专利名称：传输承载晶片的高纯碳化硅平板形部件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种传输承载晶片的高纯碳化硅平板形部件，属于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件。
背景技术：
目前，用于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件的尺寸基本上均为六英寸以下，同时承载部件的壁比较厚。此种部件多以石英玻璃、单晶硅、多晶硅材料为主。其中石英玻璃软化点低(1100℃)，易发生高温蠕变造成晶片变形粘结。在1200℃以上的扩散过程中，尤其是晶圆尺寸的变大，石英因高温负重过大而产生变形，在晶圆自动化输送过程中无法对位，石英玻璃材料已远远不能满足晶片制造工艺的需要。另外该特性限制了传输承载部件的形状和尺寸，无法做到六英寸以上，且壁厚而笨拙。尺寸小影响传输承载能力，部件壁厚使得热导率低，不利于温度、气流的均匀性。这些缺陷均影响晶片器件的质量和生产成本的降低。
而如果采用单晶硅、多晶硅做出大尺寸的晶舟，则由于高温强度低，易发生脆性断裂，不耐化学腐蚀，加工难度大。
尽管如此，由于大直径晶片每片可分割成几百个芯片，为提高生产效率和节约成本，传输承载晶片的部件向大直径发展是近年的趋势。由于近年来，晶片尺寸从4吋(105mm)发展至12吋(达到300mm以上)，线宽从2微米发展到90纳米，对于制造过程中的气氛均匀性和纯净度的要求更趋严格。对每一种直径的晶片都需要想对应的尺寸的传输承载部件。所以用碳化硅大口径薄壁异型部件替代传统部件已成半导体器件发展的必然趋势。
发明内容
要解决的技术问题为了避免现有技术的不足之处，本实用新型提供了一种传输承载晶片的高纯碳化硅平板形部件，采用碳化硅材料制成、平板形主体，因碳化硅无高温蠕变，提高传输承载能力。结构设计可简化，部件自重可降低。热导率高，利于温度、气流的均匀性。稳定晶片工艺参数。提高工艺温度，缩短工艺时间，提高了使用寿命，降低器件的生产成本。
技术方案本实用新型的技术特征在于在平板形主体1的上面呈弧形下凹，形成弧形凹面2；在弧形凹面2内刻有若干个弧形槽4，晶片放置在弧形槽4上。
在平板形主体1的中部可掏空，形成掏空槽4。
在平板形主体1的两端可以设计孔5，用于传输承载过程中方便勾取部件。
弧形下凹形成的弧形凹面2的弧度小于π。
有益效果本实用新型的有益效果是增加了部件单位长度内晶片的承载量，晶片可以紧密地排列在部件内，而在高温无变形粘结现象。晶片与晶舟内弧配合紧密利于传输中稳定。晶片取放容易。晶舟传输方便。材料耐化学腐蚀，使用寿命与石英玻璃、单晶硅、多晶硅提高了50-100倍。降低了半导体器件制造成本。
图1结构示意图图2A-A剖视示意图1-平板形主体2-弧形凹面3-弧形槽4-掏空槽5-孔具体实施方式
现结合附图对本实用新型作进一步描述用于半导体功率器件制造工艺中3英寸晶片扩散部件(高纯碳化硅平板形晶舟)的设计如下平板长度＝335mm 平板宽度＝56mm 平板高度＝12mm下凹弧的直径＝70mm 弧形槽的直径＝76mm 槽宽＝0.5mm槽间隔＝1mm 下凹弧形面长度＝300mm 下凹弧形面内刻槽数量＝200个端部孔直径＝12mm 端部与孔中心距＝12mm中部掏两个空槽，每个尺寸长度＝130mm 宽度＝13mm。
权利要求1.一种传输承载晶片的高纯碳化硅平板形部件，其特征在于在平板形主体(1)的上面呈弧形下凹，形成弧形凹面(2)；在弧形凹面(2)内刻有若干个弧形槽(4)。
2.根据权利要求1所述的传输承载晶片的高纯碳化硅平板形部件，其特征在于在平板形主体(1)的中部可掏空，形成掏空槽(4)。
3.根据权利要求1或2所述的传输承载晶片的高纯碳化硅平板形部件，其特征在于在平板形主体(1)的两端可以设计孔(5)。
4.根据权利要求1所述的传输承载晶片的高纯碳化硅平板形部件，其特征在于弧形下凹形成的弧形凹面(2)的弧度小于π。
专利摘要本实用新型涉及一种传输承载晶片的高纯碳化硅平板形部件，属于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件。技术特征在于在平板形主体的上面呈弧形下凹，形成弧形凹面，在弧形凹面内刻有若干个弧形槽。在平板形主体的中部可掏空，形成掏空槽。在平板形主体的两端可以设计孔，用于传输承载过程中方便勾取部件。本实用新型的有益效果是增加了部件单位长度内晶片的承载量，晶片可以紧密地排列在部件内，而在高温无变形粘结现象。晶片与晶舟内弧配合紧密利于传输中稳定。晶片取放容易。晶舟传输方便。材料耐化学腐蚀，使用寿命与石英玻璃、单晶硅、多晶硅提高了50－100倍。降低了半导体器件制造成本。
文档编号H01L21/68GK2743968SQ20042004217
公开日2005年11月30日 申请日期2004年7月12日 优先权日2004年7月12日
发明者陈刚, 刘定冕, 刘磊磊 申请人:西安希朗材料科技有限公司