技术特征：
技术总结
本发明提供了一种存储单元的电容测试装置，包括与存储单元连接的多个测试电路，存储单元包括第一晶体管，第一晶体管的漏极连接电容的一端，每个测试电路包括：第二晶体管，包括接地的漏极；第三晶体管，包括接地的漏极，第一晶体管的源极、第二晶体管的源极与第三晶体管的源极连接至节点，当第一晶体管导通，且电容的另一端连接至电源时，第二晶体管导通且第三晶体管关断，形成充电电流，第二晶体管关断且第三晶体管导通，形成放电电流，根据充电电流与放电电流计算电容值。不仅能够测试单个存储单元的电容值，还能测试出整个存储阵列的电容值分布。本发明还提供了存储单元的电容测试方法和半导体存储器。
技术研发人员：周步康
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.01.30
技术公布日：2019.08.06