专利名称：电子元件、显示元件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及电子元件、显示元件及其制造方法，特别是，涉及液晶显示装置的缺陷像素的缺陷修正方法。
背景技术：
有源矩阵驱动型的液晶显示装置在每个作为图像的最小单位的像素中具有薄膜晶体管(以下简称为TFT)，因为可以可靠地点亮各个像素，故精细的动画显示是可能的，从而作为种种显示器被利用。
近年来，在液晶显示装置中，为了提高像素的开口率，在配线中用低电阻的材料并使其线宽变细，提高TFT的特性并将TFT微细化的倾向日益增强。
随着该配线和TFT的微细化，液晶显示装置的制造过程中的因附着于基板表面的颗粒(微粒子的污染物)、灰尘等而发生各配线的断线、短路和TFT的特性劣化等，在像素上产生缺陷的可能性提高。
因此，修正该像素缺陷的技术以往已被提出，在液晶显示装置中实用化了。
例如，在专利文献1中，公开了一个像素中设有多个TFT的液晶显示装置。
图33是构成专利文献1中所公开的液晶显示装置的有源矩阵基板60的俯视示意图，图34是图33中的XXXIV-XXXIV截面处的剖视示意图，图35是图33中的XXXV-XXXV截面处的剖视示意图。
该液晶显示装置由将多个像素电极8配置成矩阵状的有有源矩阵基板60、设置有共用电极的对置基板，以及夹持于这两个基板间的液晶层构成。
在有源矩阵基板60中，在玻璃基板10上相互正交地配置多个栅极线1与多个源极线2，而且，在各栅极线1之间与栅极线1平行地设有电容线3。此外，在一对栅极线1和源极线2所包围的区域中设有像素电极8。进而，在各栅极线1上设置第一TFT 5a和第二TFT 5b。
第一TFT 5a包括由栅极线1的一部分所构成的栅极、覆盖栅极地设置的栅极绝缘膜12、对应于栅极地设在栅极绝缘膜12上的半导体膜4、设在半导体膜4上作为源极线2的突出部的源极、以及在同一半导体膜4上对置于源极地设置并连接于像素电极8的漏极19a。而且，在漏极19a上，配置着收缩而容易切断的形状的切断部X。
第二TFT 5b除了其漏极19b与像素电极8之间的构成以外，与第一TFT 5a实质上是相同的。
在该漏极19b与像素电极8之间，通过在栅极绝缘膜12上所形成的接触孔19c设置连接于第二TFT漏极19b的漏极引出电极19d，漏极引出电极19d与像素电极8的重叠部分成为连接部Y。
在该液晶显示装置中，在显示图像之际，从规定的栅极线1送出栅极信号，使连接于该栅极信号的第一TFT 5a成为导通状态，同时，从源极线2送出源极信号，通过源极和漏极19a，把规定的电荷写入像素电极8，由此在像素电极8与共用电极之间产生电位差，规定的电压施加于由液晶层组成的液晶电容和辅助电容。而且，靠该施加电压改变构成液晶层的液晶分子的取向状态，由此调整从外部入射的光的透过率而显示图像。
而且，第一TFT 5a的特性劣化导致某些像素为缺陷像素，在修正该缺陷像素之际，通过把激光照射于对应的第一TFT 5a的切断部X而切断漏极19a，并且通过把激光照射于连接部Y而在栅极绝缘膜12上形成接触孔，并经由漏极引出电极19b使像素电极8与第二TFT 5b的漏极19d短路。
由此，缺陷像素的像素电极8不再由特性劣化的第一TFT 5a来驱动，成为由第二TFT 5b来驱动。
专利文献1特开平7-104311号公报但是，为了得到适当的TFT特性，该栅极绝缘膜12的膜厚通常薄到100～300nm，故随着上述这种液晶显示装置中的配线和TFT的微细化，存在着在像素电极8与漏极引出电极19d之间，也就是，在夹着形成接触孔的栅极绝缘膜12的上下的导电层间发生短路的危险。换句话说，通过在一个像素中设置备用的第二TFT 5b，反而存在着提高液晶显示装置的不良率，降低成品率的危险。
发明内容
本发明是鉴于这一点而作成的，其目的在于提供一种即使在一个像素中设置备用的TFT，也可以抑制成品率的降低的电子元件、显示元件及其制造方法(修正方法)。
本发明的电子元件，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述信号供给部构成为相对上述第二开关元件的半导体膜隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔从而与该半导体膜的源极电连接，上述信号接收部构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔来与该半导体膜的漏极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述层间绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述信号供给部和上述信号接收部间的电连接的切换。
本发明的电子元件，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述信号供给部构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔来与该半导体膜的源极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述层间绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述信号供给部和上述信号接收部间的电连接的切换。
本发明的电子元件，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述信号接收部构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述层间绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述信号供给部和上述信号接收部间的电连接的切换。
如果用上述的构成，则由于在比栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜上形成用第二开关元件使信号供给部和信号接收部间的电连接的切换成为可能的接触孔，所以可以保持源极与信号供给部之间和漏极与信号接收部之间的电气上的绝缘。
而且，在第一开关元件不能使用时，像以下这样，用备用的第二开关元件信号供给部和信号接收部间的电连接的切换成为可能。
首先，在构成为通过分别在信号供给部与半导体膜的源极之间的层间绝缘膜、和信号接收部与半导体膜的漏极之间的层间绝缘膜上形成接触孔而能够电连接的情况下，通过分别形成双方的接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
