专利名称：电光装置及电子机器的制作方法
技术领域：
本发明，涉及适用于有源矩阵驱动方式的液晶装置等电光装置的电光装置及备有该电光装置的电子机器背景技术以往，已知备有中间夹持着液晶等电光物质的一对基板及用于对上述电光物质施加电场的分别设在上述一对基板上的电极等的电光装置。其中，上述电极，用于对上述电光物质施加电场并适当改变该电光物质的状态。因此，按照这种电光装置，如在对该装置入射例如从光源发出的光等的同时按如上所述的方式适当改变电光物质的状态，则可以控制该光的透射率，因而能够进行图象显示。
另外，众所周知，在这种电光装置中，在上述一对基板中的一个基板上，作为电极备有按矩阵状排列的象素电极，同时还备有与素该各象素电极连接的薄膜晶体管(Thim Film Transistor；以下，简称为「TFT」)、与该各TFT连接的分别沿行和列方向平行设置的扫描线及数据线等，从而可以进行所谓的有源矩阵驱动。按照这种结构，通过在由上述象素电极、或上述扫描线及上述数据线划分出的一个个的象素上控制对上述电光物质的电压施加，即可按每个象素控制光的透射率。
另外，在上述电光装置中，为显示质量更高的图象，通常还备有除上述以外的各种结构。例如，作为一种代表性的结构，设有由与上述象素电极及上述TFT连接的象素电位侧电容电极及隔着电介质膜与该电极相对配置的固定电位侧电容电极构成的存储电容。该存储电容用于将施加于电光物质的电压保持规定的时间。
但是，在现有的电光装置中，存在着如下的问题。即，在如上所述的电光装置中，为显示更明亮的图象，一般最好是使上述扫描线及上述数据线、或上述存储电容等在基板上所占的面积较小并使各象素中实际上有助于图象显示的光通过透射或反射而射出的区域即光透过区域更大，从而提高数值孔径。此外，为达到省电等目的，既要求电光装置极其精细又要求其小型化。从这种观点考虑，对上述各构成要素的一般要求是必须以微细的形式形成。
这里，特别成问题的一点是，为提高数值孔径，构成上述存储电容的电容线也必须以微细的形式形成。当为以微细的形式形成电容线而使配线宽度变窄时，将使电容线的电阻提高，因而增大了配线时间常数。因此，将会发生相互干扰或烧熔等。另外，在现有技术中，构成存储电容的上述象素电位侧电容电极，通常有由多晶硅或钨硅化物(WSi)等形成的例，但这些材料决说不上是低电阻的，所以将使上述问题更为严重。
另外，如上所述，当使各构成要素微细且狭小时，还必须充分地注意到光对上述TFT的入射。其原因是，当光入射到构成TFT的半导体层的沟道区域时，可能产生光漏电流，并由此而使图象上产生闪烁等，从而导致图象质量的降低。特别是，在将上述电光装置用作投射型显示装置中的光阀时，要对该光阀入射从功率非常大的光源发出的光，所以，光对TFT的入射的可能性进一步增大，因而存在着应特别注意的问题。
在现有技术中，为防止上述的光对TFT的入射，采取了在上述一对基板中的不设置TFT等的基板侧设置遮光层的方法。但是，在这种方法中，由于该遮光层与TFT的距离较大，所以对于从斜的方向入射的光来说仍存在着不能起到有效的遮光作用的问题。如想解决这一问题，当然可以考虑形成宽度大一些的遮光层，但这将导致数值孔径的降低，因而上述的一般要求或课题几乎都不能得到解决。
另外，作为对TFT的光入射的防止方法，除上述以外，还提出了一种将上述数据线用作遮光层的方法。但是，在这种方法中，为了尽可能减低信号传送的损失，一般采用低电阻材料、例如铝等构成数据线，所以存在着具有高的反射率的问题。即，必须考虑到，如采用这种方法，虽然能以数据线的入射侧的面遮挡直接入射的光，但由数据线反射后的反射光是杂散光、或由该数据线的另一个面对光进行反射后构成杂散光等，而最终仍将到达TFT。此外，在这种方法中，为提高遮光功能必须加大数据线的宽度，因而与上述遮光层一样也存在着导致数值孔径降低的问题，而当考虑到上述杂散光的问题时，这种方法反而会使杂散光的量增大，所以对防止发生光漏电流来说反而很可能起到相反的作用。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而开发的，其目的是提供一种可以在实现电容线的电阻降低或防止TFT中产生光漏电流的同时满足数值孔径的提高等一般要求的电光装置及备有该电光装置的电子机器。
为解决上述课题，本发明的电光装置，在基板上，备有扫描线、数据线、与上述扫描线和上述数据线的交叉点对应设置的薄膜晶体管、与该薄膜晶体管对应设置的象素电极、与上述象素电极连接着的构成存储电容的象素电位侧电容电极及包含隔着电介质膜与该象素电位侧电容电极相对配置的构成上述存储电容的固定电位侧电容电极的电容线，上述电容线，具有沿上述扫描线延伸的线主体部及沿上述数据线延伸的部分，上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的宽度，形成为与该数据线的宽度相同或更宽。
按照本发明的电光装置，通过将扫描信号及图象信号通过扫描线及数据线供给薄膜晶体管，可以对象素电极进行有源矩阵驱动。这里，由于在象素电极上连接着由象素电位侧电容电极和固定电位侧电容电极相对配置而构成的存储电容，所以能够长时间地地保持写入象素电极的图象信号的电压。
另外，特别是，在本发明中，通过将电容线的沿上述数据线延伸的部分的宽度形成为与该数据线的宽度相同或更宽，可以使电容线的电阻进一步降低。
另外，在本发明中，可以按如上所述的方式实现电容线的电阻降低，所以，从装置整体来看，可以实现电容线的狭小化、进而能使存储电容狭小化，其结果是，可以使数值孔径提高。这里，当提到「电容线的狭小化」时，由于电容线本身形成为使其宽度与数据线的宽度相同或「更宽」，所以乍一看好像是矛盾的，但这里所谈及的宽度宽、宽度窄的概念始终应由电容线和数据线的相对关系决定，所以，如从装置整体来看，与现有技术相比，可以实现「电容线的狭小化」。
另外，如上所述的宽度宽和宽度窄、或本发明中提到的「更宽」的情况下的具体宽度值，可以根据理论、经验、实验或通过仿真适当地决定。
进一步，按照本发明，不仅可以实现上述的电阻降低，而且与现有技术相比还能有效地防止对薄膜晶体管、特别是对其沟道区域的光入射。其原因是，如上所述，在现有技术中，由数据线的背面等反射的光构成杂散光，在某些情况下最终会入射到薄膜晶体管，但如按照本发明，则即使有这种杂散光，也可以由形成为与数据线的宽度相同或更宽的电容线提高遮挡该光的传播的可能性。
