息935而被立即检测，因此简化和加速了存取控制。如上所述，通过在数据ID中设置结束符区TRM的信息来提供数据导出区DTLDO的识别信息，能够容易地检测结束符区TRM。
作为一种例外，如果最后的出边界BRDO被设置为新数据导出区NDTLDO的一个属性(即，如果出边界BRDO中的数据帧的数据ID中的区类型信息935被设置为″10b″)，则不设置结束符区TRM。因此，当记录具有新数据导出区NDTLDO的属性的结束符区TRM时，由于此结束符区TRM被认为是新数据导出区NDTLDO的一部分，到数据区DTA上的记录被禁止，并且该区可能时常存留来作为使用禁止区911，如图20-(c)所示。
本实施例通过根据在一次写入型信息存储介质上的位置来改变结束符区TRM的大小而缩短了最终完成时间并提高了处理效率。即使在被用在通过DPD方法来检测循轨误差的专用重放设备中时，此结束符区TRM不仅指示记录数据的最后位置，而且被用于防止由于循轨误差引起的超限运行。因此，依据专用重放设备的检测特征，作为在该一次写入型信息存储介质的径向上结束符区TRM的宽度(部分地以结束符区TRM填充的宽度)，至少要求0.05mm或更大的长度。由于在一次写入型信息存储介质上的一周的长度将根据径向位置而不同，所以每一周中包括的物理段块的数量也根据径向位置而不同。为此原因，根据径向位置，即根据分配在结束符区TRM中的物理扇区的物理扇区号，该结束符区TRM的尺寸不同，并且在朝向外圆周侧变得更大。一个可允许的结束符区TRM的物理扇区号的最小值必须大于″04FE00h″。这由限制条件所造成的，即如上所述，第一有界区BRDA#1必须由4080或更多个物理段块组成，并且必须具有该一次写入型信息存储介质的径向上的1.0mm或更大的宽度。结束符区TRM必须从物理段块的边界位置开始。
在图20-(d)中，针对如上所述相同的原因，对一个物理段块大小设置记录每一信息的位置，并且被分配和记录在32个物理扇区中的总数为64KB的用户数据被记录在一个物理段块中。针对每个信息设置相关的物理段块号，各个信息片段被以相关物理段块号的升序依次记录在一次写入型信息存储介质上，如图20-(d)所示。在图20-(d)示出的本实施例中，具有相同内容的五段RMD复制信息CRMD#0至CRMD#4被在图19-(d)的记录管理带中的记录内容的复制信息记录带C_RMZ中多次记录了五次。通过以这种方式执行多次记录，能够提高重放时的可靠性，并且甚至当尘埃或擦痕被附着在该一次写入型信息存储介质上时，也能够稳定地重放该记录管理带中的记录内容的复制信息CRMD。图20-(d)中的停止块STB匹配图19-(d)中的停止块STB。但是，图20-(d)示出的本实施例与图19-(d)示出的实施例不同的是不具有任何下一边界标记NBM。保留区901和902中的主数据的信息全部被设置为″00h″。
六段相同信息被多次记录了六次来作为在入边界BRDI的开始端的更新的物理格式信息U_PFI，以具有相关的物理段块号N+1至N+6，以便形成图19-(d)所示的更新的物理格式信息U_PFI。通过以这种方式多次记录该更新的物理格式信息U_PFI，提高信息的可靠性。
图20-(d)的一大特点在于，该边界带中的记录管理带RMZ被提供在入边界BRDI中。如图17-(b)所示，当该数据导入区DTLDI中的记录管理带RMZ的规模相对很小并且频繁重复地设置一个新有界区BRDA时，记录在记录管理带RMZ中的记录管理数据RMD饱和，并且变得不可能在记录的中间设置一个新有界区BRDA。通过在入边界BRDI中形成记录管理带，该记录管理带记录了与跟着入边界BRDI的有界区BRDA#3的内容相关的记录管理数据RMD，能够多次地设置新有界区BRDA，并且能够大大增加在该有界区中的附加记录的次数，因此提供新的效果。当跟随包括了这一边界带中的记录管理带RMZ的入边界BRDI的有界区BRDA#3被关闭时，或当该数据区DTA被最终完成时，必须重复地记录该最后的记录管理数据RMD来填充该记录管理带RMZ中的全部未记录的保留区273。以此方式，在由专用的重放设备重放时，除去未记录的保留区273来防止循轨误差(通过DPD)，并且能通过该记录管理数据RMD的多次记录来提高记录管理数据RMD的重放可靠性。保留区903中的全部数据被设置为″00h″。
该出边界BRDO具有防止由以DPD为基础的专用重放设备中的循轨误差引起的超限运行的作用。但是，除了具有更新的物理格式信息U_PFI和边界带中的记录管理带RMZ的信息之外，入边界BRDI无需特别具有大尺寸。因此，为了缩短设置一个新有界区BRDA的时间(需要来记录该边界带BRDZ)，入边界BRDI的尺寸被尽可能地降低。在利用边界关闭处理把出边界BRDO形成图20-(a)所示状态之前，用户数据一次写入可记录范围205是足够宽的，并且附加记录更可能被执行多次。需要确保图20-(d)中的一个大值″M″，以便在边界带的记录管理带RMZ中将记录管理数据多次记录。相反，在有界区BRDA#2关闭之前以及在相对于图20-(b)中的状态而记录出边界BRDO之前的一个状态中，由于用户数据一次写入可记录范围205被缩窄，所以将被附加记录在该边界带BRDZ的记录管理带RMZ中的记录管理数据的附加记录的次数不可能变得那么多。因此，能够在紧接在该有界区BRDA#2之前分配的入边界BRDI中设置该记录管理带RMZ的一个很小的设定量″M″。更具体地说，本实施例提供一个特点是，由于当入边界BRDI的分配位置是在该内圆周侧、并且其朝外圆周的方向下降时该记录管理数据的附加记录的次数较大，所以入边界BRDI的大小在该外圆周侧上被设置为小量。结果是，能够缩短新有界区BRDA的设定时间，并能提高处理效率。
将被记录在图19-(c)所示的有界区BRDA中的信息的逻辑记录单元被称之为R带。因此，有界区BRDA包括至少一个R带。现有的DVD-ROM使用称为″UDF桥″的文件系统，其中符合UDF(通用盘格式)的文件管理信息和符合IS09660的文件管理信息都被同时地记录在一个信息存储介质上。符合IS09660的文件管理方法具有的规则是，文件必须在信息存储介质中连续记录。即，这种文件管理方法禁止在一个文件中的信息被分开地分配在信息存储介质上的分离位置。因此，当信息被与该UDF桥相符合地记录时，由于形成一个文件的全部信息的片段被连续记录，所以其中这一个文件被连续记录的一个区可以形成一个R带。
图21示出在控制数据带CDZ和R-物理信息带RIZ中的数据结构。如图21-(b)所示，该控制数据带CDZ包括物理格式信息PFI、盘制造信息DMI，并且R-物理信息带RIZ包括相同的盘制造信息DMI和R-物理格式信息R-PFI。
该盘制造信息DMI记录了与盘制造国家名称相关的信息251、及盘生产商的国家信息252。当贩卖的信息存储介质侵权一项专利时，时常将一个侵权警告发到该制造地点处在的或消费(使用)该信息存储介质的国家。由于每一信息存储介质都被要求记录上述的信息，所以该制造现场(国家名称)被确定来促进该专利侵权警告的发出，因此保护该知识产权并促进技术进展。而且，该盘制造信息DMI还记录另一盘制造信息253。
本实施例的一个特点在于，根据该物理格式信息PFI或R-物理格式信息R_PFI中的记录位置(距该头部的相对字节位置)来指定将要被记录的信息类型。更具体地说，DVD族中的共用信息261被记录在作为该物理格式信息PFI或R-物理格式信息R_PFI中的记录位置从第0字节至第31字节的一个32字节的区中，并且作为本实施例的目标的一个HD DVD族中的共用信息262被记录在从第32字节至第127字节的一个96字节的区中。与版本工作簿和部分版本的类型相关的唯一信息(特定信息)263被记录在从第128字节至第511字节的一个384字节的区中，并且对应于每一版本的信息被记录在从第512字节到第2047字节的一个1536字节的区中。以此方式，通过根据该信息内容对该物理格式信息中的信息分配位置进行共用，能够共用记录信息的位置而与介质的类型无关。因此，能够共用和简化该信息重放设备或信息记录/重放设备的重放处理。记录在从第0字节至第31字节的该DVD族中的共用信息261被进一步分成如图21-(d)所示的信息267和信息268，信息267是共同记录在从第0字节至第16字节的信息，用于只读信息存储介质、可重写信息存储介质、及一次写入型信息存储介质全部，信息268是共同记录在从第17字节至第31字节的信息，用于可重写信息存储介质和一次写入型信息存储介质，但不针对只读类型记录。
下面将描述在第128字节至第511字节中的版本工作簿及部分版本的类型的特定信息263的含意、以及能够被唯一地针对从第512字节至第2047字节的每一修正而设置的信息内容264的含意。不仅在作为不同类型介质的可重写信息存储介质和一次写入型信息存储介质中、而且在具有不同修正的相同类型的介质中，能够针对从第512字节至第2047字节的每一修正而唯一地设置的信息内容264允许在各个字节位置的记录信息内容具有不同的含义。
下面将描述信息记录/重放设备的一个实际实施方法。版本工作簿或修正工作簿既描述从″H→L″记录膜的重放信号特征和从″L→H″记录膜的重放信号特征，又描述每一种都在图18中以PR均衡电路130和维特比解码器156配备的两种不同方式的配套电路。当把信息存储介质装入信息重放单元141中时，首先启动用于读出该系统导入区SYLDI中的信息的限制电平检测电路132。此限制电平检测电路132读出记录在第192字节的记录标记的极性信息(″H→L″或″L→H″的识别信息)，以便确定是″H→L″还是″L-H″，并且在PR均衡电路130和维特比解码器156中的电路随后根据该确定结果被切换。在此之后，重放记录在数据导入区DTLDI或数据区DTA中的信息。利用上述方法，能够相对早和相对精确地读出该数据导入区DTLDI或数据区DTA中的信息。该第17字节描述指定最高的记录速度的修正数值信息，并且第18字节描述指定最低记录速度的修正数值信息。但是，这两个信息片段仅仅是指定该最高和最低速度的范围信息。为了最稳定地记录信息，当进行记录时需要优化线速度信息。因此，此信息被记录在第193字节。
本实施例的下一个最大的特点在于，在第194字节的圆周方向中的光学系统的边缘强度值信息、以及在第195字节的径向中的光学系统的边缘强度值信息被分配作为在优先于包括在能够针对每一修正而唯一设置的信息内容264中的各类记录条件(写策略)的位置处的光学系统条件信息。这些信息片段意味着一个光头的光学系统的条件信息，以用于确定分配在这些信息片段之后的记录条件。边缘强度是指在被聚焦在信息存储介质的记录面上之前触及物镜的入射光的传播条件，并且被定义为 [当该入射光强度分布的中心强度是″1″时，在物镜边缘位置(光孔平面外圆周位置)的强度值] 该入射光至物镜的强度分布不具有一个点对称分布，而是椭圆形分布，并且信息存储介质在径向和圆周方向具有不同的边缘强度值。因此，记录两个不同的值。由于随着增加边缘强度值，该信息存储介质的记录面上的射束点的大小将变小，所以一个优化记录功率条件的改变将基本上取决于这一边缘强度值。由于该信息记录/重放设备预先知道其拥有的光头的边缘强度值信息，所以该设备读出在圆周方向和径向中的该光学系统的边缘强度值，将这些值记录在信息存储介质中，并将这些值与其拥有的光头的那些值比较。如果该比较结果没有大的差异，则该设备能够应用记录在这些值之后的记录条件。但是，如果该比较结果具有大的差异，则该设备将忽略记录在这些值之后的记录条件，并且必须通过自身使用该驱动测试带DRTZ进行尝试写入来开始确定一个优化记录条件。
以此方式，该设备需要尽快决定其是否使用记录在该边缘强度值之后的记录条件、或忽略该信息并开始通过进行自身的尝试写入来确定一个优化记录条件。通过把用于确定该推荐的记录条件的该光学系统的条件信息指定在该记录条件的记录位置之前的一个位置，能够首先读出该边缘强度信息，并能够快速确定被定位在边缘强度信息之后的记录条件是否能够被应用。
如上所述，本实施例结合以下两种版本工作簿来划分信息内容，即被发布来根据该内容的主要变化而改变一个版本的版本工作簿、以及被发布来根据例如记录速度之类的微小变化而改变一个修正的修正工作簿，并且本实施例能只发出一个修正工作簿，只一个每次增加记录速度时被更新的修正。因此，由于在修正工作簿中的记录条件将根据不同的修正数值变化，所以与该记录条件(写策略)相关的信息被主要地记录在该信息内容264中，该信息内容264能够针对从第512字节至第2047字节的每一修正而唯一地设置。
在该一次写入型信息存储介质上，除了物理格式信息PFI(HDDVD族的共用信息的复制)之外，记录在数据导入区DTLDI的R-物理信息带RIZ中的R-物理格式信息还记录该边界带的开始位置信息(第一边界的最外围地址)。图19-(d)或图20-(d)示出的入边界BRDI中的更新的物理格式信息U_PFI除了记录该物理格式信息PFI(HD DVD族的共用信息的复制)之外还记录更新的开始位置信息(自身边界的最外围地址)。更新的开始位置信息被分配在从第256字节至第263字节的位置，该位置作为在与例如峰值功率、偏置功率1等相关的信息(能够针对每一修正唯一地设置的信息内容264)之前的位置，作为该边界带的开始位置，即在DVD族中的共用信息262之后的一个位置。
使用物理扇区号(PSN)或物理段号(PSN)来从第256字节至第259字节描述被分配在当前使用的(当前)有界区BRDA外侧的出边界BRDO的开始位置信息，该开始位置信息是作为与边界带的开始位置信息相关的详细信息内容，并且使用物理扇区号(PSN)或物理段号(PSN)来从第260字节至第263字节描述与将被使用的下一有界区BRDA相关的入边界BRDI的详细信息内容。
与该更新的开始位置信息相关的详细信息内容表明当设置一个新有界区BRDA时的最新的边界带位置信息。即，使用物理扇区号(PSN)或物理段号(PSN)来从第256字节至第259字节描述被分配在当前使用的(当前)有界区BRDA外侧的出边界BRDO的开始位置信息，并且使用物理扇区号(PSN)或物理段号(PSN)在从第260字节至第263字节来描述与将被使用的下一有界区BRDA相关的入边界BRDI的详细信息内容。当下一有界区BRDA是不可记录的有界区时，这一区(从第260字节至第263字节)全部用″00h″填充。
相反，在一次写入型信息存储介质上的R-物理格式信息R_PFI记录了在该对应有界区BRDA中已经记录数据的最后位置信息。
