磁记录介质和磁存储设备的制作方法

专利名称：：磁记录介质和磁存储设备的制作方法
技术领域：
：本发明涉及图案化伺服类型的磁记录介质，其伺服部分图案化，响应是否提供了磁物质或是否形成了沟槽，本发明还涉及设置有该磁记录介质的存储设备。
背景技术：
：由于近年来诸如个人计算机的信息装备的显著的功能改善，用户处理的信息量极大地增长。在此环境下，需要记录密度比传统可利用的存储设备的那些高得多的存储设备和具有较高集成度的半导体设备。存在作为实施在该存储设备中部件的磁记录介质。作为适用于提高记录密度的目的的最近的磁记录介质，开发了其中记录轨道被物理地分开的离散轨道类型的图案化介质(DTR介质)。该DTR介质的示例在JP-A-7-085406中公开。此DTR介质通过形成在基底上的记录轨道部分上的软磁物质构成，在其上形成铁磁物质图案，形成非磁性物质以填充记录轨道部分之间的空间，并且在铁磁物质图案和非磁性物质上形成保护层。基本地，此配置也适用于伺服部分。在传统配置中的DTR介质的伺服部分中，依赖于是否形成磁性物质来形成伺服图案。因此，通常执行DC退磁以不使用伺服轨道写入器。相反，在记录轨道层上写入数据中，通过使用磁头写入数据。因此，在伺服部分中写入伺服数据后，在通过使用磁头写入记录数据中，存在这样的问题被写入到伺服轨道上的伺服数据被磁头覆盖了。为了解决此问题，当形成在伺服部分和记录轨道上的保护层变厚时，还存在这样的问题或者归因于磁性间隔不能通过磁头将记录数据写入到记录轨道上，或者在重新产生被写入到记录轨道上的记录数据中，回放信号被削弱了。
发明内容根据本发明的一方面，提供了一种磁记录介质，其包括基底；记录层，形成在所述基底上，具有沟槽图案；以及保护层，形成在所述记录层上，填充所述沟槽图案，其中规定所述记录层具有保留伺服数据的伺服部分和保留记录数据的记录轨道部分，并且其中，在所述伺服部分的所述保护层的第一膜厚度比在所述记录轨道部分的所述保护层的第二膜厚度大lnm到10nm的厚度范围。附图中图1是根据本发明的实施例的磁记录介质的部分横截面视图2是示出制造磁记录介质的步骤的视图3是示出制造磁记录介质的步骤的视图4是示出制造磁记录介质的步骤的视图5是示出制造磁记录介质的步骤的视图6是示出制造磁记录介质的步骤的视图7是示出制造图1中的磁记录介质的步骤的视图8是示出制造磁记录介质的步骤的视图；以及图9是示例磁存储设备的示意性配置的相关透视图。具体实施例方式将参照附图描述本发明的实施例。图1是示出DTR介质的伺服部分和轨道部分中的图案的示例的横截面视图。铁磁体2经由软磁层(未示出)形成在基底以上在记录轨道部分和伺服部分处。铁磁体层2在记录轨道部分中用作保留记录数据的记录层，而铁磁体层2在伺服部分中用作保留伺服数据的记录层。软磁层执行磁头的功能的一部分，使得传递从例如单极头的磁头应用的记录磁场，以磁化铁磁体层2作为垂直磁记录层，在水平方向返回到磁头。软磁层能够施加陡峭(sharp)和足够垂直的磁场到记录层并因此提高记录/播放效率。作为基底1的材料，能够使用例如Al合金基底、具有氧化表面的陶瓷、碳、硅单晶基底、镀有NiP等的这些基底的任何一个等。作为玻璃基底，存在非晶玻璃和晶化玻璃，并且碱石灰玻璃和硅铝酸盐玻璃能够用作非晶玻璃。还有，作为晶化玻璃，能够使用锂晶化玻璃。作为陶瓷基底，能够使用含有普通氧化铝、氮化铝、氮化硅等作为主要成分的烧结合金、它们的纤维加强的合金等。作为基底，能够使用金属基底或在其表面上通过电镀方法或溅射方法形成有NiP层的非金属基底。作为软磁层的材料，能够使用含有Fe、Ni、Co的材料。