半导体装置和系统的制作方法

本申请要求2017年6月8日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0071783的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

各种实施例总体而言涉及一种半导体集成电路，更具体地，涉及一种半导体装置和系统。

背景技术

半导体装置被配置为通过由金属构成的信号线来接收电信号。

半导体装置被配置为使得根据安装环境(即，信号线的长度(负载))在预定时间输入/输出电信号。

技术实现要素：

在实施例中，半导体系统可以包括：控制设备；以及经由第一线和第二线与控制设备耦接的半导体装置，其中，第二线的负载比第一线的负载大，其中，半导体装置包括与第一线电耦接的第一接收电路和与第二线电耦接的第二接收电路，其中，第一线与第一个接收电路之间的负载比第二线与第二接收电路之间的负载大。

在实施例中，半导体装置可以包括：经由第一线与控制设备电耦接的第一外部连接端子；经由第二线与控制设备电耦接的第二外部连接端子；与第一外部连接端子电耦接的第一接收电路；以及与第二外部连接端子电耦接的第二接收电路，其中，耦接在第一外部连接端子与第一接收电路之间的电容器的数量不同于耦接在第二外部连接端子与第二接收电路之间的电容器的数量。

在实施例中，半导体系统还可以包括：控制设备；经由第一线和第二线与控制设备耦接的第一半导体装置；经由第二线和第三线与控制设备耦接的第二半导体装置。第二线上的负载比第一线或第三线上的负载大。

附图说明

图1是示出根据实施例的半导体系统的示例的代表的配置图。

图2是示出图1的半导体装置的示例的代表的配置图。

图3是示出图1的半导体装置的示例的代表的配置图。

具体实施方式

在下文中，下面将参考附图通过各种示例性实施例来描述半导体装置和系统。

如图1所示，根据实施例的半导体系统可以包括控制设备100和第一半导体装置至第六半导体装置201、202、203、204、205和206。

控制设备100可以是控制第一半导体装置至第六半导体装置201、202、203、204、205和206的操作的设备。例如，控制设备100可以是控制其它电路的操作的设备之中的一个设备，诸如控制器和中央处理单元。

第一半导体装置至第六半导体装置201、202、203、204、205和206可以是在控制设备100的控制下操作的装置。例如，第一半导体装置至第六半导体装置201、202、203、204、205和206中的每个半导体装置可以是由半导体元件配置的存储装置。

控制设备100可以经由第一线line_a和第二线line_b与第一半导体装置至第三半导体装置201、202和203电耦接。控制设备100可以经由第二线line_b和第三线line_c与第四半导体装置至第六半导体装置204、205和206电耦接。

第一半导体装置201可以包括与第一线line_a电耦接的第一外部连接端子201-1和与第二线line_b电耦接的第二外部连接端子201-2。第一外部连接端子201-1可以经由第一线line_a与控制设备100电耦接，而第二外部连接端子201-2可以经由第二线line_b与控制设备100电耦接。

第二半导体装置202可以包括与第一线line_a耦接的第三外部连接端子202-1和与第二线line_b耦接的第四外部连接端子202-2。第三外部连接端子202-1可以经由第一线line_a与控制设备100电耦接，而第四外部连接端子202-2可以经由第二线line_b与控制设备100电耦接。

第三半导体装置203可以包括与第一线line_a耦接的第五外部连接端子203-1和与第二线line_b耦接的第六外部连接端子203-2。第五外部连接端子203-1可以经由第一线line_a与控制设备100电耦接，而第六外部连接端子203-2可以经由第二线line_b与控制设备100电耦接。

第四半导体装置204可以包括与第二线line_b耦接的第七外部连接端子204-1和与第三线line_c耦接的第八外部连接端子204-2。第七外部连接端子204-1可以经由第二线line_b与控制设备100电耦接，而第八外部连接端子204-2可以经由第三线line_c与控制设备100电耦接。

第五半导体装置205可以包括与第二线line_b耦接的第九外部连接端子205-1和与第三线line_c耦接的第十外部连接端子205-2。第九外部连接端子205-1可以经由第二线line_b与控制设备100电耦接，而第十外部连接端子205-2可以经由第三线line_c与控制设备100电耦接。

第六半导体装置206可以包括与第二线line_b耦接的第十一外部连接端子206-1和与第三线line_c耦接的第十二外部连接端子206-2。第十一外部连接端子206-1可以经由第二线line_b与控制设备100电耦接，而第十二外部连接端子206-2可以经由第三线line_c与控制设备100电耦接。

第一半导体装置至第六半导体装置201、202、203、204、205和206中的每个半导体装置被配置为经由与相应外部连接端子耦接的线来从控制设备100接收信号。第一外部连接端子至第十二外部连接端子201-1、201-2、202-1、202-2、203-1、203-2、204-1、204-2、205-1、205-2、206-1和206-2中的每个外部连接端子可以包括焊盘或者焊球。