此外，在构成为通过信号接收部与半导体膜的漏极之间预先电连接，在信号供给部与半导体膜的源极之间的层间绝缘膜上形成接触孔而能够电连接的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
进而，在构成为通过信号供给部与半导体膜的源极之间预先电连接，在信号接收部与半导体膜的漏极之间的层间绝缘膜上形成接触孔而能够电连接的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
像以上这样，在第一开关元件不能使用时，用第二开关元件信号供给部和信号接收部间的电连接的切换是可能的。此外，因为保持源极与信号供给部之间和漏极与信号接收部之间的电气上的绝缘，故在制造过程中，降低了源极与信号供给部之间和漏极与信号接收部之间的短路的发生，所以即使设置备用的第二开关元件，也可以抑制成品率的降低。
本发明的电子元件，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述信号供给部构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，上述信号接收部构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述栅极绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述信号供给部和上述信号接收部间的电连接的切换。
本发明的电子元件，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述信号供给部构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述栅极绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述信号供给部和上述信号接收部间的电连接的切换。
本发明的电子元件，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述信号接收部构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述栅极绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述信号供给部和上述信号接收部间的电连接的切换。
如果用上述的构成，则用第二开关元件使信号供给部和信号接收部间的电连接的切换成为可能的接触孔不是在层间绝缘膜上而是在栅极绝缘膜上形成。因此，在第一开关元件不能使用时，通过激光照射形成接触孔，进行使用第二开关元件的切换的情况下，为了形成该接触孔所需的激光的能量很少就够了，激光所照射的部位附近的其他构件的损伤的情况也减少。
具体地说在第一开关元件不能使用时，像以下这样，用备用的第二开关元件使信号供给部和信号接收部间的电连接的切换成为可能。
首先，在通过分别在信号供给部与半导体膜的源极之间的栅极绝缘膜，和信号接收部与半导体膜的漏极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过分别形成双方的接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
此外，在通过信号接收部与半导体膜的漏极之间预先电连接，在信号供给部与半导体膜的源极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
进而，在通过信号供给部与半导体膜的源极之间预先电连接，在信号接收部与半导体膜的漏极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
像以上这样，在第一开关元件不能使用时，通过在栅极绝缘膜上形成接触孔，使用第二开关元件信号供给部和信号接收部间的电连接的切换成为可能。由此，可容易地形成接触孔，缺陷的修正变得可靠。
上述第一开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述第一开关元件和上述第二开关元件的各漏极通过同一个接触孔与上述信号接收部电连接也可以。
如果用上述的构成，则由于信号接收部与第一开关元件和第二开关元件的各漏极通过同一个接触孔电连接，所以构成第一开关元件和第二开关元件的一部分构件，也就是电连接信号接收部与漏极的接触孔被共用。因此，在像素内，接触孔所占有的面积缩小，像素的开口率提高。此外在该同一个接触孔形成在反射电极之下的情况下，反射电极的面积减小，透射开口率提高。
上述第一开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述第一开关元件和上述第二开关元件的各源极通过同一个接触孔与上述信号供给部电连接也可以。
如果用上述的构成，则由于信号供给部与第一开关元件和第二开关元件的各漏极通过同一个接触孔电连接，所以构成第一开关元件和第二开关元件的一部分构件，也就是连接信号供给部与源极的接触孔被共用。因此，在像素内，接触孔所占有的面积缩小，像素的开口率提高。此外在该同一个接触孔形成于反射电极之下的情况下，反射电极的面积减小，透射开口率提高。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，
在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述层间绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述层间绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述层间绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
如果用上述的构成，则由于在比栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜上形成用第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能的接触孔，所以可以保持源极与源极线之间和漏极与像素电极之间的电气上的绝缘。
而且，在第一开关元件不能使用时，像以下这样，用备用的第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能。
