专利名称：氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法
技术领域：
本发明涉及氮化硅膜及其制造方法，尤其涉及高质量氮化硅膜及其在相当低的温度下的制造方法。本发明还涉及具有优良可靠性的半导体器件。
背景技术：
随着技术的进步，当今世界已经有了各种各样的电子器件产品。这些产品所需要的条件越来越严格，既要提高样式和性能也要重视长期的可靠性。
例如像素和半导体元件的各种元件用于这些电子器件，但是有一些器件暴露在大气成分(例如水或氧气)中而容易损坏。
构成电子器件的元件的损坏减小了该电子器件本身的可靠性。因此，上述容易损坏的元件经常带有保护措施。
作为典型的保护措施，有多种方法用于在元件暴露的大气中填充惰性气体或为其提供干燥剂。
此外，有一种措施是在易损坏的元件上覆盖不易传导这种损坏因素的材料。作为这种材料，例如有氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氮化碳和碳。这些材料制成的膜具有对特定气体的阻挡特性，从而可有效地充当元件的保护膜。
已知氮化硅具有对湿气或氧气的阻挡特性，但是程度根据膜形成条件而有所不同。通常说来，随着特定的腐蚀溶液的腐蚀速率越小，氮化硅越致密且阻挡特性越好。此外，依赖于膜形成条件，阻挡特性的变化还被认为与膜成分的变化有关。
此外，电致发光(EL)元件作为这种元件的例子给出，其中通过象这样物质从外界渗透而加速其损坏。由于电致发光元件使用有机材料或无机材料和有机材料的组合材料作为电致发光层，因此电致发光元件容易因湿气或氧气而损坏。
电致发光元件主要希望用于显示器等。然而，作为由于湿气或氧气导致的电致发光元件的损坏的结果，暗点的产生或收缩的进展加速，元件失去了作为产品的可靠性且难以实际应用。因此，非常需要保护电致发光元件不受湿气或氧气并且加强可靠性。
有一种方法用于制造含有较少氢的氮化硅膜，用于防止由于湿气或氧气等对元件的损坏(参考日本专利特许公开No.H9-205209)。
优选由不易使湿气或氧气渗透的氮化硅膜制成的阻挡膜用于形成这种电致发光元件。虽然有各种方法形成保护膜，但是由于等离子体CVD有良好的生产率和覆盖率，因而优选使用等离子体CVD。
然而，阻挡膜是作为顶层形成的，因此需要在该阻挡膜下形成的元件的耐热温度或更低的温度下形成。例如，当层间绝缘膜用丙烯酸制成时，考虑到诸如脱气的问题可允许的温度是100℃或更低。自然，不优选在高于必要的温度下加热EL元件。
然而，使用传统等离子体CVD形成具有足够阻挡特性的氮化硅膜，衬底需要在300℃～400℃的温度范围下加热，因此，很难对热敏元件使用等离子体CVD。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法，该氮化硅膜能形成在热敏元件上以及EL元件上，并具有优良的阻挡特性。
此外，本发明的另一目的是提供使用该氮化硅膜形成的半导体器件、显示器件以及发光显示器件。
为获得这些目的，根据本发明使用等离子体CVD形成氮化硅膜的方法是在沉积过程中将硅烷(SiH4)、氮气(N2)和稀有气体引入沉积室中，并且反应压强在0.01Torr到0.1Torr的范围之内的方法。
本发明的另一种结构是，上述结构中，SiH4气体对N2气体与稀有气体(SiH4/N2与稀有气体)的流速比大于或等于0.002且小于0.006。
本发明的另一种结构是，在上述结构中反应温度在大于或等于60℃且小于85℃的温度范围中。
本发明的另一种结构是，在上述结构中稀有气体是氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)中的任何一种。
能够实现这些目的的氮化硅膜包括0.3原子％或更大的稀有气体元素；并且特征在于，在室温(20～25℃)下在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢中的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
另一种结构是，能够实现这些目的的氮化硅膜包括0.3原子％或更多的稀有气体元素；小于25原子％的氢；并且特征在于，在室温下在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢中的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
另一种结构是，能够实现这些目的的氮化硅膜包括0.3原子％或更多的稀有气体元素；4.0原子％或更多的氧；并且特征在于，在室温下在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢中的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
另一种结构是，能够实现这些目的的氮化硅膜包括0.3原子％或更多的稀有气体元素；4.0原子％或更多的氧；小于25原子％的氢；并且特征在于，在室温下在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢中的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
另一种优选结构是，在上述结构中能够实现这些目的的氮化硅膜包括腐蚀速率是20.0nm/min或更小的特征。
在上述结构中氮化硅膜的另一优选结构是氢浓度小于20原子％。
在上述结构中氮化硅膜的另一优选结构是氧浓度大于或等于4.0原子％且小于10原子％。
能够获得这些目的的本发明的一种结构是半导体器件包含该氮化硅膜。
能够获得这些目的的本发明的一种结构是显示器件包含该氮化硅膜。
能够获得这些目的的本发明的一种结构是发光显示器件包含该氮化硅膜。
根据本发明，可以在低温下制造具有良好阻挡特性的致密的氮化硅膜。