作为典型的材料，能够列出FeCo合金(例如FeCo、FeCoV等)、FeNi合金(例如FeNi、FeNiMo、FeNiCr、FeNiSi等)FeAl合金或FeSi合金(例如FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、FeAlO等)、FeTa合金(例如FeTa、FeTaC、FeTaN等)、及FeZr合金(例如FeZrN等)。还有，能够使用含有60%或更多的铁的诸如FeAlO、FeMgO、FeTaN、FeZrN等的晶体结构的或在基体(matrix)中分布有微晶颗粒的颗粒结构的材料。还有，作为软磁层的另外的材料，能够使用含有Co和Zr、Hf、Nb、Ta、Ti及Y中的至少一种的Co合金。期望Co合金中Co的含量在80X。当通过溅射方法形成膜时，该Co合金容易具有非晶态，并且此Co合金显示出非常优越的软磁性，因为它没有晶体磁性各向异性、晶体缺陷、及颗粒边界。还有，通过使用非晶软磁物质，能够获得介质的噪声减小。作为优选的非晶软磁物质，例如，能够列出CoZr合金、CoZrNb合金、CoZrTa合金等，并且优选地，能够形成约120nm厚的CoZrNb层。在软磁层下面能够设置底层以改善软磁层的结晶度或与基底的粘附性。作为下层材料，能够使用Ti、Ta、W、Cr、Pt，或含有它们的合金或这些材I4的氧化物或氮化物。能够在软磁层和记录层之间设置由非磁性物质制成的中间层。中间层具有两个作用阻挡软磁层和记录层之间的交换键合相互作用和控制记录层的结晶度。作为中间层的材料，能够使用Ru、Pt、Pd、W、Ta、Cr、Si、或含有它们的合金或这些材料的氧化物或氮化物。为了防止尖峰噪声，软磁层可以分成多层并且然后可以通过在它们之间分别插入0.5至1.5nm厚的Ru层将这些层反铁磁键合。还有，诸如CoCrPt、SmCo、FePt等的具有面内各向异性的硬磁膜或诸如IrMn、PtMn等的反铁磁物质制成的针层(pinlayer)可以交换键合到软磁层。此时，为了控制交换键合强度，铁磁膜(例如Co膜)或非磁性膜(例如Pt膜)可以堆叠在Ru层上或下。作为铁磁层2的材料，可以考虑具有Co作为主要成分并含有至少Pt并还含有氧化物的材料。作为磁氧化物，尤其是氧化硅或氧化钛是优选的。优选地，磁性粒子(具有磁性的晶体粒子)应当散布在铁磁层2中用于垂直磁记录。优选地，磁性粒子应当具有柱状结构以垂直通过垂直磁记录层。利用此结构，能够改善垂直磁记录层的磁性粒子的对准和结晶度，并且因此能够获得适于高密度记录的信/噪比(S/N比)。为了得到以上柱状结构，含有的氧化物的量是重要的。优选地，含有的氧化物的量应当设定为Co、Cr、Pt的总量的3mol^或更高，但12mol。/^或更低。更优选地，含有的氧化物的量应当设定为5molX或更高，但10mol^或更低。垂直磁记录层中含有的氧化物的量的以上范围是优选的的原因是氧化物在形成该层中沉积在磁性粒子附近并且磁性粒子能够被隔离和使得更细。当含有的氧化物的量超过以上范围时，氧化物仍然保持在磁性粒子中，损坏了磁性粒子的对准和结晶度并且氧化物也沉积在磁性粒子上或下，并且因此不形成垂直地通过垂直磁记录层的磁性粒子的柱状结构。还有，当含有的氧化物的量低于以上范围时，磁性粒子被不充分地分开和小型化，并且因此在记录和播放数据中噪声增加了并且不能获得适于高密度记录的信/噪比(S/N比)。优选地，垂直磁记录层中含有的Cr的量应当设置为0%或更高但16%或更低。更优选地，含有的Cr的量应当设置为10%或更高但14%或更低。