专利名称：一种形成分层半导体工艺结构的方法与相应的分层半导体工艺结构的制作方法
发明介绍本发明涉及一种形成分层半导体工艺结构的方法，和相应的分层半导体工艺结构，其中所述分层半导体工艺结构具有位于一个基片上的第一半导体工艺材料层，该基片由至少一种第二半导体工艺材料组成。
应该指出，此处所用的基片一词，应该理解为一般形式的基片，并且应包括在半导体工艺处理技术方面公知的全部基片，例如晶圆基片、层状基片、势阱基片(well substrate)、外延基片、SIMOX基片、SOI基片、砂蓝宝石基片上的硅等。
此外，半导体工艺材料应理解为用于半导体工艺程序的任何导电、半导电或绝缘材料。
虽然本发明可适用于其他半导体工艺材料，但是本发明及其潜在的问题将以位于硅基片上的碳化硅层为例进行介绍。
碳化硅(SIC)是一种半导体工艺材料，由于其出色的物理特性及与现有的半导体工艺程序和材料的技术兼容性，近十年来在工业上的重要性日益增加。
然而，这种半导体工艺材料的广泛运用，一直以来被晶体圆片，或具有合适的平滑表面的薄膜的可用性，以及由于制造这样的晶体圆片和薄片的困难而导致的高价格所阻碍。可是，一些商业化的半导体工艺产品已上市，不过价格非常昂贵。如果有关在低价基片上高成本效率地制造具有大表面的外延碳化硅薄膜的材料问题得以解决，可预期碳化硅的应用范围将更加广泛。
为了制造碳化硅，已知有两种标准程序。第一种程序是单晶生长程序，第二种程序是薄膜外延程序。在技术上，只有由单晶体生长，和在很贵的碳化硅单晶上均匀外延炭化硅层才能得到有用的炭化硅。然而，至今仍没有适当方法可以在大面积、价廉基片上实现不均匀外延的碳化硅膜。
图6A-C示出了由US 6,214,107 B1公开的现有技术中的制造碳化硅装置的加工顺序。
如图6A所示，该加工的起始点是昂贵的碳化硅晶片11。
在第一处理步骤中，如图6B所示，执行注入I以至少在该碳化硅晶片11的部分表面注入离子，从而在靠近晶体表面的层11b中引入晶体缺陷，并保持基片区域11a不受损。
在第二处理步骤中，执行氧化O以在位于晶体表面的注入层11b上形成二氧化硅薄膜。
最后，在第三步骤中，如图6C所示，利用HF化学性质(Chemistry)通过蚀刻处理来去掉层11b中的二氧化硅薄膜，使得基片区域11a的碳化硅器件有一个干净的SiC表面。
这种已知方法的缺点是需要昂贵的碳化硅晶片基片。并且，在注入处理之后所需的氧化步骤使该已知方法复杂化。
所以，本发明的目的是提供一种较廉价及不太复杂的方法，用于形成分层半导体工艺结构，以及提供相应的改进的具有平滑表面的分层半导体工艺结构。
根据本发明，此目的是通过权利要求1所定义的方法及权利要求15所定义的结构来实现的。
跟据本发明的方法及结构使得可以高成本效率地制造具有大的平滑表面的在不昂贵的基片上的外延碳化硅薄膜。此外，依据本发明的结构具有这样的优点，即基片制造商供应半加工的结构，而由使用者完成加工。在此上面一层起到保护掩埋层的作用，该掩埋层在后面的简单蚀刻过程暴露出来。
本发明的要点是提供一个掩埋层，然后制造一个掩埋的损伤层，该损伤层至少部分连结着及/或至少部分地包括该掩埋层的上表面。
优选实施例列于相应的从属权利要求中。
跟据一个优选实施例，所述第一半导体工艺材料是碳化硅并且所述第二半导体工艺材料为硅。
跟据另一优选实施例，所述掩埋步骤是通过在第一温度下第一离子注入步骤，及紧接着的可选择的退火步骤来完成的。
跟据另一优选实施例，所述制造掩埋损伤层的步骤，是通过在第二温度下第二离子注入步骤完成。
根据另一优选实施例，所述除去所述基片的上部及所述掩埋损伤层的步骤是蚀刻步骤。
根据另一优选实施例，所述掩埋损伤层从下面连结或包括所述掩埋层的上表面，所以所述掩埋层的一部分属于所述损伤层。在这种情况下，在蚀刻步骤中，从所述掩埋层的其他部分中有选择地蚀刻掉所述部分。
根据另一优选实施例，所述损伤层的宽度沿所述掩埋层的上表面变化。这样，一个转移至掩埋层的结构可以进入(patterned into)损伤层内。
