专利名称：分子集成电路分子电器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电气、电子工业发展继电子管、晶体管、集成电路之后新一代电子器件一体化分子技术电子器件——分子集成电路分子电器。
全面开发应用于水、陆、空领域中工业生产、农业生产、国防建设、日常生活等各行业各种应用功能器件，利用分子技术将电气、电子工业电器产品中应用各种微功率、小功率、中功率、大功率、超大功率电气、电子器件和各种应用功能性质电路组合形成免外围电路一体化分子技术结构方式，改变采用电子管、晶体管、集成电路结构电器产品技术，推动全球电气、电子工业发展进入到体积小得出奇、损耗微乎其微、功能具有超大能力、稳定、可靠性极高、抗干扰能力极强、成本低的新一代分子技术科技革命里程。
现代、全球电气、电子工业发展从电子管、晶体管、集成电路开发应用经过三次升级换代科技革命。
第一代电气电子器件是采用真空金属电极热电子发射技术的电子管。它具有超高频、大功率、易安装、可靠等优点。但是采用电子管的电器电子设备由电子管、电阻、电容、电感等电子器件、电子管座、基板(印刷电路板)、电子电路负载构成运用模拟技术、数字技术传统电气技术方式，存在体积大、耗电多、重量大、结构复杂、工艺繁琐、稳定性低、可靠性差、抗干扰能力弱、损耗大、寿命短、成本高等缺点。
第二代电气电子器件是采用半导体电子型(N型半导体)和空穴型(P型半导体)技术结构晶体管。它具有体积小，重量轻，耗电小等优点。因此，晶体管在电器电子设备中，迅速取代了电子管。但是采用晶体管电器电子设备中采用晶体管、电阻、电容、电感等电子元件、基板(印刷电路板)、电子电路负载构成运用模拟技术、数字技术传统电气技术方式，存在元件多，焊点多，结构复杂、工艺繁琐、稳定性低、可靠性差、抗干扰能力弱、损耗大、寿命短、成本高等缺点。
第三代电气电子器件是采用在半导体基片上制造晶体管，电阻、电容等器件由内部连接装封形成，具有一定功能的小规模、大规模、超大规模集成电路。它具有集成度高、体积小、耗电小、一致性好、成本低、稳定、可靠性好等特点。因此，集成电路在电器电子设备中得到广泛应用取代晶体管。但是采用集成电路的电器电子设备中采用集成电路和相应电阻、电容等外围电路、基板(印刷电路板)、电子电路负载构成运用模拟技术、数字技术传统电气技术方式，存在微功率化集成，小功率化集成、中功率化集成、大功率化集成、超大功率化集成小规模、大规模、超大规模集成电路，单块集成电路只能完成单元规模性功能，造成成本较高、结构、工艺较复杂、繁琐等缺点。
本发明的目的是，设计一种一体化分子技术电子器件——分子集成电路分子电器，该分子集成电路分子电器完全改变了电气、电子工业电器产品中所应用电子管电子电路结构电器产品、晶体管电子电路结构电器产品，集成电路结构电器产品传统技术结构方式和运用模拟技术、数字技术传统电气技术方式，实现了电子管、晶体管、集成电路结构电器产品传统技术结构方式和运用模拟技术、数字技术传统电气技术方式无法达到的技术特性和技术效应，可取代现代国内、外电气、电子工业电器产品中所应用电子管电子电路结构电器产品、晶体管电子电路结构电器产品，集成电路结构电器产品传统技术结构方式和运用模拟技术、数字技术传统电气技术方式电器产品。利用分子技术形成无限发展空间和无条件局限领域技术将电气、电子工业电器产品中应用各种微功率、小功率、中功率、大功率、超大功率电气、电子器件和各种应用功能性质电路组合形成免外围电路一体化分子技术结构方式，分子电路利用一体化分子技术与集成技术相结合使体积小得出奇、损耗微乎其微、功能具有超大能力、稳定、可靠性极高、抗干扰能力极强、成本低的特点。可广泛应用于水、陆、空领域中工业生产、农业生产、国防建设、日常生活等各行业各种应用领域中应用。
