1.一种方法，包含：
在近场换能器的至少一部分上设置按需滴喷掩模；
在所述近场换能器的剩余的部分之上和所述按需滴喷掩模之上沉积第一保护层；
移除所述按需滴喷掩模以及设置在所述按需滴喷掩模之上的所述第一保护层的一部分，其中所述近场换能器的所述部分被暴露；以及
在所述近场换能器的所述暴露的部分上沉积第二保护层。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一保护层包含类金刚石碳。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第二保护层包含铝氮化物。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述按需滴喷掩模包含墨。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述按需滴喷掩模通过按需滴喷工具形成。
6.如权利要求1所述的方法，还包含在所述近场换能器的所述剩余的部分上和所述按需滴喷掩模上沉积粘附层，并且所述第一保护层沉积在所述粘附层上。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述粘附层包含硅。
8.如权利要求7所述的方法，其中设置在所述按需滴喷掩模上的所述粘附层的和所述第一保护层的部分的总厚度约为5埃。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述按需滴喷掩模具有从约1微米至约2微米范围之间的直径。
10.一种方法，包含：
在近场换能器的至少一部分上设置掩模，其中所述掩模包含墨；
在所述近场换能器的剩余的部分之上和所述掩模之上沉积类金刚石碳层；
移除所述掩模以及设置在所述掩模之上的所述类金刚石碳层的一部分，其中所述近场换能器的所述部分被暴露；以及
在所述近场换能器的所述暴露的部分上沉积铝氮化物层。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述掩模通过喷墨打印机设置在所述近场换能器上。
12.如权利要求10所述的方法，还包含在所述近场换能器的所述剩余的部分上和所述掩模上沉积粘附层，并且所述类金刚石碳层沉积在所述粘附层上。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述粘附层包含硅。
14.如权利要求13所述的方法，其中设置所述掩模上的所述粘附层和所述类金刚石碳层的部分的总厚度约为5埃。
15.如权利要求10所述的方法，其中所述掩模具有从约1微米至约2微米范围之间的直径。
16.一种磁头，包含：
近场换能器；
主磁极端；以及
在所述近场换能器和所述主磁极端上形成的上覆层，其中所述上覆层包含第一部分和与所述第一部分不同的第二部分，其中所述上覆层的所述第二部分设置为相邻于所述近场换能器的至少一部分，并且其中在从所述近场换能器的所述部分移除墨掩模之后，所述上覆层的所述第二部分形成在所述近场换能器的所述部分上。
17.如权利要求16所述的磁头，其中所述上覆层的所述第一部分包含类金刚石碳，并且所述上覆层的所述第二部分包含铝氮化物。
18.如权利要求17所述的磁头，其中所述上覆层的所述第一部分还包含硅。
19.如权利要求16所述的磁头，其中所述上覆层的所述第二部分设置为相邻于所述主磁极端的至少一部分。
20.如权利要求16所述的磁头，其中所述墨掩模通过喷墨打印机设置在所述近场换能器的所述部分上。