1.一种页面缓冲器，适用于一与非门快闪式存储器阵列，其特征在于，所述页面缓冲器包括：
一预先充电开关，耦接于一供应节点以及一位线之间且由一预先充电信号所控制，其中所述位线耦接至所述与非门快闪式存储器阵列之一所选择的存储器单元，且一供应电压提供至所述供应节点；
一第一开关，耦接于所述位线以及一数据节点之间，且由一编程信号所控制；
一读取开关，耦接于所述数据节点以及一输入/输出节点之间，且由一读取信号所控制；
一写入开关，耦接于一反相数据节点以及所述输入/输出节点之间，且由一写入信号所控制，其中所述数据节点以及所述反相数据节点互为反相；
一闩锁电路，耦接于所述数据节点以及所述反相数据节点之间；
一数据开关，耦接于所述反相数据节点以及一第一节点之间，且由所述位线所控制；以及
一致能开关，耦接于所述第一节点以及一接地端之间，且由一致能信号所控制。
2.如权利要求1所述的页面缓冲器，其特征在于，所述页面缓冲器操作于一读取操作，其中所述读取操作包括下列步骤：
设定所述数据节点至一低逻辑电平以及所述反相数据节点至一高逻辑电平；
利用由所述预先充电信号所控制的所述预先充电开关，预先充电所述位线；以及
通过所述输入/输出节点，感测所述所选择的存储器单元的数据而得到所述所选择的存储器单元储存的数据。
3.如权利要求2所述的页面缓冲器，其特征在于，所述感测所述所选择的存储器单元的数据而得到所述所选择的存储器单元储存的数据的步骤还包括下列步骤：
通过所述位线，感测所述所选择的存储器单元储存的数据，其中当所述所选择的存储器单元为一擦除单元时，对所述位线放电，当所述所选择的存储器单元为一编程单元时，将所述位线维持于所述供应电压；
利用所述致能信号提供一脉冲至所述致能开关；以及
利用反相数据节点感测所述位线的数据，其中当所述所选择的存储器单元为所述 编程单元时，对所述反相数据节点放电，当所述所选择的存储器单元为所述擦除单元时，将反相数据节点维持于所述供应电压。
4.如权利要求1所述的页面缓冲器，其特征在于，所述页面缓冲器操作于一编程操作，其中所述编程操作包括以下步骤：
设定所述数据节点至一高逻辑电平以及所述反相数据节点至一低逻辑电平；
经由所述写入开关，发送一编程数据至所述反相数据节点；
通过所述闩锁电路，设定所述数据节点为一反相编程数据，其中所述编程数据以及所述反相编程数据为反相；
通过所述第一开关，自所述数据节点传送所述反相编程数据至所述位线；以及
利用所述位线的所述反相编程数据，编程所述所选择的存储器单元。
5.如权利要求4所述的页面缓冲器，其特征在于，当所述编程数据位于所述低逻辑电平时，所述所选择的存储器单元被编程为一擦除单元，当所述编程数据位于所述高逻辑电平时，所述所选择的存储器单元被编程为一编程单元。
6.如权利要求1所述的页面缓冲器，其特征在于，所述第一开关为一传输门，其中所述传输门包括：
一P型晶体管，耦接于所述位线以及所述数据节点，且由一反相编程信号所控制，其中所述反相编程信号以及所述编程信号为反相；以及
一N型晶体管，耦接于所述位线以及所述数据节点，且由所述编程信号所控制。
7.如权利要求1所述的页面缓冲器，其特征在于，所述闩锁电路包括：
一第一反相器，包括：
一第一P型晶体管，耦接于一第一电源节点以及所述反相数据节点，且由所述数据节点所控制；以及
一第一N型晶体管，耦接于所述反相数据节点以及一第一参考节点之间，且由所述数据节点所控制；以及
一第二反相器，包括：
一第二P型晶体管，耦接于一第二电源节点以及所述数据节点之间，且由所述反相数据节点所控制；以及
一第二N型晶体管，耦接于所述数据节点以及一第二参考节点之间，且由所述反相数据节点所控制。
8.如权利要求7所述的页面缓冲器，其特征在于，所述数据缓冲器操作于一读取操作，所述读取操作包括以下步骤：
将所述数据节点设定至一低逻辑电平以及将所述反相数据节点设定至一高逻辑电平；
利用由所述预先充电信号所控制的预先充电开关，预先充电所述位线；以及
通过所述输入输出节点，感测所述所选择的存储器单元储存的数据而得到所述所选择的存储器单元储存的数据。
9.如权利要求8所述的页面缓冲器，其特征在于，所述将所述数据节点设定至所述低逻辑电平以及将所述反相数据节点设定至所述高逻辑电平的步骤包括以下步骤：
通过利用所述读取信号所导通的所述读取开关，自所述输入/输出节点传送一重置信号至所述数据节点，其中所述重置信号位于所述低逻辑电平；
将所述第一电源节点以及所述第一参考节点偏压至所述供应电压，且将所述第二电源节点以及所述第二参考节点偏压至所述接地电平；
通过所述第一反相器，将所述反相数据节点设定至所述高逻辑电平；
将所述第一电源节点以及所述第二电源节点偏压至所述供应电压，且将所述第一参考节点以及所述第二参考节点偏压至所述接地电平；以及
不导通所述读取开关。
10.如权利要求8所述的页面缓冲器，其特征在于，所述感测所述所选择的存储器单元储存的数据而得到所述所选择的存储器单元储存的数据的步骤还包括以下步骤：
利用所述位线，感测所述所选择的存储器单元储存的数据，其中当所述所选择的存储器单元为一擦除单元时，对所述位线放电，当所述所选择的存储器单元为一编程单元时，将所述位线维持于所述供应电压；
利用所述致能信号，提供一脉冲至所述致能开关；以及
通过所述反相数据节点，感测所述位线的数据，其中当所述所选择的存储器单元为所述编程单元时，对所述反相数据节点放电，当所述所选择的存储器单元为所述擦除单元，将所述反相数据节点维持于所述供应电压。