带电路的悬挂基板的制作方法

专利名称：带电路的悬挂基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及带电路的悬挂基板，具体涉及搭载于采用光辅助法的硬盘 驱动器等的带电路的悬挂基板。
背景技术：
近年来，作为针对硬盘等的磁记录方式，己知光辅助法(光辅助磁记录 方式)，该方式通过记录信息时在以光照加热硬盘而使其顽磁力下降的状态 下用磁头进行记录，从而可以用较小的记录磁场高密度地记录信息。
例如，提出了在采用光辅助法的光辅助磁记录装置中，通过于磁头滑 块的侧面形成磁再现元件及磁记录元件(磁头)、光波导和光源，从而设置 磁记录再现元件，使该磁头滑块支承于悬挂的技术方案(例如参照日本专利
特开2000-195002号公报)。

发明内容
但是，为了应对小型化的要求，形成较小的磁头滑块，而且设有磁头， 因此空间上难以设置除此之外的部件。因此，如果试图将光辅助法中所用 的光波导和光源与磁头一起设于磁头滑块，则存在受到布局上的限制，制 造麻烦，制造成本上升的问题。
另外，由于所述的布局上的限制，光波导具有弯曲部分时，发生光信 号不会沿弯曲部分弯曲而依旧笔直前进等情况，存在容易漏光而难以传送
光辅助法所需的光量的光信号的问题。
本发明的目的在于提供不仅在可以采用光辅助法的同时，能够确保设 计上的自由，在可以使制造效率提高的同时，能够实现制造成本的降低， 还可以防止光信号漏出的带电路的悬挂基板。
本发明的带电路的悬挂基板的特征在于，具备金属支承基板、形成于
所述金属支承基板上的基底绝缘层、形成于所述基底绝缘层上的导体图案、
以被覆所述导体图案的状态形成于所述基底绝缘层上的被覆绝缘层、包含 具有弯曲部分的核心层和被覆所述弯曲部分表面的金属薄膜的光波导。
此外，本发明的带电路的悬挂基板中，较好是所述金属薄膜被覆所述 弯曲部分的上表面和侧面。
此外，本发明的带电路的悬挂基板中，较好是所述金属薄膜由银形成。
与磁头滑块相比，本发明的带电路的悬挂基板可以在空间上更有余地 地形成光辅助法中所用的光波导。因此，不仅能够确保设计上的自由，在 可以使制造效率提高的同时，能够实现制造成本的降低。
另外，弯曲部分的表面被金属薄膜被覆，所以在弯曲部分内，光信号 被金属薄膜反射，被封入核心层内并沿弯曲部分传送。因此，可以防止弯 曲部分的光信号漏出，传送光辅助法所需的光量的光信号。


图l表示本发明的带电路的悬挂基板的一种实施方式的平面图。
图2为沿图1所示的带电路的悬挂基板中的光波导的截面图。 图3为沿图1所示的带电路的悬挂基板的配线部的宽度方向的截面图，
左侧图表示弯曲部分的截面图，右侧图表示直线部分的截面图。
图4为表示图3所示的带电路的悬挂基板的制造工序的截面图，左侧图
为对应于图3的左侧图的沿配线部的弯曲部分的宽度方向的截面图，右侧图
为沿端子形成部的长边方向的放大截面图，
(a) 表示准备金属支承基板的工序，
(b) 表示在金属支承基板上形成兼作下包层的基底绝缘层的工序，
(c) 表示在基底绝缘层上形成导体图案的工序，
(d) 表示在基底绝缘层上形成核心层的工序。
图5为接图4表示图3所示的带电路的悬挂基板的制造工序的截面图，左 侧图为对应于图3的左侧图的沿配线部的弯曲部分的宽度方向的截面图，右 侧图为沿端子形成部的长边方向的放大截面图，
(e) 表示以被覆弯曲部分的核心层的表面的状态形成金属薄膜的工序，
(f) 表示在基底绝缘层上形成兼作上包层的被覆绝缘层的工序，
(g) 表示在端子形成部的金属支承基板上形成开口部的工序，
(h) 表示将基底绝缘层、核心层和被覆绝缘层的前端部通过激光加工以 核心层的前端部的端面与长边方向交叉的状态进行切削的工序。
图6为搭载磁头滑块、磁头和图l所示的带电路的悬挂基板的硬盘驱动 器采用光辅助法在硬盘上记录信息的状态的说明图。
图7为沿图1所示的带电路的悬挂基板的配线部的弯曲部分的宽度方向
的截面图，表示光波导设于基底绝缘层上的形态的截面图。
图8为表示图7所示的带电路的悬挂基板的制造工序的截面图，左侧图 为对应于图7的沿配线部的弯曲部分的宽度方向的截面图，右侧图为沿端子 形成部的长边方向的放大截面图，
(a) 表示准备金属支承基板的工序，
(b) 表示在金属支承基板上依次层叠基底绝缘层、导体图案和被覆绝缘 层的工序，
(c) 表示在基底绝缘层上形成下包层的工序，
(d) 表示在下包层上形成核心层的工序。
图9为接图8表示图7所示的带电路的悬挂基板的制造工序的截面图，左 侧图为对应于图7的沿配线部的弯曲部分的宽度方向的截面图，右侧图为沿
端子形成部的长边方向的放大截面图，
(e) 表示以被覆弯曲部分的核心层的表面的状态形成金属薄膜的工序，
(f) 表示在下包层上以被覆金属薄膜的状态形成上包层的工序，
(g) 表示在端子形成部的金属支承基板上形成开口部的工序，
(h) 表示将基底绝缘层和光波导的前端部通过激光加工以光波导的前
端部的端面与长边方向交叉的状态进行切削的工序。
图10为沿图1所示的带电路的悬挂基板的配线部的弯曲部分的宽度方 向的截面图，表示光波导设于被覆绝缘层上的形态的截面图。
图11为表示图10所示的带电路的悬挂基板的制造工序的截面图，左侧 图为对应于图10的沿配线部的弯曲部分的宽度方向的截面图，右侧图为沿 端子形成部的长边方向的放大截面图，(a) 表示准备金属支承基板的工序，
(b) 表示在金属支承基板上依次层叠基底绝缘层、导体图案和被覆绝缘 层的工序，