甚至在热敏元件中，使用本发明的氮化硅膜作为阻挡膜可以有效地防止湿气或氧气的渗透，而没有由于加热导致的损坏。此外，不仅能够提高元件的可靠性，也可以提高结合该元件的半导体器件、显示器件、发光显示器件或电子器件的可靠性。
通过阅读下面结合附图的详细描述，本发明的这些及其它目的、特征及优点将变得更加明显。
在附图中，图1A和1B是本发明的CVD装置的概念性视图；图2示出了腐蚀速率和沉积气体(SiH4/N2+Ar)的流速比之间的关系；图3A至3C示出了制作显示器件的方法的例子；图4A至4C示出了辅助布线的例子；图5是模块结构的示例的顶视图；以及图6A至图6E分别示出了根据本发明的电子器件的例子。
具体实施例方式下面将描述在衬底温度为80℃的条件下使用等离子体CVD制造致密的氮化硅膜的方法。当衬底的温度太低时，等离子体的质量变差，因此无法形成良好的膜。相反，当衬底温度太高时，在膜下形成的元件会损坏。因此，优选衬底温度在60℃～85℃的范围中。优选80℃，这是因为衬底温度设定为80℃时，膜下方的元件损坏较少且能够获得优良的等离子体状态。
图1A是本实施方式中使用的等离子体CVD的概念性图。在本实施方式中使用13.56MHz的RF等离子体CVD，在每个电极的等离子体一侧形成壳层以产生如图1B中所示的自偏置电压。在本实施方式中，衬底被安装在电极A一侧以形成膜。
在本发明中使用硅烷(SiH4)、氮气(N2)和稀有气体作为沉积气体。在本实施方式中使用氩(Ar)作为稀有气体。SiH4∶N2∶Ar的气体流速是2∶300∶500[sccm]。本发明的一个特征是使用稀有气体。如表1中所示，由于其在开始放电中呈现低电压，因此稀有气体中的大多数如Ar和He甚至能够以低能量而产生稳定的等离子体。
从表1中所示的氦(He)可明显看出，稀有气体开始放电的能量通常是低的，因此能够获得稳定的等离子体。除氩(Ar)之外，还可以使用例如氦(He)、氖(Ne)、氪(Kr)和氙(Xe)的稀有气体。这些气体均为惰性气体，因而不会影响形成氮化硅的化学反应。
此外，已知稀有气体产生的等离子体具有正电荷，并通过壳层加速从而与电极碰撞。这称为离子轰击。当明确地使用这种离子轰击时，认为将衬底置于其与等离子体区域之间的电势差很大的电极K一侧是有效的。(图1B)相反，当使用离子轰击效应时，通常不将衬底置于其与等离子区域之间的电势差小的电极A一侧。然而，根据本发明，大胆地将衬底形成在其与等离子区域之间的电势差小的电极A一侧。这是因为通过使用适度的离子轰击来加速沉积，形成具有提高的膜质量的致密膜。
作为参考，在与上面的相同结构中不引入氩气时所形成氮化硅膜的腐蚀速率大约是55nm/min。但是，当引入Ar时腐蚀速率大约是28nm/min。因此，通过稀有气体效应获得了其腐蚀速率变为大约是前述速率一半的致密膜。
表2中示出了其它条件。
虽然氮化硅膜在80℃的低温下在上面的条件中形成，但是在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢(由Morita化学工业有限公司生产的110-缓冲氟化氢)中的腐蚀速率(室温20-25℃)是29.59nm/min，并且在LAL500(由Stella Chemifa公司生产)中的腐蚀速率(室温)是30.19nm/min。由此，获得了质量优良的致密膜。
如此，本发明的方法使得获得具有上述腐蚀速率和优良阻挡特性的氮化硅膜成为可能。
表3示出了在上述条件下形成的本发明的氮化硅膜的组分。作为比较的例子，图4中示出了在不使用Ar的条件下，在正常温度(衬底温度325℃)下形成的氮化硅膜的组分。应该注意的是关于氢的量，虽然SIMS的数据看不出太大差别，但是RBS数据中显示不小于10％的差别。认为其原因在于氢的量接近SIMS测量的探测饱和。
流速SiH4∶NH3∶N2∶H2＝30∶240∶300∶60[SCCM]压强1.20TorrRF功率13.56MHz 150W
此外，室温下在LAL500(Stella Chemifa公司生产)中，比较例的氮化硅膜的腐蚀速率是35.0nm/min。室温下本发明的氮化硅的LAL500中的腐蚀速率是30.19nm/min。作为其结果，虽然本发明的氮化硅膜是在80℃的低温下形成的，但是很明显，本发明的氮化硅膜与比较例的氮化硅膜同样致密和质量优良，或者更加致密且更加质量优良。
在这些组分分析的结果(表3、表4)中值得注意的一点是，本发明的氮化硅膜中稀有气体(Ar)和氧的存在，以及氢的量。稀有气体(Ar)是制造本发明的氮化硅膜的方法的基本气体，在流速比中占较大的比率。因此，稀有气体(Ar)包含在本发明的氮化硅膜中。稀有气体(Ar)等于或小于没有稀有气体(Ar)形成的传统的氮化硅膜中的探测最低限。在这一实验结果中本发明的氮化硅膜中的稀有气体(Ar)浓度是0.3原子％，但是稀有气体(Ar)浓度至少是0.2原子％，优选在0.3原子％～0.7原子％范围内。
然后，氧的量作为特征组分给出。本发明氮化硅膜的氧的量相对较大，也可以认为其是氧化硅膜。然而，由于折射率测量的结果显示出氮化硅膜的折射率，因此可以说本发明的制造方法形成的膜是氮化硅膜。因此，本发明的氮化硅膜可以认为是含大量氧的氮化硅膜。
此外，氮化硅膜的膜应力通常是张应力。然而，氧的浓度约为60原子％的氮氧化硅膜的膜应力就变成了压缩应力，并且随着膜中氧浓度变得更高，可以理解膜应力表现出压缩的趋势。另一方面，本发明的氮化硅膜表现出明显的压缩应力的趋势。这被认为是膜中所含的氧的影响。应力从张应力变成压缩应力，因此本发明的氮化硅膜是具有优良粘附性并且难以剥离的膜。
本发明的氮化硅膜中的氧浓度是2原子％或更多，并且当其为2原子％～10原子％，优选为2原子％～8原子％时，可以获得更好的特性。
最后，至于氢的量，本发明的氮化硅膜中氢的含量比作为比较例的传统地使用高温等离子体CVD形成的氮化硅膜更小。公认的理论是在低温CVD的情况下膜中的氢含量变高。然而，本发明的氮化硅含有更少的氢，甚至是在80℃的低沉积温度下形成的。这样，甚至在形成本发明的氮化硅膜后在工艺中对其进行热处理，使用本发明的氮化硅膜的电子器件也不容易由于脱气而引起缺陷。