首先，在构成为能够通过分别在源极线与半导体膜的源极之间的层间绝缘膜、和像素电极与半导体膜的漏极之间的层间绝缘膜上形成接触孔来电连接的情况下，通过分别形成双方的接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
此外，在构成为能够通过像素电极与半导体膜的漏极之间预先电连接，在源极线与半导体膜的源极之间的层间绝缘膜上形成接触孔来电连接的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
进而，在构成为能够通过源极线与半导体膜的源极之间预先电连接，在像素电极与半导体膜的漏极之间的层间绝缘膜上形成接触孔来电连接的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
像以上这样，在第一开关元件不能使用时，可使用第二开关元件进行源极线和像素电极间的电连接的切换。此外，因为可保持源极与源极线之间和漏极与像素电极之间的电气上的绝缘，故在制造过程中，降低了源极与源极线之间和漏极与像素电极之间的短路的发生，所以即使设置备用的第二开关元件，也可以抑制成品率的降低。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述栅极绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述栅极绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述栅极绝缘膜上形成接触孔，由上述第二开关元件可进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
如果用上述的构成，则用第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能的接触孔不是在层间绝缘膜上而是在栅极绝缘膜上形成。因此，在第一开关元件不能使用时，通过激光照射形成接触孔，进行使用第二开关元件的切换的情况下，为了形成该接触孔所需的激光的能量很少就够了，激光所照射的部位附近的其他构件的损伤的情况也减少。
具体地说在第一开关元件不能使用时，像以下这样，用备用的第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能。
首先，在通过分别在源极线与半导体膜的源极之间的栅极绝缘膜，和像素电极与半导体膜的漏极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过分别形成双方的接触孔，用第二开关元件的切换成为可能。
此外，在构成为能够通过像素电极与半导体膜的漏极之间预先电连接，在源极线与半导体膜的源极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔来电连接的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
进而，在构成为能够通过源极线与半导体膜的源极之间预先电连接，在像素电极与半导体膜的漏极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔来电连接的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
像以上这样，在第一开关元件不能使用时，通过在栅极绝缘膜上形成接触孔，用第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能。由此，可容易地形成接触孔，缺陷的修正变得可靠。
上述第二开关元件的上述半导体膜的源极预先电连接于上述源极线也可以。
如果用上述的构成，则第二开关元件的半导体膜的源极预先电连接于源极线，在第一开关元件不能使用时，构成为通过在层间绝缘膜上形成接触孔而成为能够电连接于该半导体膜的漏极。因此，对加在源极线上的负荷，支配的开关元件导通状态时的寄生电容可以降低。
具体地说，由于半导体膜的源极预先电连接于源极线，所以第二开关元件导通状态时的寄生电容，仅考虑源极和漏极间、与源极和像素电极间就可以了。另一方面，在半导体膜的漏极预先电连接于像素电极的情况下，除了源极和漏极间，与源极和像素电极间外，有必要考虑源极和源极线间。
由此，第二开关元件导通状态时的寄生电容降低，加在源极线上的负荷减小，可以把驱动器的能力设计得低些，可以降低液晶显示装置的消耗电力。
也可以还设置有电连接于上述第二开关元件的栅极的栅极线，上述第一和第二开关元件配置于夹着上述栅极线的两侧。
如果用上述的构成，则由于第一和第二开关元件配置于夹着栅极线的两侧，所以两个开关元件位于彼此离开的位置。因此，形成第二开关元件引起的对第一开关元件的形成的影响减小。由此，即使设置备用的第二开关元件，也可以抑制成品率的降低。进而，因为双方的开关元件同时成为图形异常等特性劣化的可能性也降低，所以成为能够修正的概率提高。
也可以还设置有设置成覆盖上述第一和第二开关元件地设置的反射电极。
如果用上述的构成，则由于反射电极设置成覆盖第一和第二开关元件，所以第一和第二开关元件的区域成为反射区域。因此，作为具有反射区域的反射型或半透过型的显示元件，可以抑制开口率的降低。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，上述第一开关元件不能使用，通过在上述层间绝缘膜上形成接触孔，使得由上述第二开关元件能够进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，上述第一开关元件不能使用，通过在上述层间绝缘膜上形成接触孔，使得由上述第二开关元件能够进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，上述第一开关元件不能使用，通过在上述层间绝缘膜上形成接触孔，使得由上述第二开关元件能够进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
如果用上述的构成，则由于在层间绝缘膜上形成接触孔，基于第二开关元件源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能，所以成为源极线和像素电极间的电连接的切换不靠不能使用的第一开关元件，而靠备用的第二开关元件来进行，正常的显示是可能的。
具体地说在第一开关元件不能使用时，像以下这样，用备用的第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能。