(c) 表示在被覆绝缘层上形成下包层的工序，
(d) 表示在下包层上形成核心层的工序，
(e) 表示以被覆弯曲部分的核心层的表面的状态形成金属薄膜的工序。 图12为接图11表示图10所示的带电路的悬挂基板的制造工序的截面
图，左侧图为对应于图10的沿配线部的弯曲部分的宽度方向的截面图，右 侧图为沿端子形成部的长边方向的放大截面图，
(f) 表示在下包层上以被覆金属薄膜的状态形成上包层的工序，
(g) 表示在端子形成部的金属支承基板上形成开口部的工序，
(h) 表示将基底绝缘层、被覆绝缘层和光波导通过激光加工以光波导的 前端部的端面与长边方向交叉的状态进行切削的工序。
具体实施例方式
图l为表示本发明的带电路的悬挂基板的一种实施方式的平面图，图2 为沿图l所示的带电路的悬挂基板中的光波导的截面图，图3为沿图1所示的 带电路的悬挂基板的配线部的与长边方向垂直的方向(以下称为宽度方向) 的截面图，左侧图表示弯曲部分的截面图，右侧图表示直线部分的截面图。 还有，图1和图2中，基底绝缘层12和被覆绝缘层14省略。
图1中，该带电路的悬挂基板l在金属支承基板ll上一体地形成有用于 连接外部电路基板(例如读写基板等)2和磁头28的导体图案13，所述金属支 承基板11用于安装硬盘驱动器的磁头28(参照图6)，在对抗磁头28和硬盘 26(参照图6)相对移动时的气流，与硬盘26间保持微小的间隔的同时，支承 该磁头28。
该带电路的悬挂基板l一体地具备呈沿长边方向延伸的平带形状形成 的配置于长边方向一侧(以下称为后侧)的配线部3和配置于配线部3的长边 方向另一侧(以下称为前侧)的万向接头部4。
配线部3呈沿长边方向延伸的俯视近似矩形形状形成。 万向接头部4自配线部3的前端连续地形成，呈相对于配线部3向宽度方 向两外侧膨出的俯视近似矩形形状形成。此外，万向接头部4形成有俯视时 向前侧张开的近似U字状的狭缝部5。此外，万向接头部4一体地具备在宽度 方向被狭缝部5所夹的舌片部6和配置于狭缝部5的宽度方向两外侧和舌片 部6的前端侧的外伸支架部8。
舌片部6呈俯视近似矩形形状形成，具备搭载部9和端子形成部10。 搭载部9为用于搭载磁头滑块27的区域，配置于舌片部6的后侧，呈俯
视近似矩形形状形成。
端子形成部10为形成后述的磁头侧连接端子部17的区域，配置于搭载 部9的前侧。此外，端子形成部10形成有俯视近似矩形形状的开口部7。
开口部7以在厚度方向贯穿金属支承基板11的状态呈俯视近似矩形形 状形成，位于搭载部9的旁边，形成于端子形成部10的宽度方向中央。
导体图案13—体地连续具备外部侧连接端子部16、磁头侧连接端子部 17、用于连接这些外部侧连接端子部16和磁头侧连接端子部17的信号配线 15。
各信号配线15沿带电路的悬挂基板1的长边方向设置多条(4条)，在宽 度方向上相互空开间隔并列配置。
多条的信号配线15由第l配线15a、第2配线15b、第3配线15c和第4配线 15d形成，这些第l配线15a、第2配线15b、第3配线15c和第4配线15d从宽度 方向 一侧向宽度方向另 一侧依次配置。
更具体地，第l配线15a、第2配线15b、第3配线15c和第4配线15d在配 线部3以相互平行地延伸的状态形成。在万向接头部4，第l配线15a和第2配 线15b在外伸支架部8的宽度方向一侧以与该宽度方向一侧端缘平行的状态 配置，第3配线15c和第4配线15d在外伸支架部8的宽度方向另一侧以与该宽 度方向另一侧端缘平行的状态配置。第l配线15a、第2配线15b、第3配线15c 和第4配线15d配置成，在到达外伸支架部8的前端侧后，向宽度方向内侧弯 曲后，向宽度方向内侧延伸，再以折回至后侧的状态弯曲，达到磁头侧连 接端子部17的前端部。
还有，第l配线15a和第2配线15b以在配线部3向宽度方向内侧绕开后述
的发光元件20的状态配置。
外部侧连接端子部16配置于配线部3的后端部，以分别连接各配线15 的后端部的状态设置多个(4个)。此外，该外部侧连接端子部16在宽度方向 空开间隔配置。此外，外部侧连接端子部16中，对应于连接外部侧连接端 子部16的第l配线15a、第2配线15b、第3配线15c和第4配线15d，从宽度方 向一侧向宽度方向另一侧依次配置第l外部侧连接端子部16a、第2外部侧连 接端子部16b、第3外部侧连接端子部16c和第4外部侧连接端子部16d。该外 部侧连接端子部16上连接以虚线表示的外部电路基板2的未图示的端子部。
磁头侧连接端子部17配置于万向接头部4，更具体来说，配置于舌片部 6的端子形成部10的后端部。磁头侧连接端子部17以分别连接各信号配线15 的前端部的状态设置多个(4个)。
更具体来说，该磁头侧连接端子部17沿端子形成部10的后端缘(搭载部 9的前端缘)在宽度方向相互空开间隔配置。此外，磁头侧连接端子部17中， 对应于连接其的第2配线15b、第l配线15a、第3配线15c和第4配线15d，从 宽度方向一侧向宽度方向另一侧依次配置第2磁头侧连接端子部17b、第l磁 头侧连接端子部17a、第3磁头侧连接端子部17c和第4磁头侧连接端子部 17d。该磁头侧连接端子部17上连接磁头28的未图示的端子部。
另外，如图3所示，该带电路的悬挂基板l具备金属支承基板ll、形成 于金属支承基板11上的基底绝缘层12、形成于基底绝缘层12上的导体图案 13、形成于基底绝缘层12上被覆导体图案13的被覆绝缘层14。
如图1和图3所示，金属支承基板ll对应于带电路的悬挂基板l的外形形 状形成。