而且，一次写入型信息存储介质还在作为从重放光学系统前侧看到的一个层的″层0″中记录了该最后地址信息，并且该可重写信息存储介质还记录了在槽岸和沟槽区之间的开始位置信息的各个信息段的差值信息。
如图19-(d)所示，记录管理带RMZ的复制信息还被记录在出边界BRDO中，来作为该记录管理带中的记录内容的复制信息C_RMZ。如图17-(b)所示，在这一记录管理带RMZ中，记录着具有与物理段块的数据量相同的记录管理数据RMD。记录管理数据RMD内容的每次更新，都能在该数据之后附加记录新记录管理数据RMD。该记录管理数据RMD被进一步分成一些精确RMD字段信息RMDF的片段，每一片段都有2048字节的大小。记录管理数据中的前2048字节被作为保留区。
在下一个2048字节大小的RMD字段0中，顺序地分配了记录管理数据格式码信息、介质状态信息、数据区DTA的分配位置信息以及最新(更新)数据区DTA的分配位置信息、以及记录管理数据RMD的分配位置信息，该介质状态信息表明该目标介质是否为(1)未记录状态、(2)在最终完成之前的记录中间状态、或(3)最终完成之后的状态。数据区DTA的分配位置信息记录了该数据区DTA的开始位置信息和在初始状态中的用户数据的可记录范围的最后位置信息，该初始状态是表明在初始状态中的用户数据一次写入可记录范围的信息。
在图18所示的信息重放设备或信息记录/重放设备中，摆动信号检测器135还用于使用推挽信号来检测循轨误差。循轨误差检测电路(摆动信号检测器135)能够在0.1≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.8的作为推挽信号(I1-I2)PP/(I1+I2)DC的值的范围内稳定地执行循轨误差检测。尤其是此电路能够针对″H→L″记录膜在0.26≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.52的范围内、以及针对″L→H″记录膜在0.30≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.60的范围内更稳定执行循轨误差地检测。
因此在本实施例中，推挽信号指定了在0.1≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.8范围内的信息存储介质特性(根据本发明的另一实施例，针对″H→L″记录膜的范围是 0.26≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.52，针对″L→H″记录膜的范围是0.30≤(I1-I2)PP/(I1+I2)DC≤0.60)。指定上述范围来在数据导入区DTLDI或数据区DTA、以及数据导出区DTLDO中的已记录位置(其中形成了记录标记的位置)和未记录位置(其中没有形成记录标记的位置)保持。但是本发明不是局限于此，并且该范围可被指定来只在已记录位置(其中形成了记录标记的位置)或只在未记录位置(其中没有形成记录标记的位置)保持。
在本实施例的一次写入型信息存储介质上，由于在预制沟槽区(由于在预制沟槽区上形成记录标记)上进行循轨，所以一个轨道上(on-track)信号是指在该预制沟槽区上进行循轨时的一个检测信号电平。即，该轨道上信息是指在轨道回路ON时的一个未记录区的信号电平(Iot)沟槽。但是，本发明并不是说该记录标记只能形成在预制沟槽区上，而是记录标记能够被形成在相邻的预制沟槽区之间。在此情况下，″沟槽″可以被叫做″槽岸″。
该R-物理格式信息R_PFI记录表示数据区DTA的开始位置信息的物理扇区号(030000h)，并且还记录表示在对应于有界区的最后的R带中的最后记录位置的物理扇区号。
该更新的物理格式信息U_PFI记录表示数据区DTA的开始位置信息的物理扇区号(030000h)，并且还记录表示在对应于有界区的最后的R带中的最后记录位置的物理扇区号。
位置信息的这些片段可以如另-实施例那样使用数据块地址号取代物理扇区号来描述。如稍后将描述的那样，32个扇区形成一个ECC块。因此，配置在特定ECC块的头部的一个扇区的物理扇区号的低5位与配置在相邻ECC块的头部位置的一个扇区的扇区号相匹配。当该物理扇区号被设置成使得一个扇区的物理扇区号的低5位被配置在一个ECC块中的头部时，包括在该同一ECC块中的全部扇区的物理扇区号的低第6或更高的位匹配。因此，通过消除包含在同一ECC块中的每一扇区的物理扇区号的低5位、并且只提取低第6或更高位的数据而获得的地址信息被定义为ECC数据块地址信息(或ECC数据块地址号)。如稍后将描述的那样，由于通过摆动调制所预记录的数据段地址信息(或物理段块号信息)与该ECC数据块地址匹配，所以当使用该ECC数据块地址号描述该记录管理数据RMD中的位置信息时，能够提供下列效果 (1)特别加速对未记录区的存取 ...这是因为，由于记录管理数据RMD中的位置信息单元匹配了由摆频调制预记录数据段地址的信息单元，因而促进了差值计算处理；并且 (2)能够降低该记录管理数据RMD中的管理数据的大小 ...这是因为，描述该地址信息所需要的位数能够被节省至每一地址5位。如将稍后描述的那样，物理段块长度匹配数据段长度，并且用于ECC块的用户数据被记录在一个数据段中。因此，作为地址表达，使用的表达有″ECC数据块地址号″、″ECC数据块地址″或″数据段地址″、″数据段号″、″物理段块号″等，但它们具有同义词的含义。
记录在RMD字段0中的记录管理数据RMD的分配位置信息记录了该记录管理带RMZ的设置大小信息，该记录管理带RMZ能够使用一个ECC块单元或物理段块单元来依次附加记录这一位置管理数据RMD。如图17-(b)所示，由于针对每一物理段块来记录一个记录管理带RMD，所以能够根据此信息来确定能够附加记录在该记录管理带RMZ中的更新记录管理数据RMD的数量。随后，记录该记录管理带RMZ中的当前记录管理数据数量。此当前记录管理数据数量是指该记录管理带RMZ中已记录的记录管理数据RMD的数量信息。例如，如图17-(b)所示的示例那样，假定此信息是记录管理数据RMD#2中的信息，由于此信息指示了记录在记录管理带RMZ中的第二记录管理数据RMD，所以在此栏中记录一个值″2″。随后，记录该记录管理带RMZ中的剩余量信息。此信息是指能被进一步附加记录在该记录管理带RMZ中的记录管理数据RMD的数量的信息，并使用一个物理段块单元(＝ECC块单元＝数据段单元)描述。在这三个信息片段当中，保持着关系 [RMZ的设置大小信息]＝[当前记录管理数据数量]+[RMZ中的剩余量]。
本实施例的特点在于，在该记录管理带RMZ中的该记录管理数据RMD的已使用的大小或剩余大小信息被记录在记录管理数据RMD的记录区域中。
例如，当在一次写入型信息存储介质中记录全部信息片段时，只需要记录一次记录管理数据RMD。但是当在一次写入型信息存储介质中通过很频繁地重复用户数据的附加记录来记录信息时，必须针对每一附加记录来附加记录该更新的记录管理数据RMD。在此情况中，当频繁地附加记录该记录管理RMD时，图17-(b)所示的保留区273被用尽，并且该信息记录/重放设备需要适当地控制该保留区273。通过在记录管理数据RMD的记录带的记录管理带RMZ中记录该记录管理数据RMD的已使用量或剩余量信息，能够预先检测不允许在记录管理带RMZ中进一步附加记录的一种状态，并且该信息记录/重放设备能够较早地采取应对该状态的对策。
下面将描述以图18所示信息记录/重放设备来设置该扩展驱动测试带EDRTZ(图20-(b)、图19-(b))并在该带中进行尝试写入的处理方法的实例。
(1)一次写入型信息存储介质被装入该信息记录/重放设备。
→(2)烧录区BCA构成的数据被该信息记录/重放单元141所重放；该记录信息被传送给控制器143。→控制器143解译该传送的信息，核查是否进行下一步处理。
→(3)信息记录/重放单元141重放记录在系统导入区SYLDI的控制数据带CDZ中的信息，该重放信息被传送到控制器143。
→(4)控制器143把确定推荐记录状态时的边缘强度值与用于信息记录/重放单元141光头的边缘强度值比较，以便确定作出尝试输入所需的区容量。
→(5)信息记录/重放单元141重放记录管理数据中的信息，并将重放信息传送到控制器143。该控制器143解译在RMD字段4中的信息，以便查验是否存在(4)中确定的进行尝试写入所需的区容量的裕量空间。如果有裕量，则处理进到(6)步；否则，处理跳至(9)。
→(6)从已被用于驱动测试带DRTZ尝试写入的最后位置信息或从RMD字段4用于尝试写入的扩展驱动测试带EDRTZ，来确定当前尝试写入的开始位置。
→(7)从(6)确定的位置，对于(4)确定的量进行尝试写入。
→(8)由于作为(7)的处理的用于尝试写入的位置数量增加，所以其中被写入已用于尝试写入的位置的最后位置信息的记录管理数据RMD被暂存在存储器175中，并且该处理转到(12)。
→(9)该信息记录/重放单元141读取记录在RMD字段0中的″最新的用户数据可记录范围205的最后位置″信息，或以物理格式PFI记录在数据区DTA分配位置信息中的″用户数据一次写入可记录范围的最后位置信息″，并且控制器143还设置一个将被设置的新的扩展测试带EDRTZ的范围。
→(10)根据(9)的结果的RMD字段0中记录的″最新的用户数据可记录范围205的结束位置″信息，以及RMD字段4中扩展驱动测试带EDRTZ的附加设置计数信息被递增1(即，计数被加“1”)。此外，添加了将被设置的新扩展驱动测试带EDRTZ的开始/结束位置信息的记录管理数据RMD被暂存在存储器175中。
→(11)处理转到(7)再转到(12)。
→(12)在作为(7)的尝试写入结果而获得的最佳记录状态下，所需的用户信息被附加记录在用户数据一次写入可记录范围205中。
→(13)存储单元175暂存记录管理数据RMD，通过在根据(12)新产生的R区中附加记录开始/结束位置信息来更新该记录管理数据RMD。
→(14)该控制器143控制信息记录/重放单元141来将暂存在存储器175中的最新的记录管理数据RMD附加地记录在该记录管理带RMZ的保留区273(例如，图17-(b))中。
能够从″记录在最后设置的记录管理带RMZ中的最后记录管理数据RMD″中的信息获得指示本实施例的一次写入型信息存储介质上的最后记录位置的物理段号(PSN)或物理扇区号的信息。即，由于该记录管理数据RMD包括该第n个″完成R带″的结束位置信息(物理扇区号)或RMD字段7或随后字段中描述的″表示在第n个R带中的最后记录位置的物理扇区号LRA″的信息，所以从记录在最后设置的扩展RMZ中的最后记录管理数据RMD(见图17-(b)中的RMD#3)中读出该最后记录位置的物理扇区号或物理段号(PSN)，并且能够从该结果检测该最后的记录位置。
由于该信息重放设备使用DPD(差值相位检测)方法取代推挽方法，所以能够只在形成凸纹凹坑或记录标记的一个区上执行循轨控制。为此原因，信息重放设备无法存取一次写入型信息存储介质的一个未记录区，并且无法重放包括该未记录区的RMD复制带RDZ的内容。结果是，该信息重放设备不能重放记录在该带中的记录管理数据RMD。相反，由于该信息重放设备能够重放物理格式信息PFI、R-物理信息带R-PFIZ、以及更新的物理格式信息UPFI，所以其能够搜索最后记录位置。
在该信息重放设备重放该系统导入区SYLDI中的信息之后，该信息重放设备读出记录在该R-物理信息带R-PFIZ中的已存在信息(即已记录)数据的最后位置信息(在表格3中描述的″指示对应有界区的最后R带中的最后记录位置的物理扇区号″的信息)。结果是，该信息重放设备能够检测该有界区BRDA#1的最后位置。在该信息重放设备确认了在紧接该有界区BRDA#1之后分配的出边界BRDO的位置之后，该信息重放设备能够读出记录在入边界BRDI中的更新的物理格式信息UPFI，该入边界BRDI紧接在该出边界BRDO之后被记录。
表3数据区DTA的分配位置信息的内容 代替使用表3中描述的“对在对应有界区中最后R带中的最后记录位置进行指示的物理扇区号”的方法，可使用“指示边界带开始位置(如图20-(c)所示，这个开始位置是指出边界BRDO的位置)的物理扇区号PSN”的信息来访问出边界BRDO的开始位置。
接着，访问已记录数据的最后位置来读取更新的物理格式信息UPFI中已记录数据的最后位置信息(表3)。对用于读取在更新的物理格式信息中记录的“最后记录的物理扇区号或物理段号(PSN)的信息”和用于根据所读取信息来访问最后记录的物理扇区号或物理段号(PSN)的处理进行重复，直到到达最后R带中最后记录的物理扇区号PSN。即，检查访问之后所到达的信息读取位置是否真正是最后记录在最后R带中的位置。如果访问之后所到达的位置不是最后记录的位置，则重复上述访问处理。对于R物理信息带R-PFIZ，可使用更新的物理格式信息UPFI中的“指示边界带开始位置的更新的物理扇区号或物理段号(PSN)的信息”来搜索在边界带(入边界BRDI)中记录的更新的物理格式信息UPFI的记录位置。
如果发现了最后R带中最后记录的物理扇区号(或物理段号)的位置，则信息重放设备从紧接在出边界BRDO之前的位置开始重放。之后，信息重放设备到达最后记录位置，同时顺序地从头部开始重放最后有界区BRDA的内容。随后，该设备确认最后出边界BRDO的位置。在本实施例中描述的一次写入型信息存储介质上，没有记录记录标记的未记录区一直连续到最后出边界BRDO之外的数据导出区DTLDO的位置。信息重放设备不在一次写入型信息存储介质上的未记录区上执行循轨，并且其上没有记录物理扇区号PSN的信息。因此，对于信息重放设备就可以在最后出边界BRDO之后的位置重放信息。由于这个原因，该设备在到达最后出边界位置时结束访问处理并继续重放处理。
下面将使用表4描述记录管理数据RMD中的信息内容更新定时(更新条件)。对于更新记录管理数据RMD的信息有五个不同条件。
表4更新记录管理数据RMD的条件 注释1在一次写入型信息存储介质上进行一系列记录处理的期间，RMD不需要更新 (条件1a)当RMD字段“0“中的盘状态信息改变时 ...注意，在对结束符(最后记录的出边界BRDO之后(在外圆周侧上)记录的“结束位置信息”)进行记录时，跳过记录管理数据RMD的更新处理。