本发明创造的技术方案是，利用分子技术就是以1/10000(微米)即埃的标准量化原理，基本电路构成处理系统由P/NMIC和N/PMIC两大类的半导体器件、电阻、电容、电感等电子器件、导体器件、绝缘体器件运用复合互补形式构成各种功能处理系统，将这些基本电路加以各种信号及电路变换和组合可以构成各式各样专门用途的分子集成电路分子电器。
附
图1为分子集成电路分子电器P/NMIC分子电路结构图。
附图2为分子集成电路分子电器N/PMIC分子电路结构图。
附图3为分子集成电路分子电器P/NMIC分子电路内部电路结构图。
附图4为分子集成电路分子电器N/PMIC分子电路内部电路结构图。
以下结合附图及实施例做出进一步说明。
分子集成电路分子电器分子电路由分子控制电阻MR，分子控制器MC，分子功率器MP，电阻、电容、电感等电子器件加以各种信号和电路变换组合构成各种应用功能处理系统。
由图1可知，P/NMIC电路由Pinp为分子控制点，Nout为分子功率点。分子电路由R为整个分子电路分子控制电阻，Pinp是P型半导体管为整个分子电路分子控制器，Nout是N型半导体管为整个分子电路分子功率器。
P/NMIC分子电路中采用P型半导体器件和N型半导体器件运用互补复合方式构成，由电阻R为整个分子电路的分子控制电阻MR，分子控制电阻MR控制于P型半导体器件的电源输入端(如发射极或源极)，它形成整个分子电路的分子控制点，分子控制电阻MR和P型半导体器件构成整个分子电路的分子输入电路和分子控制器MC，它完成整个分子电路控制处理功能。P型半导体器件的(如集电极或漏极)输出直接耦合至N型半导体器件的输入端(如基极或栅极)，它形成了整个分子电路的分子功率点，N型半导体器件构成整个分子电路分子输出电路和分子功率器MP，它完成了整个分子电路分子功率处理功能。
由图2可知，N/PMIC电路由Ninp为分子控制点，Pout为分子功率点。分子电路由R为整个分子电路分子控制电阻，Ninp是N型半导体管为整个分子电路分子控制器，Pout是P型半导体管为整个分子电路分子功率器。
N/PMIC分子电路中采用N型半导体器件和P型半导体器件运用互补复合方式构成，由电阻R为整个分子电路分子控制电阻MR，分子控制电阻MR控制于N型半导体器件的电源输出端(如发射极或源极)，它形成整个分子电路的控制点，分子控制电阻MR和N型半导体器件构成整个分子电路的分子输入电路和分子控制器MC，它完成整个分子电路分子控制处理功能。N型半导体器件的(如集电极或漏极)输入直接耦合到P型半导体器件的输出端(如基极或栅极)，它形成整个分子电路的分子功率点，P型半导体器件构成整个分子电路分子输出电路和分子功率器MP，它完成了整个分子电路分子功率处理功能。
其工作过程是，闭合开关K而接通电源，则分子集成电路分子电器完成(达到)电器产品特定性能功能处理。
分子集成电路分子电器分子电路的分子控制电阻MR，分子控制器MC，分子功率器MP电气原理和电气功能。
由图3可知，P/NMIC分子电路分子控制电阻MR，分子控制器MC，分子功率器MP电气原理和电气功能。
电源VCC分子直流电输入后分成两路电路途径，一路电路经过R电阻进行对整个分子电路进行分子控制构成分子控制电阻MR其输出到MC分子控制器的稳恒器件D和P型半导体器件的电源输入端(如发射极或源极)后，一部分由分子控制器的输出端(如集电极或漏极)输出直接耦合输入至MP分子功率器的N型半导体器件的输入端(如基极或栅极)和其分子功率器的输入端(如基极或栅极)控制电阻R回到电源GND负极，一部分由MC分子控制器的输出端(如基极或栅极)输出经过控制电阻R回到电源GND负极，电路构成整个分子电路稳恒电路和分压分流式电压电流负反馈的分子控制器电路。另一路电路经过MP分子功率器N型半导体器件的输入端(如集电极或漏极)与反峰、反通保护器件D和分子功率器负载RL、RR回到电源GND负极，电路构成整个分子电路反峰反通保护电路和分子功率电器的分子功率器电路。
A/M或D/M工作信号由分子控制器MC的P型半导体器件的输出端(如基极或栅极)输入构成整个分子输入电路Pinp。
