专利名称：半导体封装的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体封装改良。
背景技术：
IC封装就是IC晶圆制造完成后，以塑胶或陶磁等材料，将IC晶粒包在其中，以达保护晶粒的目的。封装主要的制程流程包括晶圆切割、粘晶、焊线、封胶、成型、印字、检测。IC封装是属于IC后段制程，封装在IC制造中属于重要的步骤，主要功能在除提供晶片与电子系统间讯号传递的介面外，亦可达到保护IC的目的。
封装主要的制程流程包括1.晶圆切割(将晶圆上每一晶粒加以切割分离)2.粘晶(Die Attach-将切割完成之晶粒放置于导线架上)3.焊线(Wire Bond-将晶粒讯号接点以金属线连接至导线架上)4.封胶(将晶粒与外界隔绝)5.检切成型(将封胶后多余残胶去除，并将导线架上IC加以检切成型)6.印字(将IC打上编号)请参阅图1A、图1B所示，习式半导体封装包括导电架10、晶粒垫20、晶粒30、封装胶体40；晶粒垫20及晶粒30是封装在封装胶体40内，散热效果受到封装胶体40覆盖，并没有达到很理想散热效能。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种散热效果较好的半导体封装。
为实现上述目的，本实用新型采用以下设计方案一种半导体封装，其包含一晶粒垫，一晶粒，一封装胶体及一导电架，导电架上具有晶粒垫，其特征在于晶粒垫背面外露。
晶粒垫与封装胶体表面合成为一平滑表面。
本实用新型的优点本实用新型半导体封装，其中的晶粒垫背面外露，可以帮助晶粒散热。
为了能让审查员能更易于了解本实用新型之特点，请参阅以下附图及本实用新型的实施方式说明。
图1A为习式半导体封装侧面示意图；图1B为习式半导体封装正面示意图；图2A为本实用新型半导体封装侧面示意图；图2B为本实用新型半导体封装正面示意图具体实施方式
请参阅图2A，图2B，本实用新型半导体封装包括导电架10、晶粒垫20、晶粒30、封装胶体40；晶粒垫20和封装胶体40表面合成为一平滑表面，由于晶粒垫20背面是透露于空气外部，晶粒30可以通过晶粒垫20直接将热能散发出去，没有受到封装胶体40的影响。其中封装胶体40主要目的是保护晶粒30。
以上所述仅是藉由较佳实施例详细说明本实用新型，然而对于该实施例所作的任何修改与变化，例如封装胶体及导电架材质、晶粒垫大小及形状等等皆不脱离本实用新型之精神与范围。
权利要求1.一种半导体封装，其包含一晶粒垫，一晶粒，一封装胶体及一导电架，导电架上具有晶粒垫，其特征在于晶粒垫背面外露。
2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于晶粒垫与封装胶体表面合成为一平滑表面。
专利摘要本实用新型公开了一种半导体封装，其包含一晶粒垫，一晶粒，一封装胶体及一导电架，导电架上具有晶粒垫，其特征在于晶粒垫背面外露，使导电架之晶粒垫背面不为封装胶体所覆盖，而能够使晶粒垫背面外露于空气之中；藉由此种设计，令原来的晶粒垫兼具散热片的功能，进而增加晶粒散热的效能。
文档编号H01L23/28GK2650329SQ03276479
公开日2004年10月20日 申请日期2003年8月25日 优先权日2003年8月25日
发明者李耀俊, 唐义为, 庄伟 , 江永欣, 梁志忠 申请人:富微科技股份有限公司