注意本发明的氮化硅膜的氢浓度是1原子％～25原子％，为获得更好的特性是5原子％～20原子％，优选是10原子％～16原子％。
上述的几个独特的特征是根据本发明的制造氮化硅膜的方法(温度、气体种类、流速比)制造的氮化硅膜所特有的，这些特征使得甚至在80℃的低温下形成的膜非常致密并且特性优良。
本实施方式示出了沉积中参数的检测结果，这些参数被认为对膜质量有很大影响。注意本发明的氮化硅膜形成中的参数是由这些结果决定的。
表5示出了在相同条件下只改变反应压强形成的氮化硅膜的腐蚀速率的比较结果。腐蚀是在室温下，在含有4.7％HF和36.3％NH4F的缓冲氟化氢(由Morita化学工业有限公司生产的110-缓冲氟化氢)上进行的。
这表明当沉积压强从0.1Torr变到0.2Torr时，腐蚀速率大约比原来高10倍。虽然结果显示可以认为较低沉积压强下将形成优质的膜，但是随着沉积压强越低沉积速度也越低。因此，沉积压强为0.01Torr～0.1Torr是合适的。
图2示出了改变沉积气体流速比所形成的氮化硅膜的腐蚀速率的比较结果。腐蚀速率是通过在室温下，在含有4.7％HF和36.3％NH4F的缓冲氟化氢(由Morita化学工业有限公司生产的110-缓冲氟化氢)上进行腐蚀获得的。
沉积气体(SiH4/(N2+Ar))的流速比显示从0.006到0.008附近中的最小值。至于氮化硅膜的致密程度，由于从阻挡特性的角度看，30.0nm/min或更小(优选，20.0nm/min)的腐蚀速率是能够实际使用的值，因此沉积在流速比为至少0.002的条件下进行。此外，当SiH4的流速比大时膜的光透射率减小。因此，当氮化硅膜作为显示器件中发光侧上的钝化膜形成时，优选SiH4对N2+Ar的流速比在0.002～0.006的范围中。
即使其形成在100℃或更低的温度下，优选在60℃～80℃，在上面提到的沉积条件下形成的氮化硅膜表现出实施方式1中所示的特征，并且致密且阻挡特性优良。
本实施方式示出了使用本发明的氮化硅膜作为电致发光显示器件的钝化膜的例子，参照图3A至图3C。
基底绝缘膜301a和301b形成在衬底100上。衬底100可以是例如结晶玻璃的绝缘衬底、玻璃衬底或石英衬底、陶瓷衬底、不锈钢衬底、金属衬底(钽、钨、钼等)、半导体衬底、塑料衬底(聚酰亚胺、丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚苯醚砜等)，或能抵抗工艺中产生的热的衬底。本实施方式中使用的是玻璃衬底。
以单层或者两个或多个绝缘膜的叠层形成基底绝缘膜301a和301b，例如氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜。使用已知的例如溅射、减压CVD或等离子体CVD的方法形成这些膜。本实施方式使用两层的叠层；然而也可以使用单层或者三层或多层的叠层。在本实施方式中，绝缘层301a作为第一层由厚度为50nm的氧氮化硅膜形成，绝缘层301b作为第二层由厚度为100nm的氮氧化硅膜形成。值得注意的是，氧氮化硅膜和氮氧化硅膜中氮和氧的比例不同。前者比后者含有更多的氮。
接下来，形成非晶半导体膜。该非晶半导体膜可以由25nm～80nm(优选30nm～60nm)厚的硅或硅基材料(例如SixGe1-x等)形成。关于制造方法，可以使用已知的方法例如溅射、低压CVD或等离子体CVD。在本实施方式中，非晶半导体膜由50nm厚的非晶硅形成。
接下来，将非晶硅结晶化。在本实施方式中，对非晶硅掺杂用于加速结晶化的元素，并且加热使其结晶。在通过热处理结晶后，可以进行激光结晶。
使用旋涂器涂覆包含浓度为5～10ppm的镍的乙酸镍溶液或硝酸镍溶液，从而在半导体膜的表面上形成含镍的薄层。可以使用溅射来代替使用旋转器的涂覆，将镍元素分散在半导体膜的整个表面上。作为催化元素，可以使用例如铁(Fe)、钯(Pd)、锡(Sn)、铅(Pb)、钴(Co)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)中的一种或多种元素，也可以使用镍(Ni)。
接下来，通过加热使非晶半导体膜结晶。由于使用催化元素，这一过程可以在500℃～600℃的温度下进行4～24小时完成。通过这种结晶处理，半导体膜变成结晶半导体膜。
在形成结晶半导体膜后，腐蚀结晶半导体膜以形成每个具有所需形状302～305的结晶半导体层。注意结晶处理可以在半导体层腐蚀为具有作为非晶半导体层的所需形状之后进行。
然后，通过激光使半导体膜结晶以提高结晶度。作为激光振荡器，可使用脉冲或连续波气体或固态以及金属激光振荡器进行激光结晶。作为气体激光器，可以使用准分子激光器、Ar激光器、Kr激光器等，而作为固态激光器，可以使用YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、玻璃激光器、红宝石激光器、变石激光器、蓝宝石激光器，可使用氦镉激光器、铜蒸汽激光器、金蒸汽激光器作为金属激光器。在固态激光器的激光介质晶体中掺杂元素Cr3+、Cr4+、Nd3+、Er3+、Ce3+、Co2+、Ti3+、Yb3+或V3+中的一种或多种作为杂质。
从激光振荡器振荡出的激光束可以使用光学系统以线性形状发出。可以使用传统的圆柱形透镜或凹面镜获得线性激光束。激光束可以以范围为0.01MW/cm2-100MW/cm2的功率密度在空气气氛中、其氧浓度受控的气氛中、N2气氛中或真空中辐射。此外，在使用脉冲激光器的情况下，优选频率为30Hz～300Hz，并且激光能量密度为100mJ/cm2～1500mJ/cm2(代表性地为200mJ/cm2～500mJ/cm2)。通过以FWHM计算，激光束可以辐射同时交叠50～98％。