(条件1b)当在RMD字段“1”中规定的内部或外部测试带地址改变时 (条件2)当在RMD字段“3”中规定的出边界区BRDO的开始物理扇区号或开放(附加可记录)扩展RMZ号改变时 (条件3)当在RMD字段“4”中的下列信息片段之一改变时 (1)未指定R带数量、开放R带数量和完成R带数量的总数 (2)第一开放R带数量 (3)第二开放R带数量 注意，在本实施例中，在HD DVD-R之类的一次写入信息存储介质上(由盘驱动器)进行一系列信息记录操作时期的期间RMD不需要更新。例如，在记录视频信息时，必须保证连续记录。如果在视频信息记录期间更新了记录管理数据RMD(如果访问控制进行到记录管理数据RMD的位置来更新记录管理数据RMD)，则由于此时视频信息的记录被中断，因此不能保证连续记录。因此，通常的惯例是在视频记录完成之后更新RMD。然而，当一系列视频信息记录操作持续了实在太长的时间时，此时在一次写入型信息存储介质上的最后记录的位置与已经记录在一次写入型信息存储介质上的记录管理数据RMD中的最后位置信息差异很大。这时，当由于连续记录期间任何异常情况导致强制终止信息记录/重放设备(盘驱动器)时，“记录管理数据RMD中的最后位置信息”与紧接强制终止之前的记录位置之间的间断变得非常的大。因此，在复原信息记录/重放设备之后与紧接在强制终止之前的记录位置相对应的“记录管理数据RMD中的最后位置信息”的数据恢复会变得难以达到。因此，本实施例进一步添加了以下更新条件。
(条件4)当记录在最后记录管理数据RMD中的“指示R带中最后记录位置的物理扇区号LRA”与在连续记录期间相继地改变的“此时R带中最后记录的位置的物理扇区号PSN”之间的差(差值“PSN-LRA”)超过8192时(记录管理数据RMD的信息被更新) ...注意，当上述在“(条件1b)”或“(条件4)”中记录管理带RMZ中未记录的保留区273的大小等于或小于四个物理段块(4×64KB)时，更新被跳过。
下面将描述扩展记录管理带。本实施例规定记录管理带RMZ的如下三个分配位置。
(1)在数据导入区DTLDI中的记录管理带RMZ(L-RMZ) 如图20-(b)可见，在本实施例中，数据导入区DTLDI中的一部分一般使用在对应于第一有界区的入边界BRDI。因此，如图17-(b)所示，要记录在对应于第一有界区的入边界BRDI中的记录管理带RMZ被提前设置在数据导入区DTLDI中。在此记录管理带RMZ中的结构允许为每个64KB(一个物理段块的大小)顺序地附加记录记录管理数据RMD，如图17-(b)所示。
(2)在入边界BRDI中的记录管理带RMZ(B-RMZ) 本实施例的一次写入型信息存储介质在专用重放设备重放所记录的信息之前需要边界关闭处理。在边界关闭处理之后记录新信息时，必须设置新的有界区。在该新的有界区BRDA之前的位置设置入边界BRDI。由于在最后记录管理带中的未记录区(图17-(b)所示的保留区273)在边界关闭处理的阶段被关闭，因此，必须设置新的区(记录管理带RMZ)，其用来记录对新有界区BRDA中记录的信息的位置进行指示的记录管理数据RMD。本实施例的重大典型特征在于在新设置的入边界BRDI中设置了记录管理带RMZ。在此边界带中的记录管理带RMZ中的结构与“对应于第一有界区的记录管理带RMZ(L-RMZ)”的结构相同。作为记录在此带中的记录管理数据RMD中的信息，不仅记录了与相应有界区BRDA中记录的数据相关联的记录管理数据，而且还一起记录了与之前有界区BRDA中记录的数据相关联的记录管理信息。
(3)在有界区BRDA中的记录管理带RMZ(U-RMZ) 只有形成了新的有界区BRDA时，才能设置(2)中入边界BRDI中的RMZ(B-RMZ)。由于限制了第一有界区管理带RMZ(L-RMZ)的大小，因此重复附加记录之后保留区273被用完，并且不可能附加记录新的记录管理数据RMD。为解决此问题，在本实施例中，确保用来在有界区BRDA中记录记录管理带RMZ的新R带，从而可以进一步附加记录。即，以“有界区中的记录管理带RMZ(U-RMZ)”来设置一个特殊R带。
在本实施例中，新的“有界区BRDA中的记录管理带RMZ(U-RMZ)”不仅可以在第一有界区记录管理带RMZ(L-RMZ)中的未记录区(保留区273)的剩余大小变小时被设置，而且可以在“入边界BRDI中的记录管理带RMZ(B-RMZ)”或者已经设置的“有界区BRDA中的记录管理带RMZ(U-RMZ)”中的未记录区(保留区273)的剩余大小变小的时候被设置。
在有界区BRDA中的记录管理带RMZ(U-RMZ)中记录的信息内容具有与在如图17-(b)所示数据导入区DTLDI中的记录管理带RMZ(L-RMZ)中相同的结构。作为在此带中记录的记录管理数据RMD中的信息，不仅记录了与相应有界区BRDA中记录的数据相关联的记录管理数据，还一起记录了与先前的有界区BRDA中记录的数据相关联的记录管理信息。
对于这些种类的记录管理带RMZ， 1.在记录用户数据之前提前设置数据导入区DTLDI中的记录管理带RMZ(L-RMZ)的位置。然而，在本实施例中，由于 2.在入边界BRDI中的记录管理带RMZ(B-RMZ)和 3.在有界区BRDA中的记录管理带RMZ(U-RMZ) 都由信息记录/重放设备按照用户数据记录(附加记录)状态来适当地设置(扩展)，因此这些带将被称为“扩展记录管理带RMZ”。
当在当前使用的记录管理带RMZ中的未记录区(保留区273)变得等于或小于15个物理段块(15×64KB)时，可设置有界区BRDA中的记录管理带RMZ(U-RMZ)。在设置时有界区BRDA中记录管理带RMZ(U-RMZ)的大小是128个物理段块的大小(128×64KB)，并且把该带定义为专用于记录管理带RMZ的R带。
由于本实施例的一次写入型信息存储介质可设置三种记录管理带RMZ，因此允许每个一次写入型信息存储介质存在非常多的记录管理带RMZ。因此，本实施例执行以下处理以便容易地搜索到最后记录管理带RMZ的记录位置。
(1)在设置新的记录管理带RMZ时，在迄今所使用的记录管理带RMZ中多次记录最后记录管理数据RMD，所以迄今所使用的记录管理带RMZ不包括任何未记录区。(这使得可以鉴别该记录管理带RMZ是当前使用的还是一个记录管理带被设置在新的位置。) (2)每当设置新记录管理带RMZ时，在RMD复制带RMZ中记录最后记录管理数据RMD的复制信息48。这使得可以容易地搜索当前使用的记录管理带RMZ的位置。
本实施例的一次写入型信息存储介质允许存在许多未记录区。然而，由于专用的重放设备使用DPD(差分相位检测)方法用作循轨误差检测，因此不能在未记录区上执行循轨。因此，边界关闭处理必须在由专用重放设备对一次写入型信息存储介质进行重放从而还不存在未记录区之前执行。
下面将详细描述基准码带RCZ中记录的基准码的样式内容。现有DVD采用将8位数据转换成16通道位的“8/16调制”方法作为调制方法，并且把重复样式“00100000100000010010000010000001”用作基准码样式来作为调制后记录在信息存储介质上的通道位序列。相反，本实施例使用将8位数据调制到12通道位的ETM调制来应用于RLL(1，10)的扫描宽度限制，并在从数据导入区DTLDI、数据区DTA、数据导出区DTLDO、和中间区MDA的信号重放中采用PRML方法。因此，必须设置对于调制规则和PRML检测最佳的基准码样式。根据RLL(1，10)的扫描宽度限制，当“d＝1”时“0”扫描的最小值是重复样式“10101010”。如果从代码“1”或“0”到下一相邻代码的距离是“T”，则在上面样式中的相邻的“1”之间的距离是“2T”。
在本实施例中，为了得到高密度的信息存储介质，由于在光头(包括在图18中的信息记录/重放单元141中)中的物镜的MFT(调制转换函数)特性的截止频率的附近存在有来自“2T”重复样式(“10101010”)的重放信号，因此几乎得不到调制度(信号幅度)。因此，当来自“2T”重复样式(“10101010”)的重放信号用作在信息重放设备或信息记录/重放设备的电路调整中使用的重放信号时，噪声的影响很大，导致很差的稳定性。因此，期望在根据RLL(1，10)的扫描宽度限制执行了调制之后，使用具有针对信号的次最高密度的“3T”样式来执行电路调整。
考虑到重放信号的DSV(数字累加值)值，DC(直流)值的绝对值与紧接在“1”之后出现的直到下一个“1”的“0”扫描计数成比例地增加，并被添加到紧接的前一DSV值。要添加的此直流值的极性在每次出现“1”时被反转。因此，通过在ETM调制之后在12通道位序列中把DSV值设置成“0”来作为在包括连续基准码的通道位序列之后把DSV值设置成“0”的方法，在ETM调制之后出现在12通道位序列中的“1”的存在数量被设置成奇数值，从而用在下一组12通道位的基准码单元中产生的DC分量来抵消在一组包括了12通道位的基准码单元中产生的直流分量，从而增加了基准码样式设计中的自由度。因此，在本实施例中，在ETM调制之后出现在包括12通道位序列的基准码单元中的数字“1”被设置成奇数值。
本实施例采用了标记边缘记录法，该方法中“1”的位置与记录标记或凸纹凹坑的边界位置相匹配。例如，当持续“3T”重复样式(“100100100100100100100”)时，凸纹凹坑的长度以及相邻凸纹凹坑之间的间距长度根据记录条件或主要准备条件通常可以有轻微的差异。当使用PRML检测方法时，重放信号的电平值非常重要。因此，即使当记录标记或凸纹凹坑的长度以及它们之间间距的长度有轻微差异时，也必须以电路的方式来校正此轻微差异，这样来获得稳定、精确的信号检测。因此，用于最佳调整电路常数的基准码包括“3T”长度的记录标记或凸纹凹坑以及“3T”长度的间距，以提高电路常数的调整精度。为此，当包括样式“1001001”来作为本实施例的基准码样式时，绝对有必要安排“3T”长度的记录标记或凸纹凹坑以及间距。
电路调整除了高密度样式(“1001001”)外还需要低密度样式。因此，考虑到上述需要，在ETM调制之后在12通道位序列中除开样式“1001001”之外的部分里产生低密度状态(包括许多“0”的扫描的样式)，并且“1”出现的数量设置成奇数值，基准码样式的最优条件是重复“100100100000”。为了在调制后设置通道位样式来得到上面的样式，使用由本实施例H格式规定的调制表(未示出)把调制前的数据字设置成“A4h”。此数据“A4h”(十六进制)对应于数据符号“164”(十进制)。
下面将描述根据上述数据转换规则的实际数据产生方法。在前述数据帧格式中，首先在主数据“D0到D2047”中设置数据符号“164”(＝“0A4h”)。接着，由初始预设数字“0Eh”来对数据帧1到15进行预加扰，由初始预设数字“0Fh”来对数据帧16到31进行预加扰。当对数据帧预加扰时，在根据数据转换规则加扰时它们被双重加扰(双重加扰恢复原始样式)，并且数据符号“164”(＝“0A4h”)保持完好。当对包括32个物理扇区的全部基准码进行预加扰时，DSV控制被禁用。因此，只有数据帧0没有被预加扰。加扰之后，在信息存储介质上记录调制的样式。
在本发明中，使用摆动调制来提前记录可记录(可重写或一次写入)型信息存储介质上的地址信息。本实施例的特征在于使用±90°(180°)相位调制作为摆动调制方法以及还采用NRZ(不归零)方法来把地址信息提前记录在信息存储介质上。将使用图22来给出详细说明。在本实施例中，对于地址信息，1个地址位(也称为地址符号)区511由四个摆动周期来表达，摆动的频率、幅度和相位在这1个地址位区511中的任何地方都相匹配。当持续相同值作为地址位值时，在各个1个地址位区511的边界(具有图22中的“三角形标记”)处持续同相状态；当一个地址位反转时，出现摆动样式的反转(180°相移)。
图18所示的信息记录/重放设备的摆动信号检测器135同时检测地址位区511的边界位置(具有图22中的“三角形标记”)和作为一个摆动周期的边界位置的槽位置512。摆动信号检测器135结合了PLL(锁相环)电路(未示出)，其同步地把PLL应用到地址位区511的边界位置和槽位置512两者。当地址位区511的边界位置或槽位置512偏离时，摆动信号检测器135由于脱离了同步而不能稳定地重放(解码)摆动信号。相邻槽位置512之间的间隔被称作槽间隔513，并且随着槽间隔513物理上越短，越容易取得PLL电路的同步，并可以稳定地重放摆动信号(来解码信息内容)。
如从图22可看出，当采用移向180°或0°的180°相位调制方法时，此槽间隔513匹配一个摆动周期。作为摆动调制方法，改变摆动幅度的AM(幅度调制)方法容易受到附着于信息存储介质的表面上的灰尘或划痕的影响。然而，由于相位调制检测了相位中的改变而不是信号幅度中的改变，因此它相对不容易受到附着于信息存储介质的表面上的灰尘或划痕的影响。以改变频率的FSK(移频键控)方法作为另一调制方法，槽间隔513相对于摆动周期而言很长，PLL电路的同步相对难以达到。因此，当由摆动相位调制来记录地址信息时，槽间隔很短，并可容易地将摆动信号同步。
如图22所示，二进制数据“1”或“0”分配给1地址位区511。图22示出本实施例的位分配方法。如图22的左侧所示，从一个摆动的开始位置向外圆周侧进行初始摆动的摆动样式称为一个NPW(正常相位摆动)，并被分配数据“0”。如右侧所示，从一个摆动的开始位置向内圆周侧进行初始摆动的摆动样式称为一个IPW(反向相位摆动)，并被分配数据“1”。
在本实施例中，如图23B和23C所示，预制沟槽区11的宽度Wg被设置为大于槽岸区12的宽度W1。因此，摆动检测信号的检测信号电平变低，C/N比下降，从而引起问题。为解决此问题，本实施例特征在于把非调制区设置为比调制区宽，以获得稳定的摆动信号检测。
下面将使用图24描述本实施例的H格式中的摆动地址格式。如图24-(b)所示，在本实施例的H格式中，七个物理段550到556形成一个物理段块。每个物理段550到556由17个摆动数据单元560到576组成，如图24-(c)所示。另外，摆动数据单元560到576由调制区以及其上形成了所有连续NPW的非调制区590和591组成，所述调制区形成了摆动同步区580、调制开始标记581和582、和摆动地址区586和587的任一个。图25A到25D示出各个摆动数据单元中调制区与非调制区的出现之比。在图25A到25D中示出的所有摆动单元中，调制区598由16个摆动形成，非调制区593由68个摆动形成。本实施例特征在于非调制区593比调制区598宽。通过设置更宽的非调制区593，摆动检测信号、写时钟、或重放时钟可以使用非调制区593来在PLL电路中稳定地同步。为了获得稳定的同步，非调制区593理想地比调制区598的宽度宽两倍或以上。
