专利名称：具有抗水汽能力的半导体装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种具有抗水汽能力的半导体装置。
背景技术：
IC封装就是IC晶片制造完成后，以塑胶或陶磁等材料，将IC晶粒包在其中，以达保护晶粒的目的。封装主要的制程流程包括晶片切割、粘晶、焊线、封胶、成型、印字、检测。IC封装是属于IC后段制程，封装在IC制造中属于重要的步骤，主要功能在除提供晶片与电子系统间讯号传递的介面外，亦可达到保护IC的目的。
封装工序主要流程包括1.晶片切割(将晶片上每一晶粒加以切割分离)2.黏晶(Die Attach-将切割完成的晶粒放置于导线架上)3.焊线(Wire Bond-将晶粒讯号接点以金属线连接至导线架上)4.封胶(将晶粒与外界隔绝)5.检切成型(将封胶后多余残胶去除，并将导线架上IC加以检切成型)6.印字(将IC打上编号)请参阅图1所示，传统半导体装置包括导电架10、晶粒垫20、晶粒30、封装胶体40；晶粒垫20的形状为垂直形状，由于晶粒垫20为垂直形状，外界水汽W可以直接沿着垂直壁顺利渗透晶粒30上，此种设计其抗水性较差。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种具有抗水汽能力的半导体装置，外界水汽无法直接渗透到晶粒，水汽得绕一圈才能达到晶粒，进而增加晶粒抗水汽的能力。
为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案一种具有抗水汽能力的半导体装置，其包含一晶粒垫，一晶粒，一封装胶体及一导电架，导电架上具有晶粒垫，其特征在于晶粒垫背面作成使外界水汽无法直接渗透到晶粒上，藉以达到有效抗水汽效果的凹槽。
本实用新型的优点通过此种设计，可使晶粒垫免于受到水汽直接影响，进而增加晶粒的寿命。
为了进一步了解本实用新型的特点，请参阅以下附图及本实用新型的实施方式说明。
图1为传统半导体装置的前侧面示意图；图2为本实用新型具有抗水汽能力的半导体装置的侧面示意图；图3为本实用新型具有抗水汽能力的半导体装置的正面示意图；具体实施方式
请参阅图2所示，本实用新型具有抗水汽能力的半导体装置的侧面示意图包括导电架10、晶粒垫20、晶粒30、封装胶体40；晶粒垫20的形状为凹槽G形状，外界水汽W无法直接渗透至晶粒30，外界水汽W可以沿着凹槽G慢慢才能渗透晶粒30，这和传统晶粒垫20垂直设计相比，能更有效率的防止外界水汽W直接渗透到晶粒30上。
请参阅图3所示，本实用新型具有抗水汽能力的半导体装置的正面示意图包括导电架10、晶粒垫20、晶粒30、封装胶体40，导电架10包括晶粒垫20，晶粒垫20背面作成凹槽G形状，晶粒垫20覆盖在晶粒30之上藉以帮助晶粒30散热，封装胶体40主要目的是保护晶粒30。
以上所述仅是藉由较佳实施例详细说明本实用新型，然而对于该实施例所作的任何修改与变化，例如封装胶体及导电架材质、晶粒垫大小及形状等等皆不脱离本实用新型之精神与范围。
权利要求1.一种具有抗水汽能力的半导体装置，其包含一晶粒垫，一晶粒，一封装胶体及一导电架，导电架上具有晶粒垫，其特征在于晶粒垫背面作成使外界水汽无法直接渗透到晶粒上，藉以达到有效抗水汽效果的凹槽。
专利摘要本实用新型公开了一种具有抗水汽能力的半导体装置，其包含一晶粒垫，一晶粒，一封装胶体及一导电架，导电架上具有晶粒垫，其特征在于晶粒垫背面作成使外界水汽无法直接渗透到晶粒上，藉以达到有效抗水汽效果的凹槽。
文档编号H01L23/00GK2650327SQ03276478
公开日2004年10月20日 申请日期2003年8月25日 优先权日2003年8月25日
发明者李耀俊, 唐义为, 庄伟 , 江永欣, 梁志忠 申请人:富微科技股份有限公司