此外，可以执行用于结晶的镍的吸气。例如，吸气的方法作为下面的方法给出。首先用臭氧水处理表面，然后形成1nm～5nm厚的阻挡膜，并通过溅射在阻挡膜上形成吸气位置。通过沉积150nm厚的含有氩元素的非晶硅膜形成吸气位置。吸气位置是在下述沉积条件下形成的沉积压强0.3Pa、气体(Ar)流速50(sccm)、沉积功率3kW、衬底温度150℃。此外，在上述条件下，非晶硅膜中含有的氩元素的原子浓度落在3×1020/cm3-6×1020/cm3的范围中，氧的原子浓度落在1×1019/cm3-3×1019/cm3的范围中。然后，使用灯退火装置在650℃下加热3分钟进行吸气。吸气区域可以通过腐蚀除去。
接下来，形成栅绝缘层306。可以使用低压CVD、等离子体CVD、溅射等形成厚度约115nm的含硅的绝缘层。在本实施方式中形成10nm厚的氧化硅膜。该氧化硅膜可以在40Pa的反应压强、300℃～400℃的衬底温度、0.5W/cm2～0.8W/cm2范围内的高频(13.56MHz)功率密度下，通过等离子体CVD将TEOS(正硅酸乙酯)和O2混合并放电形成。这样通过在400℃～500℃的温度下的后续加热，所制备的氧化硅膜作为栅绝缘膜具有极好的特性。
接下来，在栅绝缘层上形成20nm～100nm厚的第一导电膜，并在第一导电膜上形成100nm～400nm厚的第二导电膜。在本实施方式中，由30nm厚的氮化钽(TaN)膜形成第一导电层，由370nm厚的钨(W)膜形成第二导电层。TaN膜和W膜都可以通过溅射形成。TaN膜可以在氮化物气氛中使用Ta作为靶形成，W膜可以使用W作为靶形成。低电阻优选用于将其作为栅电极，尤其是优选W膜的电阻为20μΩcm或更小。因此，期望使用高纯度(99.9999％)的钨靶，还要注意不要在沉积过程中使杂质进入。这样形成的W膜的电阻可以为9μΩcm～20μΩcm。
注意在本实施方式中第一导电层是TaN膜，第二导电层是W膜，但是第一和第二导电层并不限于此，它们可以由Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、以及Nd中的任何元素，或由主要含有上述元素的合金材料或复合材料形成。此外，可以使用以掺杂有例如磷的杂质元素的多晶硅膜为代表的半导体膜。也可以使用AgPdCu合金。可以适当地选择它们的结合。在本实施方式中，使用两层的叠层；但是也可以叠置一层或三层或多层。
为了通过腐蚀导电层形成电极和布线，通过光刻曝光形成抗蚀剂掩模并进行腐蚀。
在第一和第二腐蚀条件下进行第一腐蚀。通过使用抗蚀剂掩模腐蚀形成栅电极和布线。可以适当选择腐蚀条件。
此处，使用ICP(电感耦合等离子体)腐蚀。对于第一腐蚀条件，CF4、Cl2、O2用作腐蚀气体，气流比率为25/25/10(sccm)，并在1.0Pa压强下，在线圈电极上施加500W(13.56MHz)的RF功率产生等离子体以进行腐蚀。在衬底(样品台)侧施加150W(13.56MHz)的RF功率，以施加基本为负的自偏置电压。在第一腐蚀条件下腐蚀W膜以使第一导电层的边缘具有锥形的形状。在第一腐蚀条件下，W膜的腐蚀速率是200.39nm/min，TaN层的腐蚀速率是80.32nm/min，W与TaN的选择比率大约是2.5。此外，在第一腐蚀条件下W膜的锥形角大约为26°。
接下来，在第二腐蚀条件下进行腐蚀。通过使用气流比率为30/30(sccm)的CF4和Cl2作为腐蚀气体，以由剩余的抗蚀剂制成的掩模进行大约15秒的腐蚀，并在1.0Pa压强下在线圈电极上施加500W(13.56MHz)的RF功率以产生等离子体而进行腐蚀。在衬底(样品台)侧施加20W(13.56MHz)的RF功率以施加基本为负的自偏置电压。在混合CF4和Cl2的第二腐蚀条件下，W膜和TaN膜腐蚀到相同的程度。未被电极覆盖的栅绝缘层在该第一腐蚀中被腐蚀了约20nm～50nm。
由于施加到衬底侧的偏置电压，第一和第二导电层的边缘部分在第一腐蚀中变为锥形。如上所述，由第一和第二导电层制成的具有第一形状的导电层在第一腐蚀中形成。
不除去抗蚀剂制成的掩模进行第二腐蚀。使用气流比率为24/12/24(sccm)的SF6、Cl2和O2作为腐蚀气体进行第二腐蚀，在1.3Pa压强下，在线圈电极上施加700W(13.56MHz)的RF功率以产生等离子体来进行约25秒的腐蚀。将10W(13.56MHz)的RF功率施加到衬底(样品台)侧以施加基本为负的自偏置电压。W膜通过该腐蚀被选择性地腐蚀从而形成具有第二形状307a～310a和307b～310b的导电层。
不除去抗蚀剂掩模进行第一掺杂。这样，以低浓度将N型杂质掺杂到结晶半导体层302～305中。第一掺杂可以通过离子掺杂或离子注入实现。离子掺杂可以以1×1013～5×1014原子/cm2的剂量、40kV～80kV的加速电压来执行。在本实施方式中离子掺杂在50kV的加速电压下进行。N型杂质可以是以磷(P)或砷(As)为代表的周期表15族的元素。本实施方式中使用磷(P)。第一导电层307a～310a被用作掩模以形成第一杂质区(N-区)，该区以自对准的方式掺入低浓度杂质。
接下来，除去抗蚀剂制成的掩模。然后，形成新的抗蚀剂制成的掩模以覆盖用于形成半导体层304的低浓度杂质区的区域、以及用于形成p沟道TFT的半导体层303和305，第二掺杂在比第一掺杂更高的加速电压下进行。第二掺杂中也加入n型杂质。离子掺杂可以使用1×1013～3×1015原子/cm2的剂量、60kV～120kV的加速电压执行。在本实施方式中离子掺杂在3.0×1015的剂量和65kV的加速电压下进行。进行第二掺杂，以便使用第二导电层作为抵挡杂质元素的掩模，将杂质元素掺入第一导电层下的半导体层中。
通过第二掺杂，在晶体半导体层302～305与第一导电层307a～310a重叠的部分中不与第二导电层307b～310b重叠的部分、或不被掩模覆盖的部分上形成第二杂质区311(N-区，Lov区)。N型杂质以范围为1×1018原子/cm3～5×1019原子/cm3的浓度掺入第二杂质区311。此外，用范围为1×1019原子/cm3～5×1021原子/cm3的高浓度N型杂质掺杂既不被第一定形导电层307a～310a覆盖、也不被掩模覆盖的暴露的部分312、313(第三杂质区N+区)。半导体层304有N+区，其一部分314只被掩模覆盖。这部分的N型杂质的浓度相比第一掺杂中的掺入的杂质浓度未改变。