下面将描述在本发明的一次写入型信息存储介质的H格式中使用摆动调制的地址信息记录格式。在本实施例中的使用摆动调制的地址信息设置方法的最典型特征在于“使用同步帧长度433作为一个单元来完成分配”。一个扇区由26个同步帧形成，一个ECC块包括32个物理扇区。因此，一个ECC块包括832(＝26×32)个同步帧。
每个物理段被分成17个摆动数据单元(WDU)。对一个摆动数据单元的长度分配七个同步帧。
每个摆动数据单元#0 560到#11 571包括16个摆动的调制区598和68个摆动的非调制区592和593。本实施例的最典型特征在于非调制区592和593对调制区的占有率非常大。由于在非调制区592和593上沟槽或槽岸区总是以恒定频率摆动，因此使用这些非调制区592和593来应用PLL(锁相环)，并且可以稳定地提取(产生)在重放记录在信息存储介质上的记录标记时的基准时钟或在记录新记录标记时使用的记录基准时钟。
由于本实施例中非调制区592和593对调制区的占有率非常大，因此可以大大提高提取(产生)重放基准时钟的精度和提取(产生)稳定性或提取记录基准时钟的精度和提取(产生)稳定性。即，在根据摆动执行相位调制时，当重放信号通过带通滤波器来进行波形整形时，将发生这样的现象其中整形后的检测信号波形幅度在相变位置之前和之后变小了。因此，造成了如下问题。即，当由于相位调制而导致的出现相变点的频率变高时，波形幅度变化变大，时钟提取精度下降。相反地，当由于相位调制而导致的出现相变点的频率很低时，在容易发生摆动地址信息的检测之时，位产生移位。为解决此问题，本实施例通过以相位调制形成调制区和非调制区以及设置非调制区的高占有率来提高时钟提取精度。
在本实施例中，由于可预知调制区与非调制区之间的转换位置，因此选通非调制区来仅仅检测非调制区的信号以用于时钟提取，并从检测信号中提取时钟。尤其是当使用根据本实施例的记录原理以有机染料记录材料来形成记录层3-2时，在使用“3-2)本实施例中有机染料膜共有的基本特性描述”中的“3-2-D]与本实施例中预制沟槽形状/尺寸相关联的基本特性”中描述的预制沟槽形状/尺寸时，摆动信号相对难以提取。为解决此问题，由于非调制区592和593对调制区的占有率设置得很大，因此提高了摆动信号检测的可靠性。
在从非调制区592和593向调制区598过渡时，使用四个或六个摆动来设置作为调制开始标记的IPW区，并且摆动地址区(地址位#2到#0)出现在紧接检测到作为如图25C和25D所示摆动数据部分中调制开始标记的IPW区之后。图25A和25B示出与图26-(c)所示摆动同步区580相对应的摆动数据单元#0 560的内容，并且图25C和25D示出与图26-(c)所示从段信息727到CRC码726的摆动数据部分相对应的摆动数据单元的内容。图25A和25C示出与后面要描述的调制区的主要位置701相对应的摆动数据单元内容，并且图25B和25D示出与调制区的次要位置702相对应的摆动数据单元内容。如图25A和25B所示，在摆动同步区580中，对每个IPW区分配六个摆动，对以IPW区为界的NPW区分配四个摆动。如图25C和25D所示，在摆动数据部分，对IPW区和所有地址位区#2到#0分别分配四个摆动。
图26示出在一次写入型信息存储介质上与摆动地址信息中的数据结构相关联的实施例。图26-(a)示出在一次写入型信息存储介质上的摆动地址信息中的数据结构以作为对比。图26-(b)和26-(c)示出在一次写入型信息存储介质上与摆动地址信息中的数据结构相关联的不同实施例。
在摆动地址信息610中，使用12个摆动设置三个地址位(见图22)。即，四个连续摆动形成一个地址位。以这种方式，本实施例采用了其中针对每三个地址位来分配地址信息位置的结构。当摆动信息610的所有片段集中记录在信息存储介质中的一个位置上时，表面上形成灰尘或划痕时不能检测到所有信息片段。如本实施例中所述，在摆动数据单元560到576的一个中包括的每三个地址位(12个摆动)中分配摆动地址信息610的位置，并且即使在由于灰尘或划痕的影响而导致难以检测给定位置上的信息时，也可检测处另一信息。
由于分配了摆动地址信息610的位置，并且分配摆动地址信息610来完全针对每个物理段，因此可针对每个物理段检测地址信息。因此，在通过信息记录/重放设备进行访问时，可针对每个物理段检测当前位置。
由于本实施例采用NRZ方法，如图22所示，因此在摆动地址信息610中的四个连续摆动中相位从不改变。通过使用这个特性，设置了摆动同步区580。即，由于针对摆动同步区580设置了在摆动地址信息610中从不产生的摆动样式，因此可容易地识别摆动同步区580的分配位置。本实施例特征在于在摆动同步区580的位置把一个地址位设置来具有相对于摆动地址区586和587的除四个摆动以外的长度，其中摆动地址区586和587的每一个都由四个连续摆动形成一个地址位。更具体地说，在摆动同步区580中，设置了在摆动数据部分(图25C和25D)从不会发生的摆动样式改变，这与其中摆动位＝“1”的区(IPW区)被设置来与四个摆动不同(即，六个摆动→四个摆动→六个摆动)的情况相同，如图25A和25B所示。当采用改变摆动周期的方法时，如上所述，提供如下效果作为对摆动同步区580中摆动数据部分中从不产生的摆动样式进行设置的实际方法。
(1)可稳定地持续摆动检测(摆动信号的确定)而不中断与摆动的槽位置512(图22)相关联的PLL，该摆动检测在图18中的摆动信号检测器135内部执行。
(2)通过地址位边界位置的移位可容易地检测摆动同步区580和调制开始标记581和582，该检测在图18中的摆动信号检测器135内部执行。
本实施例的典型特征在于摆动同步区580形成来具有12个摆动周期并且摆动同步区580的长度匹配三个地址位长度，如图24所示。以这种方式，通过把一个摆动数据单元#0 560中的整个调制区(针对16个摆动)分配给摆动同步区580，更容易检测到摆动地址信息610的开始位置(摆动同步区580的分配位置)。摆动同步区分配在物理段中的第一摆动单元中。通过把摆动同步区580分配在物理段中的头部位置，可通过仅仅检测摆动同步区580的位置来提取物理段的边界位置。
如图25C和25D中所示，作为调制开始标记(见图22)的IPW区被分配在摆动数据单元#1561到#1571中地址位#2到#0之前的头部位置处。由于分配在它之前的位置处的非调制区592和593具有连续的NPW波形，因此如图18所示的摆动信号检测器135通过检测从NPW到IPW的转换位置来提取调制开始标记的位置。
作为参考，如图26-(a)所示的可重写型信息存储介质中的摆动地址信息610的内容记录了 (1)物理段地址601 ...用于指示在一个轨道中(在信息存储介质221中的一圈)的物理段号的信息。
(2)带地址602 ...指示信息存储介质221中的带编号。
(3)奇偶信息605 ...设置来检测从摆动地址信息610进行重放的错误并用来指示在地址位单元中通过单独添加从保留信息604到带地址602的14个地址位而获得的总和是偶数还是奇数的信息。奇偶信息605的值被设置来以使得通过对包括了该地址奇偶信息605这一个地址位的15个地址位的总体进行“或”运算所获得的结构变成“1”。
(4)统一区608 ...如上所述，把每个摆动数据单元设置来包括16个摆动的调制区598和68个摆动的非调制区592和593，从而把非调制区592和593对调制区598的占有率设置成非常大。另外，通过增加非调制区592和593的占有率，提高了提取重放基准时钟或记录基准时钟的精度和稳定性。在统一区608中，所有NPW区持续到形成具有一致相位的非调制区。
图26-(a)示出了分配给这些信息片段的地址位的数量。如上所述，摆动地址信息610的内容针对各三个位地址来分割，并且分配到各自摆动数据单元中。即使当由于信息存储介质的表面上的灰尘或划痕而发生突发错误时，错误遍布不同摆动数据单元的可能性也非常低。因此，尽可能减小了同样信息的记录位置扩展到不同摆动数据单元中的次数，从而使每个信息的分界位置与每个摆动数据单元的边界位置相匹配。以这种方式，即使当由于信息存储介质的表面上的灰尘或划痕而发生突发错误并且不能读取指定信息时，也可读取另外摆动数据单元中记录的另一信息来提高摆动地址信息的重放可靠性。
本实施例的最典型特征还在于在摆动地址信息610中最后分配统一区608和609，如图26-(a)到26-(c)所示。如上所述，由于统一区608和609中的摆动波形由NPW来定义，因此NPW主要在三个连续摆动数据单元中持续。通过利用此特征，在图18中的摆动信号检测器135可通过搜索其中NPW持续了三个摆动数据单元576的长度的位置来容易地提取在摆动地址信息610中最后分配的统一区608的位置。使用该位置信息，摆动信号检测器135可检测摆动地址信息610的开始位置。
对于如图26-(a)所示的各种信息，物理段地址601和带地址602指示了相邻轨道之间的相同值，同时沟槽轨道地址606和槽岸轨道地址608在相邻轨道之间改变它们的地址。因此，在记录了沟槽轨道地址606和槽岸轨道地址608的区中出现了不确定位区504。为了减少这种不确定位的频率，本实施例针对沟槽轨道地址606和槽岸轨道地址608使用格雷码来指示地址(编号)。格雷码表示当原始值改变了“1”时其转换之后仅仅改变“1位”的编码。以这种方式，减少了不确定位的频率，并且不仅可以从记录标记中稳定地检测摆动检测信号，还可以从中稳定地检测重放信号。
如图26-(b)和26-(c)所示，在一次写入型信息存储介质上，在物理段的头部位置分配摆动同步区680，以使得可以容易地检测物理段的头部位置或相邻物理段之间的边界位置。由于如图26-(d)所示的物理段的类型识别信息721以与前述摆动同步区580中摆动同步样式相同的方式来指示了在物理段中的调制区的分配位置，因此，可提前预知在相同物理段中的另一调制区598的分配位置，并且可以对检测将出现的调制区进行提前准备，从而提高调制区中的信号检测(确定)精度。
如图26-(b)所示的一次写入型信息存储介质上的层号信息722指示了单面单记录层或者在单面双记录层情况下的任一个记录层，并表示 ·当其为“0”时表示单面单记录层介质或在单面双记录层情况下的“L0”层(在激光束入射面上的前侧的层)；或者 ·当其为“1”时表示单面双记录层的“L1层”(在激光束入射面上的后侧的层)。
物理段次序信息724表示在单个物理段块中物理段的相关分配次序。如从与图26-(a)的比较可看出，在摆动地址信息610中的物理段次序信息724的头部位置与在可重写信息存储介质上物理段地址601的头部位置匹配。通过确定该物理段次序信息的位置与在可重写介质上的物理段次序信息的位置相一致，可提高不同介质类型之间的兼容性，并且在既可使用可重写信息存储介质也可使用一次写入型信息存储介质的信息记录/重放设备中可以使用其采用了摆动信号的普通地址检测控制程序，从而简化布置。
在图26-(b)中的数据段地址725使用数字来描述数据段的地址信息。如前面已经描述的那样，在本实施例中，32个扇区形成一个ECC块。因此，分配在指定ECC块中头部的扇区的物理扇区号的低5位与分配在相邻ECC块中的头部的扇区的扇区号相匹配。当分配在ECC块中的头部的扇区的物理扇区号被设置来使得其低5位为“00000”时，在相同ECC块中包括的所有扇区的物理扇区号的较低的第6位或更高位的值相匹配。因此，通过去掉在相同ECC块中包括的每个扇区的物理扇区号的低5位数据、并且仅仅提取较低的第5位或更高位的数据而获得的地址信息，被设置成ECC块地址(或ECC块地址号)。通过摆动调制提前记录的数据段地址725(或物理段块号信息)与ECC块地址相匹配。因此，如果由摆动调制的每个物理段块的位置信息显示为数据段地址，则与作为物理扇区号的显示相比该数据大小减小了5位，从而简化了访问时的当前位置检测。
如图26-(b)和26-(c)所示的CRC码726是用于从物理段的类型识别信息721到数据段地址725的24个地址位的CRC码(纠错码)，或者是用于从段信息727到物理段次序信息724的24个地址位的CRC码，并且即使当摆动调制信号被部分地错误读取时，也可由该CRC码726来进行部分的校正。
在一次写入型信息存储介质上，把与剩余15个地址位相对应的区分配到统一区609，并且由所有NWP来定义第12到第16的五个摆动数据单元的内容(不包括调制区598)。
在图26-(c)中的物理段块地址728是用于每个物理段块(其通过七个物理段形成一个单元)的地址，并且把用于在数据导入区DTLDI中的第一物理段块的物理段地址设置成“1358h”。该物理段块地址的值从数据导入区DTLDI中的第一物理段块到数据导出区DTLDO以及数据区DTA中的最后物理段块被顺序地加一。
物理段次序信息724代表在一个物理段块中的物理段的次序为第一物理段设置“0”，为最后物理段设置“6”。
在图26-(c)中所示的实施例特征在于物理段块地址728被分配在物理段次序信息724的头部位置。例如，一般与在RMD字段1中类似，使用此物理段块地址来管理地址信息。如图18所示的摆动信号检测器135首先检测如图26-(c)所示的摆动同步区580的位置，随后从紧接在摆动同步区580之后所记录的位置开始依次顺序地对信息解码。当物理段块地址分配在物理段次序信息724的头部位置时，由于不对物理段次序信息724解码就预先判定是否可检测物理段块地址，因此可提高使用摆动地址的可访问性。
本实施例特征还在于类型识别信息721被分配在紧接图26-(c)中摆动同步区580之后。如上所述，如图18所示的摆动信号检测器135首先检测如图26-(c)所示的摆动同步区580的位置，随后从紧接在摆动同步区580之后所记录的位置开始依次顺序地对信息解码。因此，通过把类型识别信息721分配在紧接摆动同步区580之后，由于可立即确认在物理段中调制区的分配位置，因此可以加速使用摆动地址的访问处理。
由于本实施例使用了H格式，因此摆动信号频率的预定值被设置成697kHZ。
下面将描述摆动检测信号的载波电平的最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)的测量实例。