如上所述，按照本发明，可以通过降低电容线的电阻而减低在现有技术中成为问题的相互干扰或烧熔等问题的发生可能性。此外，通过减低薄膜晶体管中的光漏电流的发生，可以显示具有高质量的图象。
另外，在本发明中，在电容线上存在着沿上述数据线延伸的部分，所以能使存储电容增大。这也极大地有助于显示高质量的图象。
另外，为了更充分地发挥如上所述的遮光功能，作为构成电容线的材料，最好具有优良的遮光性。例如，可以适当地采用至少包括Al(铝)、Cu(铜)、Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等中的一种的金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物，或将其层叠等。除此之外，例如还可以采用多晶硅等光吸收性的材料。
在本发明的电光装置的一种形态中，上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的边缘，从平面上看去与上述象素电极的边缘重合，上述数据线的边缘，从平面上看去至少一部分与上述象素电极的边缘不重合。
按照这种形态，首先，由于上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的边缘从平面上看去与上述象素电极的边缘重合，所以可以由该部分遮挡对薄膜晶体管的光入射，因而可以减低光漏电流。
另外，通过使上述数据线的边缘从平面上看去至少一部分与上述象素电极的边缘不重合，可以减低该数据线与该象素电极之间的寄生电容，所以，能够减低该数据线的电位变化对该象素电极的电位的恶劣影响。
如上所述，按照本发明，最终可以提高显示图象的质量。
在本发明的电光装置的另一种形态中，上述电容线，作为沿上述数据线延伸的部分备有从上述线主体部沿上述数据线伸出的伸出部，该伸出部的宽度，形成为与上述数据线的宽度相同或更宽。
按照这种形态，还可以利用伸出部前端的不存在电容线的区域设置例如将数据线与半导体层连接的接触孔。即，可以增大电光装置在设计上的自由度。
在本发明的电光装置的另一种形态中，上述电容线的上述线主体部的宽度，形成为比对应的扫描线的宽度宽。
按照这种形态，与上述相比能更可靠地进一步降低电容线的电阻，同时可以防止对薄膜晶体管的光入射。特别是，在将扫描线的一部分用作薄膜晶体管的栅电极时，能更有效地达到防止薄膜晶体管中产生光漏电流的目的。其原因是，在上述栅电极的下面存在着最不希望发生光入射的沟道区域，所以，如使电容线的宽度大于扫描线的宽度，则能更有效地防止对该沟道区域的光入射。
特别是，在该形态中，最好使上述电容线的上述线主体部的边缘从平面上看去与上述象素电极的边缘重合并使上述扫描线的边缘从平面上看去至少一部分与上述象素电极的边缘不重合。
按照这种结构，首先，由于上述电容线的上述线主体部的边缘从平面上看去与上述象素电极的边缘重合，所以可以由该部分遮挡对薄膜晶体管的光入射，因而可以减低光漏电流。
另外，通过使上述扫描线的边缘上从平面上看去至少一部分与上述象素电极的边缘不重合，可以减低该扫描线与该象素电极之间的寄生电容，所以，能够减低该扫描线的电位变化对该象素电极的电位的恶劣影响。
如上所述，按照本发明，最终可以提高显示图象的质量。
在本发明的电光装置的另一种形态中，上述电容线，配置在构成上述薄膜晶体管的半导体层与上述数据线之间的层叠位置。
按照这种形态，通过将电容线配置在构成薄膜晶体管的半导体层与数据线之间的层叠位置，与上述相比能更有效地进一步防止光对上述半导体层的入射。
特别是，在该形态中，上述象素电极，在上述基板上按矩阵状形成多个，上述电容线，最好与沿着设在上述薄膜晶体管下侧的上述扫描线及上述数据线按栅格状延伸的下侧遮光膜电气连接。
按照这种结构，可以进一步提高上述的遮光作用效果。其原因是，对薄膜晶体管的光入射，不只在其上侧可以由上述电容线防止，并且还可以由设在该薄膜晶体管下侧的下侧遮光膜防止。
另外，按照本结构，即使电容线中的一部分上发生任何破损，也可以由与之电气连接的下侧遮光膜发挥其替代作用，所以，也不会很容易地使电容线的电阻提高。而且，该下侧遮光膜，沿扫描线及数据线方向按栅格状延伸，所以，不只是电容线甚至于下侧遮光膜的一部分上发生任何破损，仍可以设想到还有多个导电通路，所以，在将电容线作为整体来看时，使其电阻提高的情况更难发生。
在本发明的电光装置的另一种形态中，上述电容线，从平面上看去，有一个与将上述象素电极和上述象素电位侧电容电极连接的接触孔的形成位置对应的收缩部。
按照这种形态，能够顺利地实现象素电极与象素电位侧电容电极的连接，而与电容线无关，同时可以将由该连接所要求的使构成电容线的一部分的固定电位侧电容电极的面积减小抑制到最低限度，所以，能够保持较大的存储电容。
在本发明的电光装置的另一种形态中，上述电容线由多层膜构成。
按照这种形态，可以增加电容线的功能，即，例如除该电容线具有的作为固定电位侧电容电极的功能外，还可以同时具有其他功能。具体地说，为解决上述课题，可以由用于实现电容线的电阻降低的功能的一种材料及用于实现防止对TFT的光入射的遮光功能的另一种材料构成电容线，从而达到上述的本发明的目的。
另外，当如本发明所述由多层膜构成电容线时，能使作为存储电容的功能更加稳定。即，例如，如只是达到在上文中以例示出的降低电阻的目的，则只用一层这类材料构成电容线即可，但这样一来作为存储电容有时就不能充分地起到本应具有的作为电容器的作用。然而，在本发明中，如上所述，通过由2层以上的膜构成电容线，即使在其一层上使用具有任何任何特殊功能的材料，但在其他的层上可以补偿性地使用能起到作为存储电容的作用的材料，所以不会发生上述的问题。
特别是，在该形态中，上述电容线，最好是，作为其上层具有由导电性材料构成的膜，而作为其下层具有由光吸收材料构成的膜。
按照这种结构，可以由电容线实现如下所述的多种功能。首先，电容线的上层，例如由铝、铜、钛、铬、钨、钽、钼等金属及其他导电性材料构成，所以可以由该上层实现高的导电性。换句话说，按照本结构，能够更可靠地实现电容线的狭小化、即存储电容的狭小化而没有特别的限制。因此，能够更可靠地防止在现有技术中成为问题的因电容线的电阻提高而引起的相互干扰或烧熔等的发生。此外，能够不产生任何特殊问题地实现电容线的狭小化，在数值孔径的提高上也将起到很大的作用。
