阻变存储器的阻态读取电路及阻变存储器的制作方法

本发明涉及阻变存储器技术领域，尤其涉及一种阻变存储器的阻态读取电路及阻变存储器。

背景技术：

阻变存储器(Resistive Random Access Memory，RRAM)作为一种新型的非挥发性半导体存储器，经过多年的研究，向着高密度集成和嵌入式应用方向发展。阻变存储器的存储单元在完成初始化之后，基本的操作主要有置位、复位和阻态读取，其中置位操作是指将存储单元从高阻态转变为低阻态，复位操作是指将存储单元从低阻态转变为高阻态，阻态读取操作是指读取存储单元的阻值，判断存储单元当前是高阻态还是低阻态。

存储单元的阻态读取操作需要考虑阻态读取数据的稳定性和可靠性，目前阻变存储器的阻态读取电路大多采用一个参考单元，在执行阻态读取操作时，对参考单元和存储单元施加一个相同的偏置电压，通过比较参考单元产生的参考电流和存储单元产生的读电流，进而判断出存储单元处于何种状态，其中参考电流由参考单元的电阻决定，因此参考单元的选取将直接影响阻态读取结果。目前常采用与阻变存储器存储单元相同的器件作为参考单元，但是对于阻变存储器存储单元来说，无论是高阻态还是低阻态，其阻值都有一定范围的分布或者波动，使得参考单元本身的阻值无法确定。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题：

现有的阻变存储器的阻态读取电路所采用的参考单元存在基准不稳定和阻值不适当的问题，会造成阻态读取数据不稳定，可靠性差。

技术实现要素：

本发明提供的阻变存储器的阻态读取电路及阻变存储器，能够提高阻变存储器阻态读取的稳定性和可靠性。

第一方面，本发明提供一种阻变存储器的阻态读取电路，所述电路包括：存储单元、参考单元阵列、第一门控管、第二门控管和灵敏放大器，所述参考单元阵列由2^N×2^N个与所述阻变存储器存储阵列的存储单元相同的存储单元构成，其中N为正整数，所述参考单元阵列的存储单元在初始化时以棋盘格的形式间隔设置成低阻态和高阻态，其中，

所述存储单元，其一端连接位线，并与所述灵敏放大器的第一比较输入端连接，另一端与所述第一门控管连接；

所述参考单元阵列，其一端与所述灵敏放大器的第二比较输入端连接，另一端与所述第二门控管连接；

所述第一门控管，用于连接所述存储单元和外部读/写控制电路；

所述第二门控管，用于连接所述参考单元阵列和外部读/写控制电路；

所述灵敏放大器，用于判断所述存储单元的阻态。

可选地，所述灵敏放大器包括：偏置电压模块、电流比较模块、放大模块和判断模块，其中，

所述偏置电压模块，用于将阻态读取过程中需要的偏置电压施加到所述存储单元和所述参考单元阵列；

所述电流比较模块，用于比较所述存储单元和所述参考单元阵列在所述偏置电压模块所施加的偏置电压下产生的读电流和参考电流；

所述放大模块，用于放大所述电流比较模块得到的比较结果；

所述判断模块，用于根据所述放大模块放大后的比较结果判断所述存储单元的阻态。

第二方面，本发明提供一种阻变存储器，所述阻变存储器包括上述阻变存储器的阻态读取电路。

本发明提供的阻变存储器的阻态读取电路及阻变存储器，包括：存储单元、参考单元阵列、第一门控管、第二门控管和灵敏放大器，所述参考单元阵列由2^N×2^N个与所述阻变存储器存储阵列的存储单元相同的存储单元构成，其中N为正整数，所述参考单元阵列的存储单元在初始化时以棋盘格的形式间隔设置成低阻态和高阻态，利用多值统计求平均值的思想得出了最终参考单元阵列的阻值来作为基准电阻，同时还增加了灵敏放大器来判断所述存储单元的阻态，与现有技术相比，能够提高阻变存储器阻态读取的稳定性和可靠性。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的阻变存储器的阻态读取电路的结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的参考单元阵列的阻态分布示意图；