由于本实施例的一次写入型存储介质使用了CLV(恒定线速度)记录方法，所以摆动相位根据轨道位置在相邻轨道之间变化。当相邻轨道之间的摆动相位同相时，摆动检测信号的载波电平变得最高，即，其采用了最大值(Cwmax)。另一方面，当相邻轨道之间的摆动相位反相时，摆动检测信号由于相邻轨道的串扰影响而变得最低，并采用了最小值(Cwmin)。因此，从内圆周开始以外圆周方向沿轨道循轨时，要检测的摆动检测信号的载波的幅度在四个轨道周期内变化。
在本实施例中，每四个轨道检测一次摆动载波信号来测量每四个轨道的最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)。一对最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)被存储为30或更多对数据。
使用以下计算公式，根据最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)的平均值来计算最大幅度(Wppmax)和最小幅度(Wppmin)。
在以下公式中，R是频谱分析器的终端电阻。下面将描述用于从Cwmax和Cwmin转换到Wppmax和Wppmin的公式。
在dBm单位系统中，使用0dBm＝1mW作为基准。产生电功率Wa＝1mW的电压幅值Vo由下式给出 Wao ＝IVo ＝Vo×Vo/R ＝1/1000W 因此，得到 Vo＝(R/1000)1/2 接着，由频谱分析器观察到的摆动幅度Wpp[V]与载波电平Cw[dBm]之间的关系如下。由于Wpp是正弦波，因此如果该幅度转化成均方根值时，得到 Wpp-rms＝Wpp/(2×21/2) Cw＝20×log(Wpp-rms/Vo)[dBm] 因此，得到 Cw＝10×log(Wpp-rms/Vo)2 因此，上述公式进行对数变换可得 (Wpp-rms/Vo)2 ＝10(Cw/10) ＝{[Wpp/(2×21/2)]/Vo}2 ＝{[Wpp/(2×21/2)]/(R/1000)1/2}2 ＝(Wpp2/8)/(R/1000) Wpp2 ＝(8×R)/1000×10(Cw/10) ＝8×R×10(-3)×10(Cw/10) ＝8×R×10(Cw/10)-3 Wpp＝{8×R×10(Cw/10)-3}1/2 (37) 如上所述，本实施例提供了以下效果。
(1)摆动检测信号的幅度最小值(Wppmin)与(I1-I2)pp之比作为循轨误差信号被设置成0.1或更多，可获得比循轨误差信号的动态范围充分大的摆动检测信号，并从而确保摆动检测信号的高检测精度。
(2)由于摆动检测信号幅度的最大值(Wppmax)与最小值(Wppmin)之比被设置成2.3或更小，因此可稳定地检测摆动信号，而不会受到来自相邻轨道的摆动串扰的任何大的影响。
(3)由于PRSNR值作为摆动信号的平方结果确保为26dB或更高，因此可确保具有高C/N比的稳定的摆动信号，从而提高摆动信号的检测精度。
本实施例的一次写入信息存储介质通过在沟槽区上形成记录标记采用了CLV记录方法。在此情况下，如上所述，由于相邻轨道的摆动槽位置有偏离，因此相邻摆动之间的干扰容易叠加在摆动重放信号上。为了消除此影响，本实施例设计来对调制区移位，从而使得相邻轨道之间不会互相重叠。
通过转换单个摆动数据单元中的位置来设置与调制区相关联的实际主要位置和次要位置。在本实施例中，由于把非调制区的占有率设置的高于调制区，因此通过仅仅改变单个摆动数据单元中的位置就可转换主要位置和次要位置。更具体地说，如图25A和25C所示，调制区598分配在一个摆动数据中的头部位置，并且如图25B和25D所示，调制区598分配在次要位置702处摆动数据单元560到571的每一个中的后半部位置。
在本实施例中，在图25中所示主要位置701和次要位置702的适合范围，即连续出现主要位置或次要位置的范围被指定为物理段的范围。即，如图26所示，提供了在单个物理段中调制区的三种(多种)分配模式。当图18中的摆动信号检测器135根据物理段的类型识别信息721的信息来识别物理段中调制区的分配模式时，可预知单个物理段中另一调制区598的位置。因此，可以提前准备对将出现的调制区的检测，从而提高调制区中的信号检测(确定)精度。
下面将描述如上所述的一种用于在其地址信息被提前记录的物理段或物理段块中记录前述数据段数据的方法。在可重写信息存储介质和一次写入信息存储介质两者上，在作为用于连续记录数据的单元的记录簇单元中记录数据。以这种方式，由于代表重写单元的记录簇具有由一个或多个数据段组成的结构，因此PC数据(PC文件)(其通常以小数据尺寸来频繁地重写)和AV数据(AV文件)(其一次性连续地把大容量的数据记录在单个信息存储介质上)的混合记录处理可以更加容易。更具体地说，作为用于个人计算机的数据，通常频繁地重写相对比较小尺寸的数据。因此，当把重写或附加记录数据单元设置得尽可能小时，可以提供适合于PC数据的记录方法。在本实施例中，由于32个物理扇区形成一个ECC块，因此其仅仅包括一个ECC块并用于执行重写或附加记录处理的数据段单元成为最小单元，其允许高效重写或附加记录处理。因此，本实施例的结构(其包括在代表重写单元或附加记录单元的记录簇中的一个或多个数据段)用作适合于PC数据(PC文件)的记录结构。作为AV(视听)数据，非常大的容量的视频信息和音频信息必须被没有中断地连续记录。在此情况下，把要连续记录的数据一起记录成为一个记录簇。如果随机移位量、数据段中的结构、数据段的属性等等对于记录AV数据时形成一个记录簇的每个数据段发生转换，则转换处理需要很长时间，并且难以达到连续记录处理。在本实施例中，由于通过连续布置相同格式的数据段(没有改变属性或随机移位量，也没有在相邻数据段之间插入任何指定信息)来形成记录簇，因此可提供适合于用来连续记录大量数据的AV数据记录的记录格式。同样，简化了记录簇的结构，以简化信息记录/重放设备或信息重放设备的记录控制电路和重放检测电路，从而减小信息记录/重放设备或信息重放设备的成本。只读信息存储介质和一次写入型信息存储介质都采用记录簇540中的相同数据结构(除开扩展保护字段528外)。由于数据结构对所有类型的信息存储介质是相同的，而不考虑只读/一次写入/可重写介质，因此确保了介质之间的可兼容性，并且可对信息记录/重放设备或信息重放设备的检测电路进行同一化，从而确保高重放可靠性并达到成本降低。
可重写介质的保护区包括后同步码区、额外区、缓冲区、VFO区、和预同步区，仅仅在连续记录结束位置处分配扩展保护字段。本实施例特征在于执行重写或附加记录处理以使得在背面的扩展保护字段和VFO区在重写处理时在重叠位置部分地互相重叠。通过执行重写或附加记录处理使得扩展保护字段和VFO区部分地互相重叠，可以防止相邻记录簇之间形成间隙(没有形成记录标记的区)以消除允许在单面双记录层上进行记录的信息存储介质上的层间串扰，从而稳定地检测重放信号。
本实施例的一个数据段中的可重写数据大小总计为 67+4+77376+2+4+16＝77469(数据字节) 一个摆动数据单元560由如下组成 6+4+6+68＝84(摆动) 如图30所示，17个摆动数据单元形成一个物理段550，并且七个物理段550到556的长度匹配一个数据段531的长度。因此，在一个数据段531的长度之内分配了 84×17×7＝9996(摆动) 因此，从上面的等式，一个摆动对应于 77496÷9996＝7.75(数据字节/摆动) 从物理段的头部位置起24个摆动之后，在下一VFO区522与扩展保护字段528之间出现了重叠部分。在此情况下，从物理段550的头部到第16个摆动，这些摆动落入摆动同步区580之内，但后续68个摆动落入非调制区590之内。因此，在24个摆动之后下一VFO区522与扩展保护字段528之间的重叠部分落入非调制区590之内。以这种方式，通过把数据段的头部位置放置在从物理段的头部位置起的24个摆动之后，不仅重叠部分落入非调制区590之内，而且可以确保摆动同步区580的适合的检测时间和记录处理的准备时间，从而保证稳定、精确的记录处理。
本实施例中可重写信息存储介质的记录膜使用相变记录膜。由于记录膜的劣化从相变记录膜上的重写开始/结束位置的附近开始，因此，如果在相同位置重复记录开始/记录结束，则由于记录膜的劣化而限制了重写次数。在本实施例中，为了减少上述问题，记录开始位置在重写时随机移位Jm+1/12个数据字节。
在上面的描述中，扩展保护字段的头部位置匹配VFO区的头部位置以说明基本原理。然而，严格地讲，VFO区的头部位置被随机地移位。
作为现有可重写信息存储介质的DVD-RAM盘使用相变记录膜作为记录膜，并随机地移位记录开始/结束位置来提高重写次数。在现有DVD-RAM盘上进行随机移位时的最大移位量范围被设置成8个数据字节。在现有DVD-RAM盘上的平均通道位长度(作为调制后要记录在该盘上的数据)被设置成0.143μm。在本实施例的可重写信息存储介质上，平均通道位长度是(0.087+0.093)÷2＝0.090(μm)。当把物理移位范围的长度设置为等于现有DVD-RAM盘的物理移位范围的长度时，在本实施例中作为随机移位范围的最小所需长度(使用上述值)为 8字节×(0.143μm÷0.090μm)＝12.7字节 在本实施例中，为了确保容易的重放信号检测处理，把随机移位量的单位设置成等于调制后的“通道位”。由于本实施例使用8位转换到12位作为调制结果的ETM调制(八到十二调制)，因此使用以下数据字节来数学地表达随机移位量 Jm/12(数据字节) 作为Jm可采用的值，使用上面的等式的值， 12.7×12＝152.4 因此，Jm落入从0到152的范围内。由于上述原因，在上述等式支持的范围内，随机移位范围的长度匹配现有DVD-RAN盘的随机移位范围的长度，并可保证与现有DVD-RAN盘的重写次数相同重写次数。在本实施例中，为了确保重写次数大于现有DVD-RAN盘的重写次数，向最小所需长度提供微小裕量来设置 随机移位范围的长度＝14(数据字节) 从这些等式，由于14×12＝168，因此Jm可采用的值设置成在 0到167之内。
如上所述，由于随机移位量设置成比Jm/12(0≤Jm≤154)大的范围，因此关于随机移位量的物理移位范围的长度匹配现有DVD-RAN的该长度，从而确保与现有DVD-RAN盘具有相同的重复记录次数。
在记录簇中的缓冲区和VFO区的长度是常数。在单个记录簇中所有数据段的随机移位量Jm在任何地方都具有相同的值。在连续记录包括大量数据段的一个记录簇时，从摆动来监视记录位置。即，在检测如图26-(a)到26-(c)所示摆动同步区580的位置和对图25B和25D所示非调制区592和593中的摆动计数的同时，执行对信息存储介质上记录位置的确认和执行记录。此时，由于旋转信息存储介质的旋转电动机的摆动计数错误或旋转不均衡，偶然会出现摆动滑移(以在移位了一个摆动周期的位置上记录)，并且信息存储介质上的记录位置移位了。本实施例的信息存储介质特征在于在检测以这种方式产生的记录位置移位时，在可重写介质的保护区中进行调整来校正记录定时。在本实施例中，已经说明了H格式，但是如在后面所描述的在B格式中也采用该基本原理。后同步码区、额外区、和预同步区记录了不允许位省略或复制的重要信息。然而，由于缓冲区和VFO区记录了特殊样式的副本，因此只要确保了副本边界位置，它们就允许仅仅一个样式的省略或复制。因此，在本实施例中，尤其在保护区中的缓冲区或VFO区中做出了调整，从而校正记录定时。
在本实施例中，作为位置设定的基准的实际开始点位置被设置成与摆动幅度“0”的(摆动中心)位置相匹配。然而，由于摆动位置检测精度很低，如描述为“±1max”，因此本实施例允许实际开始点位置具有最大值 达到“±1个数据字节”的移位量 令Jm作为数据段中的随机移位量(如上所述，在记录簇的所有数据段中的随机移位量相匹配)，并令Jm+1为随后要附加记录的数据段的随机移位量。作为在上面公式中Jm和Jm+1可采用的值，采用了中间值，即Jm＝Jm+1＝84。当实际开始点的位置精度足够高时，扩展保护字段的开始位置与VFO区的开始位置相匹配。
相反，当在极靠后位置记录数据段，并且在极靠前位置记录随后要附加记录或重写的数据段时，VFO区的头部位置可进入缓冲区最大15个数据字节。紧接在缓冲区之前的额外区记录特殊的重要信息。因此，在本实施例中，缓冲区长度需要 15个数据字节或更多 在本实施例中，添加了一个数据字节的裕量，并把缓冲区的数据大小设置成16个数据字节。
如果作为随机移位的结果在扩展保护字段与VFO区之间形成了间隙，则导致了在采用单面双记录层结构时所重放中的层间串扰。因此，即使进行了随机移位，扩展保护字段和VFO区也部分地互相重叠以不会形成任何间隙。因此，在本实施例中，扩展保护字段的长度必须设置成15个数据字节或更多。由于VFO区允许具有71个数据字节的充分大的长度，因此即使当扩展保护字段与VFO区之间的重叠区更宽一点的时候(由于保证了未重叠VFO区中充分长的时间来对重放基准时钟同步)，重放中也不会出现问题。因此扩展保护字段可以设置为具有大于15个数据字节的值。如上所述，在连续记录的情况下，偶然发生摆动滑移，记录位置移动一个摆动周期。由于一个摆动周期对应于7.75(≈8)个数据字节，因此本实施例把扩展保护字段的长度设置成 (15+8＝)23数据字节或更多 在本实施例中，如在缓冲区中那样为一个数据字节添加裕量，并把扩展保护字段的长度设置成24个数据字节。
必须精确设置记录簇541的记录开始位置。本实施例的信息记录/重放设备使用提前记录在可重写或一次写入型信息存储介质上的摆动信号来检测该记录开始位置。在除开摆动同步区以外的全部区中，样式从NPW到IPW改变了四个摆动。相反，由于摆动转换单元从摆动同步区中的四个摆动部分地移位，因此，可更加容易地检测摆动同步区的位置。因此，在检测摆动同步区的位置之后，本实施例的信息记录/重放设备执行记录处理的准备，并开始记录。为此，记录簇的开始位置必须位于紧接在摆动同步区之后的未调制区中。在此情况下，把摆动同步区分配在紧接物理段的转换之后。摆动同步区的长度总计为16个摆动周期。此外，考虑用于准备记录处理的裕量，需要八个摆动周期。因此，即使考虑随机移位，位于记录簇的头部位置处的VFO区的头部位置也必须分配在物理段转换位置之后24个或更多个摆动的位置处。