另一方面，电容线的下层，例如由多晶硅等光吸收性材料构成，所以，例如可以将入射到电光装置后因由上述数据线的底面反射等而产生的所谓杂散光到达TFT的情况防止于未然。即，这种杂散光的全部或一部分，可以由电容线的下层吸收，因此能更可靠地减低该杂散光到达TFT的可能性。
在本发明的电光装置的另一种形态中，上述数据线，使与上述薄膜晶体管重叠的部分局部地按宽幅形成，上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的宽度，形成为比上述数据线的没有按宽幅形成的部分的宽度宽、且与上述数据线的上述按宽幅形成的部分的宽度相同。
按照这种形态，数据线的与薄膜晶体管重叠的部分局部地按宽幅形成。另外，按该宽幅形成的部分的宽度，与上述电容线的沿数据线延伸的部分的宽度相同。即，如采用这种结构，则在该薄膜晶体管的上方形成着都按宽幅形成的数据线及电容线。因此，能更可靠地防止从薄膜晶体管的上方的光入射。
更具体地说，例如，当电容线由高熔点金属构成时，该电容线可以单独地发挥透射率为0.1％左右(OD(光密度)值为2以上)的遮光性能。但是，当对该电容线进行硅化处理后，其组成将发生变化，因而其遮光性能有时会降低。在这种情况下，有时也不能得到上述的透射率为0.1％以上的遮光功能。
然而，在本形态中，还存在着与由上述高熔点金属构成的电容线重合的数据线。因此，如采用通过电容线与数据线的重合而对薄膜晶体管进行遮光的结构，则可以获得与其透射率的叠加值对应的遮光性能。例如，在数据线由铝等构成的情况下，可以发挥透射率约为0.001％左右(OD(光密度)值为4以上)的遮光性能。
另外，特别是，在本形态中，电容线的沿数据线延伸的部分的宽度加大，意味着比数据线的没有按宽幅形成的部分的宽度宽。
在本发明的电光装置的另一种形态中，上述数据线，使与上述薄膜晶体管重叠的部分局部地按宽幅形成，上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的宽度，形成为比上述数据线的没有按宽幅形成的部分的宽度宽、且比上述数据线的按上述宽幅形成的部分的宽度窄。
按照这种形态，数据线的与薄膜晶体管重叠的部分局部地按宽幅形成。即，如采用这种结构，则在该薄膜晶体管的上方形成着都按宽幅形成的数据线及电容线。因此，能更可靠地防止从薄膜晶体管的上方的光入射。
另外，特别是，在本形态中，可以使电容线的沿上述数据线延伸的部分的宽度形成为比按宽幅形成的数据线的宽度宽。就是说，在该部分上，数据线比电容线的宽度窄。因此，例如当用光反射率高的铝等构成数据线时，入射光由电光装置内部的任何要素反射而产生的杂散光、已从电光装置射出的光由该电光装置外部的任何要素反射后又回到电光装置内的返回光、或在设置多个电光装置的可进行彩色显示的液晶投影机等投射型显示装置中从其他电光装置射出的光回到该电光装置的返回光等，均由上述数据线反射，因而能够防止使杂散光增加的情况。其原因是，数据线的按宽幅形成的部分，形成为相对地比电容线的宽度窄。
在如上所述的备有与薄膜晶体管重叠的部分按宽幅形成的数据线的形态中，上述电容线，配置在上述薄膜晶体管与上述数据线之间的层叠位置，上述数据线，除与上述薄膜晶体管重叠的部分外，其设有用于与上述薄膜晶体管连接的接触孔的部分最好构成为按宽幅形成。
按照这种结构，即使不能对该接触孔设置作为遮光膜的电容线，也可以通过形成宽度较宽的数据线而加以弥补。
或者，上述数据线，对每个上述薄膜晶体管，使从与上述薄膜晶体管重叠的部分到设有上述接触孔的部分构成为连续地按宽幅形成。
按照这种结构，能更可靠地对薄膜晶体管进行遮光。
另外，与薄膜晶体管重叠的部分的按宽幅形成的部分与设有上述接触孔的部分的按宽幅形成的部分，也可以按不同的宽度形成。当使与薄膜晶体管重叠的部分与设有接触孔的部分靠近配置并如本形态所述连续地按宽幅形成时，由于无须使按宽幅形成的区域太宽即可，所以从不增大内表面反射的观点考虑是有利的。
按照本发明的电光装置的另一种形态，还备有隔着电光物质与上述基板相对配置的另一基板及在该基板上形成的遮光膜，上述数据线及上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的宽度，比上述遮光膜的宽度窄。
按照这种形态，假定光从上述另一基板入射，则可以从该光的入射侧起按顺序构成遮光膜、数据线及电容线的层叠结构。这里，其中的前者的宽度，比后两者的宽度宽。即，入射光，可以由宽度更宽的遮光膜遮挡该光的传播，因而穿过该膜后的光，到达数据线及电容线。进一步，当穿过了遮光膜的光到达数据线及电容线时，可以期待着由该数据线及电容线发挥上述的遮光功能。总之，按照本形态，可以进一步提高薄膜晶体管的耐光性，并能进一步减低产生光漏电流的可能性。
另外，本形态中提到的「遮光膜」，例如，如使上述象素电极按矩阵状排列，则可以按条状或栅格状形成，以使其穿过该象素电极的间隙。此外，也可以根据情况将该遮光膜形成为例如由铬或氧化铬等光吸收性材料及铝等光反射性材料构成的层叠结构。
本发明的电子机器，备有上述本发明的电光装置(包括其各种形态)。
按照本发明的电子机器，由于备有上述本发明的电光装置，所以不会导致电容线的电阻提高，而且能够抑制对薄膜晶体管的光入射，因此，可以实现能够显示高质量图象的例如液晶投影机、液晶电视机、携带式电话、电子记事簿、字处理器、取景器型或直观型磁带录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸屏等各种电子机器。
附图的简单说明图1是表示本发明实施形态的电光装置中的构成图象显示区域的矩阵状的多个象素上所设有的各种元件、配线等的等效电路的电路图。
图2是表示本发明实施形态的电光装置中的形成了数据线、扫描线、象素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个象素群的平面图。
图3是图2的A A′断面图。
图4与图2基本相同，是表示与该图在电容线的形态上的不同的平面图。
图5是图4的B B′断面图。
图6与图2基本相同，是表示与该图在数据线的形态上的不同的平面图。
图7是图6的P P′断面图。