含有的Cr的量的以上范围是优选的的原因是磁性粒子的单轴晶体磁性各项异性常数Ku没有过度降低并且能够保持高的磁化，并且因此能够获得适于高密度记录的记录/播放特性和充分的热波动热性。当含有的Cr的量超过以上范围时，磁性粒子的常数Ku变小并且热波动特性恶化并且磁性粒子的对准和结晶度也恶化，并且因此记录/播放特性恶化。优选地，垂直磁记录层中含有的Pt的量应当设置为10%或更高但25%或更低。含有的Pt的量的以上范围是优选的的原因是能够获得铁磁层2所需的常数Ku并且改善了磁性粒子的结晶度和对准，并且因此能够获得适于高密度记录的热波动特性和记录/播放特性。当含有的Pt的量超过以上范围时，在磁性粒子中形成fcc结构的层并且因此可能损坏对准和结晶度。还有，当含有的Pt的量低于以上范围时，不能获得得到适于高密度记录的热波动特性所需的常数Ku。除，Co、Cr、Pt和氧化物外，铁磁层2可以含有从B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru和Re中选择的一种或多种元素。因为包含上述元素，能够加速磁性粒子的小型化或能够改善对准和结晶度，并且因此能够获得适于较高密度记录的记录/播放特性和热波动特性。优选地，含有的元素的总量应当设置为8%或更低。当总量超过8%时，在磁性粒子中形成除hcp相的相。因此，打乱了磁性粒子的结晶度和对准，并且因此不能获得适于高密度记录的记录/播放特性和热波动特性。还有，作为铁磁层2，除了以上的外，还能够使用CoPt合金、CoCr合金、CoPCr合金、由Co和具有选自包括CoPtO、CoPtCrO、CoPtSi、CoPtCrSi和Pt、Pd、Rh、及Ru的组的至少一种类型作为主要成分的合金构成的多层结构、通过加入Cr、B和0到这些合金而获得的CoCr/PtCr、CoB/PdB、CoO/RhO等。优选地，铁磁层2的厚度应当设置为5至60nm，并且更优选地，厚度应当设置为10至40nm。当厚度在此范围中时，铁磁层2能够作为适于较高密度记录的磁存储设备操作。当铁磁层2的厚度低于5nm时，其趋势是回放输出太低并且因此噪声成分变得较高，而当铁磁层2的厚度超过40nm时，其趋势是回放输出太高并且因此波形失真。优选地，铁磁层2的强迫力应当设置为237000A/m(3000Oe)或更大。当强迫力低于237000A/m(3000Oe)时，热波动公差趋于恶化。优选地，铁磁层2的方度(squareness)应当设置为0.8或更大。当方度低于0.8时，热波动公差趋于恶化。形成保护层3是使得此层填充铁磁层2之间的图案。设置保护层3的目的是防止铁磁层2的腐蚀并且也防止当磁头接触介质时引起的对介质表面的损伤。作为材料，例如能够列出包含C、Si02、Zr02的材料。优选地，保护层3的厚度应当设置为1至10nm。因此，能够减小磁头和介质之间的距离，该介质适于高密度记录。碳能够分类成sp2碳(石墨)和sp3碳(金刚石)。在耐久性和耐腐蚀性上，sp3碳优于石墨，而在表面平滑度上，其次于石墨，因为该碳由结晶物质形成。通常地，通过使用石墨耙的溅射方法形成碳膜。根据此方法，形成非晶碳，其中sp2碳和sp3碳混合到一起。sp3碳的比率高的碳称作类金刚石碳(DLC)。因为sp3碳在耐久性和耐腐蚀性上是极优的并且是非晶态，所以该碳在表面平滑度上也是极优的。因此，sp3碳用作磁记录介质的表面保护层。在通过CVD(化学气相沉积)方法形成DLC膜时，材料气体在等离子体中激发/分解，并且因此通过化学反应生成DLC。因此，通过控制条件能够形成较富于sp3的DLC。