在重写处理时的重叠位置，记录处理重复了许多次。当重复重写处理时，摆动沟槽或摆动槽岸的物理形状发生改变(劣变)，摆动重放信号的质量从那里下降。在本实施例中，写入或附加记录处理时的重叠位置避免记录在摆动同步区和摆动地址区中，而是记录在非调制区中。由于给出的摆动样式(NPW)仅仅在非调制区内重复，因此即使在摆动重放信号质量部分劣变时，也可使用相邻摆动重放信号来插入劣变的摆动重放信号。由于重写或附加记录处理时的重叠位置设置到位于非调制区，因此可以避免摆动同步区或摆动地址区中由于形状劣变而引起的摆动重放信号质量的劣变，并且可以保证来自摆动地址信息的稳定的摆动检测信号。
已经大体描述了单面单层信息存储介质。下面将描述单面多层(此情况下是单面双层)一次写入型信息存储介质。将省略与单面单层介质相同构造的描述，仅仅说明不同之处。
《测量条件》 本规范确定了存储介质的特性，并且在存储介质的发行之前必须测试每个存储介质是否满足本规范。为此，需要用来测量盘特性的设备，本规范也确定了测量设备的测量条件。用来测量介质特性的光头的特性规定如下 波长(λ)405±5nm 偏振圆偏振光 偏振分束器使用 数值孔径0.65±0.01 在物镜的光瞳边缘的光强最大强度水平的55％到70％ 在穿过理想基片后的波前像差0.033λ(最大值) 在盘上的规格化检测器尺寸100＜A/M2＜144μm2 其中 A光头的中央检测器区 M从盘到检测器的横向放大率 在接近物镜侧的位置而不是焦点位置处必须设置光电检测器。这是为了确定光电检测器绝对必要地处在焦点位置之前，以抑制由于取决于光电检测器位置的层间串扰的影响所引起的检测值变动的产生。注意，焦点位置是在来自盘的反射光路中光学系统的图像点。
激光二极管的相对强度噪声(RIN)*-125dB/Hz(最大值)。
*RIN(dB/Hz)＝10log[(AC输出密度/Hz)/DC输出] 《单面双层一次写入型盘的断面结构》 图27是单面双层一次写入盘的断面图。单面双层盘具有在从物镜射出的激光束7的光入射平面(读取表面)一面由聚碳酸酯制成的第一透光基片2-3。该第一透光基片2-3具有对于激光束的波长的半透明性。该激光束波长为405(±5)nm。
在与第一透光基片2-3的光入射面相对的平面上形成第一记录层(层0)3-3。在第一记录层3-3上形成与记录信息相对应的凹坑。在第一记录层3-3上形成光半透明层4-3。
在光半透明层4-3上形成间隔层7。该间隔层7用作层1的透光基片，并且具有对于激光束波长的半透明性。
在与间隔层7的光入射面相对的表面上形成第二记录层(层1)3-4。在第二记录层3-4上形成与记录信息相对应的凹坑。在第二记录层3-4上形成光反射层4-4。在光反射层4-4上形成基片8。
《间隔层7的厚度》 该单面双层一次写入型盘中的间隔层7的厚度是25.0±5.0μm。如果间隔层7较薄就会使层间串扰较大，这使得难于制造。因此规定了一定厚度。在单面双层只读型存储介质中，间隔层7的厚度是20.0±5.0μm。因为一次写入型记录介质具有比只读型介质更大的层间串扰影响，所以该一次写入型介质的间隔层7被制成比只读型记录介质的稍微厚一点，并且规定间隔层7厚度的中心值为25μm或更大。
《包括双折射的反射率》 “H→L”盘的系统导入区和系统导出区的反射率是4.5％到9.0％，而“L→H”盘的系统导入区和系统导出区的反射率是4.5％到9.0％。
“H→L”盘的数据导入区、数据区、中间区和数据导出区的反射率是4.5％到9.0％，而“L→H”盘的数据导入区、数据区、中间区和数据导出区的反射率是4.5％到9.0％。
反射率越高越好，但它是有限制的，并且确定重复重放次数和重放信号特性来满足预定标准。由于层0的记录层必须是半透明的，因此它的反射率低于单层介质的反射率。
《层间串扰》 如上面所述，单面多层存储介质有从另一层反射来的光对重放信号有影响的问题。更具体地说，当重放一个层(例如，层1)时，如果在照射了层1的重放光束的其它层(例如层0)上的信号的记录状态发生了改变，则重放期间层1的信号由于层间串扰而偏移，从而出现问题。在层1上记录信号时，最佳记录功率根据层0已被记录还是仍未被记录而变化，从而出现另一问题。这些问题的发生是由于层0的存储介质透射比和反射率根据记录状态或非记录状态而改变，以及由于抑制光学相差而导致的对间隔层厚度增加的限制。物理地减小这些特性非常困难。为了解决这些问题，本发明的光盘的典型特征在于由于在每个层上形成余隙(记录状态恒定区)因此盘没有任何信号偏移。
《常规参数》 表5示出单面双层一次写入型盘的常规参数与单面单层一次写入型盘的常规参数比较。
表5一次写入型信息存储介质上的常规参数设置示例 (A)表示在系统导入区SYLDI和系统导出区SYLDO中的数值 (B)表示在数据导入区DTLDI、数据区DTA、中间区、和数据导出区DTLDO中的数值 单面双层一次写入型盘的常规参数除开以下几点之外基本与单层盘的常规参数相同。用户可使用的记录容量是30GB，数据区的内半径是24.6mm(层0)和24.7mm(层1)，数据区的外半径是58.1mm(层0和层1相同)。
《信息区的格式》 形成来扩展到两个层的信息区包括七个区系统导入区、连接区、数据导入区、数据区、数据导出区、系统导出区、和中间区。由于中间区形成在每个层上，重放光束可以从层0移动到层1(见图38)。数据区记录主数据。系统导入区包括控制数据和基准码。数据导出区允许连续、平滑的读出处理。
《导出区》 系统导入区和系统导出区包括由凸纹凹坑定义的轨道。层0的数据导入区、数据区、和中间区，以及层1的中间区、数据区、和数据导出区包括沟槽轨道。沟槽轨道从层0的数据导入区的开始位置持续到中间区的结束位置，还从层1的中间区的开始位置持续到数据导出区的结束位置。通过粘合单面双层盘，可形成具有两个读出表面的双面双层盘。
在系统导入区和系统导出区中的各个轨道被划分成数据段。
在数据导入区、数据区、数据导出区、和中间区中的轨道被划分成PS块。每个PS块分成七个物理段。每个物理段有11067个字节。
《导入区、导出区》 图35示出导入区和导出区的简图。导入区、导出区、和中间区的各个带和区的边界必须与数据段的边界相匹配。
在层0的内圆周侧上从最内圆周起依次形成系统导入区、连接区、数据导入区、和数据区。在层1的内圆周侧上从最内圆周起依次形成系统导出区、连接区、数据导出区、和数据区。以这种方式，由于包括管理区的数据导入区只形成在层0上，因此当层1最终完成时，层1的信息也被写入层0的数据导入区中。以这种方式，可通过启动时仅仅读取层0来获得管理信息的所有片段，而不需要读取层0和层1的每一个。为了在层1上记录数据，数据必须完全记录在层0上。在最终完成的时刻管理区被填满。
层0的系统导入区从内圆周侧起依次包括初始带、缓冲带、控制数据带和缓冲带。层0的数据导入区从内圆周侧起依次包括空白带、保护轨道带、驱动测试带、盘测试带、空白带、RMD复制带、L-RMD(记录位置管理数据)、R物理格式信息带、和基准码带。层0的数据区的开始地址(内圆周侧)由于余隙的存在而与层1的数据区的结束地址(内圆周侧)不同，层1的数据区的结束地址(内圆周侧)位于层0的数据区的开始地址(内圆周侧)的外圆周侧上。
层1的数据导出区从内圆周侧起依次包括空白带、盘测试带、驱动测试带、和保护轨道带。
空白带是其上形成沟槽但没有记录数据的带。保护轨道带记录用于测试的特殊样式，即调制前的数据“00”。形成层0的保护轨道带来在层1的盘测试带和驱动测试带上进行记录。因此，层0的保护轨道带对应于通过至少向层1的盘测试带和驱动测试带添加余隙所定义的范围。形成层1的保护轨道带来在层0的驱动测试带、盘测试带、空白带、RMD复制带、L-RMD、R物理格式信息带、和基准码带上进行记录。因此，层1的保护轨道带对应于通过至少向层0的驱动测试带、盘测试带、空白带、RMD复制带、L-RMD、R物理格式信息带、和基准码带添加余隙所定义的范围。
《轨道路径》 本实施例采用图37所示的相反轨道路径来保持从层0到层1的记录的连续性。在顺序的记录中，只有层0上的记录完成时才开始层1上的记录。
《物理扇区布局和物理扇区号》 每个PS块包括32个物理扇区。在针对单面双层盘的HD DVD-R上的层0的物理扇区号(PSN)在系统导入区中被相继地递增，并且范围从数据导入区的开始到中间区的结束，如图38所示。然而，层1的PSN采用对层0的PSN反转的位，并且从中间区的开始(外侧)向数据导出区的结束(内侧)以及从系统导出区的外侧向系统导出区的内侧相继地递增。
计算位反转的数值来使得位值“1”变成“0”(反之亦然)。其PSN进行了位反转的各个层的物理扇区具有离盘中心近似相同的距离。
其PSN为X的物理扇区被包括在具有PS块地址的PS块中，该PS块地址具有通过把X除以32并省略了分数而计算得出的值。
计算系统导入区的PSN来具有在系统导入区的结束位置处的物理扇区的PSN，该PSN为“131071”(01 FFFFh)。
计算除开系统导入区之外的层0的PSN来具有在数据导入区之后的数据区的开始位置处的物理扇区的PSN，该PSN为“262144”(040000h)。除开系统导出区，计算层1的PSN来具有在中间区之后的数据区的开始位置处的物理扇区的PSN，该PSN为“9184256”(8C2400h)。
《物理段结构》 数据导入区、数据区、数据导出区和中间区包括物理段。每个物理段由物理段次序和PS块地址来指定。
《导入区的结构》 图28示出层0的导入区的结构。在系统导入区中，从内圆周侧起依次分配系统导入区、初始带、缓冲带、控制数据带、和缓冲带。在数据导入区中，从内圆周侧起依次分配数据导入区、空白带、保护轨道带、驱动测试带、盘测试带、空白带、RMD复制带、数据导入区中的记录管理带(L-RMZ)、R物理格式信息带、和基准码带。
《系统导入区的详情》 初始带包括凸纹数据段。作为初始带的数据段而记录的数据帧的主数据被设置成“00h”。
缓冲带包括32个数据段，即1024个物理扇区。作为该带的数据段而记录的数据帧的主数据被设置成“00h”。
控制数据带包括凸纹数据段。每个数据段包括凸纹控制数据。控制数据包括192个数据段来具有PSN＝“123904”(01 E400h)作为开始点。
表6示出在控制数据带中的物理格式信息。
表6物理格式信息 注释BP0到BP31是DVD族共用的数据 BP32到BP2047是对每个块唯一的数据 下面将描述各个字节位置(BP)的功能。在BP132到BP154示出的读取功率、记录速度、数据区的反射率、推挽信号、和轨道上信号的值是示例。盘制造商可从满足凸纹信息规范的值以及记录之后的用户数据的特征值中选择它们的实际值。
表7示出在BP4到BP15中的数据区布置的详情。
表7数据区分配 BP149和BP152规定层0和层1的数据区的反射率值。例如，00001010b表示5％。实际反射率值由下式规定 实际反射率＝值×(1/2) BP150和BP153规定层0和层1的推挽信号值。位b7规定各个层的盘的轨道形状。位b6到b0规定推挽信号的幅度。
轨道形状0b(沟槽上的轨道) 1b(槽岸上的轨道) 推挽信号例如，010 1000表示0.40。
推挽信号的实际幅度由下式规定 推挽信号的实际幅度＝值×(1/100) BP151和BP154规定层0和层1的轨道上信号的幅度值。
轨道上信号例如，0100 0110b表示0.70。
轨道上信号的实际幅度由下式规定 轨道上信号的实际幅度＝值×(1/100) 《连接区》 形成层0的连接区以便连接系统导入区和数据导入区。其PSN＝“01 FFFFh”的系统导入区的结束物理扇区的中心线与其PSN＝“026B00h”的数据导入区的开始物理扇区的中心线之间的距离在从1.36到5.10μm的范围之内。在单层介质的情况下，上限值是10.20μm。这是因为由于存在层间串扰，双层介质应当有更小的距离。连接区既没有凸纹凹坑也没有沟槽。
《数据导入区的详情》 空白带的每个数据段没有记录任何数据。
在层1上记录之前，以“00h”填充保护轨道带的每个数据段。
准备盘测试带用于盘制造商进行质量测试。
准备驱动测试带来用于由驱动器执行的测试。该带必须从外部PS块记录到内部PS块。该带的所有数据段必须在盘最终完成以前进行记录。
RMD复制带包括RDZ导入，如图29所示。必须在记录L-RMZ的第一RMD之前记录RDZ导入。必须保留RMD复制带的其它字段并以“00h”来填充。RDZ导入具有64KB的大小，必须包括系统保留字段(48KB)和唯一ID(唯一标识符)字段(16KB)。系统保留字段的数据设置成“00h”。唯一ID字段包括八个单元，每一个都有大小为2KB的信息。每个单元包括驱动器制造商ID、序列号、型号、唯一盘ID、和保留字段。
在数据导入区中的记录管理带(L-RMZ)必须记录在从“03 CE00h”到“03 FFFFh”的PSN范围内。记录管理带RMZ包括记录管理数据RMD。在盘最终完成之前L-RMZ的未记录区必须记录来具有当前记录管理数据RMD。
在数据导入区中的记录管理数据RMD必须存储关于盘记录位置的信息。RMD的大小是64KB，图30示出了记录管理数据RMD的数据配置。
每个RMD必须包括2048字节的主数据，并且必须由预定信号处理来记录。
RMD字段0规定盘的一般信息，表8示出了此字段的内容。
表8 BP2的盘状态表示如下内容。
00h表示盘是空的 01h表示盘在记录模式1 02h表示盘在记录模式2 03h表示盘已经最终完成 08h表示盘在记录模式U 其它值保留。
BP3的填充状态的各个位表示如下内容。
b7...0b表示层0的内圆周侧保护带没有被填充 1b表示层0的内圆周侧保护带已经被填充 b6...0b表示层0的内圆周侧测试带没有被填充 1b表示层0的内圆周侧测试带已经被填充 b5...0b表示层0的RMD复制带没有被填充 1b表示层0的RMD复制带已经被填充 b4...0b表示层0的记录管理带没有被填充 1b表示层0的记录管理带已经被填充 b3...0b表示层0的外圆周侧保护带没有被填充 1b表示层0的外圆周侧保护带已经被填充 b2...0b表示层0的外圆周侧测试带没有被填充 1b表示层0的外圆周侧测试带已经被填充 b1...0b表示层1的外圆周侧保护带没有被填充 1b表示层1的外圆周侧保护带已经被填充 b0...0b表示层1的内圆周侧保护带没有被填充 1b表示层1的内圆周侧保护带已经被填充 RMD字段1包括确定最佳记录功率所需的最佳功率控制(OPC)相关信息。RMD字段1可记录系统中同时存在最多四个驱动器的OPC相关信息，如表9和10所示。