图8是图6的Q Q′断面图。
图9是图6的R R′断面图。
图10是从相对基板一侧观察本发明实施形态的电光装置中的TFT阵列基板连同在其上形成的各构成要素的平面图。
图11是图10的H H′断面图。
图12是示意地表示作为本发明的电子机器的实施形态的投射型彩色显示装置的一例即彩色液晶投影机的断面图。
发明的
具体实施例方式
以下，参照
本发明的实施形态。以下的实施形态，将本发明的电光装置应用于液晶装置。
首先，参照图1说明本发明实施形态的电光装置的象素部的结构。这里，图1是构成电光装置的图象显示区域的按矩阵状形成的多个象素的各种元件、配线等的等效电路。图2是形成了数据线、扫描线、象素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个象素群的平面图。另外，图3是图2的A A′断面图。在图3中，为加大各层、各构件在图中的可识别程度，使该每层、每个构件的缩小比例尺各不相同。
在图1中，在构成本实施形态的电光装置的图象显示区域的按矩阵状形成的象素上，分别形成着象素电极9a和用于对该象素电极9a进行开关控制的TFT30，供给图象信号的数据线6a与该TFT30的源极电气连接。写入数据线6a的图象信号S1、S2、...、Sn，既可以按该顺序依次供给各线，也可以按每个组同时供给相邻的多条数据线6a。
另外，扫描线3a与TFT的栅极电气连接，并将扫描信号G1、G2、...、Gm按该顺序在规定的时刻以脉冲的形式依次施加于各扫描线3a。象素电极9a，与TFT30的漏极电气连接，并通过以一定的周期使作为开关元件的TFT30闭合而将从数据线6a供给的图象信号S1、S2、...、Sn按规定的时序写入该开关元件。
通过象素电极9a写入作为电光物质的一例的液晶的具有规定电平的图象信号S1、S2、...、Sn，在与相对基板上形成的相对电极之间保持一定的时间。液晶，根据所施加的电压电平改变分子集合的取向及次序，从而可以对光进行调制并进行灰度等级显示。如果是正常白色模式，则以各象素为单位根据所施加的电压减少对入射光的透射率，如果是正常黑色模式，则以各象素为单位根据所施加的电压增加对入射光的透射率，从而作为整体从电光装置射出具有与图象信号对应的对比度的光。
这里，为防止所保持的图象信号漏泄，附加一个与在象素电极9a和相对电极之间形成的液晶电容并联的存储电容70。
以下，参照图2和图3说明由上述数据线6a、扫描线3a、TFT30等实现如上所述的电路动作的电光装置的更为实际的结构。
首先，本实施形态的电光装置，如作为图2的A A′断面图的图3所示，备有作为有源矩阵基板的TFT阵列基板10及与该基板10相对配置的透明的相对基板20。TFT阵列基板10，例如由石英基板、玻璃基板、硅基板构成，相对基板20。例如由玻璃基板或石英基板构成。
如图3所示，在TFT阵列基板10上，设置着象素电极9a，在其上侧，设置着进行了研磨处理等规定的取向处理的取向膜16。象素电极9a，例如由ITO(Indium Tin Oxide铟锡氧化物)膜等透明导电性膜构成。
另一方面，在相对基板20上，在其整个表面上设置着相对电极21，在其下侧，设置着进行了研磨处理等规定的取向处理的取向膜22。相对电极21，例如由ITO膜等透明导电性膜构成。
另外，在图2中，在电光装置的透明的TFT阵列基板10上，按矩阵状设置着多个象素电极9a(由虚线部9a′示出轮廓)，沿着象素电极9a的纵横边界分别设置着数据线6a及扫描线3a。
扫描线3a，配置成与半导体层1a上的以图2中的右上斜线阴影区域示出的沟道区域1a′相对，扫描线3a起着栅电极的作用。即，在扫描线3a与数据线6a的交叉部位分别设置着将扫描线3a的线主体部作为栅电极而与沟道区域1a′相对配置的象素开关用TFT30。
TFT30，如图3所示，具有LDD(Lightly Doped Drain轻掺杂漏极)结构，作为其构成要素，备有如上所述的起着栅电极作用的扫描线3a、例如由多晶硅膜构成的在扫描线3a的电场的作用下形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a′、包含使扫描线3a与半导体层1a绝缘的栅极绝缘层的绝缘膜2、半导体层1a的低浓度源区1b及低浓度漏区1c以及高浓度源区1d及高浓度漏区1e。
另外，TFT30，最好具有如图3所示的LDD结构，但也可以具有不对低浓度源区1b及低浓度漏区1c进行杂质掺入的偏置结构，还可以是以由扫描线3a的一部分构成的栅电极为掩模而以高浓度掺入杂质并以自调整的方式形成高浓度漏区的自调整型TFT。此外，在本实施形态中，采用了在高浓度源区1d及高浓度漏区1e之间只配置1个象素开关用TFT30的栅电极的单栅结构，但也可以按照在这两个区域之间配置2个以上栅电极的双栅结构、或三栅以上的结构构成TFT。进一步，构成TFT的半导体层1a，既可以是非单晶层也可以是单晶层。在形成单晶层时，可以采用粘合法等众所周知的方法。特别是，如使半导体层1a为单晶层，则可以提高周边电路的性能。
另一方面，在图2和图3中，存储电容70，通过使与TFT30的高浓度漏区1e及象素电极9a连接的作为象素电位侧电容电极的中继层71与作为固定电位侧电容电极的电容线300的一部分隔着电介质膜75彼此相对配置而形成。如采用该存储电容70，则可以使象素电极9a的电位保持特性得到显著的提高。
中继层71，例如由导电性的多晶硅膜构成并起着象素电位侧电容电极的作用。但是，中继层71，也可以由含有金属或合金的单层膜或多层膜构成。中继层71，除起着象素电位侧电容电极的作用外，还具有将象素电极9a与TFT30的高浓度漏区1e通过接触孔83和85进行中继连接的功能。如利用这种中继层71，则即使层间距离例如长到2000nm左右，也能避免两者之间通过一个接触孔连接时的技术上的困难性，同时还可以通过直径较小的2个以上的串联的接触孔在两者之间进行良好的连接，从而可以提高象素的数值孔径。此外，在形成接触孔时还可以起到防止蚀刻穿透的作用。