作为保护层3的具体材料，能够列出诸如Cr、Ru、Pt、Pd、Ti、Ta、Mo、W等的金属，诸如NiTa、MNb、NiNbTi、NiNbTiHf、CuHfZrTi等的多成分金属，诸如Si02、TiOx、Al203等的氧化物，诸如Si3N4、A1N、TiN等的氮化物，诸如TiC等的碳，诸如BN等的硼化物，及诸如C、Si等的单元素。该材料不受到特定限制，但是金属材料优选地增大回放信号的强度。还有，当掩埋的材料被合金时，能够改善表面平滑度。因此，容易地合金的材料优选地作为金属材料，并且诸如金属玻璃的多成分金属等是更优选的。形成保护层3以覆盖铁磁层2的图案。在这种情况下，在记录轨道部分中形成的铁磁层2上的保护层3的厚度大于在伺服部分中形成的铁磁层2上的保护层3的厚度，其范围为lnm或更大但是10nm或更小。在DTR介质中，必须在记录轨道部分中记录/播放可重写的数据"l"、"0"，并且因此必须通过磁头执行记录。相反，基于在伺服部分中存在/不存在磁性物质来图案化数据，并且因此在通过以一种方式应用DC透明磁场写入伺服数据一次后，不必重写该信号。由于磁阻元件的材料特性，磁头能够仅应用约2T的磁场。在这种情况下，因为依赖于存在/不存在磁性物质来图案化伺服部分，能够以一种方式应用强磁场，并且因此能够由磁体等共同地应用强磁场。换句话说，由于磁间隔，应用于铁磁层2的磁场削弱了，难以写入伺服数据，除非能够生成大于磁头能够正常地生成的磁场的磁场。如上述，因为依赖于存在/不存在磁性物质来图案化伺服部分，能够以一种方式应用强磁场并且因此能够由磁体等一起应用强磁场，使得写入伺服信号而不考虑磁头的负载是可行的。因此，伺服部分中的保护层3能够形成得厚。通过加厚保护层3的膜厚度，能够抑制伺服部分中磁性物质的腐蚀和通过记录/播放头的覆盖现象。相反，在轨道部分中，必须通过使用磁头在其上记录数据信号，当保护层3的厚度变为20nm时，覆盖(OW)具有4.5kOe的强迫力的介质是不可能的。还有，据说正常地，磁间隔增加lnm，BER(比特误码率)恶化0.3dB。因此，优选地，在伺服部分中，保护层应当形成得厚，然而，在数据记录区，保护层的膜厚必须设置的尽可能薄以减小磁间隔。然而，当伺服部分和记录轨道部分之间的保护层的膜厚中呈现的差异超过10nm时，该差异等同于磁头的浮动高度，使得磁头不能在磁记录介质上稳定地滑行。因此，优选地，位于记录层上的保护层的膜厚的差异应当设置为10nm或更小。还有，当使用非金属材料作为保护层时，读入信号的强度减小了，因为保护层变厚。因此，更期望保护层由金属材料形成并且位于记录层上的保护层的膜厚中的差异应当设置为4nm或更小。根据上述结构，能够提供磁记录介质，其中伺服部分中的覆盖和铁磁层2的腐蚀难以发生，但是能够执行记录轨道部分中的记录/播放，如过去能提供的那样。接下来，将参照图2至图8描述制造根据实施例的磁记录介质的方法。首先，在图2中，软磁层42和铁磁层43形成在基底41的表面上。铁磁层43的表面可以覆盖有由碳制成的保护层。通过旋涂方法将抗蚀剂45涂在铁磁层43的表面上。能够使用普通的基于Novorak的光刻胶作为抗蚀齐U，但是可以使用SOG(旋涂玻璃(Spin-On-Glass))。在形成抗蚀剂45后，例如以100MPa压印压模4660秒钟，在该压模上嵌入有记录轨道和伺服信息的图案。因此，如图2中所示，图案转换到抗蚀剂45的表面上。通过在模组的较上板和较下板之间布置基底41来执行压印，压模46和抗蚀剂45形成在基底41上。在形成有压模46和抗蚀剂45的基底41上，压模46的不平坦的表面反向于基底41的抗蚀剂膜侧面。