表9RMD字段1 表10RMD字段1 当驱动器数量是1时，在字段#1中记录OPC相关信息，其它字段设置成“00h”。在任何情况下，RMD字段1的未使用字段设置成“00h”。当前驱动器的OPC相关信息总是记录在字段#1中。如果当前驱动器的信息(驱动制造商ID、系列号、型号)不存储在当前RMD的字段#1中，则在当前RMD的字段#1到#3中的三组信息被分别复制到新RMD的字段#2到#4中，并丢弃当前RMD的字段#4中的信息。如果当前RMD的字段#1存储了当前驱动器信息，则更新字段#1中的信息，并把其它字段中的信息组复制到新RMD的字段#2到#4中。
在BP72到BP75、BP328到BP331、BP584到BP587以及BP840到BP843中层0的内圆周侧测试带地址 这些字段的每一个规定数据导入区中驱动测试带的最小PS块地址，该数据导入区已经被执行了最新功率校准。当当前驱动器在层0的内圆周侧测试带中没有执行功率校准时，当前RMD的层0的内圆周侧测试带地址被复制到新RMD的内圆周侧测试带地址中。如果这些字段被设置成“00h”，则此测试带没有被使用。
在BP76到BP79、BP332到BP335、BP588到BP591以及BP844到BP847中层0的外圆周侧测试带地址 这些字段的每一个规定层0的中间区中驱动测试带的最小PS块地址，该层0的中间区已经被执行了最新功率校准。当当前驱动器在层0的外圆周侧测试带中没有执行功率校准时，当前RMD的层0的外圆周侧测试带地址被复制到新RMD的外圆周侧测试带地址中。如果这些字段被设置成“00h”，则此测试带没有被使用。
在BP106、BP362、BP618、以及BP874中的测试带使用描述符 这些字段规定四个测试带的使用方法。
各个位被分配如下。
b7到b4...保留字段 b3...0b该驱动器没有使用层0的内圆周侧测试带。
...1b该驱动器使用了层0的内圆周侧测试带。
b2...0b该驱动器没有使用层0的外圆周侧测试带。
...1b该驱动器使用了层0的外圆周侧测试带。
b1...0b该驱动器没有使用层1的内圆周侧测试带。
...1b该驱动器使用了层1的内圆周侧测试带。
b0...0b该驱动器没有使用层1的外圆周侧测试带。
...1b该驱动器使用了层1的外圆周侧测试带。
在BP108到BP111、BP364到BP367、BP620到BP623以及BP876到BP879中的层1的内圆周侧测试带地址 这些字段的每一个规定数据导出区中驱动测试带的最小PS块地址，该数据导出区已经被执行了最新功率校准。当当前驱动器在层1的内圆周侧测试带中没有执行功率校准时，当前RMD的层1的内圆周侧测试带地址被复制到新RMD的内圆周侧测试带地址中。如果这些字段被设置成“00h”，则此测试带没有被使用。
在BP112到BP115、BP368到BP371、BP624到BP627以及BP880到BP883的层1的外圆周侧测试带地址 这些字段的每一个规定层1的中间区中驱动测试带的最小PS块地址，该层1的中间区已经被执行了最新功率校准。当当前驱动器在层1的外圆周侧测试带中没有执行功率校准时，当前RMD的层1的外圆周侧测试带地址被复制到新RMD的外圆周侧测试带地址中。如果这些字段被设置成“00h”，则此测试带没有被使用。
RMD字段2规定了用户专用数据。如果此字段没有被使用，则在每个字段中规定“00h”。BP0到BP2047是可用于用户专用数据的字段。
RMD字段3的所有字节被保留，并被设置成″00h″。
RMD字段4规定R带的信息。表11示出此字段的内容。保留来记录用户数据的一部分数据可记录区被称为R带。根据记录条件把R带分成两类。在开放R带中，可以添加用户数据。在完成R带中，不能添加用户数据。在数据可记录区中不能存在三个或更多的开放R带。不为数据记录保留的一部分数据可记录区被称为不可见R带。跟随R带之后的区可被保留为不可见R带。如果不能再添加数据，则没有不可见R带。
在BP0和BP1中的不可见R带的数目是不可见R带、开放R带和完成R带的总数。
表11RMD字段4 RMD字段5到21规定R带的信息。表12示出这些字段的内容。如果这些字段没有被使用，则所有字段被设置成″00h″。
表12RMD字段5到21 在数据导入区中的R物理格式信息带包括以PSN＝“261888”(03FF00h)为开始点的七个PS块(224个物理扇区)。在R物理格式信息带中的第一PS块的内容被重复七次。图31示出在R物理格式信息带中的PS块的配置。
表13示出在数据导入区中的物理格式信息。表13与示出系统导入区中物理格式信息的内容的表6相同。BP0到BP3的内容从在系统导入区中的物理格式信息复制而来。BP4到BP15中的数据区布局的内容不同于表13中的布局，并在表14中示出。BP16到BP2047的内容从系统导入区中的物理格式信息复制而来。
表13R物理格式信息 表14数据区分配 《中间区》 中间区的结构由中间区扩展而改变。如果用户记录的数据的容量很小，则通过扩展中间区可减小用于最终完成的哑数据大小，并可缩短最终完成时间。
图32示出中间区扩展的简图。后面将详细描述扩展的详情。图33和34示出扩展前后中间区的结构。扩展后的保护轨道带的大小取决于层0的数据区的结束PSN。表15示出值Y和Z作为保护轨道带中的物理扇区的数量。
表15保护轨道带的物理扇区数量 在层0上记录之前层0的保护轨道带的每个数据段必须填充“00h”。在盘最终完成之前层1的保护轨道带的每个数据段必须填充“00h”。
准备驱动测试带来用于由驱动器执行的测试。此带必须从外PS块记录到内PS块。层0的驱动测试带的所有数据段可以在记录到层1上之前填充“00h”。
准备盘测试带来用于由盘制造商进行质量测试。
空白带的每个数据段不包括任何数据。层0的最外空白带的大小必须等于或大于968个PS块。层1的最外空白带的大小必须等于或大于2464个PS块。
《导出区》 图35示出导出区的结构。在数据导出区中，从外侧依次分配数据导出区、保护轨道带、驱动测试带、盘测试带、和空白带。系统导出区包括系统导出带。
在盘最终完成之前保护轨道带的每个数据段必须填充“00h”。
准备驱动测试带来用于由驱动器执行的测试。该带从外PS块记录到内PS块。
空白带的每个数据段不记录任何数据。
《层1的连接区》 层1的连接区形成来以便连接数据导出区和系统导出区。在数据导出区的结束物理扇区的中心线与系统导出区的其PSN＝“FE 0000h”的开始物理扇区的中心线之间的距离需要落在从1.36到5.10μm的范围内。连接区既没有凸纹凹坑也没有沟槽。
在系统导出区中记录来作为物理扇区的数据帧的所有主数据必须设置成“00h”。
《格式化》 初始化 在用户数据记录到盘上之前，必须记录RMD复制带中的RMD导入并且必须选择记录模式。
中间区扩展 在层0的中间区上的记录之前，可执行中间区扩展。中间区扩展增大了中间区并同时减小了数据区。层0的数据区的缺省结束PSN是“73 DBFFh”，层1的数据区的缺省开始PSN是“8C 2400h”。在层0的中间区上记录之前，驱动器可重新为层0的数据区的新结束PSN分配“73 DBFFh”或更低的PSN。RMD字段的内容必须由中间区扩展来更新，并且除了在最终完成时重分配数据区之外，层0的数据区的新的结束PSN必须记录在R物理格式信息带中。
当执行中间区扩展且层0的数据区的结束PSN变成X(＜“73DBFFh”)时，X的位反转值必须是层1的数据区的开始PSN。另外，重分配中间区的保护轨道带、驱动测试带、和空白带(见图32)。
在层1记录之前的必要条件 在层1上记录之前，必须用“00h”填充在层0上的位于数据导入区和中间区内的保护轨道带以避免层0的影响(产生的层间串扰)。层0的中间区内的驱动测试带通常用“00h”填充。当这些带填充了“00h”时，必须更新RMD字段0的信息。
《数据导入区、数据区、中间区和数据导出区的操作信号的测量条件》 与单层介质相比，偏移消除器被加宽如下 -3dB闭环频带20.0kHz到25.0kHz 在单层介质中该频带是5kHz，但把它加宽来具有裕量。
《烧录区码(BCA)码》 BCA是完成盘制造处理之后的记录信息的区。当读出信号满足BCA码信号规范时，允许通过使用预制凹坑的复制处理来描述BCA码。BCA必须形成在单面双层盘的层0上。这是为了保持驱动器的兼容性，因为BCA在只读介质之中也形成在层1上。
《RMD更新条件》 只要满足下列条件之一，就必须更新RMD。
1.当由RMD字段0规定的至少一项内容改变时 2.当由RMD字段1规定的驱动测试带地址改变时 3.当由RMD字段4规定的不可见R带号、第一开放R带号、或第二R带号改变时 4.当R带#i中的最后记录的物理段的PSN与寄存在最后RMD中的R带#i的最后记录的物理段的PSN之间的差变得大于37888时 注意只要记录操作在处理中，就不需要更新RMD。
当RMZ的未记录部分等于或小于第二或第四个条件中的四个PS块时，不应更新RMD。
《盘的光学稳定性》 使用气冷氙灯和遵循IS0-105-B02的设备来测试盘的光学稳定性。
测试条件...黑面板温度小于40℃； 相对湿度70％到80％ 盘照度穿过基片正常照度 《记录功率》 记录功率包括四级，即峰值功率、偏置功率1、偏置功率2和偏置功率3。这些功率级指示入射到盘的读出表面并用于写入标记和空白的光功率。
在控制数据带描述峰值功率、偏置功率1、偏置功率2和偏置功率3。最大峰值功率不超过13.0mW。最大偏置功率1、偏置功率2和偏置功率3不超过6.5mW。
通过层0的记录区的层1的峰值功率Prec和通过层0的未记录部分的层1的峰值功率Punrec必须满足以下必要条件。
|Prec-Punrec|＜Punrec的10％ Prec和Punrec必须满足不超过13.0mW的条件。
§2 B格式 B格式的光盘规范 图36示出使用蓝紫激光光源的B格式光盘的规范。B格式光盘分成可写入型(RE盘)、只读型(ROM盘)、和一次写入型(R盘)。然而，如图36所示，这些类型的盘具有除开标准数据传输率之外的共同的规范，并且容易地执行与不同类型的盘相兼容的驱动。在现有DVD中，两个0.6nm厚的盘基片互相粘合在一起。然而，B格式盘的结构中在1.1nm厚的盘基片上形成记录层，并由0.1nm厚的覆盖层进行覆盖。还规定了单面双层介质。
[纠错系统] B格式采用称为警哨码的纠错系统，其可以有效检测突发错误。在主数据(用户数据)的序列中以给定间隔插入警哨。由强有力的、有效的里德-所罗门编码来保护主数据。由另一编码即第二个很强有力的、有效的里德-所罗门编码来保护警哨。在解码时，警哨首先受到纠错处理。校正信息可用来估计主数据中的突发错误位置。在主数据的校正代码字时使用的称为“擦除”的标志被设置为针对这些位置的符号。
图37示出警哨码(纠错块)的配置。B格式的纠错块(ECC块)配置来具有与H格式中的单元相同的64k字节的用户数据。由很强有力的里德-所罗门LDC(长距离码)来保护此数据。
LDC包括304个代码字。每个代码字包括216个信息符号和32个奇偶符号。即，代码字长度是248(＝216+32)个符号。这些代码字在ECC块的垂直方向上每2×2个代码字进行交叉，从而形成水平的152(＝304÷2)字节×垂直的496(＝2×216+2×32)字节的ECC块。
警哨的交叉长度是155×8字节(在496字节中有八个控制码校正序列)，用户数据的交叉长度是155×2字节。垂直方向上496字节具有作为记录单元的31行。对于主数据的奇偶符号，每隔一行构筑针对两组的奇偶符号。
B格式采用警哨码，警哨码以“列”的形式以给定间隔嵌入到ECC块中。通过检查纠错状态来检测突发错误。更具体地说，在一个ECC块中以相等间隔分配四个警哨列。警哨也具有地址。警哨包括唯一的奇偶性。
由于必须校正警哨列中的符号，因此由使用BIS(分帧指示符子码)的纠错码来保护右边三列中的警哨。该BIS包括30个信息符号和32个奇偶符号，代码字长度是62个符号。从信息符号与奇偶符号之间的比可看出，能够提供非常强有力的纠错能力。
BIS代码字被交叉并存储在每一个具有496字节的三个警哨列中。LDC和BIS码中每个代码字的奇偶符号数量相等，即32个。这表示单个普通的里德-所罗门解码器既可以解码LDC也可以解码BIS。
在对数据解码时，警哨列受到使用BIS的校正处理。以该处理来估计突发错误位置并在这些位置设置称作“擦除”的标志。这些标志用来校正主数据的代码字。
注意，由BIS码保护的信息符号形成与主数据无关的附加数据通道(副通道)。该副通道存储地址信息。地址信息的纠错使用与主数据无关地准备的专用里德-所罗门编码。此代码包括五个信息符号和四个奇偶符号。以这个副通道来独立于主数据的纠错系统而实行高速、高可靠的地址识别。
[地址格式] RE盘以象在CD-R盘中一样的螺线状的极薄沟槽作为记录轨道。当从激光束的进入方向看时，只在沟槽的凹凸部分的凸部分上写入记录标记(沟槽上记录)。
通过象在CD-R盘之类的盘中一样轻微地摆动该沟槽来嵌入指示了盘上每个绝对位置的地址信息。信号被调制并且在摆动形状、周期之类上叠加指示“1”和“0”的数字数据。图38示出摆动方法摆动的幅度仅仅是盘径向上的±10nm。五十六个摆动(大约在盘上的0.3mm长度)定义地址信息的1位＝一个ADIP单元(后面将描述)。
为了写入几乎没有位置偏差的精确记录标记，必须产生稳定精确的记录时钟信号。因此，本实施例着重于一种其中的摆动具有单主频分量的方法。如果使用单频率，则可以从使用滤波器提取的摆动分量来容易地产生稳定的记录时钟信号。
定时信息和地址信息根据单频率被附加到摆动上。需要“调制”来附加这些信息。选择了即使有各种失真也很难导致出错的对光盘唯一的调制方法。
光盘上存在摆动信号的以下四种失真，根据它们的原因而将他们分类挑选出来。
(1)盘噪声制造时在沟槽部分上形成的表面形状变形(表面粗糙)、记录膜产生的噪声、从已记录数据泄漏的串扰噪声等等。
(2)摆动移位由于摆动检测部分相对于记录/重放设备中的规则位置的移位引起的检测灵敏度下降的现象。这种现象容易在紧接查找操作之后发生。
(3)摆动跳动在要记录的轨道与相邻轨道的摆动信号之间产生的串扰。在CLV(恒线速度)旋转控制方法中当相邻摆动的角速度有差异时产生这种串扰。
(4)缺陷由盘表面上诸如灰尘和划痕之类的局部缺陷造成。
在两种不同的摆动调制系统具有对所有这四种不同类型的信号失真的高抵抗性的情况下，RE盘将这些系统相结合来产生相互促进的效果。这是因为可以没有副作用地获得仅仅一种调制系统难以达到的对四种信号失真的抵抗性。
两种系统包括MSK(最小位移键控)系统和STW(锯齿状摆动)系统(图39)。由于其波形类似于“锯齿形状”因此被称为“STW”。