注意在本实施方式中每个杂质区都通过两次掺杂处理形成；然而，本发明并不仅限于此。可以通过适当地确定条件，通过一次或多次掺杂以形成具有所需杂质浓度的杂质区。
接下来，除去抗蚀剂制成的掩模，并在形成n沟道TFT的半导体层302和304上形成新的抗蚀剂制成的掩模以进行第三掺杂。通过在形成p沟道TFT的半导体层中的第三掺杂，形成第四杂质区(P+区)315和316和第五杂质区(P-区)317和318，其中加入了与第一和第二导电层中的杂质元素相反导电性的杂质元素。
在第三掺杂中，第四杂质区(P+区)在不被抗蚀剂掩模覆盖并且不与第一导电层重叠的部分315和316上形成。第五杂质区(P-区)在不被抗蚀剂掩模覆盖、但与第一导电层重叠、并且不与第二导电层重叠的317和318部分上形成。P-杂质元素可以是硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)等，其中每个均是周期表13族的元素。
在本实施方式中，通过使用乙硼烷(B2H6)的离子掺杂将硼用作P型杂质元素以形成第四和第五杂质区。使用1×1016原子/cm2的剂量以及80kV的加速电压进行离子掺杂。
通过第一和第二掺杂，第四杂质区(P+区)315、316以及第五杂质区(P-区)317、318被掺入不同浓度的磷。然而，在所有的第四杂质区(P+区)315、316和第五杂质区(P-区)317、318中，进行第三掺杂以使P型杂质元素的浓度为1×1019～5×1021原子/cm2。因此，第四杂质区(P+区)315和316以及第五杂质区(P-区)317和318毫无问题地作为p沟道TFT的源区和漏区。
在本实施方式中，第四杂质区(P+区)315和316以及第五杂质区(P-区)317和318通过一次的第三掺杂形成，然而，本发明并不限于此。第四杂质区(P+区)315和316以及第五杂质区(P-区)317和318可以根据每次掺杂条件通过多次掺杂处理形成。
接下来，除去抗蚀剂掩模以形成第一钝化层319。作为第一钝化层，使用等离子体CVD或溅射形成100nm～200nm厚的含硅的绝缘膜。在本实施方式中，使用等离子体CVD形成厚度为100nm的氮氧化硅膜。在使用氮氧化硅膜的情况下，可以使用通过等离子体CVD由SiH4、N2O和NH3形成的氮氧化硅膜，或SiH4和N2O形成的硅氮氧化硅膜。在这种情况下，在20Pa～200Pa的反应压强、300℃～400℃的衬底温度、以及0.1W/cm2～1.0W/cm2的高频(60MHz)电子密度下形成膜。此外，可以使用由SiH4、N2O和H2形成的氢化氮氧化硅膜作为第一钝化层319。不需要说的是，在本实施方式中第一钝化层319不限于氮氧化硅膜的单层结构，而是也可以使用其它具有单层或叠层结构的含有硅的绝缘层。
然后，恢复半导体层的结晶度并通过加热(热处理)激活掺在半导体层中的杂质元素。加热可以在1ppm或更小的氧浓度条件下，优选在0.1ppm或更小的氮气气氛下，在400℃～700℃的温度下进行。在本实施方式中，通过在410℃下加热一小时激活半导体层。注意可以使用激光退火或快速热退火(RTA)代替加热。
在形成第一钝化层319之后，通过加热半导体层，其能被氢化并激活。通过氢化的方法使半导体层中的悬挂键通过第一钝化层319中氢而解除。
可以在形成第一钝化层319前进行热处理；但是，在本实施方式中，在构成第一导电层和第二导电层的材料是热敏的情况下，为了保护布线等，优选在形成第一钝化层319之后进行热处理。此外，在形成第一钝化层前进行加热的情况下，由于第一钝化层319还未形成，所以不能使用该钝化层中含有的氢进行氢化。
在这种情况下，可以使用等离子体激发的氢(等离子体氢化)、或在含有3％～100％的氢的气氛下在300℃～450℃下加热1～12个小时来进行氢化。
接下来，在第一钝化层319上形成第一层间绝缘层320。该第一层间绝缘层320可以是无机绝缘层或有机绝缘层。无机绝缘层可以是使用CVD形成的氧化硅膜，使用SOG(玻璃上旋涂)涂敷的氧化硅膜。有机绝缘层可以是聚硅氧烷、聚酰亚胺、聚酰胺、BCB(苯并环丁烯)、丙烯或正型光敏有机树脂、负型光敏有机树脂等的膜。也可以使用丙烯膜和氮氧化硅膜的叠层。
在本实施方式中形成厚度为1.6μm的丙烯膜。通过第一层间绝缘层320，可以缓和并平坦化由TFT导致的凹凸部分。第一层间绝缘层320在平坦化中担任重要角色，因此优选易于平坦化的材料用作其。
然后，可以在第一层间绝缘层320上形成由本发明的氮化硅膜制成的第二钝化膜321。该第二钝化膜可以形成为厚约10nm～200nm，其能够保护第一层间绝缘膜320不受湿气影响。第二钝化膜321可以使用实施方式1中的方法形成。
腐蚀第二钝化膜321、第一层间绝缘膜320以及第一钝化膜319，以形成接触孔而到达第三杂质区312和313以及第四杂质区315和316。
接下来，形成与每个杂质区电连接的布线322～328和电极329。值得注意的是，这些布线是通过图形化50nm厚的Ti膜和500nm厚的合金膜(Al和Ti)的叠层形成的。不需要说的是，该叠层不仅限于两层叠层，也可以是单层或三层或多层的层叠。此外，用于布线的材料不仅限于Al和Ti。例如，可以将这样的叠层图形化以形成布线，该叠层中在TaN膜上形成Al膜或Cu膜，然后再在其上形成Ti膜。
这样就能够获得图3A所示的本发明的半导体器件。
形成图3A中所示的本发明的TFT，然后形成由透明导电膜形成的第一电极400，从而部分地与TFT的布线327重叠。优选使用功函数高的材料形成透明导电膜，例如可使用氧化铟和氧化锡的化合物(ITO)、氧化铟和氧化锌的化合物、氧化锌、氧化锡、氧化铟、氮化钛等。或者，可以使用加入镓的透明导电膜，使用混合有SiO2的靶溅射形成的ITO。第一电极400作为发光元件的阳极。在本实施方式中，使用ITO作为第一电极400。通过溅射形成0.1μm厚的ITO。