在完成使用较上板和较下板的模组的压印后，抗蚀剂45被图案化，如盖印形成的图案的沟槽高度是60nm至70nm，残余高度是约70nm。如果涂覆基于氟的去膜剂或混合氟的DLC形成在压模46上，则能够从抗蚀剂45平滑地释放压模46。然后，如图3中所示，通过使用氧气的RIE(反应离子刻蚀)去除抗蚀剂45的残留物，并且仅盖印的抗蚀剂图案45a留在铁磁层43上。当使用SOG作为抗蚀剂时，通过使用CF4气体的RIE去除残留物。在RIE中，优选地使用能够在低压力下生成高密度等离子体的ICP(感应耦合等离子体)作为等离子体源，但是也可以使用ECR(电子回旋共振)等离子体。在去除抗蚀剂45的残留物之后，通过使用抗蚀剂图案45a执行铁磁层43的磁性物质处理，如图4中所示。从而，形成铁磁层图案43a。在磁性物质处理中，使用Ar离子束(Ar离子碾磨)的刻蚀是优选的，但是可以应用使用氯气或CO和NH3的混合气体的RIE。在使用CO和NH3的混合气体的RIE的情况下，必须使用由Ti、Ta、W等制成的硬掩膜作为磁性物质处理中的刻蚀掩膜，代替抗蚀剂图案45a。在使用以上RIE的磁性物质处理的情况下，在刻蚀的铁磁层图案43a的侧表面上不形成锥形(taper)。当通过能够刻蚀所有材料的Ar离子碾磨执行磁性物质处理时，例如，以400V的加速电压执行刻蚀，同时从30度至70度改变离子入射角。当以90度的离子入射角执行离子碾磨时，使用ECR离子枪的离子碾磨能够处理很少形成锥形的侧表面上的铁磁层图案。在完成铁磁物质处理后，从铁磁层图案43a剥离抗蚀剂图案45a，如图5中所示。当使用普通的基于Novorak的光刻胶时，通过应用氧等离子工艺能够容易的剥离抗蚀剂图案。此时，当在抗蚀剂45的表面上设置碳保护层时，必须注意不要一起剥离碳保护层。相反，当使用SOG作为刻蚀掩膜时，必须通过使用氟气的RIE来执行此步骤。作为氟气，CF4或SF6是优选的。在这种情况下，通过氟与大气中的湿气反应，有时生成诸如HF、H2S04等的酸，并且因此在剥离抗蚀剂图案后，必须冲洗得到的结构。在剥离抗蚀剂图案45a后，填充保护层81以覆盖铁磁层图案43a的沟槽，如图6中所示。在此填充步骤中，通过共溅射或CVD(化学气相沉积)方法形成保护层81a。保护层81的材料能够广泛地选自诸如Cr、Ru、Pt、Pd、Ti、Ta、Mo、W等的金属，诸如NiTa、NiNb、NiNbTi、NiNbTiHf、iiCuHfZrTi等的多成分金属，诸如Si02、TiOx、A1203等的氧化物，诸如Si3N4、A1N、TiN等的氮化物，诸如TiC等的碳，诸如BN等的硼化物，及诸如C、Si等的单元素。还有，在此填充步骤中，也能够使用偏压溅射。此偏压溅射的方法是在应用偏压到基底41的时候形成膜，并且能够在容易地填充沟槽的同时形成膜。然而，因为应用偏压易于引起基底41的熔化或溅射尘埃，优选地应当使用普通溅射。在沟槽由保护层81填充后，通过回刻蚀保护层81形成保护层图案81a，如图7中所示。此时，回刻蚀刚好在铁磁层43a暴露时停止。此回刻蚀的结束定时在伺服部分和记录轨道部分中是各自不同的，使得伺服部分的结束定时设置得早于记录轨道部分的结束定时。这样的原因是，如上述，伺服部分中保护层81的厚度应当设置得比记录轨道部分中保护层81的厚。在此回刻蚀步骤中，期望通过布置ECR离子枪来执行刻蚀，使得刻蚀剂垂直入射到基底l上。可以使用Ar离子碾磨代替ECR离子碾磨。当重复图6中所示的填充保护层81的步骤和图7中所示的回刻蚀保护层81的步骤两次或更多次时，能够获得其中以保护层图案81b覆盖铁磁层图案43a的填充结构，如图8中所示。