另外，电介质膜75，例如由膜厚5～200nm的较薄的含有TaOx(氧化钽)、BST(钛酸锶钡)、PZT(钛酸硅酸盐)、TiO2(氧化钛)、ZiO2(氧化)、HfO2(氧化铪)、SiO2(氧化硅)、SiON(氮氧化硅)及SiN(氮化硅)中的至少一种的绝缘膜构成。特别是，如使用TaOx、BST、PZT、TiO2、ZiO2及HfO2之类的高介电常数材料，则可以在有限的基板区域上增大电容值。或者，如使用SiO2(氧化硅)、SiON(氮氧化硅)及SiN之类的含硅材料，则可以减小在与含硅的半导体层1a及第1层间膜41等层间绝缘膜之间产生的应力。
另外，作为电介质膜75，也可以由HTO(High Temperature Oxide高温氧化物)膜、LTO(Low Temperature Oxide低温氧化物)膜等氧化硅膜或氮化硅膜等构成。无论在哪种情况下，从增大存储电容70的观点考虑，在使膜获得足够的可靠性的限度内，电介质膜75越薄越好。
另外，电容线300，如图3所示，配置在TFT30的半导体层1a与数据线6a之间，特别是，该电容线300，其本身也可以由多层膜构成。更具体地说，电容线300，如图3所示，由2层构成，分别由其上层即作为由导电性材料构成的层的一例的铝层300a及其下层即作为由光吸收性材料构成的层的一例的多晶硅层300b构成层叠结构。
但是，本发明，并不限定于上述的材料选择，作为构成「多层膜」的材料，除上述的铝及多晶硅外，还可以适当地将铜、钛、铬、钨、钽、钼等组合使用。此外，这里所举出的各种材料，在遮光性这一点上一般都是优良的。
上述的电容线300，如从平面上看去，则如图2所示，以重叠于扫描线3a的形成区域的方式形成。更具体地说，电容线300，备有沿扫描线3a延伸的线主体部301、图中从与数据线6a交叉的部位起沿数据线6a分别向上方伸出的伸出部302、与接触孔85对应的部位稍微变窄的收缩部303。
其中，伸出部302，通过利用扫描线3a上面的区域及数据线6a下面的区域而增大存储电容70的形成区域。此外，在本实施形态中，如图2和图3所示，通过形成伸出部302本身、即在该伸出部302的前端有意识地形成不存在电容线300的区域，可以设置将数据线6a与TFT30的半导体层1a的高浓度漏区1e连接的接触孔81。即，按照本实施形态，不会产生因象素数值孔径的减小而带来的缺欠，因而可以说增大了设计的自由度。
另外，由于收缩部303的存在，可以顺利地实现象素电极9a与包含着象素电位侧电容电极的中继层71的连接、即可以设置接触孔85而与电容线300的存在无关。此外，如图2所示，由于收缩部303只需具有与接触孔85的断面积对应的「变窄部分」就足够了，所以能够保持较大的存储电容70。
另外，在本实施形态中，特别是，该电容线300的上述沿数据线6a的伸出部分、即伸出部302的宽度W1，形成为与该数据线6a的宽度W2相同或更宽。在图2中，为W1＞W2。此外，本实施形态的电容线300，沿扫描线3a延伸的部分、即线主体部301及收缩部303的宽度W3和W4，大于该扫描线3a所具有的宽度W5。即，具有W3＞W5、W4＞W5的关系。
除此以外，特别是，在本实施形态的电容线300上，如图2所示，其伸出部302的边缘302p，从平面上看去与象素电极9a的边缘9ap重合，另一方面，数据线6a的边缘6ap，从平面上看去至少一部分与象素电极9a的边缘9ap不重合。另外，与此相同，电容线300的线主体部301的边缘301p，从平面上看去与象素电极9a的边缘9ap重合，另一方面，扫描线3a的边缘3ap，从平面上看去至少一部分与象素电极9a的边缘不重合。
另外，电容线300，最好从配置了象素电极9a的图象显示区域延伸到其周围，并通过与定电位源电气连接而保持固定电位。作为上述定电位源，可以是供给数据线驱动电路的正电源或负电源的定电位源，也可以是供给相对基板20的相对电极21的定电位。
另外，在本实施形态中，在TFT阵列基板10上，自下而上依次按中继层71、电介质膜75及电容线300这样的顺序进行层叠，但本发明不限定于这种形态。例如，与此相反，即使按电容线300、电介质膜75及中继层71的顺序进行层叠，本发明的作用效果当然也仍可以得到发挥而不会有任何变更。
在图2和图3中，除上述以外，在TFT30的下侧还设置着下侧遮光膜11a。下侧遮光膜11a，设置在扫描线3a及数据线6a的下方、且按栅格状沿扫描线3a及数据线6a延伸。此外，对于该下侧遮光膜11a，与上述的电容线300的情况一样，为避免其电位变化对TFT30产生恶劣影响，也从图象显示区域延伸到其周围，并与定电位源连接。
另外，在TFT30的下面设置着基底绝缘膜12。基底绝缘膜12，除了对下侧遮光膜11a与电容线300进行层间绝缘的功能外，还通过在TFT阵列基板10的整个表面上形成而具有防止对TFT阵列基板10进行表面研磨时产生的粗糙斑点或洗净后残留的污物引起的象素开关用TFT30的特性变化的作用。
此外，在扫描线3a上，还形成分别开有通向高浓度源区1d的接触孔81及通向高浓度漏区1e的接触孔83的第1层间绝缘膜41。
在第1层间绝缘膜41上，形成中继层71及电容线300，在中继层71及电容线300上，形成分别开有通向高浓度源区1d的接触孔81及通向中继层71的接触孔85的第2层间绝缘膜42。
另外，在本实施形态中，也可以通过对第1层间绝缘膜41进行约1000℃的烧结而将注入构成半导体层1a和扫描线3a的多晶硅膜的离子激活。另一方面，也可以通过对第2层间绝缘膜42进行上述的烧结而缓和在电容线300的界面附近产生的应力。
在第2层间绝缘膜42上，形成数据线6a，在第2层间绝缘膜42及数据线6a上，形成开有通向中继层71的接触孔85的第3层间绝缘膜43。第3层间绝缘膜43的表面，通过CMP(Chemical MechanicalPolishing化学机械抛光)等进行平整处理，减低因存在于其下方的各种配线或元件等的台阶高差引起的液晶层50的取向不良。也可以不对第3层间绝缘膜43进行平整处理，而是在TFT阵列基板10、基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41及第2层间绝缘膜42中的至少一个上形成沟槽并将数据线6a等配线及TFT30等埋入沟槽，从而进行平整处理。
如上所述，按照具有以上所说明的结构的本实施形态的电光装置，通过形成为使电容线300的伸出部302的宽度大于数据线6a的宽度并使线主体部301及收缩部303的宽度大于扫描线3a的宽度，可以实现如下所述的作用效果。
