技术总结
本发明公开了一种内容可寻址存储器芯片。具体地，提供了能够以低误差执行高速搜索的内容可寻址存储器芯片。匹配放大器区根据匹配线的电压来确定搜索数据与CAM单元阵列的条目中的内容可寻址存储器单元中存储的数据的一致或不一致。匹配放大器区包括一个或多个NMOS晶体管以及一个或多个PMOS晶体管。匹配放大器区具有匹配线的电压的输入的死区，并且具有在匹配放大器区中不存在贯通电流的属性。
技术研发人员：岸田正信
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
文档号码：201310102743
技术研发日：2013.03.27
技术公布日：2017.07.14