形成图8中的填充结构后，可以在保护层图案81b上形成碳保护层(未示出)。期望通过CVD方法形成碳保护层以提高保护层图案81b上的覆盖度，但是可以应用溅射或真空沉积方法。当通过CVD方法形成碳保护层后，形成含有大量sp3碳的DLC膜。当膜厚为lnm或更小时，覆盖度恶化，而当膜厚为lOnm或更大时，记录/播放头和磁记录介质之间的磁间隔增加，降低了SNR。还有，能够在保护层上设置润滑层。作为润滑层中使用的润滑剂，能够使用例如全氟聚醚、氟化醇、氟化羧酸等现有技术中的公知材料。以上描述的磁记录介质可以安装到磁存储设备中，以下将描述磁存储设备。图9是示例i^磁存储设备的示意性配置的相关透视图。图9中所示的磁存储设备150是使用旋转致动器类型的设备。图9中，磁盘装载到轴152上并且由电机(未示出)在由箭头A指示的方向上旋转，电机响应从驱动设备控制单元(未示出)供应的控制信号。在这种情况下，在图9中所示的磁存储设备150中仅使用单个磁盘200，但是可以安装多个磁盘200。用于记录/播放要存储到磁盘200中的信息的头滑动器153装配到类似薄膜的悬挂物154的顶端。根据以上任意实施例的含有磁阻元件的磁头安装在头滑动器153的顶端附近。当旋转磁盘200时，头滑动器153的介质反向表面(ABS:空气支承表面)保持在距磁盘200的表面预定的浮置高度。在这种情况下，可以使用所谓的"接触"类型代替该浮置类型，即滑动器接触磁盘200。悬挂物154连接到装备有线轴部分以支持驱动线圈(未示出)等的致动器臂155的一端。作为线性电机的一种类型的音圈电机156设置到致动器臂155的另一端上。通过缠绕在致动器臂155的线轴部分上的驱动线圈(未示出)和包括彼此反向地布置而将线圈夹于其中的永久磁体和反向磁轭的磁电路来构成音圈电机156。致动器臂155由设置到轴152的上面和下面的两个位置上的球轴承(未示出)支持，使得它能够由音圈电机156转动/滑动。接下来，以下将给出此应用的示例。[示例1]作为示例1，通过以上图3至图8中所示的制造磁记录介质的方法制造仅其保护层形成得厚的伺服部分上的DTR介质。保护层由Ru形成。分别五次重复通过溅射方法形成50nm厚的膜和回刻蚀30nm的厚度，并且最终通过执行回刻蚀100nm的厚度，平面化记录轨道的表面。此时，当通过使用原子力显微镜(AFM)测得5pm方形的Rmax时，确定了轨道部分为3nm而伺服部分为7nm并且因此就Rmax来说，位于伺服部分中的记录层以上的保护层比轨道部分中的保护层厚4nm(参见表1)。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>比较示例2Si024nm4nm15nm比较示例3Si024nm24nm5nm表1在填充处理后，通过CVD方法形成DLC，并且涂覆润滑剂作为保护层。当通过数字激光多普勒振动计(LDV)在大气增压中测量此介质时，没有发现由于伺服部分的不平坦引起的振荡。还有，当通过使用具有15nm的浮置高度的磁头的滑行高度测试仪作出浮置评估时，没有发现归因于保护层的不平坦的碰撞。当通过使用旋转支架的磁体来执行DC退磁和通过安装磁头到驱动器中来执行驱动器耐久性测试时，能够从伺服部分信号和轨道部分覆盖(OW)信号获得足够的强度，并且获得一5.5次幂的比特误码率(BER)。当Cr用作保护层时，能够获得类似的结果。[示例2]作为示例2，通过图3至图8中所示的方法形成仅其保护层厚的伺服部分上的DTR介质，并且NiNbTiHf用作保护层(表l)。