基底绝缘层12以金属支承基板11的周端缘露出的状态形成，使其对应 形成配线部3和万向接头部4中的导体图案13和核心层23(后述)的位置。更 具体地，基底绝缘层12呈与金属支承基板11相比长边方向和宽度方向稍短 的平带形状形成。
导体图案13在配线部3和万向接头部4的范围内配置，作为一体地连续 具备外部侧连接端子部16及磁头侧连接端子部17和信号配线15的配线电路 图案形成。此外，导体图案13在基底绝缘层12上以确保形成后述的核心层
23的区域的状态配置。
被覆绝缘层14在配线部3和万向接头部4的范围内配置，以对应形成信 号配线15和核心层23的位置的状态配置。被覆绝缘层14以外部侧连接端子 部16及磁头侧连接端子部17露出且被覆信号配线15和核心层23的状态形 成。
另外，如图1所示，该带电路的悬挂基板l具备光辅助法所用的光辅助 部18。
光辅助部18具备光波导19和发光元件20。
光波导在配线部3和万向接头部4的范围内配置，沿导体图案13延伸的 方向配置。
更具体地，光波导19在配线部3于宽度方向一侧、即在宽度方向最外侧 与第l配线15a空开间隔配置，以与第l配线15a平行地延伸的状态设置。此 外，光波导19在外伸支架8中的宽度方向一侧及前端侧和端子形成部10于相 对于第l配线15a的第2配线15b的相反侧空开间隔配置，以与第l配线15a平 行地延伸的状态设置。即，光波导19配置为，以与第l配线15a平行地延伸， 在外伸支架部8的前端侧向后侧折回后，沿万向接头部4的宽度方向中央延 伸，达到开口部7。
更具体地，光波导19从发光元件20到开口部7为止具备多个直线部分、 设于直线部分间和端部的5个弯曲部分(第1弯曲部分41、第2弯曲部分42、 第3弯曲部分43、第4弯曲部分44和第5弯曲部分45)。
第1弯曲部分41在配线部3的后端于发光元件20的前侧与发光元件20邻 接配置。此外，第1弯曲部分41以越靠前侧越向宽度方向一侧(外侧)弯曲的 状态形成。更具体地，第1弯曲部分41以向宽度方向另一侧(内侧)突出的近 似S字状的弯曲状弯曲。
第2弯曲部分42以跨越配线部3和万向接头部4之间的状态配置在宽度 方向上与第1弯曲部分41大致相同的位置。此外，第2弯曲部分42以越靠前 侧越向宽度方向一侧(外侧)弯曲的状态形成。更具体地，第2弯曲部分42以 向宽度方向另一侧(内侧)突出的近似S字状的弯曲状弯曲。
第3弯曲部分43在外伸支架部8的宽度方向一侧(外侧)的后端，配置于
比第2弯曲部分42更靠近前侧和宽度方向一侧(外侧)的位置。此外，第3弯 曲部分43以越靠后侧越向宽度方向另一侧(内顶lJ)弯曲的状态形成。更具体 地，第3弯曲部分43以向宽度方向一侧(外侧)突出的近似S字状的弯曲状弯 曲。
第4弯曲部分44在外伸支架部8的宽度方向一侧(外侧)的前端，配置在 宽度方向上与第3弯曲部分43大致相同的位置。第4弯曲部分44以从自第3弯 曲部分43向前端延伸的直线部分朝宽度方向另一侧(内侧)弯曲的状态形 成。更具体地，第4弯曲部分44以向宽度方向一侧(外侧)和前端侧突出的近 似L字状的弯曲状弯曲。
第5弯曲部分45在外伸支架部8的前端且位于宽度方向中央，配置在长 边方向上与第4弯曲部分44大致相同的位置。第5弯曲部分45以从自第4弯曲 部分44向宽度方向另一侧(内侧)延伸的直线部分朝后侧弯曲的状态形成。 更具体地，第5弯曲部分45以向宽度方向另一侧和前端侧突出的近似L字状 的弯曲状弯曲。
此外，光波导19与发光元件20以光学方式连接。更具体地，光波导19 以其后端(第1弯曲部分41的后端)与发光元件20连接的同时，其前端邻接开 口部7的状态形成。
发光元件20为用于使光入射光波导19的光源，例如将电能转换为光能 而出射高能的光的光源。该发光元件20配置于金属支承基板11的后端侧， 更具体地，在配线部3的后端侧，与外部侧连接端子部16于前端侧空开间隔 配置，与信号配线15(第l配线15a)于宽度方向一侧空开间隔配置。此外， 该发光元件20形成于基底绝缘层12上。
此外，对于该发光元件20，发光元件20上连接用于供给电能的供给配 线30，该供给配线30上连接用于与外部电路基板2的未图示的端子部连接的 供给端子部31。还有，供给配线30在发光元件20的后端侧，沿信号配线15(第 l配线15a)延伸，供给端子部31与外部侧连接端子部16(第1外部侧连接端子 部16a)于宽度方向一侧空开间隔配置。此外，供给配线30被被覆绝缘层14 被覆，供给端子部31从被覆绝缘层14露出。
该光辅助部18中，在发光元件20中，通过供给端子部31和供给配线30
自外部电路基板2供给的电能被转换为光能，该光出射至光波导19。出射的
光通过光波导19，在后述的端面21被反射，照射于硬盘26。
此外，如图6所示，光波导19的前端部的端面21以例如与光波导19的长 边方向呈规定角度(倾斜角)a交叉的状态形成。由此，光波导19以其端面 21成为具有倾斜角a的镜面的状态形成，所以入射至光波导19的光通过端 面21被以规定角度改变光路，光路改变了的光朝向所需的位置，散射的同 时进行照射。这样的倾斜角a没有特别限定，例如为35 55° ，较好是40 50° ，更具体为45° 。
另外，如图3所示，该带电路的悬挂基板l中，光波导19设于金属支承 基板11上。
通常的光波导以夹着核心层的状态设有下包层和上包层。然而，该光 波导19中，基底绝缘层12兼作下包层，被覆绝缘层14兼作上包层，光波导 19由基底绝缘层12、被覆绝缘层14和被它们夹着的核心层23形成。