首先，与现有技术相比，可以进一步降低电容线300的电阻。因此，可以减低在现有技术中成为问题的因电容线的电阻值过高引起的相互干扰或烧熔等的发生可能性。另外，电容线300的这种电阻降低，当从装置整体来看时，可以实现电容线300的狭小化、即能使存储电容70狭小化，其结果是，可以使数值孔径提高。
另外，与现有技术相比，还能更有效地防止对TFT30、特别是对其沟道区域1a′的光入射。其原因是，如上所述，在现有技术中，由数据线6a的背面等反射的光构成杂散光，在某些情况下最终会入射到TFT30，但如按照本发明，则即使有这种杂散光，也可以由形成为与数据线6a的宽度相同或更宽的电容线300提高遮挡该光的传播的可能性。
另外，这种对TFT30的遮光作用效果，在本实施形态中，通过使电容线300的线主体部301及收缩部303的宽度大于扫描线3a的宽度(参照图2)并将该电容线300配置在TFT30的半导体层1a和数据线6a之间等(参照图3)，可以更有效地实现。
进一步，在本实施形态中，电容线300，具有作为其上层的铝层300a及作为其下层的多晶硅层300b，所以，能够更有效地发挥上述作用效果。
首先，通过使电容线300的上层由铝层300a构成，可以由该上层实现高的导电性。即，在本实施形态中，电容线300的电阻降低，也通过构成该多层膜而得到支持。
另外，通过使电容线300的下层由多晶硅层300b构成，例如，可以将入射到本发明实施形态的电光装置后因由数据线6a的底面反射等而产生的所谓杂散光到达TFT的情况防止于未然。即，这种杂散光的全部或一部分，可以由电容线300的下层吸收。
此外，本实施形态的电容线300，形成为使其伸出部302的边缘302p及线主体部301的边缘301p分别与象素电极9a的边缘9ap重合(在下文中，简单地表示为「电容线300与象素电极9a重合」等)，所以，按照这种方式也可以防止对TFT30的光入射。另外，在本实施形态中，如上所述，采用了使数据线6a的边缘6ap及扫描线3a的边缘3ap分别与象素电极9a的边缘不重合的结构，之所以可以采用这样的结构，不过是由于已形成为使电容线300与象素电极9a重合而已。即，在现有技术中，通过形成为使数据线6a及扫描线3a与象素电极9a重合虽然也可以防止光的入射，但由于在本实施形态中形成为使电容线300与象素电极9a重合所以就没有必要了。其结果是，可以减低因使数据线6a及扫描线3a与象素电极9a重合而在两者之间生成的寄生电容，所以，能够将数据线6a及扫描线3a的电位变化对象素电极9a的电位产生恶劣影响的情况防止于未然。。
如上所述，按照本发明，通过降低电容线的电阻并通过减低薄膜晶体管中的光漏电流的发生等，可以显示具有高质量的图象。
另外，作为本发明的实施形态，除上述以外，还可以采用如图4和图5所示的形态。这里，图4与图2基本相同，是在电容线300上设置接触孔501这一点上与该图不同的形态的平面图。而图5是图4的B B′断面图。
在这两个图中，在使电容线300的伸出部302的宽度大于数据线6a的宽度并使线主体部301及收缩部303的宽度大于扫描线3a的宽度这一点上、以及使电容线300为多层膜等其他方面没有变更。但是，在本形态中，不同点在于使电容线300与上述下侧遮光膜11a之间通过接触孔501电气连接。
如图5所示，接触孔501，设置成贯通第1层间绝缘膜41及基底绝缘膜12。此外，如图4所示，接触孔501，如从平面上看去，在上述电容线300的伸出部302的端部附近形成。进一步，该接触孔501，如图4和图5所示，在数据线6a的正下方形成。因此，接触孔501，存在于由数据线6a规定的非孔径区域内，所以有助于进一步提高数值孔径。
在这种形态中，可以更可靠地实现使上述电容线300的电阻降低的作用效果。其原因是，即使电容线300中的一部分上发生任何破损，也可以由与之电气连接的下侧遮光膜11a发挥其替代作用。这里所谓的替代作用，指的是可以由下侧遮光膜11a对该电容线300所包含的固定电位侧电容电极供给固定电位等，从而弥补电容线300的破损等位置。因此，按照这种方式，将不会导致电容线300本身的电阻提高。
另外，本实施形态中的下侧遮光膜11a，如上所述，设置在扫描线3a及数据线6a的下方、且按栅格状沿该扫描线3a及数据线6a延伸，所以，即使下侧遮光膜11a的一部分上发生任何破损，仍可以设想到还有多个导电通路，因此，在将电容线300作为整体来看时，使其电阻提高的情况更难发生。
(第2实施形态)以下，参照图6～图9说明本发明的第2实施形态。这里，图6与图2基本相同，是表示与该图在数据线的形态上的不同的图，图7是图6的P P′断面图，图8是图6的Q Q′断面图，图9是图6的RR′断面图。此外，第2实施形态的电光装置的基本结构及作用等与上述第1实施形态相同，所以，在下文中，主要对第2实施形态中的特征部分给予说明。另外，图6～图9中使用的符号，在实际上指示同一要素的情况下，使用与到上述为止在图1～图5中使用过的符号相同的符号。
在第2实施形态中，如图6～图9所示，数据线6a1，备有使与TFT30重叠的部分局部地按宽幅形成的宽幅部6aW。另外，第1，电容线300的沿数据线6a1延伸的部分、即伸出部302的宽度W1，形成为比数据线6a1的宽幅部6aW以外的部分的宽度W2′宽(特别是，参照图7)。这一点，与图2或第1实施形态大致相同。第2，该伸出部302的宽度W1，形成为与数据线6a1的宽幅部6aW的宽度W6大致相同(参照图8)。在第2实施形态中，数据线6a1具有宽幅部6aW这一点是其一个特征，是在图2或第1实施形态中所不曾见到的。
另外，作为上述伸出部302的宽度W1、数据线6a1的宽幅部6aW的宽度W6、及该宽幅部6aW以外的部分的宽度W2′的具体值，最好分别设定为3[μm]、3[μm]及2[μm]等。
进一步，在第2实施形态中，如图6或图8及图9所示，数据线6a1的宽幅部6aW，对每个按矩阵状排列的TFT30，从与该TFT30重叠的部分一直连续到设有将该TFT30的半导体层1a与数据线6a1连接的接触孔81的部分。
此外，在第2实施形态中，如图7～图9所示，在相对基板20上形成着遮光膜23。而该遮光膜23的宽度WS，大于上述宽幅部6aW。
在具有上述结构的第2实施形态的电光装置中，可以取得如下的作用效果。即，第1，由于在TFT30上存在着都按宽幅形成的数据线6a1的宽幅部6aW及电容线300的伸出部302，所以，与上述的实施形态相比能更可靠地防止对TFT30的沟道区域1a′的光入射，因此，也很难产生光漏电流。