分别五次重复通过溅射方法形成50nm厚的膜和回刻蚀30nm的厚度，并且最终通过执行回刻蚀100nm的厚度，平面化记录轨道的表面。此时，当通过使用原子力显微镜(AFM)测得5^im方形的Rmax时，确定了轨道部分为3nm而伺服部分为6nm并且因此就Rmax来说，位于伺服部分中的记录层以上的保护层比轨道部分中的保护层厚3nm。当通过AFM测量位于记录层以上的100nm方形的Ra时，确定表面光滑度是极好的，如0.3nm。在填充处理后，通过CVD方法形成DLC，并且涂覆润滑剂作为保护层。当通过数字激光多普勒振动计(LDV)在大气增压中测量此介质时，没有发现由于伺服部分的不平坦引起的振荡。还有，当通过使用具有15nm的浮置高度的磁头的滑行高度测试仪作出浮置评估时，没有发现归因于保护层的不平坦的碰撞。当通过使用旋转支架的磁体来执行DC退磁和通过安装磁头到驱动器中来执行驱动器耐久性测试时，获得一6.0次幂的比特误码率(BER)。[示例3]14作为示例3，通过图2至图8中所示的方法形成仅其保护层要厚lOnm的伺服部分上的DTR介质。Ru用作保护层(表l)。为了得到位于记录层以上的保护层和位于非记录层以上的保护层之间的膜厚度中的差异，分别三次重复通过溅射方法形成50nm厚的膜和回刻蚀30nm的厚度。从而，获得了记录层和伺服部分之间Rmax的10nm的差异。最终通过执行回刻蚀100nm的厚度，平面化记录轨道上的表面。在填充处理后，通过CVD方法形成DLC，并且涂覆润滑剂作为保护层。当通过使用旋转支架的磁体来执行DC退磁和通过安装磁头到驱动器中来执行驱动器耐久性测试时，从分别使用Ru和Si02作为保护层的介质获得一5.0次幂和一4.0次幂的BER。还有，当通过数字激光多普勒振动计(LDV)在大气增压中测量其保护层要厚10nm的DTR介质时，没有发现由于伺服部分的不平坦引起的振荡。还有，当通过使用具有15nm的浮置高度的磁头的滑行高度测试仪作出浮置评估时，没有发现归因于保护层的不平坦的碰撞。接下来，以下将给出比较示例。除了通过偏压溅射方法来执行填充/平面化以对准轨道部分和伺服部分中的不平坦外，通过与示例1相同的方法形成其保护层在轨道部分和伺服部分中薄的DTR介质。Si02用作保护层，并且通过填充平面化后的Rmax在轨道部分和伺服部分中都为4nm(表1)。通过磁体执行DC退磁，然后通过使用旋转支架的记录/播放头在轨道部分上写入数据，并且然后在伺服部分上写入数据。当形成的DTR介质的覆盖(OW)信号设置为1时，作出了信号强度比较(参见表2)。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>表2在示例1的介质中，能够获得足够的OW信号。关于伺服部分，示例1中的介质难于OW，而不是比较示例1中的介质难于ow。[比较示例2]除了填充后的CVD保护层要厚10nm夕卜，通过与比较示例1中相同的方法形成其保护层在轨道部分和伺服部分中都厚的DTR介质。通过磁体执行DC退磁，然后通过使用旋转支架的记录/播放头在轨道部分上写入数据，并且然后在伺服部分上写入数据。当形成的DTR介质的覆盖(OW)信号设置为1时，作出了信号强度比较(表2)。在比较示例2中，从介质的轨道部分获得了足够的OW信号。通过图2至图8中所示的方法形成仅其保护层要厚20nm的伺服部分上的DTR介质。Si02用作保护层。为了获得位于记录层以上的保护层和位于非记录层以上的保护层之间的膜厚度中的差异，分别执行一次通过溅射方法形成50nm厚的膜和回刻蚀30nm的厚度。从而，获得了20nm的不平坦的差异(表格l)。