根据另一优选实施例，所述损伤层在侧向限定的区域内的横向穿过所述掩埋层。
根据另一优选实施例，所述损伤层的宽度通过在第三温度下限于局部的第三离子注入步骤而产生变化。
根据另一优选实施例，所述损伤层的宽度通过以局部调整方式实施所述第二离子注入步骤而变化。
根据另一优选实施例，所述基片包括第三半导体工艺材料层。
根据另一优选实施例，所述第三半导体工艺材料层是一氧化硅层，该层位于该掩埋层下面。
根据另一优选实施例，所述第三半导体工艺材料层是掺杂硅层，该层位于掩埋层下面。
根据另一优选实施例，一个LED结构形成在所述分层结构上面。
结合附图本发明的具体实施例详细介绍和说明如下。
图1A-E示出了根据本发明的方法中第一实施例的加工顺序；图2示出了在根据本发明的方法的第二实施例中对图1中基片的修改；图3示出了在根据本发明的方法的第三实施例中对图1中损伤层注入步骤的修改；图4A-C示出了根据本发明的方法的第四实施例中的加工顺序；图5示出了根据本发明的方法的第五实施例的加工顺序；和图6A-C示出了由美国专利US6,214,107 B1公开的用于制造碳化硅装置的现有技术加工顺序。
各图中，相同的附图标记代表相同的或功能相同的部分。
图1A-E示出了根据本发明第一实施例的方法的加工顺序。
根据本发明的该方法的第一实施例的起始点是一浮区硅晶片1，其主要表面在图1A中由附图标记101表示。
在此例中，晶片1具有<100>晶向及n-型传导性(掺杂磷)，并具有特定的电阻1000欧姆厘米。然而，应该注意到其他具有不同晶向和/或掺杂和/或由不同方法生长的晶片(如，Czochralsky)也是适用的。
如图1B所示，在T1温度下的第一注入步骤I1中注入碳C，从而在C分布的最大值附近形成这种化学计量的掩埋碳化硅层5。所述分布示于图1b左边且以ρ(x)表示的，其中x是穿透深度。注入步骤I1之后，可以用高斯分布相当好地描述该分布。
举例来说，注入参数如下剂量 8.5×1017cm-2能量 180keV电流密度 10μAcm-2目标温度T1 450℃然而，由于所述该高斯分布，注入步骤I1导致了注入碳化硅层5的上表面及下表面105，104的扩散表面剖面。换言之，没有从SiC到基片的上部分和下部分1a、1b的突变，基片的上部分和下部分1a、1b是由于掩埋层5的存在而形成的。
为了有一个反映所需要的突变的盒型分布ρ’(x)，如图1C所示，在氩气中实施一个在1250℃的T2温度、大约10小时的退火步骤。该退火步骤提供一个均匀的单晶体3C-SiC层，该层具有平面状的上表面和下表面105、104。此处，应注意的是其他退火条件也可能适用，例知温度介于1200℃至1350℃之间。
利用这种条件，通过离子束合成制造这种掩埋碳化硅层5是在J.K.N.Lindner、A.Frohnwieser、B.Rauschenbach和B.Stritzker，材料研究协会秋季会议(Fall Meeting of the Materials Research Society)，波士顿(Boston)，美国(USA)(1994)，Mater.Res.Soc.Syn.Proc.Vol.354(1995)，171中首次公开的。
然而，到目前为止仅仅通过化学蚀刻、或化学机械抛光方法去掉基片上部1a以获得一个平滑的外延碳化硅表面层5是不可能的。也就是说，因为碳化硅沉淀的出现和/或表面团的存在，碳化硅层5的上表面105总是有不需要的粗糙。实验表明例如在用蚀刻方法企图去掉基片上层时，碳化硅颗粒随机地再沉积于基片表面上使得基片表面非常粗糙。也许，由于碳化硅界面的极性部分，这些粒子非常坚固地黏着在碳化硅表面上。
根据本发明的这一实施例，如结合图1D进一步说明的，该现有技术的严重问题可以第一次被解决。
到此，在温度T2下完成注入步骤I2，在这一过程中形成了损伤层10，在此例中损伤层10是一个非晶体层，与掩埋碳化硅层5的单晶碳化硅之间有显明的介面。