如图2所示，包括分别与第一线line_a和第二线line_b耦接的第一外部连接端子201-1和第二外部连接端子201-2的第一半导体装置201可以包括第一静电放电保护电路201-3、附加电容电路201-4、第二静电放电保护电路201-5、第一接收电路201-6和第二接收电路201-7。

第一静电放电保护电路201-3耦接在第一外部连接端子201-1与第一接收电路201-6之间，以防止由于可能由第一外部连接端子201-1引入的静电而导致的第一接收电路201-6的故障。

第一静电放电保护电路201-3可以包括第一电阻器r1以及第一电容器c1和第二电容器c2。第一电阻器r1具有与第一外部连接端子201-1耦接的一端以及与第一接收电路201-6耦接的另一端。第一电容器c1具有与第一电阻器r1的所述一端耦接的一端以及与接地端子vss耦接的另一端。第二电容器c2具有与第一电阻器r1的所述另一端耦接的一端以及与接地端子vss耦接的另一端。

附加电容电路201-4可以被设置以增加耦接第一外部连接端子201-1和第一接收电路201-6的线的负载。换言之，附加电容电路201-4可以包括电容器c3和c4以增加第一外部连接端子201-1与第一接收电路201-6之间的负载。例如，附加电容电路201-4可以耦接在第一外部连接端子201-1与第一静电放电保护电路201-3之间。附加电容电路201-4可以包括第二电阻器r2以及第三电容器c3和第四电容器c4。第二电阻器r2具有与第一外部连接端子201-1耦接的一端以及不与另一节点耦接并可以是开路的另一端。可选地，第二电阻器r2可以具有与第一外部连接端子201-1耦接的一端以及可以与第一接收电路201-6耦接的另一端。第三电容器c3具有与第二电阻器r2的所述一端耦接的一端以及与接地端子vss耦接的另一端。第四电容器c4具有与第二电阻器r2的所述另一端耦接的一端以及与接地端子vss耦接的另一端。此外，耦接在第一外部连接端子201-1与第一接收电路201-6之间的电容器c1、c2、c3和c4的数量为第一静电放电保护电路201-3中的电容器c1和c2的数量和附加电容电路201-4中的电容器c3和c4的数量的总和。

第二静电放电保护电路201-5耦接在第二外部连接端子201-2与第二接收电路201-7之间，以防止由于可能由第二外部连接端子201-2引入的静电而导致的第二接收电路201-7的故障。

第二静电放电保护电路201-5可以包括第三电阻器r3以及第五电容器c5和第六电容器c6。第三电阻器r3具有与第二外部连接端子201-2耦接的一端以及与第二接收电路201-7耦接的另一端。第五电容器c5具有与第三电阻器r3的所述一端耦接的一端以及与接地端子vss耦接的另一端。第六电容器c6具有与第三电阻器r3的所述另一端耦接的一端以及与接地端子vss耦接的另一端。此外，耦接在第二外部连接端子201-2与第二接收电路201-7之间的电容器c5和c6的数量可以等于第二静电放电保护电路201-5中的电容器c5和c6的数量。此外，耦接在第一外部连接端子201-1与第一接收电路201-6之间的电容器c1、c2、c3和c4的数量可以不同于耦接在第二外部连接端子201-2与第二接收电路201-7之间的电容器c5和c6的数量。在一个示例中，耦接在第一外部连接端子201-1与第一接收电路201-6之间的电容器c1、c2、c3和c4的数量可以比耦接在第二外部连接端子201-2与第二接收电路201-7之间的电容器c5和c6的数量大。

第一接收电路201-6可以与第一线line_a电耦接。第一接收电路201-6可以接收经由第一外部连接端子201-1输入的信号或者将信号输出至第一外部连接端子201-1。

第二接收电路201-7可以与第二线line_b电耦接。第二接收电路201-7可以接收经由第二外部连接端子201-2输入的信号或者将信号输出至第二外部连接端子201-2。

第二半导体装置至第六半导体装置202、203、204、205和206可以与第一半导体装置201以基本上相同的方式来配置。即，第一半导体装置至第六半导体装置201、202、203、204、205和206中的每个半导体装置可以被实现为：使得在各个外部连接端子和与其耦接的接收电路之间的电容彼此不同。

下面将描述如上所述配置的根据实施例的半导体装置和系统的操作。

参考图1进行说明，控制设备100与第一半导体装置至第三半导体装置201、202和203经由第一线line_a和第二线line_b电耦接。控制设备100与第四半导体装置至第六半导体装置204、205和206经由第二线line_b和第三线line_c电耦接。

如图1所示，虽然第一线line_a的长度和第三线line_c的长度彼此相同，但是第二线line_b的长度比第一线line_a和第三线line_c中的每个线的长度都长。因此，第二线line_b的负载比第一线line_a和第三线line_c中的每个线的负载都大。此外，第一线line_a与第一接收电路201-6之间的负载可以比第二线line_b与第二接收电路201-7之间的负载大。