更具体地，如图3的右侧图所示，该光波导19在直线部分具备基底绝缘 层12、形成于基底绝缘层12上的核心层23和形成于基底绝缘层12上并被覆 核心层23的被覆绝缘层14。
此外，如图3的左侧图所示，该光波导19在第1弯曲部分41、第2弯曲部 分42、第3弯曲部分43、第4弯曲部分44和第5弯曲部分45具备基底绝缘层12、 形成于基底绝缘层12上的核心层23、形成于核心层23的表面和从核心层23 露出的基底绝缘层12的表面的一部分(核心层23的周边部分)的金属薄膜25 和形成于基底绝缘层12上并被覆金属薄膜25的表面的被覆绝缘层14。
金属薄膜25在第1弯曲部分41、第2弯曲部分42、第3弯曲部分43、第4 弯曲部分44和第5弯曲部分45连续一体地形成于核心层23的上表面、核心层 23的两侧面和从核心层23的两侧面的下端部向宽度方向两外侧稍稍延伸的 基底绝缘层12的上表面。
还有，如图6所示，核心层23在邻接开口部7的前半部分也于绝缘层12 上形成。即，基底绝缘层12和被覆绝缘层14与核心层23对应，以俯视时呈 大致同一位置的状态邻接开口部7。
图4和图5为表示图3所示的带电路的悬挂基板的制造工序的截面图，左 侧图为对应于图3的左侧图的沿配线部的弯曲部分的宽度方向的截面图，右 侧图为沿端子形成部的长边方向的放大截面图。
以下，参照图4和图5对该带电路的悬挂基板1的制造方法进行说明。
首先，该方法中，如图4(a)所示，准备金属支承基板ll。 金属支承基板ll由不锈钢、42合金、铝、铜-铍、磷青铜等金属材料形
成。金属支承基板ll的厚度例如为15 30um，较好是20 25"m。
接着，该方法中，如图4(b)所示，在金属支承基板ll上形成兼作下包层
的基底绝缘层12。
作为形成兼作下包层的基底绝缘层12的树脂材料，可以使用通常的形成带 电路的悬挂基板的基底绝缘层的树脂材料或通常的形成光波导的下包层的树 脂材料。作为形成这样的基底绝缘层的材料，例如可以使用聚酰亚胺树脂、聚 酰胺酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、聚醚腈树脂、聚醚砜树脂、聚对苯二甲酸 乙二酯树脂、聚萘二甲酸乙二酯树脂、聚氯乙烯树脂等合成树脂等绝缘材 料，可优选使用聚酰亚胺树脂。此外，作为形成下包层的树脂材料，例如可 以使用聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、有机硅树脂、环氧树脂(脂环式环氧树脂 等)、丙烯酸类树脂或者莉衍生物树脂以及芴衍生物树脂和脂环式环氧树脂的 混合树脂、这些树脂和脂环式醚化合物(例如氧杂环丁烷化合物等)的混合树 脂。这些树脂材料较好是掺入感光剂而制成感光性树脂使用，可优选使用感光 性芴衍生物树脂(感光性烯烃类环氧树脂作为原料)和脂环式环氧树脂的混合 树脂。此外，作为感光剂，例如可以使用公知的镜盐，更具体为4,4-双[二(P -羟基乙氧基)苯基亚硫酰基]苯基硫醚-双六氟锑酸盐等。
形成基底绝缘层12时，例如在金属支承基板11的上表面涂布感光性的上述 绝缘材料的清漆，干燥后，隔着光刻掩模曝光，显影后根据需要使其固化。
这样形成的基底绝缘层12的折射率例如为1.500 1.600。此外，基底绝缘 层12的厚度例如为l 35yra，较好为6 15ym。
接着，该方法中，如图4(c)所示，在基底绝缘层12上以上述的图案形成导 体图案13。
作为形成导体图案13的材料，例如可以使用铜、镍、金、焊锡或它们 的合金等导体材料。
形成导体图案13时，例如使用加成法(additive method)、减成法(subtr active method)等公知的图案形成方法，优选使用加成法。
这样形成的导体图案13的厚度例如为3 50wm，较好为5 20um。此夕卜， 各信号配线15的宽度例如为10 200nm，较好是20 100um，各信号配线15间 的间隔例如为10 1000um，较好是20 100um。此外，各外部侧连接端子部 16和各磁头侧连接端子部17的宽度例如为20 1000 u m，较好是30 800 u m， 各外部侧连接端子部16间的间隔和各磁头侧连接端子部17间的间隔例如为 20 1000um，较好是30 800um。
接着，该方法中，如图4(d)所示，在基底绝缘层12上形成核心层23。
作为形成核心层23的材料，可以使用折射率比基底绝缘层12的树脂材 料高的树脂材料。作为这样的树脂材料，例如可以使用与形成下包层的树 脂材料同样的树脂材料，可优选使用感光性芴衍生物树脂(感光性烯烃类环氧 树脂作为原料)和脂环式环氧树脂的混合树脂。
以上述的图案形成核心层23时，例如使用公知的稀释剂调制上述树脂的清 漆(树脂溶液)，将该清漆涂布于包括导体图案13的基底绝缘层12的表面后，干 燥，根据需要使其固化。此外，使用感光性树脂的情况下，清漆的涂布和干燥 后，隔着光刻掩模曝光，通过以公知的有机溶剂等使未曝光部分溶解而显影后， 根据需要使其固化。
这样形成的核心层23的折射率设定得比基底绝缘层12的折射率稍高，例如 为l. 505 1.605。此外，核心层23的厚度例如为l 30um，较好为3 10um， 宽度例如为l 30wra，较好是3 10um。此外，各弯曲部分的曲率半径例如为 0. 01 10mm，较好是O. 5 5mm。
