技术总结
本公开涉及在非易失性存储器器件中写入的方法以及对应的非易失性存储器器件。一种在EEPROM类型的存储器中写入的方法包括在已经包含了旧字节的至少一个目的地存储器字中存在待写入存储器层面中的新字节的字串时，对于每个目的地存储器字验证是否必须采用新字节替换该目的地存储器字的所有旧字节。方法也包括只要并非必须采用新字节替换所有旧字节而读取该目的地存储器字的旧字节。
技术研发人员：F·塔耶特;M·巴蒂斯塔
受保护的技术使用者：意法半导体(鲁塞)公司
技术研发日：2018.03.20
技术公布日：2018.10.23