对于所述注入步骤I2中，由于氦的化学惰性，使用情性气体氦。但是，原则上也可使用其他离子，如氢、氧、硼、磷、氖等。
例如，使用氦离子的注入参数如下剂量 1.0×1017cm-2能量 50-55keV电流密宽 10μAcm-2目标温度 100℃如图1D清楚地显示的，此处非晶体损伤层10包括或含有掩埋碳化硅层5的上表面105。换句话说，非晶体损伤层10延伸至基片的上部分1a的一部分及掩埋碳化硅层5的一部分5a。
通过适当的选择能量、离子类型、剂量及目标温度，可以在掩埋碳化硅层5的晶相与损伤部分5a之间获得一明显介面。此外，非晶损伤层10的穿透深度及宽度可按照需求改变。
在正常的情况下，必须找到注入温度T2与离子型式间的平衡，例如，如果注入的离子是较轻的离子，为了避免现场退火，温度T2不可太高。重离子类显示出必要的剂量(注入时间)可大为减少的优点。因其穿透深度较浅，重离子的离子能量必须提高。然而，假如注入温度T2太低，碳化硅层裸露的表面的平滑度可能降低。
在下一个步骤，如图1E所示，基片上部1a及掩埋损伤层10在蚀刻步骤中即被去掉，该步骤使用含有HF/HNO3的蚀刻溶液，这是在硅加工技术中的标准蚀刻溶液。此外，混合比1∶6被证明是非常有效的。然而，包括其他浓缩比及/或其他蚀刻剂的其他蚀刻化学组成均可使用，例如KOH、TMAH等。
蚀刻时间总计数秒钟，且化学反应是选择性地停止在掩埋碳化硅层5的晶体部分上。蚀刻步骤的时间并非关键所在，并且可获得有力的处理程序。
结果，获得了具有硅基片部分1b及剩余的碳化硅层5的高品质Si/SiC基片，如图1E所示。
在此蚀刻步骤之后获得的碳化硅层5的主要优点为其表面的平滑性。理由是沉淀在靠近表面105的基片上部1a的SiC被完全蚀刻掉了。因此，包含在位于掩埋碳化硅层上面的基片的上部1a中的SiC颗粒，不会再沉积在暴露的表面上，而是包含在损伤层内并在最后蚀刻步骤中去掉。此外，通过使损伤层10在所述炭化硅层5中有适当的穿透深度，以去掉掩埋炭化硅层中特定的部分，从而使掩埋SiC层的中间部分成为新的表面，这样做是有优点的，因为这一部分形成了比更上面部分更好的结构，因此提供了平滑表面的最好的条件。
在未示出的最后处理步骤中，可以进行用脱离子水去掉残余的蚀刻溶液的清洁步骤。
图2示出了根据本发明的发明方法的第二实施例中对图1中基片的修改。
如图2所示，基片1’包含较低的部分1b’及1c’，其中1b’代表硅部分而1c’代表二氧化硅部分。这种基片通称为SOI(绝缘硅)基片。
图3显示了根据本发明方法的方法的第三实施例中对图1中的损伤层注入步骤的修改。
根据图3所示的第三实施例，所产生的损伤层10’不进入掩埋碳化硅层5，但仅连接或停止在其上表面105。
此外，根据进一步未示出的实施例，损伤层也可以从下面连接到上表面105或，换句话说，仅包含在掩埋碳化硅层5中。
图4A-C显示了根据本发明方法的第四实施例中的加工顺序。
关于第四实施例，起始点是图1C所示的结构。然而，此处实施在T3温度下注入步骤I3，该步骤不产生具有平滑上表面及下表面的损伤层，而产生穿透深度被调整了的损伤层10”。尤其是，损伤层10”包括完全穿透掩埋碳化硅层5并进入基片的下部分1b的中间部分100”。这可由离子束注入步骤I3完成，其中利用局部改变离子束的能量调节穿透深度，而不使用任何模板(mask)。这种注入步骤I3的结果示于图4A。
另一获得被调节的穿透深度的可行的途径，是利用两个注入步骤，其中第一步骤相应于I2，而第二步骤具有更高能量并利用模板限制在中间部分100”。
在下一步骤中，与第一至第三实施例相同，用HF/HNO3进行蚀刻，形成了如图4B所示的结构。此处，裸露的碳化硅层5分为两部分，具有一个将所述两部分分开的深沟100。图4B所示的结构非常适合微结构设计，微结构的制造包括底-蚀刻(under-etching)步骤，用于产生悬吊在基片上面的感测器部件。