接着，该方法中，如图5(e)所示，以被覆各弯曲部分的核心层23的表面 和从核心层23露出的基底绝缘层12的上表面的一部分(核心层23的周边部 分)的状态形成金属薄膜25。
作为形成金属薄膜25的金属材料，例如可以使用银、铝、镍、铬、铜等金
属材料。由于光的反射率高，可优选使用银。
形成金属薄膜25时，先形成与金属薄膜25的图案相反的图案的抗蚀膜，将 形成金属薄膜25的部分的周边掩蔽。然后，通过例如真空蒸镀法、离子电镀法、
溅射法等蒸镀法或电镀法、无电解镀法等镀覆法等薄膜形成法，在从抗蚀膜露
出的核心层23的表面和基底绝缘层12的表面形成金属薄膜25，优选通过溅射法形成。
关于溅射法，例如将上述的金属材料作为靶材，导入氩等惰性气体进行溅
射，从而形成金属薄膜25。
然后，通过蚀刻或剥离等除去抗蚀膜。
这样形成的金属薄膜25的厚度例如为0. 1 lum，较好为0.2 0.5um。此 外，形成于核心层23的周边部分的基底绝缘层12的金属薄膜25的宽度例如为 0. 1 1 u m。
接着，该方法中，如图5(f)所示，在基底绝缘层12上以被覆导体图案13、 核心层23和金属薄膜25的状态形成兼作上包层的被覆绝缘层14。
形成兼作上包层的被覆绝缘层14时，例如可以使用通常的带电路的悬挂 基板所使用的被覆绝缘层的树脂材料或者通常的光波导的上包层所使用的树 脂材料。作为这样的树脂材料，可以使用与上述的形成兼作下包层的基底绝缘 层12的树脂材料同样的材料。
形成兼作上包层的被覆绝缘层14时，例如调制与上述同样的树脂材料的 清漆(树脂溶液)，将该清漆在各弯曲部分涂布于包括导体图案13和金属薄膜25 的基底绝缘层12的上表面，在直线部分涂布于包括导体图案13和核心层23的基 底绝缘层12的上表面，干燥后根据需要隔着光刻掩模进行曝光和显影，根据需 要使其固化。
由此，被覆绝缘层14以外部侧连接端子部16、磁头侧连接端子部17和供给 端子部31露出并被覆信号配线15、核心层23(直线部分)、金属薄膜25(弯曲部 分)和供给端子部31的状态形成。
这样形成的被覆绝缘层14的折射率设定得比核心层23的折射率稍低，例如 为1.500 L 600。此外，被覆绝缘层14的厚度(自核心层23的表面的厚度)例如 为l 40um，较好为5 12um。
接着，该方法中，如图5(g)所示，在端子形成部10的金属支承基板11 上形成开口部7。
形成开口部7时，通过例如钻削等穿孔或例如干法蚀刻、湿法蚀刻等蚀
刻等形成，优选通过蚀刻形成。
该开口部7以与光波导19的前端部在厚度方向上重叠的状态形成，更具 体来说，以宽度方向上光波导19的前端部配置于中央而长边方向上光波导 19的前端部配置于前半部分的状态形成。
这样形成的开口部7的宽度例如为50 500" m，较好是100 200 u m， 长度(长边方向长度)例如为50 500ura，较好是100 200um。
接着，该方法中，如图5(h)所示，将基底绝缘层12、核心层23和被覆绝 缘层14的前端部自开口部7侧通过激光加工以核心层23的前端部的端面21
与长边方向交叉的状态进行切削。
激光加工中，如图5(h)的虚线所示，将通过开口部7的激光以与长边方 向呈规定角度交叉的状态从开口部7侧(厚度方向下侧)照射于基底绝缘层 12、核心层23和被覆绝缘层14，从而将这些基底绝缘层12、核心层23和被 覆绝缘层14一次性切削。
由此，可以将基底绝缘层12、核心层23和被覆绝缘层14自开口部7侧通 过激光加工以核心层23的前端部的端面21与长边方向交叉的状态进行切 削。
然后，在配线部3的后端侧，将发光元件20配置在基底绝缘层12上，使 其与核心层23的第1弯曲部分41的后端以光学方式连接，与供给配线30的前 端以电气方式连接。由此，获得带电路的悬挂基板l。
另外，这样得到的带电路的悬挂基板l中，如图1和图2的虚线所示，配 线部3中，外部侧连接端子部16和供给端子部31与外部电路基板2的未图示 的端子部连接。此外，该外部电路基板2上安装有用于控制磁头28(参照图 6)和发光元件20的IC32，该IC32通过IC配线33与外部侧连接端子部16和供 给端子部31所连接的端子部以电气方式连接。
此外，带电路的悬挂基板l中，如图1和图6所示，万向接头4的搭载部9 上搭载磁头滑块27。该磁头滑块27上安装有磁头28，通过上述的磁头滑块 27的安装，磁头28的未图示的端子部与磁头侧连接端子部17以电气方式连 接。此外，通过上述的磁头滑块27的安装，磁头28以邻接开口部7的状态对 向配置于光波导19的前端部的端面21附近。 另外，对于这样的搭载磁头28、磁头滑块27、带电路的悬挂基板l和外 部电路基板2的硬盘驱动器，可以采用光辅助法。
该硬盘驱动器中，例如硬盘26相对于光波导19的前端部的端面21和磁 头28相对地移动。另外，从发光元件20出射的光通过光波导19，在其端面 21，光路被向上方改变或散射，照射于与端面21的上侧对向的硬盘26的表 面。通过自光波导19的端面21的光照，硬盘26的表面被加热，在该状态下， 通过自磁头28的磁场的照射，信息被记录于硬盘26。如果这样的话，硬盘 26的顽磁力被降低，所以能够将信息通过较小的磁场的照射以高密度记录 于该硬盘26。
另外，该带电路的悬挂基板l中，与形成得比带电路的悬挂基板l小的 磁头滑块27相比，可以在空间上更有余地地形成光辅助法所用的光波导19。
尤其，核心层23设于比磁头滑块27在空间上更有余地的基底绝缘层12 上，所以可以确保设计上的自由，在可以使制造效率提高的同时，能够实 现制造成本的降低。