A/M或D/M工作信号由分子控制器MC的P型半导体器件的输出端(如集电极或漏极)输出直接耦合输入至分子功率器MP的N型半导体器件的输入端(如基极或栅极)，经分子功率器MP功能处理构成分子输出电路Nout。
由图4可知，N/PMIC分子电路分子控制电阻MR，分子控制器MC，分子功率器MP电气原理和电气功能。
电源VCC分子直流电输入后分成两路电路途径，一路电路经过R电阻进行对整个分子电路进行分子控制构成分子控制电阻MR其输入由MC分子控制器的稳恒器件D和N型半导体器件的输出端(如发射极或源极)输入，一部分由分子控制器MC的输入端(如集电极或漏极)输入直接耦合至MP分子功率器P型半导体器件的输出端(如基极或栅极)和其分子功率器的输出端(如基极或栅极)控制电阻R到电源正极VCC，一部分由MC分子控制器的输入端(如基极或栅极)输入经过控制电阻到电源正极VCC，电路构成整个分子电路稳恒电路和分压分流式电压电流负反馈的分子控制器电路。另一路电路经过MP分子功率器P型半导体器件的输出端(如发射极或源极)与反峰反通保护器件D和分子功率器负载RL、RR回到电源负极GND，电路构成整个分子电路反峰反通保护电路和分子功率电器的分子功率器电路。
A/M或D/M工作信号由分子控制器MC的N型半导体器件的输入端(如基极或栅极)输入构成整个分子电路输入电路Ninp。
A/M或D/M工作信号由分子控制器MC的N型半导体器件的输入端(如集电极或漏极)输入直接耦合至分子功率器MP的P型半导体器件的输出端(如基极或栅极)经分子功率器MP功能处理构成分子输出电路Pout。
权利要求
1.分子集成电路分子电器，其特征是该分子集成电路分子电器利用分子技术就是以1/10000(微米)标准量化原理，基本电路构成处理系统由P/NMIC和N/PMIC两大类组成。
2.根据权利要求1所述的分子集成电路分子电器，其特征是P/NMIC电路由Pinp为分子控制点，Nout为分子功率点，分子电路由R为整个分子电路分子控制电阻，Pinp是P型半导体管为整个分子电路分子控制器，Nout是N型半导体管为整个分子电路分子功率器，P/NMIC分子电路中采用P型半导体器件和N型半导体器件运用互补复合方式构成，由电阻R为整个分子电路的分子控制电阻MR，分子控制电阻MR控制于P型半导体器件的电源输入端(如发射极或源极)，它形成整个分子电路的分子控制点，分子控制电阻MR和P型半导体器件构成整个分子电路的分子输入电路和分子控制器MC，P型半导体器件的(如集电极或漏极)输出直接耦合至N型半导体器件的输入端(如基极或栅极)，它形成了整个分子电路的分子功率点，N型半导体器件构成整个分子电路分子输出电路和分子功率器MP。
3.根据权利要求1所述的分子集成电路分子电器，其特征是N/PMIC电路由Ninp为分子控制点，Pout为分子功率点，分子电路由R为整个分子电路分子控制电阻，Ninp是N型半导体管为整个分子电路分子控制器，Pout是P型半导体管为整个分子电路分子功率器，N/PMIC分子电路中采用N型半导体器件和P型半导体器件运用互补复合方式构成，由电阻R为整个分子电路分子控制电阻MR，分子控制电阻MR控制于N型半导体器件的电源输出端(如发射极或源极)，它形成整个分子电路的控制点，分子控制电阻MR和N型半导体器件构成整个分子电路的分子输入电路和分子控制器MC，N型半导体器件的(如集电极或漏极)输入直接耦合到P型半导体器件的输出端(如基极或栅极)，它形成整个分子电路的分子功率点，P型半导体器件构成整个分子电路分子输出电路和分子功率器MP。
全文摘要
本发明公开了利用分子技术1/10000(微米)即埃的标准量化原理的P/N
文档编号H01L51/00GK1344027SQ0110683
公开日2002年4月10日 申请日期2001年1月8日 优先权日2001年1月8日
发明者丁文南 申请人:丁文南