在RE盘上，56个摆动全体表示了1位“0”或“1”。这56个摆动称为综合单元，即ADIP(预制沟槽中的地址)单元。当接连地读出83个ADIP单元时，它们形成指示一个地址的ADIP字。ADIP字包括24位地址信息、12位附属数据、基准(校准)字段、纠错数据等等。在RE盘上，每一个用于记录主数据的RUB(记录单元块；64k字节的单元)分配了三个ADIP。
由56个摆动组成的ADIP单元大致分成前半部分和后半部分。包括了摆动#0到摆动#17的前半部分由MSK系统来调制，包括了摆动#18到摆动#55的后半部分由STW系统来调制，此ADIP单元与下一ADIP单元平滑地相接。一个ADIP单元可以表示1位。以这样的方式来区分“0”和“1”，使得前半部分对已受到MSK调制的摆动位置进行改变，而后半部分对锯齿形的方向进行改变。
MSK系统的前半部分进一步分成已受到MSK调制的三个摆动的字段和单频摆动cos(ωt)。每一个ADIP单元从总受到MSK调制的三个摆动#0到#2开始。这被称为位同步(指示ADIP单元的开始位置的标识符)。
在位同步之后，单频摆动连续出现。数据由这样的单频摆动的数量来表示，该单频摆动一直出现直到接下来的三个受到MSK调制的摆动为止。更具体地说，11个单频摆动代表“0”，9个单频摆动代表“1”。两个摆动的差别用来区分数据。
MSK系统使用基波的局部相变。换言之，没有任何相变的字段占优势。此字段还有效地用作STW系统中没有任何基波相变的字段。
受到MSK调制的字段有三个摆动的长度。第一摆动位置的频率是单频摆动频率的1.5倍(cos(1.5ωt))，第二摆动位置的频率与单频摆动频率相同，第三摆动位置的频率又是单频摆动频率的1.5倍，从而返回到相位上。这样，第二(中心的)摆动的极性与单频摆动的极性相反，并检测此摆动。第一摆动的开始点和第三摆动的结束点正好与单频摆动同相。因此，可以获得没有任何间断部分的连接。
另一方面，后半部分的STW系统有两种不同波形。一种波形向盘外圆周侧急剧上升，并以平缓斜度向盘中心侧返回。另一种波形以平缓斜度上升并急剧地返回。前一个波形表示数据“0”，而后一个波形表示数据“1”。由于一个ADIP单元使用MSK系统和STW系统两者来指示同样的位，因此提高了数据可靠性。
STW系统数学地表示为如对基波cos(ωt)加上或减去有1/4幅度的二次谐波sin(2ωt)。注意STW系统即使表示“0”或“1”，都具有与单频摆动相同的过零点。即，从MSK系统单频摆动部分共同的基波分量中提取时钟信号时，STW系统对相位不施加任何影响。
如上所述，MSK系统和STW系统运作来抵消彼此的弱点。
图40示出ADIP单元。地址摆动格式的基本单元是ADIP单元。每组56个NML(额定摆动长度)称为ADIP单元。一个NML等于69个通道位。不同类型的ADIP单元通过在该ADIP中的规定位置插入调制摆动(MSK标记)来定义(见图39)。83个ADIP单元形成一个ADIP字。要记录在盘上的最小数据段精确地匹配三个连续的ADIP字。每个ADIP字包括36个信息位(它的24位是地址信息位)。
图41和42示出一个ADIP字的配置。
一个ADIP字包括15个半字节(nibble)，并且9个半字节是信息半字节，如图43所示。剩余半字节用于ADIP纠错。15个半字节形成里德-所罗门代码字[15，9，7]。
代码字由9个信息半字节组成6个信息半字节记录地址信息，3个信息半字节记录附属信息(例如，盘信息)。
里德-所罗门码[15，9，7]是非系统码，现有知识可以根据“信息解码(informed decoding)”来增加汉明距离(Hamming distance)。“信息解码”表示由于所有代码字具有距离7并且所有半字节n0的代码字一般具有距离8，因此关于n0的现有知识增加汉明距离。半字节n0包括层索引(3位)和物理扇区号的MSB。如果半字节n0已知，则距离从7增加到8。
图44示出轨道结构。下面将描述具有单面双层结构的盘的第一层(远离激光光源)和第二层的轨道结构。形成沟槽以便可以在推挽系统中循轨。使用了多种轨道形状。第一层L0和第二层L1具有不同循轨方向。在第一层中，循轨方向是图44中的左到右方向。在第二层中，循轨方向是右到左方向。图44的左侧对应于盘内圆周，其右侧对应于外圆周。第一层的平直沟槽形成的BCA区、HFM(高频率调制)沟槽形成的预记录区、和在可重写区中的摆动沟槽区对应于H格式的导入区。在第二层可重写区中的摆动沟槽区、HFM(高频率调制)沟槽形成的预记录区、和平直沟槽形成的BCA区对应于H格式的导出区。然而，在H格式中，由预制凹坑系统代替沟槽系统来记录导入区和导出区。第一和第二层的HFM沟槽具有相位滞后，因此不会引起层间串扰。
图45示出记录帧。如图37所示，每64k字节记录用户数据。通过附加帧同步位和直流控制位来把ECC簇的每一行转换成记录帧。每一行的1240位(155字节)数据流被转换如下。在1240位的数据流中，在数据流的头部分配25位数据，并把后续的数据流分成45位的数据。在25位数据之前附加20位帧同步，在25位数据之后附加一个直流控制位。同样，在45位数据之后附加一个直流控制位。把包括第一个25位数据的块定义成直流控制块#0，并把每一个包括45位数据和一个DC控制位的块定义成直流控制块#1、#2、...、#27。496个记录帧称为一个物理簇。
记录帧受到2/3速率的1-7PP调制。调制规则应用到除开第一帧同步以外的1268位来形成1902个通道位，并在这些通道位的头部附加30位帧同步。即，形成1932个通道位(＝28个NML)。通道位受到NRZI调制，并在盘上记录调制后的位。
帧同步结构 每个物理簇包括16个地址单元。每个地址单元包括31个记录帧。每个记录帧以一个30通道位的帧同步开始。帧同步的第一个24位违反1-7PP调制规则(包括两倍9T的扫描宽度)。1-7PP调制规则使用(1，7)PLL调制系统执行奇偶保持/禁止PMTR(重复的最小转换扫描宽度)。“奇偶保持”控制代码的所谓DC(直流)分量(来减小代码的直流分量)。改变帧同步的剩余6位来识别七个帧同步FS0、FS1、...、FS6的一个。选择这些6位符号以使得与转换量相关联的距离是2或更大。
七个帧同步与仅仅16个地址单元相比可以获得详细位置信息。当然，仅仅七个不同的帧同步也不足以识别31个记录帧。因此，从31个记录帧起，选择七个帧同步序列以使得可以通过把自身帧同步和任意四个在先的帧的帧同步相结合来识别每个帧。
图46A和46B示出记录单元块RUB的结构。记录单元称为RUB。如图46A所示，RUB由40个摆动的数据运行进入(run-in)、496×28个摆动的物理簇、和16个摆动的数据运行退出(run-out)组成。数据运行进入和数据运行退出允许足够的数据缓冲来便于完全的随机覆写。RUB可以被逐个记录，也可以连续地记录多个RUB，如图46B所示。
数据运行进入主要由重复样式3T/3T/2T/2T/5T/5T组成，包括两个帧同步(FS4、FS6)，这两个帧同步由作为指示了下一记录单元块的指示符的40个cb来相互间隔开。
数据运行退出从FS0开始，随后是指示数据结束的样式9T/9T/9T/9T/9T/9T，并主要由重复样式3T/3T/2T/2T/5T/5T形成。
图47示出数据运行进入和数据运行退出的结构。
图48示出与摆动地址相关联的数据分配。物理簇包括496个帧。数据运行进入和数据运行退出的总共56个摆动是2×28个摆动，等于两个记录帧。
一个RUB＝496+2＝498个记录帧 一个ADIP单元＝56个NML＝2个记录帧 83个ADIP单元＝1个ADIP字(包括一个ADIP地址) 3个ADIP字＝3×83个ADIP单元 3个ADIP字＝3×83×2＝498个记录帧 在一次写入盘上记录数据时，在已经记录的数据后必须连续地记录后面的数据。如果在这些数据之间形成了间隙，则禁止重放。为了记录(覆写)先前记录帧的最后数据运行退出区上的随后记录帧的第一数据运行进入区，在数据运行退出区的最后分配了保护3区，如图49A或49B所示。图49A示出其中只记录了一个物理簇的情况，图49B示出其中连续记录了多个物理簇的情况，并且在最后簇的运行退出之后分配了保护3区。单独记录的每个记录单元块或者连续记录的多个记录单元块都以保护3区来终止。保护3区保证了在两个记录单元块之间没有未记录区。
注意，本发明并不限制于这些完整的实施例，当实际应用时还可通过修改必要的构成部件来实施而不脱离本发明的范围。同样，通过适当组合各个实施例中公开的多个必要构成部件来形成各种发明。例如，可从各个实施例中公开的所有必要构成部件中省略一些必要的构成部分。此外，可以适当地组合不同实施例的必要构成部件。
虽然描述了本发明的特定实施例，但这些实施例只以示例的方式来表示，并不限制本发明的范围。事实上，这里所描述的新颖的方法和系统可以各种其他形式来实现；而且，在不脱离本发明精神的情况下，可对这里所描述的方法和系统作出各种省略、替代和改变。所附权利要求及其等同物意在覆盖落入本发明范围和精神内的这些形式或修改。
权利要求
1.一种信息记录介质，其特征在于
从内圆周侧开始依次配置的数据导入区、数据区、和数据导出区，
形成在所述数据导入区中的记录有记录管理数据的记录管理带，
形成在所述数据区中的所述记录管理带的扩展区，
形成在所述数据导入区中的用于管理所述记录管理带的扩展区位置的记录管理数据复制带，
所述介质具有由同心环形或螺线形的沟槽和槽岸指定的轨道，
所述介质具有第一基片、第一记录层、第二基片、和第二记录层，
轨道间距是在250nm到500nm的范围内，并且
所述第一基片和所述第二基片上的沟槽的半最大全宽度是在所述轨道间距的47.5％到72.5％的范围内。
2.根据权利要求1的介质，其特征在于所述第一基片具有在390nm到410nm范围内的轨道间距，并且所述沟槽具有在190nm到290nm范围内的半最大全宽度。
3.根据权利要求1的介质，其特征在于所述第一记录层的沟槽具有在190nm到290nm范围内的半最大全宽度。
4.根据权利要求1的介质，其特征在于所述第二记录层的沟槽具有在190nm到290nm范围内的半最大全宽度。
5.根据权利要求1的介质，其特征在于所述第一记录层具有在50nm到65nm范围内的沟槽深度。
6.根据权利要求1的介质，其特征在于所述第二记录层具有在70nm到85nm范围内的沟槽深度。
7.根据权利要求1的介质，其特征在于假设Wg(L0)是所述第一基片的沟槽的半最大全宽度，而TP是轨道间距，
则所述第二基片的沟槽的半最大全宽度Wg(L1)满足关系
Wg(L0)×0.8≤Wg(L1)≤Wg(L0)
8.一种信息记录介质，其特征在于
从内圆周侧开始依次配置的数据导入区、数据区、和数据导出区，
形成在所述数据导入区中的记录有记录管理数据的记录管理带，
形成在所述数据区中的所述记录管理带的扩展区，
形成在所述数据导入区中的用于管理所述记录管理带的扩展区位置的记录管理数据复制带，
所述介质具有由同心环形或螺线形的沟槽和槽岸指定的轨道，
所述介质具有第一基片、第一记录层、中间层、第二基片和第二记录层，
轨道间距是在250nm到500nm的范围内，并且
所述第一基片和所述第二基片上的沟槽的半最大全宽度是在所述轨道间距的47.5％到72.5％的范围内。
9.根据权利要求8的介质，其特征在于所述第一基片具有在390nm到410nm范围内的轨道间距，并且所述沟槽具有在190nm到290nm范围内的半最大全宽度。
10.根据权利要求8的介质，其特征在于所述第一记录层的沟槽具有在190nm到290nm范围内的半最大全宽度。
11.根据权利要求8的介质，其特征在于所述第二记录层的沟槽具有在190nm到290nm范围内的半最大全宽度。
12.根据权利要求8的介质，其特征在于所述第一记录层具有在50nm到65nm范围内的沟槽深度。
13.根据权利要求8的介质，其特征在于所述第二记录层具有在70nm到85nm范围内的沟槽深度。
14.根据权利要求8的介质，其特征在于假设Wg(L0)是所述第一基片的沟槽的半最大全宽度，而TP是轨道间距，
则所述第二基片的沟槽的半最大全宽度Wg(L1)满足关系
Wg(L0)×0.8≤Wg(L1)≤Wg(L0)
15.一种盘设备，其特征在于包括
检测装置，用于检测通过以激光束照射信息记录介质而获得的反射光，其中所述信息记录介质具有
从内圆周侧开始依次配置的数据导入区、数据区、和数据导出区，
形成在所述数据导入区中的记录有记录管理数据的记录管理带，
形成在所述数据区中的所述记录管理带的扩展区，
形成在所述数据导入区中的用于管理所述记录管理带的扩展区位置的记录管理数据复制带，
所述介质具有由同心环形或螺线形的沟槽和槽岸指定的轨道，
所述介质具有第一基片、第一记录层、第二基片、和第二记录层，
轨道间距是在250nm到500nm的范围内，并且
所述第一基片和所述第二基片上的沟槽的半最大全宽度是在所述轨道间距的47.5％到72.5％的范围内；和
产生装置，用于根据由所述检测装置检测的反射光来产生重放信号。
16.一种盘设备，其特征在于包括
检测装置，用于检测通过以激光束照射信息记录介质而获得的反射光，其中所述信息记录介质具有
从内圆周侧开始依次配置的数据导入区、数据区、和数据导出区，
形成在所述数据导入区中的记录有记录管理数据的记录管理带，
形成在所述数据区中的所述记录管理带的扩展区，
形成在所述数据导入区中的用于管理所述记录管理带的扩展区位置的记录管理数据复制带，
所述介质具有由同心环形或螺线形的沟槽和槽岸指定的轨道，
所述介质具有第一基片、第一记录层、中间层、第二基片和第二记录层，
轨道间距是在250nm到500nm的范围内，并且
所述第一基片和所述第二基片上的沟槽的半最大全宽度是在所述轨道间距的47.5％到72.5％的范围内；和
产生装置，用于根据由所述检测装置检测的反射光来产生重放信号。
全文摘要
一种信息记录介质以及盘设备。根据一个实施例的信息记录介质(50)具有两个或更多的记录层(58，59)，轨道间距(TP)是在250nm到500nm的范围内，并且基片(51)的沟槽的半最大全宽度是在轨道间距的47.5％到72.5％的范围内。
文档编号G11B7/007GK101097742SQ20071012271
公开日2008年1月2日 申请日期2007年7月2日 优先权日2006年6月30日
发明者山本亮介, 松丸祐晃, 梅泽和代, 高泽孝次, 森田成二, 中村直正, 安东秀夫 申请人:株式会社东芝