因此，即使当经由第一线line_a和第二线line_b传输的信号从控制设备100同时输出时，信号也可能在不同时间到达第一半导体装置至第三半导体装置201、202和203的相应外部连接端子201-1、201-2、202-1、202-2、203-1和203-2。例如，从控制设备100输出的信号可以在不同时间到达第一半导体装置201的第一外部连接端子201-1和第一半导体装置201的第二外部连接端子201-2。从控制设备100输出的信号可以在不同时间到达第二半导体装置202的第三外部连接端子202-1和第二半导体装置202的第四外部连接端子202-2。从控制设备100输出的信号可以在不同时间到达第三半导体装置203的第五外部连接端子203-1和第三半导体装置203的第六外部连接端子203-2。即，信号可以从控制设备100经由第一线line_a到达相应外部连接端子201-1、202-1和203-1的时刻比信号可以从控制设备100经由第二线line_b到达相应外部连接端子201-2，202-2和203-3的时刻快。

参考图2，第一半导体装置201被配置为使得经由第一线line_a传送的信号经由第一外部连接端子201-1输入到第一接收电路201-6中。第一半导体装置201被配置为使得经由第二线line_b传送的信号经由第二外部连接端子201-2输入到第二接收电路201-7中。在这方面，第一静电放电保护电路201-3和附加电容电路201-4设置在第一外部连接端子201-1与第一接收电路201-6之间，以及只有第二静电放电保护电路201-5设置在第二外部连接端子201-2与第二接收电路201-7之间。换言之，第一外部连接端子201-1与第一接收电路201-6之间的负载由于附加电容电路201-4的电容而比第二外部连接端子201-2与第二接收电路201-7之间的负载大。换言之，第一线line_a与第一接收电路201-6之间的负载可以比第二线line_b与第二接收电路201-7之间的负载大。因此，信号从第一外部连接端子201-1到达第一接收电路201-6的时刻比信号从第二外部连接端子201-2到达第二接收电路201-7的时刻慢。

结果，信号经由第一线line_a从控制设备100传送到第一半导体装置201的第一外部连接端子201-1的时间比信号经由第二线line_b从控制设备100传送到第一半导体装置201的第二外部连接端子201-2的时间快。此外，由于设置于第一半导体装置201中的附加电容电路201-4的电容，信号从第一外部连接端子201-1传送到第一接收电路201-6的时间比信号从第二外部连接端子201-2传送到第二接收电路201-7的时间慢。

因此，经由第一线line_a和第二线line_b从控制设备100输出的信号到达第一接收电路201-6和第二接收电路和201-7的时间可以彼此相同。

此外，在与第一半导体装置201以基本相同的方式配置的第二半导体装置202和第三半导体装置203中，从控制设备100输出的信号到达包括在第二半导体装置202和第三半导体装置203中的各个接收电路的时间可以彼此相同。

此外，尽管第四半导体装置至第六半导体装置204、205和206不经由与第一半导体装置至第三半导体装置201、202和203相同的线来从控制设备100接收信号，但是经由第二线line_b和第三线line_c接收信号的第四半导体装置至第六半导体装置204、205和206中的每个半导体装置也可以与半导体装置201、202和203中的第一半导体装置201以基本相同的方式来配置，以及可以实现基本相同的操作和基本相同的效果。

在一个实施例中，通过在半导体装置中添加附加电容来控制信号线(信号经由该信号线从控制设备传送到半导体装置内部的接收电路)的负载。因此，即使当从外部被传送到相同半导体装置的信号经由具有不同负载的信号线来输入时，也能够使得信号到达半导体装置中的接收电路的时间相同。

如图3所示，第一半导体装置至第六半导体装置201、202、203、204、205和206中的每个半导体装置可以是封装的半导体装置。各个第一半导体装置至第六半导体装置201、202、203、204、205和206可以以基本相同的方式来配置，因此，下面将仅代表性地描述第一半导体装置201。

第一半导体装置201可以包括封装衬底201-b，所述封装衬底201-b包括外部连接端子201-a、层叠在封装衬底201-b上的第一半导体芯片至第三半导体芯片201-c-1、201-c-2和201-c-3以及塑封结构201-d，该塑封结构201-d将层叠在封装衬底201-b上的第一半导体芯片至第三半导体芯片201-c-1，201-c-2和201-c-3塑封。第一半导体芯片201-c-1与封装衬底201-b经由第一导线w1电耦接，第一半导体芯片201-c-1与第二半导体芯片201-c-2经由第二导线w2电耦接，以及第二半导体芯片201-c-2和第三半导体芯片201-c-3经由第三导线w3电耦接。

如果第一半导体装置201是封装的半导体装置，则通过在与层叠的第一半导体芯片至第三半导体芯片201-c-1、201-c-2和201-c-3的导线耦接的接收电路中设置附加电容电路，本公开的技术原理甚至可以应用在层叠的半导体装置中。

虽然上文已经描述了各种实施例，但是本领域技术人员将理解这些实施例仅是示例性的。因此，本文中所描述的半导体装置和系统不应基于所描述的实施例来限制。