接下来，形成绝缘体401以覆盖电极的边缘面。绝缘体401可以由无机或有机材料形成。有利地是，由于膜的破裂等不易发生在沉积发光层时中的开口部分中，因此其通过使用光敏有机材料形成，并能够获得更好的覆盖。
然后，通过基于PVA(聚乙烯醇)的多孔材料擦拭衬底以除去灰尘等。值得注意的是，在本实施方式中，使用基于PVA的多孔材料擦拭除去了腐蚀ITO和绝缘层时产生的细微的粉末(灰尘)。
接下来，在整个表面上使用PEDOT，并且在沉积发光层之前作烘烤的预处理。由于PEDOT与ITO之间的润湿性不好，这时优选在使用PEDOT之后清洗衬底，然后再次使用PEDOT。然后，在常压下加热使湿气蒸发后在减压的气氛中加热衬底。值得注意的是，施加PEDOT后在170℃下减压的气氛中加热衬底4个小时，然后自然冷却30分钟。
然后，使用沉积装置移动蒸发源沉积衬底。例如，在被抽真空成5×10-3Torr(0.665Pa)或更小，优选10-4～10-6Torr的沉积室中进行沉积。在进行沉积时，有机化合物提前通过电阻加热蒸发，并在沉积中闸门打开时分散在衬底的方向中。被蒸发的有机化合物向上分散并通过金属掩模中设置的开口部分沉积在衬底上，以形成发光层402(包括空穴输运层、空穴注入层、电子输运层和电子注入层)。
此处示出了通过沉积形成发光层402的一例，然而，本发明并不限于此。由高分子材料形成的发光层可以通过应用方法(例如旋转涂敷或喷墨)形成。此外，本实施方式描述的例子中，低分子材料形成的层被层叠作为有机化合物层，然而，也可以层叠高分子材料形成的层和低分子材料形成的层。此外，可以形成RGB发光层以获得全彩色显示，或在形成单色发光层的情况下，使用色彩转换层或色彩过滤器获得全彩色显示。此外，也可以使用无机材料。
假设发光元件以这种方式发光当在其间有有机化合物层的一对电极之间施加电压时，从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴通过在有机化合物层的发光中心复合而形成分子激子，当分子激子回到基态时释放能量而发光。已知激子态包括单重态激子和三重态激子，通过其中任一种均能发光。
发光层通常是叠层结构。典型的叠层构成为“空穴输运层、电致发光层和电子输运层”。这种结构具有相当高的发光效率，以至最近研究和开发的发光器件大部分采用这种结构。也可以使用空穴注入层、空穴输运层、电致发光层以及电子输运层叠置在阳极上的结构，或者其中空穴注入层、空穴输运层、电致发光层、电子输运层和电子注入层以这样的顺序叠置的结构。可以在电致发光层中掺入荧光颜料。
值得注意的是，在本说明书中，设在阴极和阳极之间的所有的层共同地称为发光层。因此，上述的空穴注入层、空穴输运层、电致发光层、电子输运层和电子注入层都包含在发光层中。这些层可以由低分子量有机复合材料、中分子量有机复合材料或高分子量有机复合材料中的一种或适当的组合来形成。此外，可以形成电子输运材料和空穴输运材料的混合层，或者可以形成其中在每个结的边界中形成混合区域的混合结。此外，还可以使用无机发光材料代替有机材料。
接下来，在发光层402上形成第二电极403作为阴极。第二电极403可以由含有功函数小的金属(例如Li、Mg或Cs)的薄膜形成。此外，优选第二电极由叠层膜制成，其中透明导电膜(ITO(氧化铟和氧化锡的合金)，氧化铟和氧化锌的合金(In2O3-ZnO)，或氧化锌(ZnO)等)叠置在含有Li、Mg或Cs等的薄膜上。此外，虽然可以适当地确定膜厚度以充当阴极，但是可以通过电子束沉积形成厚度为0.01μm～1μm的第二电极。
在使用电子束沉积的情况下，当加速电压太高时就会产生放射性射线，从而损伤TFT。另一方面，在加速电压太低的情况下，沉积速率降低且生产率降低。考虑到前面的问题，第二电极403形成为不比足够充当阴极的厚度更厚。当阴极薄时，甚至当沉积速率低时，也不会对生产率有太大影响。虽然在这种情况下由于薄的阴极，电阻可能变的更高，但这个问题可以通过使用电阻加热或溅射等在阴极上叠置例如Al的低电阻金属来解决。
在绝缘体401和第二电极403上，形成本发明的氮化硅膜作为第三钝化层404。第二钝化层321和第三钝化层404都是由很难渗透例如湿气或氧气这种损坏发光元件的物质的膜制成的。由于本发明的氮化硅膜是致密的，因此它可以有效地用于那些不易使引起所述发光元件损坏的物质渗透的钝化膜。此外，由于沉积温度为100℃或更低(优选60℃～85℃)，并且氮化硅膜非常优良，所以发光元件较少受热破坏。实施方式1可以被认为是关于形成第三钝化膜的方法。
至于沉积气体的流速比，膜的光透射率不受限制，尤其是在图3B所示的光从衬底侧(底部)射出的例子中。这样，沉积气体(SiH4/(N2+Ar))的流速比可以选择在0.002～0.012的范围中。
这样，可以获得图3B所示的发光元件。虽然未示出，塑料膜提供作为其上的密封材料，并且在发光元件和密封剂之间充有惰性气体。然后，衬底通过FPC(柔性印刷电路)、使用各向异性导电膜连接至外部端，从而完成本发明的发光显示器件(显示模块)。
图3B示出了从衬底侧(底部)发光的一例。光也能从图3C所述的叠层结构的顶部射出。在那种情况下，第二电极可以用透光材料形成。此外，第三钝化膜优选足够透光。在使用本发明的氮化硅膜的情况下，沉积气体(SiH4/(N2+Ar))的流速比可以选择在0.002～0.006的范围内。
由于本发明的氮化硅膜用作发光层的钝化膜，可能在发光元件上形成不易渗透氧气或湿气的致密的氮化硅膜，而不因为热而损坏层间绝缘膜或发光元件。抑制半导体器件或发光元件的退化、并获得可靠性大大加强的本发明的半导体器件和发光元件也是可能的。
在本实施方式中，参照附图4A～4B描述了其中本发明的氮化硅膜形成为通过微滴排出(droplet discharging)的方法(例如喷墨)形成的辅助布线的钝化膜的例子。图4A是图3A～3C中制造的发光显示器件的顶视方案视图。
使用如图4B所示的微滴排出装置的喷嘴，通过微滴排出的方法(例如喷墨)绘出辅助布线。图4B示出了图4A所示的像素部分中的一个像素的剖面图。在作为发光元件的阴极的透明电极73上形成辅助布线，以减小整个电极的电阻。此外，辅助布线也充当遮光膜，从而提高对比度。