图4C展示了产生底-蚀刻区域110的底-蚀刻步骤。
此处应注意，任一结构均可以形成所述损伤层的图案，然后可通过蚀刻转移到SiC层。
图5示出了根据本发明的方法的第五实施例中的加工顺序。
根据图5所示的第五实施例，位于基片1’中的基片部分1b’、1d’上的外延碳化硅层5被用于进一步的加工步骤，以产生LED结构(LED发光二极管)。
此处，基片部分1b’代表硅晶片部分，而基片部分1d’代表掺杂硅部分，该部件，例如，通过另外的注入步骤获得。
在碳化硅层5的碳化硅表面上，沉积有一个铟-铝-镓-氮层，在其上面又形成了金属喷镀层7，以形成所述发光二极管结构。这样，本发明的方法提供一种合适的基片，用于在不贵的加工顺序中制造发光二极管。
也可用适当地重掺杂基片取代该基片，该基片具有基片部分1b’作为硅片部分，并具有基片部分1d’作为掺杂硅部分。
虽然通过具体实施例介绍了本发明，但本发明并不局限于此，可以以多种方式修改。
尤其是，所述材料仅是示例性的，可用其他适合材料代替。蚀刻程序也是这样。而且，本发明也可用于在其他半导体工艺基片层。
虽然在上述实施例中，注入步骤造成了非晶体掩埋损伤层，但本发明并不局限于此。当然，依赖于注入离子种类和其他注入参数，特定程度的损伤可以足够获得一个损伤层，而该损伤层能在蚀刻步骤轻易地去掉，留下一个露出的碳化硅层的光滑表面。
这里，应该指出，如果提供掩埋损伤层的注入步骤能切掉高斯分布的尾部的足够大部分，那么可以省略用于将高斯剖面图转换为盒形剖面图的第一退火步骤。这样将进一步简化获得平滑碳化硅表面的方法。
而且LED结构仅是许多种可以在根据本发明的分层半导体工艺结构上形成的可能结构中的一个例子。
附图标记1，11基片101 基片表面1a、1b、1b’、11a、11b 基片部分5掩埋SiC层104、105 掩埋SiC层表面I、I1-3 注入步骤T1-3 注入温度ρ、ρ’ C密度分布10、10’、10”、100” 掩埋损伤层5a 属于10的5的部分103 1c’下表面1c’ 二氧化硅层110 底蚀刻区域100 沟1d’ 掺杂基片区域6铟-镓-铝-氮层7金属喷镀层
权利要求
1.一种形成分层半导体工艺结构的方法，该结构具有在基片(1；1’)上的第一半导体工艺材料层(5)，该基片至少包括一个第二半导体工艺材料，该方法包含以下步骤提供所述基片(1；1’)；在所述基片(1；1’)中埋入所述第一半导体工艺材料层(5)，所述掩埋层(5)具有一上表面(105)及一下表面(104)，并且将所述基片(1；1’)分成上部分(1a)及下部分(1b；1b’，1c)；制造一掩埋损伤层(10；10’；10”，100”)，该掩埋损伤层至少部分连接并/或至少部分包含所述掩埋层(5)的上表面(105)；及去掉所述基片(1；1’)的上部分(1a)及掩埋损伤层(10；10’；10”，100”)，以露出所述掩埋层(5)。
2.根据权利要求1的方法，其中所述第一半导体工艺材料是碳化硅而所述第二半导体工艺材料是硅。
3.根据权利要求1或2的方法，其中所述掩埋步骤是由在第一温度(T1)下的第一离子注入步骤(I1)和随后的可选择的退火步骤(T2)来完成。
4.根据权利要求1、2或3的方法，其中所述产生掩埋损伤层(10；10’；10”；100”)的步骤，是通过在第二温度(T2)下的第二离子注入步骤完成。
5.根据上述多个权利要求之一的方法，其中去掉所述基片(1；1’)的上部分(1a)及所述掩埋损伤层(10；10’；10”，100”)所述步骤是蚀刻步骤。
6.根据权利要求5的方法，其中所述掩埋损伤层(10；10’；10”，10”)从下面连接或包括所述掩埋层(5)的上表面(105)，这样所述掩埋层(5)的一部分(5a)属于所述损伤层(10；10’；10”，100”)，并且其中在蚀刻步骤中选择性地从所述掩埋层(5)的其他部分中蚀刻掉所述部分(5a)。
