1.一种存储阵列的编程方法，其中该存储阵列包括电性连接一第一字线的一目标存储单元、电性连接该第一字线并相邻于该目标存储单元的两周边存储单元以及与该目标存储单元相互串联的多个非目标存储单元、一第一晶体管与一第二晶体管，该存储阵列的编程方法包括：
对该目标存储单元执行一第一编程操作，其中对该目标存储单元执行该第一编程操作的步骤包括：
导通该第一晶体管，并关闭该第二晶体管；以及
利用一传递电压开启所述非目标存储单元，并提升该第一字线所传送的一编程电压的电平；
在执行该目标存储单元的该第一编程操作后，通过至少一验证操作验证该目标存储单元与该两周边存储单元以取得一第一验证结果；以及
依据该第一验证结果而决定是否对该目标存储单元执行一第二编程操作或是一第三编程操作，其中对该目标存储单元执行该第二编程操作或是该第三编程操作的步骤包括：
关闭该第一晶体管与该第二晶体管；以及
提升用以导通所述非目标存储单元的该传递电压的电平以及该第一字线所传送的该编程电压的电平。
2.如权利要求1所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，该至少一验证操作包括一第一验证操作，且通过该至少一验证操作验证该目标存储单元与该两周边存储单元以取得该第一验证结果的步骤包括：
对该目标存储单元执行该第一验证操作，以利用一第一验证电压判别该目标存储单元是否通过该第一验证操作；以及
分别对该两周边存储单元执行该第一验证操作，以利用该第一验证电压分别判别该两周边存储单元是否通过该第一验证操作。
3.如权利要求2所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，依据该第一验证结果而决定是否对该目标存储单元执行该第二编程操作或是该第三编程操作的步骤包括：
当该目标存储单元尚未通过该第一验证操作，且该两周边存储单元中仅一个周边存储单元通过该第一验证操作时，对该目标存储单元执行该第二编程操作；以及
当该目标存储单元尚未通过该第一验证操作，且该两周边存储单元皆通过该第一验证操作时，对该目标存储单元执行该第三编程操作。
4.如权利要求3所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，还包括：
在该第二编程操作中，将该传递电压的电平提升一第一修正量，并将该编程电压的电平提升一第二修正量；以及
在该第三编程操作中，将该传递电压的电平提升一第三修正量，并将该编程电压的电平提升该第二修正量，其中该第三修正量大于该第一修正量。
5.如权利要求3所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，还包括：
在对该目标存储单元执行该第二编程操作后，通过该第一验证操作验证该目标存储单元与该两周边存储单元以取得一第二验证结果，并依据该第二验证结果而决定是否再次对该目标存储单元执行该第二编程操作或是该第三编程操作；以及
在对该目标存储单元执行该第三编程操作后，通过该第一验证操作验证该目标存储单元以取得一第三验证结果，并依据该第三验证结果决定是否再次对该目标存储单元执行该第三编程操作。
6.如权利要求1所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，该至少一验证操作还包括一第一验证操作与一第二验证操作，且通过该至少一验证操作验证该目标存储单元与该两周边存储单元以取得该第一验证结果的步骤包括：
对该目标存储单元执行该第一验证操作，以利用一第一验证电压判别该目标存储单元是否通过该第一验证操作；
分别对该两周边存储单元执行该第一验证操作，以利用该第一验证电压分别判别该两周边存储单元是否通过该第一验证操作；
当该目标存储单元尚未通过该第一验证操作，且该两周边存储单元之一通过该第一验证操作时，对该目标存储单元执行该第二验证操作，以利 用一第二验证电压判别该目标存储单元是否通过该第二验证操作，其中该第二验证电压小于该第一验证电压。
7.如权利要求6所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，依据该第一验证结果而决定是否对该目标存储单元执行该第二编程操作或是该第三编程操作的步骤包括：
当该目标存储单元通过该第二验证操作，且该两周边存储单元中仅一个周边存储单元通过该第一验证操作时，对该目标存储单元执行该第二编程操作；以及
当该目标存储单元通过该第二验证操作，且该两周边存储单元皆通过该第一验证操作时，对该目标存储单元执行该第三编程操作。
8.如权利要求7所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，还包括：
在该第二编程操作中，将该传递电压的电平提升一第一修正量，并将该编程电压的电平提升一第二修正量；以及
在该第三编程操作中，将该传递电压的电平提升一第三修正量，并将该编程电压的电平提升该第二修正量，其中该第三修正量大于该第一修正量。
9.如权利要求7所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，还包括：
当该目标存储单元尚未通过该第二验证操作时，对该目标存储单元再次执行该第一编程操作与该第一验证操作，以决定是否回到对该目标存储单元执行该第二验证操作的步骤；
在对该目标存储单元执行该第二编程操作后，通过该第一验证操作验证该目标存储单元与该两周边存储单元以取得一第二验证结果，并依据该第二验证结果而决定是否再次对该目标存储单元执行该第二编程操作或是该第三编程操作；以及
在对该目标存储单元执行该第三编程操作后，通过该第一验证操作验证该目标存储单元以取得一第三验证结果，并依据该第三验证结果决定是否再次对该目标存储单元执行该第三编程操作。
10.如权利要求1所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，该存储阵列的编程方法采用一递增步阶脉冲编程方式来提升该编程电压的电平。