图3为本发明一实施例提供的灵敏放大器的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种阻变存储器的阻态读取电路，如图1所示，所述电路包括：存储单元11、参考单元阵列12、第一门控管13、第二门控管14和灵敏放大器15，所述参考单元阵列12由2^N×2^N个与所述阻变存储器存储阵列的存储单元相同的存储单元构成，其中N为正整数，所述参考单元阵列12的存储单元在初始化时以棋盘格的形式间隔设置成低阻态和高阻态，其中，

所述存储单元11，其一端连接位线，并与所述灵敏放大器15的第一比较输入端连接，另一端与所述第一门控管13连接；

所述参考单元阵列12，其一端与所述灵敏放大器15的第二比较输入端连接，另一端与所述第二门控管14连接；

所述第一门控管13，用于连接所述存储单元11和外部读/写控制电路；

所述第二门控管14，用于连接所述参考单元阵列12和外部读/写控制电路；

所述灵敏放大器15，用于判断所述存储单元11的阻态。

具体地，所述参考单元阵列12的存储单元在初始化时以棋盘格的形式间隔设置成低阻态和高阻态，如图2所示，其中R_on是阻变存储器低阻态阻值，R_off是阻变存储器高阻态阻值，利用多值统计求平均值的思想可以得到所述参考单元阵列12的等效电阻为1/2(R_on+R_off)，这样等效出来的基准电阻阻值处于高阻态和低阻态的中间位置。

可选地，如图3所示，所述灵敏放大器15包括：偏置电压模块31、电流比较模块32、放大模块33和判断模块34，其中，

所述偏置电压模块31，用于将阻态读取过程中需要的偏置电压施加到所述存储单元11和所述参考单元阵列12；

所述电流比较模块32，用于比较所述存储单元11和所述参考单元阵列12在所述偏置电压模块31所施加的偏置电压下产生的读电流和参考电流；

所述放大模块33，用于放大所述电流比较模块32得到的比较结果；

所述判断模块34，用于根据所述放大模块33放大后的比较结果判断所述存储单元11的阻态。

本发明实施例提供的阻变存储器的阻态读取电路工作时，存储单元11和参考单元阵列12的字线都为高，第一门控管13、第二门控管14都导通，此时灵敏放大器15的偏置电压模块31在存储单元11的位线上施加偏置电压，在参考单元阵列12上施加同样的偏置电压，在相同的偏置电压下，存储单元11产生一个读电流I_cell，参考单元阵列12产生一个参考电流I_ref，所述读电流I_cell送入灵敏放大器15的第一比较输入端，所述参考电流I_ref送入灵敏放大器15的第二比较输入端，灵敏放大器15的电流比较模块32对所述读电流I_cell和所述参考电流I_ref进行比较后，比较结果送入放大模块33进行放大后，由判断模块34根据放大后的比较结果判断所述存储单元11的阻态，如果I_cell比I_ref大，说明所读取的存储单元11处于低阻态；反之，如果I_cell比I_ref小，说明所读取的存储单元11处于高阻态。

本发明实施例提供的阻变存储器的阻态读取电路，包括：存储单元、参考单元阵列、第一门控管、第二门控管和灵敏放大器，所述参考单元阵列由2^N×2^N个与所述阻变存储器存储阵列的存储单元相同的存储单元构成，其中N为正整数，所述参考单元阵列的存储单元在初始化时以棋盘格的形式间隔设置成低阻态和高阻态，利用多值统计求平均值的思想得出了最终参考单元阵列的阻值来作为基准电阻，同时还增加了灵敏放大器来判断所述存储单元的阻态，与现有技术相比，能够提高阻变存储器阻态读取的稳定性和可靠性。

本发明实施例还提供一种阻变存储器，所述阻变存储器包括上述阻变存储器的阻态读取电路。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。