当使用微滴排出方法形成辅助布线时，分散有金属纳米微粒的溶液排出。然而，在使用例如银，尤其是易迁移的金属的情况下，恐怕外围容易被布线材料污染。此时，通过覆盖具有良好阻挡特性的致密膜，例如本发明的氮化硅膜，如图4C所示，来防止金属的迁移，从而防止污染。辅助布线在电致发光元件的上部中形成，但是由于在100℃或更低(优选60℃～85℃)的温度下形成本发明的氮化硅膜是可能的，所以可以形成钝化膜而不会由于沉积中的热而破坏电致发光元件，从而使制造具有更好可靠性的发光显示器件成为可能。
在本实施方式中，参照图5描述了对应于本发明的一种模式的发光器件的平板的外观。图5是该平板的顶视图，其中在衬底上形成的晶体管和发光元件被衬底和相对衬底4006之间的密封材料密封。
密封材料4005提供为环绕在衬底4001上形成的像素部分4002、信号处理电路4003以及扫描线驱动器电路4004。此外，相对衬底4006设置在像素部分4002、信号处理电路4003、信号线驱动器电路4020和扫描线驱动器电路4004上。这样，像素部分4002、信号处理电路4003、信号线驱动器电路4020和扫描线驱动器电路4004被衬底4001、密封材料4005和相对衬底4006以填料密封。
每个均形成在衬底4001上的像素部分4002、信号处理电路4003，信号线驱动器电路4020和扫描线驱动器电路4004每个包括多个薄膜晶体管。
引导布线对应于用于提供信号或电源电压至像素部分4002、信号处理电路4003，信号线驱动器电路4020和扫描线驱动器电路4004的布线。该引导布线连接至连接端4016，该连接端通过各向异性导电膜与柔性印刷电路(FPC)4018的端电连接。
作为填料，除了例如氮或氩的惰性气体外，也可以使用紫外线可固化树脂或热固化树脂。可以使用聚氯乙稀、丙烯、聚酰亚胺、环氧树脂、硅树脂、聚乙烯醇缩丁醛、或乙烯基-次亚乙烯基乙酸酯。
本发明的显示器件包括其中形成具有发光元件的像素部分的平板，以及其中在该平板上安装IC的模块。
实施方式5中示出其一个示例的安装模块的本发明的电子器件包括摄影机、数字照相机、目镜式显示器(头戴式显示器)、导航系统、音频播放器(例如汽车音频组合)、计算机、游戏机、便携式信息终端(例如移动计算机、蜂窝电话、便携式游戏机或电子书)、带有记录媒质的图象再现设备(通常是指配有能够再现诸如DVD(数字化多功能光盘)的记录介质并显示图象的显示器的设备)等。在图6A～6E中示出了其实例。
图6A示出了发光显示器件。电视图象接收器或计算机的显示器作为发光显示器件的例子给出。该发光显示器件包括外壳2001、显示部分2003、扬声器部分2004等。通过本发明的发光显示器件，显示部分2003或其它安装的半导体器件的可靠性得到加强。偏振片或圆偏振片可以提供用于像素以提高对比度。膜可以以四分之一波片、半波片、偏振片的顺序设置。此外可以在偏振片上设置抗反射膜。
图6B示出了蜂窝电话，包括主体2101，外壳2102、显示部分2103、声音输入部分2104，声音输出部分2105、操作键2106、天线2108等。在本发明的蜂窝电话中，显示部分2103或其它安装的半导体器件的可靠性得到加强。
图6C示出了计算机，包括主体2201、外壳2202、显示部分2203、键盘2204、外部连接端口2205、指向鼠标2206等。在本发明的计算机中，显示部分2203或其它安装的半导体器件的可靠性得到加强。图6C示出膝上型计算机作为例子，但是本发明可以应用于其中硬盘和显示部分合成一体的台式计算机等。
图6D示出了移动计算机，包括主体2301、显示部分2302、开关2303、操作键2304、红外端口2305等。在本发明的移动计算机中，显示部分2302或其它安装的半导体器件的可靠性得到加强。
图6E示出了便携式游戏机，其包括外壳2401、显示部分2402、扬声器部分2403、操作键2404、插入记录媒质的端口2405等。本发明的便携式游戏机中，显示部分2402或其它安装的半导体器件的可靠性得到加强。
如上所述，本发明具有非常广泛的应用，并可用于各领域的电子器件。
本申请基于2003年6月30日在日本专利局提交的申请序列号为no.2003-189045的日本专利申请，其内容在此处引用作为参考。
虽然已经参照附图通过实施方式对本发明做了详细描述，可以理解，对于本领域的技术人员各种变化和修改是显而易见的。因此，除非这些变化和修改脱离下面所定义的本发明的范围，否则其应被视作包含在本发明中。
权利要求
1.一种氮化硅膜，包括0.3原子％或更多的稀有气体元素，其中在室温下，在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢上该氮化硅膜的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
2.一种氮化硅膜，包括0.3原子％或更多的稀有气体元素；以及小于25原子％的氢，其中在室温下，在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢上该氮化硅膜的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
3.一种氮化硅膜，包括0.3原子％或更多的稀有气体元素；4.0原子％或更多的氧；以及其中在室温下，在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢上该氮化硅膜的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
4.一种氮化硅膜，包括0.3原子％或更多的稀有气体元素；4.0原子％或更多的氧；小于25原子％的氢；以及其中在室温下，在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢上该氮化硅膜的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