首先，在通过分别在源极线与半导体膜的源极之间的层间绝缘膜，和像素电极与半导体膜的漏极之间的层间绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过分别形成双方的接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
此外，在通过像素电极与半导体膜的漏极之间预先电连接，在源极线与半导体膜的源极之间的层间绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
进而，在通过源极线与半导体膜的源极之间预先电连接，在像素电极与半导体膜的漏极之间的层间绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述栅极绝缘膜上形成接触孔，使得由上述第二开关元件能够进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述栅极绝缘膜上形成接触孔，使得由上述第二开关元件能够进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
本发明的显示元件，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在上述第一开关元件不能使用时，通过在上述栅极绝缘膜上形成接触孔，使得由上述第二开关元件能够进行上述源极线和上述像素电极间的电连接的切换。
如果用上述的构成，则由于在栅极绝缘膜上形成接触孔，第二开关元件引起的源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能，所以成为在源极线和像素电极间的电连接的切换不靠不能使用的第一开关元件，而靠备用的第二开关元件来进行，正常的显示是可能的。
具体地说在第一开关元件不能使用时，像以下这样，用备用的第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能。
首先，在通过分别在源极线与半导体膜的源极之间的栅极绝缘膜、和像素电极与半导体膜的漏极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过分别形成双方的接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
此外，在通过像素电极与半导体膜的漏极之间预先电连接，在源极线与半导体膜的源极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
进而，在通过源极线与半导体膜的源极之间预先电连接，在像素电极与半导体膜的漏极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过形成该接触孔，用第二开关元件的切换成为可能。
上述第一开关元件，具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述第一开关元件和上述第二开关元件的各漏极，通过同一个接触孔与上述像素电极电连接也可以。
如果用上述的构成，则由于像素电极与第一开关元件和第二开关元件的各漏极靠同一个接触孔电连接，所以构成第一开关元件和第二开关元件的一部分构件，也就是电连接像素电极与漏极的接触孔被共用。因此，在像素内，接触孔所占有的面积缩小，像素的开口率提高。此外，在该同一个接触孔在形成反射电极之下的情况下，反射电极的面积减小，透射开口率提高。
上述第一开关元件，具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述第一开关元件和上述第二开关元件的各源极，通过同一个接触孔与上述源极线电连接也可以。
如果用上述的构成，则由于源极线与第一开关元件和第二开关元件的各源极靠同一个接触孔电连接，所以构成第一开关元件和第二开关元件的一部分构件，也就是连接源极线与源极的接触孔被共用。因此，在像素内，接触孔所占有的面积缩小，像素的开口率提高。此外，在该同一个接触孔在反射电极之下形成的情况下，反射电极的面积减小，透射开口率提高。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法在对应于修正对象的上述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接；该制造方法在对应于修正对象的上述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法在对应于修正对象的上述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由上述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对上述第二开关元件的源极与上述源极线、以及上述第二开关元件的漏极与上述像素电极进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由上述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对上述第二开关元件的源极与上述源极线进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着比上述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由上述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对上述第二开关元件的漏极与上述像素电极进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
如果用上述方法，则通过在对应于修正对象的第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔，靠该第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能，正常的显示是可能的。进而，由于可以把具有不能使用的第一开关元件的显示元件修正成能够正常的显示的状态，所以还可以提高显示元件的成品率。
具体地说，在缺陷像素检测工序中，检测到第一开关元件不能使用的缺陷像素后，在该缺陷像素中，进行以下这种缺陷修正工序，用备用的第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能。
