一种存储器编程方法和系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种存储器编程方法和一种存储器编程系统。
【背景技术】
[0002]存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。
[0003]在对存储器进行编程操作时，为满足编程需求通常需要使用较高的编程电压，但是一般存储器的电源电压所提供的电压强度较低，无法满足对存储器的编程需求。因此，通常会在存储器内部设置升压电路以将电源电压提供的电压强度升高至对存储器编程时所需要的电压。目前的升压电路普遍采用电荷泵(charge pump)，电荷泵的升压电路中包括多个电容和多个二极管，通过两相时钟信号控制电荷传输到各个电容上，电荷的累积使得电荷泵的输出电压强度升高，升高后的电压即可满足对存储器的编程需求。
[0004]随着存储器的发展，对于存储器编程速度的要求也在不断提高，为了提高编程速度，可以采用多字节同时编程的方式，即同时对存储器中的多字节存储单元执行编程操作。但是要实现多字节同时编程，则需要强度(强度指的是提供电流的能力)更高的编程电压。针对上述问题，目前的技术中通常是增大存储器内部电荷泵的能量，提高电荷泵提供电流的能力，例如，增加电荷泵中电容和二极管数量，使得电荷累积更多。
[0005]但是，上述方法中增加电荷泵中电容和二极管数量，将会占用更大的存储器面积，从而增加存储器的成本，甚至影响存储器内其他器件的使用。
【发明内容】
[0006]本发明提供了一种存储器编程方法和系统，以解决在对存储器进行多字节同时编程时，增加电荷泵中电容和二极管数量，导致占用更大的存储器面积，增加存储器的成本，甚至影响存储器内其他器件使用的问题。
[0007]为了解决上述问题，本发明公开了一种存储器编程方法，其特征在于，所述存储器外接有预先设置的外部电源转接板，所述存储器包括内部电荷泵和多个存储单元，所述内部电荷泵的输入电压为电源电压，
[0008]所述方法包括:
[0009]所述存储器在接收到编程指令后，确定所述编程指令对应的，需要被执行编程操作的多字节存储单元；
[0010]所述存储器将所述电源电压与预设的内部电压阈值进行比较；
[0011]如果所述预设的内部电压阈值小于或等于所述电源电压，则所述存储器选取所述内部电荷泵提供编程电压，对所述多字节存储单元执行编程操作；
[0012]如果所述预设的内部电压阈值大于所述电源电压，则所述存储器选取所述外部电源转接板提供编程电压，对所述多字节存储单元执行编程操作。
[0013]优选地，所述存储器选取所述外部电源转接板提供编程电压，对所述多字节存储单元执行编程操作的步骤包括:
[0014]所述存储器向所述外部电源转接板发送针对所述编程指令生成的编程使能信号;
[0015]所述存储器接收所述外部电源转接板在接收到所述编程使能信号之后输出的，与所述编程使能信号相对应的编程电压；
[0016]所述存储器将所述编程电压施加到所述多字节存储单元的漏极，对所述多字节存储单元执行编程操作。
[0017]优选地，所述编程指令包括编程数据，所述存储器上设有第一接口，所述外部电源转接板上设有第二接口，所述第一接口和所述第二接口相连接，
[0018]所述存储器向所述外部电源转接板发送针对所述编程指令生成的编程使能信号的步骤包括:
[0019]所述存储器获取所述编程数据的字节数，并根据预先设置的字节数与漏极编程电压强度的映射关系确定与所述字节数对应的漏极编程电压强度，将所述漏极编程电压强度确定为对所述存储器进行编程操作所需的漏极编程电压强度；
[0020]所述存储器生成包括所述漏极编程电压强度的编程使能信号，并通过所述第一接口和所述第二接口向所述外部电源转接板发送所述编程使能信号。
[0021]优选地，所述外部电源转接板的输出电压包括多个级别强度的编程电压，每个级别强度的编程电压分别具有自身对应的开关，
[0022]所述外部电源转接板提供的编程电压通过如下方式输出:
[0023]所述外部电源转接板确定所述漏极编程电压强度所对应级别强度的编程电压，并开启所述级别强度的编程电压所对应的开关，将所述级别强度的编程电压输出至所述存储器。
[0024]优选地，所述编程指令中包括编程起始地址和编程数据，
[0025]所述确定所述编程指令对应的，需要被执行编程操作的多字节存储单元的步骤包括:
[0026]所述存储器将所述编程起始地址对应的存储单元确定为当前存储单元，将所述编程数据的第一个比特确定为当前比特；
[0027]所述存储器将当前存储单元的数据与当前比特的数据进行比对；
[0028]如果所述当前存储单元的数据为逻辑1，所述当前比特的数据为逻辑0，则所述存储器确定所述当前存储单元为需要被执行编程操作的存储单元；
[0029]将下一个存储单元确定为当前存储单元，将下一个比特确定为当前比特，并返回所述将当前存储单元的数据与当前比特的数据进行比对的步骤，直至所述编程数据的所有比特全部比对完为止。
[0030]根据本发明的另一方面，还公开了一种存储器编程系统，其特征在于，所述存储器外接有预先设置的外部电源转接板，所述存储器包括内部电荷泵和多个存储单元，所述内部电荷泵的输入电压为电源电压，
[0031]所述系统包括:
[0032]确定模块，用于在接收到编程指令后，确定所述编程指令对应的，需要被执行编程操作的多字节存储单元；
[0033]比较模块，用于将所述电源电压与预设的内部电压进行比较；
[0034]第一选取模块，用于在所述预设的内部电压阈值小于或等于所述电源电压时，选取所述内部电荷泵提供编程电压，对所述多字节存储单元执行编程操作；
[0035]第二选取模块，用于在所述预设的内部电压阈值大于所述电源电压时，选取所述外部电源转接板提供编程电压，对所述多字节存储单元执行编程操作。
[0036]优选地，所述第二选取模块包括:
[0037]发送子模块，用于向所述外部电源转接板发送针对所述编程指令生成的编程使能信号;
[0038]接收子模块，用于接收所述外部电源转接板在接收到所述编程使能信号之后输出的，与所述编程使能信号相对应的编程电压；
[0039]编程子模块，用于将所述编程电压施加到所述多字节存储单元的漏极，对所述多字节存储单元执行编程操作。
[0040]优选地，所述编程指令包括编程数据，所述存储器上设有第一接口，所述外部电源转接板上设有第二接口，所述第一接口和所述第二接口相连接，
[0041 ] 所述发送子模块包括:
[0042]确定子单元，用于获取所述编程数据的字节数，并根据预先设置的字节数与漏极编程电压强度的映射关系确定与所述字节数对应的漏极编程电压强度，将所述漏极编程电压强度确定为对所述存储器进行编程操作所需的漏极编程电压强度；
[0043]发送子单元，具体用于生成包括所述漏极编程电压强度的编程使能信号，并通过所述第一接口和所述第二接口向所述外部电源转接板发送所述编程使能信号。
[0044]优选地，所述外部电源转接板的输出电压包括多个级别强度的编程电压，每个级别强度的编程电压分别具有自身对应的开关，
[0045]所述外部电源转接板提供的编程电压通过如下方式输出:
[0046]所述外部电源转接板确定所述漏极编程电压强度所对应级别强度的编程电压，并开启所述级别强度的编程电压所对应的开关，将所述级别强度的编程电压输出至所述存储器。
[0047]优选地，所述编程指令中包括编程起始地址和编程数据，
[0048]所述确定模块包括:
[0049]第一确定子模块，用于将所述编程起始地址对应的存储单元确定为当前存储单元，将所述编程数据的第一个比特确定为当前比特；
[0050]比对子模块，用于将当前存储单元的数据与当前比特的数据进行比对；
[0051]第二确定子模块，用于在所述当前存储单元的数据为逻辑1，所述当前比特的数据为逻辑O时，确定所述当前存储单元为需要被执行编程操作的存储单元；
[0052]第三确定子模块，用于将下一个存储单元确定为当前存储单元，将下一个比特确定为当前比特，并调用所述