5.根据权利要求1至4的任一项的氮化硅膜，其中稀有气体是氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)中的任一种。
6.根据权利要求1至4的任一项的氮化硅膜，其中氮化硅的腐蚀速率是20.0nm/min或更小。
7.根据权利要求2至4的任一项的氮化硅膜，其中氢浓度小于20原子％。
8.根据权利要求3和4的任一项的氮化硅膜，其中氧浓度大于或等于4.0原子％且小于10原子％。
9.包括根据权利要求1至4的任一项的氮化硅膜的半导体器件。
10.包括根据权利要求1至4的任一项的氮化硅膜的显示器件。
11.包括根据权利要求1至4的任一项的氮化硅膜的发光显示器件。
12.一种发光显示器件，包括在衬底上形成的薄膜晶体管；在TFT上形成的并与该薄膜晶体管连接的发光元件；以及在发光元件上形成的含有氮化硅的钝化膜，其中该钝化膜含有浓度为0.3原子％或更多的稀有气体元素，其中在室温下，在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢上该钝化膜的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
13.一种发光显示器件，包括在衬底上形成的薄膜晶体管；在TFT上形成的并与该薄膜晶体管连接的发光元件；以及在发光元件上形成的含有氮化硅的钝化膜，其中该钝化膜含有浓度为0.3原子％或更多的稀有气体元素；并且其中该钝化膜含有浓度小于25原子％的氢，其中在室温下，在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢上该钝化膜的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
14.一种发光显示器件，包括在衬底上形成的薄膜晶体管；在TFT上形成的并与该薄膜晶体管连接的发光元件；以及在发光元件上形成的含有氮化硅的钝化膜，其中该钝化膜含有浓度为0.3原子％或更多的稀有气体元素；其中该钝化膜含有浓度为4.0原子％或更多的氧；以及其中在室温下，在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢上该钝化膜的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
15.一种发光显示器件，包括在衬底上形成的薄膜晶体管；在TFT上形成的并与薄膜晶体管连接的发光元件；以及在发光元件上形成的含有氮化硅的钝化膜，其中该钝化膜含有浓度为0.3原子％或更多的稀有气体元素；其中该钝化膜含有浓度为4.0原子％或更多的氧；其中该钝化膜含有浓度小于2 5原子％的氢；以及其中在室温下，在含有4.7％的HF和36.3％的NH4F的缓冲氟化氢上该钝化膜的腐蚀速率是30.0nm/min或更小。
16.根据权利要求12至15的任一项的发光显示器件，其中稀有气体是氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)中的任一种。
17.根据权利要求12至15的任一项的发光显示器件，其中钝化膜的腐蚀速率是20.0nm/min或更小。
18.具有根据权利要求12至15的任一项的发光显示器件的电子器件。
19.具有根据权利要求12至15的任一项的发光显示器件的蜂窝电话。
20.具有根据权利要求12至15的任一项的发光显示器件的数字照相机。
21.具有根据权利要求12至15的任一项的发光显示器件的移动计算机。
22.一种通过等离子体CVD制造氮化硅膜的方法，包括步骤向沉积室中提供硅烷、氮气和稀有气体的气体；以及其中反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内。
23.一种通过等离子体CVD制造氮化硅膜的方法，包括步骤向沉积室中提供硅烷、氮气和稀有气体的气体；以及其中反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内；以及其中反应温度从大于或等于60℃到小于85℃。
24.一种通过等离子体CVD制造氮化硅膜的方法，包括步骤在沉积中向沉积室中提供硅烷、氮气和稀有气体的气体；以及其中硅烷气体对氮气和稀有气体(硅烷/氮气和稀有气体)的流速比从大于或等于0.002到小于0.006；以及反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内。
25.一种通过等离子体CVD制造氮化硅膜的方法，包括步骤在沉积过程中向沉积室中提供硅烷、氮气和稀有气体的气体；以及其中硅烷气体对氮气和稀有气体(硅烷/氮气和稀有气体)的流速比从大于或等于0.002到小于0.006；反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内；以及反应温度从大于或等于60℃到小于85℃。
26.根据权利要求22至25的任一项的制造氮化硅膜的方法，其中稀有气体是氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)中的任一种。
全文摘要
本发明提供通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法，该氮化硅膜可以形成在热敏元件上以及电致发光元件上，并具有优良的阻挡特性。此外，本发明也提供了使用该氮化硅膜形成的半导体器件、显示器件和发光显示器件。在通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法中，在沉积过程中将硅烷(SiH
文档编号H01L51/52GK1577767SQ200410061738
公开日2005年2月9日 申请日期2004年6月30日 优先权日2003年6月30日
发明者前川慎志, 挂端哲弥, 竹原裕一 申请人:株式会社半导体能源研究所