而且，该带电路的悬挂基板l中，基底绝缘层12兼作下包层，被覆绝缘 层14兼作上包层，导体图案13和核心层23—起在基底绝缘层12的上表面被 被覆绝缘层14被覆。
因此，可以实现带电路的悬挂基板l的薄型化、结构的简化和制造工序 的减少，能够使制造效率提高，实现成本的降低。
另外，5个弯曲部分，即第1弯曲部分41、第2弯曲部分42、第3弯曲部 分43、第4弯曲部分44和第5弯曲部分45的表面被金属薄膜25被覆，所以各 弯曲部分内，光信号被金属薄膜25反射，被封入核心层23的同时，沿各弯 曲部分传输。因此，可以防止各弯曲部分中的光信号的泄漏，使光信号以 光辅助法所需的光量传输。
还有，上述的说明中，在各弯曲部分，以被覆核心层23的上表面和两 侧面的状态形成金属薄膜25，但虽未图示，例如也可以在除核心层23的上 表面和两侧面外，还在核心层23的下表面形成金属薄膜25。如果在核心层 23的上表面、两侧面和下表面形成金属薄膜25，则可以高效地将光封入核 心层23。从金属薄膜25的制造(例如溅射等薄膜形成法)的难易度的角
看，较好是形成于核心层23的上表面和两侧面。
此外，上述的说明中，在核心层23的周边部分的基底绝缘层12的表面 形成金属薄膜25，但虽未图示，例如也可以不在核心层23的周边部分的基 底绝缘层12的表面形成，而仅在核心层23的上表面和两侧面形成。从通过 金属薄膜25可靠地被覆核心层23的表面、特别是两侧面的角度来看，较好 是也在核心层23的周边部分的基底绝缘层12的表面形成金属薄膜25。
此外，核心层23的各弯曲部分的形状没有特别限定，例如在俯视时， 除上述的L字状和S字状以外，也可以形成U字状等适当的弯曲状。
此外，上述的说明中，在万向接头部4的宽度方向中央形成开口部7， 但其配置并不局限于此，例如也可以形成于宽度方向一端部或宽度方向另 一端部。为了使磁头滑块27的宽度方向中央部分和光波导19的前端部在长 边方向上对向配置，较好是在万向接头部4的宽度方向中央形成开口部7。
图7为沿图1所示的带电路的悬挂基板的配线部的弯曲部分的宽度方向 的截面图，表示光波导设于基底绝缘层上的形态的截面图，图8和图9为表 示图7所示的带电路的悬挂基板的制造工序的截面图，左侧图为对应于图7 的沿配线部的弯曲部分的宽度方向的截面图，右侧图为沿端子形成部的长 边方向的放大截面图。还有，对于与上述的各部分对应的构件，在以下的 各附图中标记同样的参照符号，省略其详细的说明。
上述的说明中，不独立设置下包层，使基底绝缘层12兼作下包层，不 独立设置上包层，使被覆绝缘层14兼作上包层，但也可以例如图7所示，与 基底绝缘层12独立地设置下包层，再与被覆绝缘层14独立地设置上包层24。
如图7所示，该光波导19在第1弯曲部分41、第2弯曲部分42、第3弯曲 部分43、第4弯曲部分44和第5弯曲部分45具备下包层22、形成于下包层22 上的核心层23、形成于核心层23的上表面和两侧面以及核心层23的周边部 分的下包层22的上表面的金属薄膜25、形成于下包层22上并被覆金属薄膜 25的上包层24。此外，虽未图示，该光波导19在直线部分具备下包层22、 形成于下包层22上的核心层23、形成于下包层22上并被覆核心层23的上包 层24。
被覆绝缘层14在基底绝缘层12上以确保形成光波导19的区域的状态配
置。更具体地，被覆绝缘层14在基底绝缘层12上以基底绝缘层12的宽度方
向一侧的区域露出的状态配置。
下包层22在基底绝缘层12上与被覆绝缘层14的宽度方向一侧空开间隔 邻接配置。
上包层24以其宽度方向两外侧端缘与下包层22的宽度方向两外侧端缘
俯视时在同一位置的状态形成。
以下，参照图8和图9对该带电路的悬挂基板1的制造方法进行说明。
首先，该方法中，如图8(a)所示，准备金属支承基板ll。
接着，该方法中，如图8(b)所示，在金属支承基板ll上依次层叠基底绝
缘层12、导体图案13和被覆绝缘层14。
接着，该方法中，如图8(c)所示，在基底绝缘层12上形成下包层22。作为
形成下包层22的树脂材料，可以使用与上述同样的树脂材料。
以上述的图案形成下包层22时，例如使用公知的稀释剂调制上述树脂的清
漆(树脂溶液)，将该清漆涂布于基底绝缘层12的表面后，干燥，根据需要使其固化。
这样形成的下包层22的折射率例如为1.45 1.55。此外，下包层22的厚度 例如为l 50um，较好为5 20um，宽度例如为20 200 w m，较好是30 100 ti m。
接着，该方法中，如图8(d)所示，在下包层22上形成核心层23。作为形 成核心层2 3的材料，可以使用与上述同样的树脂材料。
以上述的图案形成核心层23时，例如使用公知的稀释剂调制上述树脂的清 漆(树脂溶液)，将该清漆涂布于包括下包层22和被覆绝缘层14的基底绝缘层12 的表面后，干燥，根据需要使其固化。
接着，该方法中，如图9(e)所示，以被覆各弯曲部分的核心层23的表面 和从核心层23露出的下包层22的上表面的一部分(核心层23的周边部分)的 状态形成金属薄膜25。
作为形成金属薄膜25的金属材料，可以使用与上述同样的金属材料。
形成金属薄膜25时，先形成与金属薄膜25的图案相反的图案的抗蚀膜，将 形成金属薄膜25的部分的周边掩蔽。然后，通过上述的薄膜形成法，在从抗蚀
膜露出的核心层23的表面和下包层22的表面形成金属薄膜25。
接着，该方法中，如图9(f)所示，在下包层22上以被覆核心层23和金属 薄膜25的状态形成上包层24。