首先，在通过分别在源极线与半导体膜的源极之间的层间绝缘膜、和像素电极与半导体膜的漏极之间的层间绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过分别形成双方的接触孔，用第二开关元件的切换成为可能。
此外，在通过像素电极与半导体膜的漏极之间预先电连接，在源极线与半导体膜的源极之间的层间绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
进而，在通过源极线与半导体膜的源极之间预先电连接，在像素电极与半导体膜的漏极之间的层间绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法在对应于修正对象的上述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接；该制造方法在对应于修正对象的上述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法在对应于修正对象的上述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由上述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对上述第二开关元件的漏极与上述像素电极进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述源极线构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由上述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对上述第二开关元件的漏极与上述像素电极进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
在本发明的显示元件的制造方法中，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，上述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述像素电极构成为相对上述第二开关元件的半导体膜，隔着上述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由上述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对上述第二开关元件的漏极与上述像素电极进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
如果用上述方法，则通过在对应于修正对象的第二开关元件的栅极绝缘膜上形成接触孔，靠该第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能，正常的显示是可能的。进而，由于可以把具有不能使用的第一开关元件的显示元件修正成能够正常的显示的状态，所以还可以提高显示元件的成品率。
具体地说，在缺陷像素检测工序中，检测到第一开关元件不能使用的缺陷像素后，在该缺陷像素中，进行以下这种缺陷修正工序，用备用的第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能。
首先，在通过分别在源极线与半导体膜的源极之间的栅极绝缘膜、和像素电极与半导体膜的漏极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过分别形成双方的接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
此外，在通过像素电极与半导体膜的漏极之间预先电连接，在源极线与半导体膜的源极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过形成该接触孔，使用第二开关元件的切换成为可能。
进而，在通过源极线与半导体膜的源极之间预先电连接，在像素电极与半导体膜的漏极之间的栅极绝缘膜上形成接触孔而能够电连接地构成的情况下，通过形成该接触孔，用第二开关元件的切换成为可能。
上述第一开关元件，具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述第一开关元件和上述第二开关元件的各漏极，通过同一个接触孔与上述像素电极电连接也可以。
如果用上述方法，则由于像素电极与第一开关元件和第二开关元件的各漏极靠同一个接触孔电连接，所以构成第一开关元件和第二开关元件的一部分构件，也就是连接像素电极与漏极的接触孔被共用。因此，在像素内，接触孔所占有的面积缩小，像素的开口率提高。此外，在该同一个接触孔在反射电极之下形成的情况下，反射电极的面积减小，透射开口率提高。
上述第一开关元件，具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，上述第一开关元件和上述第二开关元件的各源极。
如果用上述方法，则由于源极线与第一开关元件和第二开关元件的各源极靠同一个接触孔电连接，所以构成第一开关元件和第二开关元件的一部分构件，也就是连接源极线与源极的接触孔被共用。因此，在像素内，接触孔所占有的面积缩小，像素的开口率提高。此外，在该同一个接触孔在反射电极之下形成的情况下，反射电极的面积减小，透射开口率提高。
发明的效果本发明的显示元件由于靠第二开关元件使源极线和像素电极间的电连接的切换成为可能的接触孔在比栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜上形成，所以就保持源极与源极线之间和漏极与像素电极之间的电气上的绝缘。由此，由于在制造过程中，源极与源极线之间和漏极与像素电极之间的短路减少，所以即使设置备用的第二开关元件，也可以抑制成品率的降低。
图1是根据本发明的第一实施方式的液晶显示装置50的剖视示意图。
图2是根据本发明的第一实施方式的有源矩阵基板20a的俯视示意图。
图3是根据本发明的第一实施方式的有源矩阵基板20a(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图2中的截面III-III。
图4是根据本发明的第一实施方式的有源矩阵基板20a(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图2中的截面IV-IV。
图5是根据本发明的第一实施方式的有源矩阵基板20a′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图3的剖视示意图。