特别是，在第2实施形态中，在TFT30上还存在着与电容线300重叠的数据线6a1的宽幅部6aW。在这种情况下，可以在TFT30上获得与其透射率的叠加值对应的遮光性能。
因此，在第2实施形态中，即使在电容线300上发生了使其遮光性能降低的任何情况，也可以由数据线6a1补充性地发挥遮光性能，从而构成使对TFT30的光入射更难发生的结构。
第2，与这种优良的遮光性能相关地，在第2实施形态中，如上所述，使电容线300的伸出部302的宽度W1及数据线6a1的宽幅部6aW的宽度W6小于相对基板20上的遮光膜23的宽度WS(即，WS＞W1、WS＞W6)。按照这种结构，从TFT30的上方入射的光，首先由遮光膜23遮挡，或即使通过了遮光膜23，接着还可以由数据线6a1的宽幅部6aW遮挡。进一步，即使入射光通过了该宽幅部6aW，还可以由电容线300的伸出部302遮挡。总之，在第2实施形态中，由于实现了三重遮光，所以使对TFT的光入射更难发生。
进一步，第3，在第2实施形态中，数据线6a1的宽幅部6aW，对每个按矩阵状排列的TFT30，形成为从与该TFT30重叠的部分一直连续到接触孔81。这里，该接触孔81，如上所述，是为将TFT30的半导体层1a与数据线6a1连接而设置的，所以，在该部分上不能形成电容线300。即，对该接触孔81不能期望得到电容线300的遮光功能。
然而，在第2实施形态中，在该接触孔81的形成部位，与TFT30的上方一样，存在着数据线6a1的宽幅部6aW。因此，不能形成电容线300的部分所导致的遮光性能的降低，可以由宽幅部6aW的存在进行弥补。附带说一下，按照如第2实施形态这样的形成为使TFT30上及接触孔81的形成部位的宽幅部6aW连续的形态，由于无须使宽幅部6aW的形成区域太宽即可，所以从不增大内表面反射的观点考虑是有利的。
如上所述，在第2实施形态中，通过使各种作用效果相互结合，可以极为有效地减低对沟道区域1a′的光入射的可能性，并能有效地抑制TFT30中的光漏电流的发生，进而能非常有效地抑制因该光漏电流引起的图象上的闪烁等。
另外，在第2实施形态中，使数据线6a1的宽幅部6aW的宽度W6与电容线300的伸出部302的宽度W1相等，但本发明并不限定于这种形态。除此以外，例如，最好采用使数据线的宽幅部6aW的宽度比电容线300的伸出部302的宽度窄的形态。按照这种形态，与上述相比，除仍可以毫不逊色地获得该宽幅部6aW及伸出部302的双重遮光作用外，由于宽幅部6aW形成得较窄，所以不会由该宽幅部6aW对光产生过分的内表面反射等，因而可以防止杂散光的增多。
附带说一下，作为由宽幅部6aW进行内表面反射的光，可以考虑有入射光由电光装置内部的任何要素反射而产生的杂散光、已从电光装置射出的光由该电光装置外部的任何要素反射后又回到电光装置内的返回光、或在设置多个电光装置的可进行彩色显示的液晶投影机等投射型显示装置(参照后文所述的图12)中从其他电光装置射出的光回到该电光装置的返回光等(电光装置的总体结构)参照图10和图11说明按如上所述方式构成的本实施形态的电光装置的总体结构。图10是从相对基板20一侧观察TFT阵列基板10连同在其上形成的各构成要素的平面图，图11是图10的H H′断面图。
在图10和图11中，在本实施形态的电光装置内，将TFT阵列基板10与相对基板20彼此相对配置。在TFT阵列基板10与相对基板20之间，封入液晶层50，TFT阵列基板10与相对基板20，用设在位于图象显示区域10a的周围的密封区域上的密封材料52相互粘接。
在密封材料52的外侧区域上，沿TFT阵列基板10的一边设置着通过按规定的时序对数据线6a供给图象信号而驱动该数据线6a的数据线驱动电路101及外部电路连接端子102，并沿着与该边邻接的两边设置着通过按规定的时序对扫描线3a供给扫描信号而驱动扫描线3a的扫描线驱动电路104。
另外，如果供给扫描线3a的扫描信号延迟不会引起任何问题，则当然也可以只在一边设置扫描线驱动电路104。此外，也可以沿图象显示区域10a的边在两侧配置数据线驱动电路101。
在TFT阵列基板10的剩下的那一边上，设置着用于在图象显示区域10a的两侧所设有的扫描线驱动电路104之间进行连接的多条配线105。此外，在相对基板20的角部的至少一个部位上，设置着用于使TFT阵列基板10与相对基板20之间电气导通的导通材料106。另外，如图11所示，用图10所示的密封材料52将具有与该密封材料52大致相同的轮廓的相对基板20固定于TFT阵列基板10。
在图11中，在TFT阵列基板10上，在形成了象素开关用TFT30、扫描线3a及数据线6a等的配线后的象素电极9a上，形成取向膜。另一方面，在相对基板20上，在最上层部分形成取向膜。此外，液晶层50，例如由一种或将数种向列液晶混合后的液晶构成，并在上述的一对取向膜之间采取规定的取向状态。
另外，在TFT阵列基板10上，除上述的数据线驱动电路11、扫描线驱动电路104等之外，还可以形成按规定的时序对多条数据线6a施加图象信号的采样电路、在图象信号前分别对多条数据线6a供给规定电平的预充电信号的预充电电路、在制造过程中或出厂时用于检查该电光装置的质量、缺陷等的检查电路等。
(电子机器的实施形态)以下，对将以上详细说明过的电光装置用作光阀的电子机器的一例即投射型彩色显示装置的实施形态就其总体结构、特别是光学的结构进行说明。这里，图12是投射型彩色显示装置的示意断面图。
在图12中，作为本实施形态的投射型彩色显示装置的一例的液晶投影机1100，备有3个将驱动电路安装在TFT阵列基板上的电光装置，并构成为将其分别用作RGB用的光阀100R、1000及100B的投影机。在液晶投影机1100中，当从金属卤化物灯等白色光源的灯单元1102发出投射光时，由3个反射镜1106及2个分色镜1108将其分成与RGB三基色对应的光分量R、G及B，并分别导向与各色对应的光阀100R、100G及100B。这时，特别是，B光，为防止因长的光路引起的光损失，通过由入射透镜1122、中继透镜1123及出射透镜1124构成的中继透镜系统1121进行导向。另外，由光阀100R、100G及100B分别调制后的与三基色对应的光分量，由分色棱镜1112再次合成后，作为彩色图象通过投射透镜1114投射到屏幕1120上。