作为形成上包层24的树脂材料，可以使用与上述同样的树脂材料。 形成上包层24时，调制与上述同样的树脂材料的清漆(树脂溶液)，将该 清漆在各弯曲部分涂布于包括被覆绝缘层14和金属薄膜25的基底绝缘层12的 上表面，在直线部分涂布于包括被覆绝缘层14和核心层23的基底绝缘层12的上 表面，干燥后根据需要隔着光刻掩模进行曝光和显影，根据需要使其固化。
接着，该方法中，如图9(g)所示，在端子形成部10的金属支承基板11 上形成开口部7。
接着，该方法中，如图9(h)所示，将基底绝缘层12和光波导19的前端部 自开口部7侧通过激光加工以光波导19的前端部的端面21与长边方向交叉 的状态进行切削。
由此，可以制造带电路的悬挂基板l。
另外，这样形成的带电路的悬挂基板l中，因为设置下包层22和上包层 24，所以不需要将基底绝缘层12和被覆绝缘层14的折射率设定得比核心层 23的折射率低，可以提高基底绝缘层12和被覆绝缘层14的树脂材料的选择 性。
图10为沿图1所示的带电路的悬挂基板的配线部的弯曲部分的宽度方 向的截面图，表示光波导设于被覆绝缘层上的形态的截面图，图11和图12 为表示图10所示的带电路的悬挂基板的制造工序的截面图，左侧图为对应 于图10的沿配线部的弯曲部分的宽度方向的截面图，右侧图为沿端子形成 部的长边方向的放大截面图。
上述的说明中，在基底绝缘层12上设置光波导19，但例如也可以设置 于被覆绝缘层14上。
图10中，该带电路的悬挂基板l中，被覆绝缘层14以其周端缘与基底绝 缘层12的周端缘俯视时在同一位置的状态形成。
光波导19在配线部3和万向接头部4的外伸支架部8形成于信号配线 15(更具体为第l配线15a)上。此外，光波导19的核心层23在配线部3和万向
接头部4的外伸支架部8以与第l配线15a俯视时重叠的状态形成。
此外，光波导19在万向接头部4的端子形成部10形成于被覆绝缘层14 上，以与端子形成部10的第l配线15a在宽度方向另一侧错开的状态配置， 更具体地，与第l配线15a空开间隔以与第l配线15a平行地延伸的状态配置。 即，光波导19在端子形成部10以沿端子形成部10的中央延伸至开口部7的状 态配置。
发光元件20形成于被覆绝缘层14上。
制造该带电路的悬挂基板l时，首先，如图ll(a)所示，准备金属支承 基板ll;接着，如图ll(b)所示，在金属支承基板ll上依次层叠基底绝缘层 12、导体图案13和被覆绝缘层14;接着，如图ll(c)所示，在被覆绝缘层14 上形成下包层22;接着，如图ll(d)所示，在下包层22上形成核心层23;接着， 如图ll(e)所示，以被覆各弯曲部分的核心层23的表面和从核心层23露出的 下包层22的上表面的一部分(核心层23的周边部分)的状态形成金属薄膜 25。接着，如图12(f)所示，在下包层22上以被覆核心层23和金属薄膜25的 状态形成上包层24。接着，如图12(g)所示，在端子形成部10的金属支承基 板11上形成开口部7;接着，如图12(h)所示，将基底绝缘层12、被覆绝缘 层14和光波导19自开口部7侧通过激光加工以光波导19的前端部的端面21 与长边方向交叉的状态进行切削。由此，可以制造带电路的悬挂基板l。
如上所述，通过在被覆绝缘层14上形成光波导19，在基底绝缘层12在 空间上没有余地的情况下，也可以确保光波导19的设计上的自由，在可以 使制造效率提高的同时，能够实现制造成本的降低。
还有，上述的说明中，将光波导19设于第l配线15a的宽度方向一侧， 但其配置并不局限于此，虽未图示，但例如可以设于第4配线15d的宽度方 向另一侧。此外，也可以在相对于第2配线15b的第l配线15a的相反侧(即， 相对于第3配线15c的第4配线15d的相反侧)、第l配线15a和第2配线15b之 间、第3配线15c和第4配线15d之间设置光波导19。从空间的角度和使光波 导19的前端部配置于万向接头部4的宽度方向中央的角度来看，较好是将光 波导19设于第l配线15a的宽度方向一侧或第4配线15d的宽度方向另一侧。
此外，上述的说明中，带电路的悬挂基板1中设置1条光波导19，但其
条数没有特别限定，例如也可以根据带电路的悬挂基板l的用途和目的设置 多条光波导19。
此外，上述的说明中，以被覆核心层23的状态设置上包层24或被覆绝 缘层24，但也可以不设置上包层24或被覆绝缘层24，使核心层23露出，即 暴露于空气中，采用所谓的空气包层。从防止核心层23的由外界因素造成 的损伤的角度来看，较好是设置上包层24或被覆绝缘层14。
实施例
以下，示例实施例和比较例，对本发明进行更具体的说明，但本发明 并不受到实施例和比较例的任何限定。
实施例l (在弯曲部分形成金属薄膜的形态) 准备厚20um的由不锈钢形成的金属支承基板(参照图4(a))。
接着，在金属支承基板上以上述的图案形成由聚酰亚胺树脂形成的基 底绝缘层(参照图4(b))。该基底绝缘层的波长830nm的折射率为1.532。此 外，基底绝缘层的厚度为6um。
接着，在基底绝缘层上通过加成法同时形成由铜形成的导体图案和供 给配线及供给端子部(参照图4(c))。它们的厚度为10ixm。
接着，在基底绝缘层上形成具有第l弯曲部分、第2弯曲部分、第3弯曲 部分、第4弯曲部分和第5弯曲部分的核心层。