在高温和高湿度环境下的腐蚀测试、使用AE传感器的浮置稳定度评估、及通过旋转支架在伺服部分中的信号强度比较被应用到得到的介质上(表3)。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>表3从没有应用填充的介质的伺服部分和轨道部分发现了腐蚀，但是没有从掩埋的介质发现腐蚀。当进一步继续评测时，保护层薄的轨道部分首先被腐蚀，但是没有从伺服部分发现腐蚀。还有，在使用AE传感器的浮置稳定性评测中，从不平坦的差异为20nm的比较示例3中的介质观察到了AE信号，但是没有从不平坦的差异为10nm并且磁头稳定地浮置的介质观察到AE信号。还有，在应用DC退磁到介质后执行的旋转支架评测中，示例l和示例3中的金属膜的不平坦的差异为lOrnn并且因此信号没有降低，但是在比较示例3中发现信号强度降低了，其中掩埋有氧化物。在这种情况下，本发明不限于实施例的情况，并且在实施阶段能够在不脱离本发明的主旨的范围中改变和修改构成元件。通过合适地组合实施例中公开的多个构成元件能够形成多个发明。例如，可以从实施例中公开的所有构成元件中删除数个构成元件。此外，可以在不同的实施例的范围合适地组合构成元件。应当理解，本发明不限于上述具体实施例并且能够不脱离本发明的精神和范围利用修改的部件实施本发明。能够根据上述实施例中公开的部件的合适的组合以多种形式实施本发明。例如，能够从实施例中示出的所有部件中删除一些部件。此外，可以合适地组合使用不同实施例中的部件。权利要求1、一种磁记录介质，其包括基底；记录层，形成在所述基底上，由沟槽图案围绕；以及保护层，形成在所述记录层上，以填充所述沟槽图案，其中，所述记录层包括在保留伺服数据的伺服部分和保留记录数据的记录轨道部分中，以及其中，在所述伺服部分处的所述保护层的厚度比在所述记录轨道部分处的所述保护层的厚度大1nm到10nm的范围。2、如权利要求1所述的介质，其中，所述保护层包括选自包含Ni、Nb、Cu、Hf、Zr、Cr、Ru、Pt、Pd、Ti、Ta、Mo、及W的组的金属材料和所述金属材料的合金。3、一种磁存储设备，包括磁记录介质，其中记录有数据；以及浮置在所述磁记录介质上并且访问所述数据的磁头，其中，所述磁记录介质包括基底；记录层，形成在所述基底上，由沟槽图案围绕；以及保护层，形成在所述记录层上，以填充所述沟槽图案，其中，所述记录层包括在保留伺服数据的伺服部分和保留记录数据的记录轨道部分中，以及其中，在所述伺服部分处的所述保护层的厚度比在所述记录轨道部分处的所述保护层的厚度大lnm到10nm的范围。4、如权利要求3所述的设备，其中，所述保护层包括选自包含Ni、Nb、Cu、Hf、Zr、Cr、Ru、Pt、Pd、Ti、Ta、Mo、及W的组的金属材料和所述金属材料的合金。5、如权利要求3所述的设备，其中，所述磁记录层还包括形成在所述记录层以下的软磁层，以及其中，所述软磁层包括选自包含CoZr合金、CoZrNb合金、及CoZrTa合金的组的非晶软磁材料。全文摘要一种磁记录介质，其包括基底；记录层，形成在所述基底上，具有沟槽图案；以及保护层，形成在所述记录层上，填充所述沟槽图案，其中规定所述记录层具有保留伺服数据的伺服部分和保留记录数据的记录轨道部分，并且其中，在所述伺服部分处的所述保护层的第一膜的厚度比在所述记录轨道部分处的所述保护层的第二膜的厚度大1nm到10nm的厚度范围。文档编号G11B5/72GK101308669SQ20081009950公开日2008年11月19日申请日期2008年5月13日优先权日2007年5月14日发明者木村香里,白鸟聪志,镰田芳幸申请人:株式会社东芝