本发明，不限于上述的实施形态，在权利要求的范围及不违反从整个说明书读取的发明的主旨或思想的范围内可以进行适当的变更，伴随着这种变更的电光装置、例如电泳装置或电致发光显示装置、或包含这些电光装置的电子机器，仍包括在本发明的技术范围内。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于在基板上，备有扫描线、数据线、与上述扫描线和上述数据线的交叉点对应设置的薄膜晶体管、与该薄膜晶体管对应设置的象素电极、与上述象素电极连接着的构成存储电容的象素电位侧电容电极、及包含隔着电介质膜与该象素电位侧电容电极相对配置的构成上述存储电容的固定电位侧电容电极的电容线，上述电容线，具有沿上述扫描线延伸的线主体部及沿上述数据线延伸的部分，上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的宽度，形成为与该数据线的宽度相同或更宽。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的边缘，从平面上看去与上述象素电极的边缘重合，上述数据线的边缘，从平面上看去至少一部分与上述象素电极的边缘不重合。
3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述电容线，作为沿上述数据线延伸的部分备有从上述线主体部沿上述数据线伸出的伸出部，该伸出部的宽度，形成为与上述数据线的宽度相同或更宽。
4.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述电容线的上述线主体部的宽度，形成为比对应的扫描线的宽度宽。
5.根据权利要求4所述的电光装置，其特征在于上述电容线的上述线主体部的边缘，从平面上看去与上述象素电极的边缘重合，上述扫描线的边缘，从平面上看去至少一部分与上述象素电极的边缘不重合。
6.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述电容线，配置在构成上述薄膜晶体管的半导体层与上述数据线之间的层叠位置。
7.根据权利要求6所述的电光装置，其特征在于上述象素电极，在上述基板上按矩阵状形成多个，上述电容线，与沿着设在上述薄膜晶体管下侧的上述扫描线及上述数据线按栅格状延伸的下侧遮光膜电气连接。
8.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述电容线，从平面上看去，有一个与将上述象素电极和上述象素电位侧电容电极连接的接触孔的形成位置对应的收缩部。
9.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述电容线，由多层膜构成。
10.根据权利要求9所述的电光装置，其特征在于上述电容线，作为其上层具有由导电性材料构成的膜，同时作为其下层具有由光吸收材料构成的膜。
11.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述数据线，使与上述薄膜晶体管重叠的部分局部地按宽幅形成，上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的宽度，形成为比上述数据线的没有按宽幅形成的部分的宽度宽、且与上述数据线的上述按宽幅形成的部分的宽度相同。
12.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述数据线，使与上述薄膜晶体管重叠的部分局部地按宽幅形成，上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的宽度，形成为比上述数据线的没有按宽幅形成的部分的宽度宽、且比上述数据线的按上述宽幅形成的部分的宽度窄。
13.根据权利要求11或12所述的电光装置，其特征在于上述电容线，配置在上述薄膜晶体管与上述数据线之间的层叠位置，上述数据线，除与上述薄膜晶体管重叠的部分外，其设有用于与上述薄膜晶体管连接的接触孔的部分按宽幅形成。
14.根据权利要求11或12所述的电光装置，其特征在于上述数据线，对每个上述薄膜晶体管，使从与上述薄膜晶体管重叠的部分到设有上述接触孔的部分连续地按宽幅形成。
15.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于还备有隔着电光物质与上述基板相对配置的另一基板及在该另一基板上形成的遮光膜，上述数据线及上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的宽度，比上述遮光膜的宽度窄。
16.一种电子机器，其特征在于包含电光装置，上述电光装置，在基板上，备有扫描线、数据线、与上述扫描线和上述数据线的交叉点对应设置的薄膜晶体管、与该薄膜晶体管对应设置的象素电极、与上述象素电极连接着的构成存储电容的象素电位侧电容电极、及包含隔着电介质膜与该象素电位侧电容电极相对配置的构成上述存储电容的固定电位侧电容电极的电容线，上述电容线，具有沿上述扫描线延伸的线主体部及沿上述数据线延伸的部分，上述电容线的沿上述数据线延伸的部分的宽度，形成为与该数据线的宽度相同或更宽。
全文摘要
电光装置，在TFT阵列基板10上，备有象素电极(9a)、与其连接的TFT(30)、与该TFT连接的扫描线(3a)及数据线(6a)、与上述象素电极连接着的构成存储电容(70)的象素电极侧电容电极、及包含隔着电介质膜与该象素电极侧电容电极相对配置的构成上述存储电容的固定电位侧电容电极的电容线(300)，该电容线的沿上述数据线伸出的部分的宽度W1，形成为与该数据线的宽度W2相同或更宽。按照这种结构，可以在实现电容线的电阻降低或防止TFT中产生光漏电流的同时满足使数值孔径提高等的一般要求。
文档编号H01L27/12GK1438522SQ0310440
公开日2003年8月27日 申请日期2003年2月11日 优先权日2002年2月12日
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