7.根据上述多个权利要求之一的方法，其中所述损伤层(10；10’；10”，100”)的宽度是沿所述损伤层(5)的上表面(105)变化的。
8.根据权利要求第7的方法，其中在侧向限定区域(100”)内，所述损伤层(10；10’；10”，100”)横向穿过所述掩埋层(5)。
9.根据权利要求7或8的方法，其中所述损伤层(10；10’；10”，100”)的宽度是由于在第三温度(T3)下限制在局部地进行第三离子注入步骤(I3)而变化的。
10.根据权利要求7或8的方法，其中所述损伤层(10；10’；10”，100”)的宽度是由于限制在局部地进行第二离子注入步骤(I2)而变化的。
11.根据上述多个权利要求之一的方法，其中所述基片(1；1’)包含第三半导体工艺材料层(1c，1d’)。
12.根据权利要求11的方法，其中所述第三半导体工艺材料层(1c’，1d’)是位于所述掩埋层(5)下面的一个氧化硅层(1c’)。
13.根据权利要求11的方法，其中所述第三半导体工艺材料层(1c’，1d’)是位于所述掩埋层(5)下面的掺杂硅层(1d’)。
14.根据权利要求13的方法，进一步包含以下步骤在所述分层结构上形成一LED结构。
15.一种分层半导体工艺结构，具有位于基片(1；1’)上的第一半导体工艺材料掩埋层(5)，该基片(1；1’)由至少一种第二半导体工艺材料组成，所述掩埋层(5)具有一个上表面(105)及一个下表面(104)，并且将所述基片(1；1’)分为一个上部分(1a)及一个下分部(1b；1b’；1c)；和至少部分地连接及/或至少地部分地包括所述掩埋层(5)的所述上表面(105)的一个掩埋损伤层(10；10’；10”，100”)。
16.根据权利要求15的结构，其中所述第一半导体工艺材料是碳化硅，并且所述第二半导体工艺材料是硅。
17.根据权利要求15或16的结构，其中所述掩埋损伤层(10；10’；10”；100”)从下面连接或包括所述掩埋层(5)的上表面(105)，从而所述掩埋层(5)的一部分(5a)属于所述损伤层(10∶10’；10”；100”)。
18.根据上述权利要求15至17其中之一的结构，其中所述损伤层(10；10’，10”；100”)的宽度沿所述掩埋层(5)的上表面(105)变化。
19.根据权利要求18的结构，其中所述损伤层(10；10’；10”；100”)部分地横向穿过的所述掩埋层(5)。
20.根据权利要求15至19其中之一的结构，其中所述基片(1、1’)包含第三半导体工艺材料层(1c’，1d’)。
21.根据权利要求20的结构，其中所述第三半导体工艺材料层(1c’，1d’)是位于所述掩埋层(5)下面的氧化硅层(1c’)。
22.根据权利要求20的结构，其中所述第三半导体工艺材料层(1c’，1d’)是位于所述掩埋层(5)下面的掺杂硅层(1d’)。
全文摘要
下面的发明提供了一种方法，用于形成一个分层半导体结构，该结构具有在基片(1；1′)上的第一半导体工艺材料层(5)，该基片包括至少一种第二半导体工艺材料，该方法包含以下步骤提供所述基片(1；1′)；在所述基片(1；1′)中埋入所述第一半导体工艺材料层(5)，所述掩埋层(5)具有一上表面(105)及一下表面(104)，并且将所述基片(1；1′)分成上部分(1a)及下部分(1b；1b′；1c)；制造一掩埋损伤层(10，10′；10″；100″)，该掩埋损伤层至少部分连接并/或至少部分包含所述掩埋层(5)的上表面(105)；及去掉所述基片(1；1′)的上部分(1a)和所述掩埋损伤层(10；10′；10″；100″)，以露出所述掩埋层(5)。该发明还提供相应分层半导体结构。
文档编号H01L33/00GK1698193SQ02820195
公开日2005年11月16日 申请日期2002年10月11日 优先权日2001年10月12日
发明者维尔弗里德·阿滕贝格尔, 约尔格·林德纳, 贝恩德·施特里茨克 申请人:硅电子股份公司