以上述的图案形成核心层时，首先，配合30重量份9，9-二[(4-羟乙氧 基)苯基]銜二环氧甘油醚(bisphenoxyeth肌olf luorene diglycidyl ethe r)(芴衍生物，环氧当量300g/eq.)、 70重量份2， 2，-双(羟甲基)-1-丁醇的1， 2-环氧-4-(2-环氧乙基)环己垸加成物(脂环式环氧树脂，EHPE3150，大赛 璐化学工业株式会社(夕、V七/W匕学社)制)、0. 5重量份4， 4-双[二 ( e -羟基 乙氧基)苯基亚硫酰基]苯基硫醚-双六氟锑酸盐(感光剂)的50%碳酸丙烯酯溶 液、28重量份乳酸乙酯(稀释剂)，调制清漆。接着，将该清漆涂布于包括导体 图案的基底绝缘层的表面，通过在8(TC加热15分钟而干燥。然后，隔着光刻掩 模曝光，通过用Y-丁内酯类的有机溶剂使未曝光部分溶解来进行显影。然后， 通过在10(TC加热15分钟使其固化，从而在基底绝缘层上形成核心层(参照图4 (d))。
核心层(固化后的核心层)的波长830nm的折射率为1.535。此外，核心 层的厚度为5um，宽度为5"m。此外，第l弯曲部分的曲率半径为5mm，第2 弯曲部分和第3弯曲部分的曲率半径为10mm，第4弯曲部分和第5弯曲部分的 曲率半径为2. 5mm。
接着，以被覆弯曲部分的核心层的表面和从核心层露出的基底绝缘层 的上表面的一部分(核心层的周边部分)的状态形成金属薄膜。
形成金属薄膜时，先形成与金属薄膜的图案相反的图案的抗蚀膜，将形成 金属薄膜的部分的周边掩蔽。然后，通过银溅射，在从抗蚀膜露出的核心层的 表面和基底绝缘层的表面形成由银形成的厚O. 15nm的金属薄膜。然后，通过 蚀刻除去抗蚀膜(参照图5 (e))。
接着，在基底绝缘层上以被覆导体图案、核心层和金属薄膜的状态以 上述的图案形成被覆绝缘层。
以上述的图案形成被覆绝缘层时，首先，配合30重量份9，9-二[(4-羟 乙氧基)苯基]芴二环氧甘油醚(芴衍生物，环氧当量300g/eq.)、45重量份(3， 4-环氧环己基)甲基3'， 4，-环氧环己基甲酸酯((3， 4-印oxycyclohexane)met hyl 3，， 4，-epoxycyclohexy1-carboxylate) 、 25重量份具有环己烯化氧骨架 的脂环式环氧树脂(Celoxide 2081，大赛璐化学工业株式会社(义 < 七^化 学社)制)、l重量份4， 4-双[二 ( P -羟基乙氧基)苯基亚硫酰基]苯基硫醚-双六 氟锑酸盐(感光剂)的50%碳酸丙烯酯溶液，调制清漆。接着，将该清漆涂布于 包括导体图案、核心层和金属薄膜的基底绝缘层的表面，通过在8(TC加热15分 钟而干燥。然后，隔着光刻掩模曝光，通过用Y-丁内酯类的有机溶剂使未曝 光部分溶解来进行显影。然后，通过在10(TC加热15分钟使其固化，从而在基 底绝缘层上以使磁头侧连接端子部、外部侧连接端子部和供给端子部露出且 被覆信号配线、核心层、金属薄膜和供给端子部的状态形成被覆绝缘层(参 照图5(f))。
被覆绝缘层的波长830nm的折射率为1. 532。此外，被覆绝缘层的厚度(自 核心层的表面的厚度)为10 ix m。
接着，在端子形成部的金属支承基板上通过湿法蚀刻形成俯视呈矩形 形状的开口部(参照图5(g))。该开口部的宽度为100u m，长度为100iim。
接着，将基底绝缘层、核心层和被覆绝缘层自开口部侧通过激光加工 以它们的前端部的端面与长边方向交叉的状态一次性进行切削(参照图 5(h))。通过该切削形成的端面的倾斜角为45。。
然后，在该带电路的悬挂基板的配线部的后端侧，将发光元件设置于 基底绝缘层上，使其与光波导的后端以光学方式连接，与供给配线的前端 以电气方式连接。
比较例l (不在弯曲部分形成金属薄膜的形态)
除了不在核心层的各弯曲部分形成金属薄膜以外，与实施例l同样地处理， 获得带电路的悬挂基板，设置发光元件。
艮P，在基底绝缘层上以被覆导体图案和核心层的状态以上述的图案形成被 覆绝缘层。
(评价)
(漏光)
对于实施例l和比较例l中获得的带电路的悬挂基板，使发光元件发光。 实施例1中，从核心层的前端的端面出射足够用于光辅助法的光量。 另一方面，比较例1中，从核心层的前端的端面出射的光量不足，无法用 于光辅助法。
还有，上述说明供作本发明的示例的实施方式，但这仅仅是单纯的示 例，不应解释为限定。本领域的技术人员所显而易见的本发明的变形例包 括在后述的权利要求的范围内。
权利要求
1.带电路的悬挂基板，其特征在于，具备金属支承基板、形成于所述金属支承基板上的基底绝缘层、形成于所述基底绝缘层上的导体图案、以被覆所述导体图案的状态形成于所述基底绝缘层上的被覆绝缘层、包含具有弯曲部分的核心层和被覆所述弯曲部分表面的金属薄膜的光波导。
2. 如权利要求l所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，所述金属薄 膜被覆所述弯曲部分的上表面和侧面。
3. 如权利要求l所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，所述金属薄 膜由银形成。
全文摘要
带电路的悬挂基板具备金属支承基板、形成于金属支承基板上的基底绝缘层、形成于基底绝缘层上的导体图案、以被覆导体图案的状态形成于基底绝缘层上的被覆绝缘层、包含具有弯曲部分的核心层和被覆弯曲部分表面的金属薄膜的光波导。
文档编号G11B5/48GK101359477SQ20081014436
公开日2009年2月4日 申请日期2008年7月30日 优先权日2007年7月31日
发明者S·R·卡恩 申请人:日东电工株式会社