图6是根据本发明的第一实施方式的有源矩阵基板20a′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图4的剖视示意图。
图7是根据本发明的第二实施方式的有源矩阵基板20b的俯视示意图。
图8是根据本发明的第二实施方式的有源矩阵基板20b(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图7中的截面VIII-VIII。
图9是根据本发明的第二实施方式的有源矩阵基板20b′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图8的剖视示意图。
图10是根据本发明的第3实施方式的有源矩阵基板20c的俯视示意图。
图11是根据本发明的第3实施方式的有源矩阵基板20c(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图10中的截面XI-XI。
图12是根据本发明的第3实施方式的有源矩阵基板20c(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图10中的截面XII-XII。
图13是根据本发明的第3实施方式的有源矩阵基板20c′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图11的剖视示意图。
图14是根据本发明的第3实施方式的有源矩阵基板20c′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图12的剖视示意图。
图15是根据本发明的第4实施方式的有源矩阵基板20d的俯视示意图。
图16是根据本发明的第4实施方式的有源矩阵基板20d(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图15中的截面XVI-XVI。
图17是根据本发明的第4实施方式的有源矩阵基板20d′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图16的剖视示意图。
图18是根据本发明的第5实施方式的有源矩阵基板20e的俯视示意图。
图19是根据本发明的第5实施方式的有源矩阵基板20e(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图18中的截面XIX-XIX。
图20是根据本发明的第5实施方式的有源矩阵基板20e′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图19的剖视示意图。
图21是根据本发明的第6实施方式的有源矩阵基板20f的俯视示意图。
图22是根据本发明的第6实施方式的有源矩阵基板20f(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图21中的截面XXII-XXII。
图23是根据本发明的第6实施方式的有源矩阵基板20f′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图22的剖视示意图。
图24是根据本发明的第7实施方式的有源矩阵基板20g的俯视示意图。
图25是根据本发明的第7实施方式的有源矩阵基板20g(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图24中的截面XXV-XXV。
图26是根据本发明的第7实施方式的有源矩阵基板20g′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图25的剖视示意图。
图27是根据本发明的第8实施方式的有源矩阵基板20h的俯视示意图。
图28是根据本发明的第8实施方式的有源矩阵基板20h(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图27中的截面XXVIII-XXVIII。
图29是根据本发明的第8实施方式的有源矩阵基板20h′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图28的剖视示意图。
图30是根据本发明的第9实施方式的有源矩阵基板20i的俯视示意图。
图31是根据本发明的第9实施方式的有源矩阵基板20i(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图30中的截面XXXI-XXXI。
图32是根据本发明的第9实施方式的有源矩阵基板20i′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图31的剖视示意图。
图33是现有的有源矩阵基板60的俯视示意图。
图34是现有的有源矩阵基板60的剖视示意图，对应于图35中的截面XXXIV-XXXIV。
图35是现有的有源矩阵基板60的剖视示意图，对应于图35中的截面XXXV-XXXV。
标号说明1栅极线，1a、1b、1c、1d栅极，2源极线，2a源极线引出电极，2b、2c、6c、6d、7a、7b、7c、7f、7g、7h、7i、9a、9c、19c接触孔，3辅助电容线，4半导体膜，4a沟道区域，4b源极，4c、19a、19b漏极，4d辅助电容电极，5a、5d第一TFT，5b、5c第二TFT，6a第一TFT源极引出电极，6b第二TFT源极引出电极，7、19d漏极引出电极，7d像素电极中继电极，7e漏极第一引出电极，8像素电极，9漏极第二引出电极，9b漏极中继电极，10玻璃基板，11基底覆盖膜，12栅极绝缘膜，13层间绝缘膜，14树脂层，15反射电极，16取向膜，17共用电极，18彩色滤光层，20a、20b、20c、20d、20e、20f、20g、20h、20i、60有源矩阵基板，30对置基板，40液晶层，50液晶显示装置。
具体实施例方式
下面，基于附图详细说明本发明的实施方式。在以下的实施方式中，作为显示元件的例子，说明用TFT作为开关元件的液晶显示装置。但是本发明不限定于以下的实施方式，也可以是其他构成。
第一实施方式下面，就根据本发明的第一实施方式的液晶显示装置50进行说明。
图1是液晶显示装置50的剖视示意图，图2是构成液晶显示装置50的有源矩阵基板20a的俯视示意图，图3是对应于图2中的截面III-III的有源矩阵基板20a的剖视示意图，图4是对应于图2中的截面IV-IV的有源矩阵基板20a的剖视示意图。
液晶显示装置50设置有有源矩阵基板20a、与其对置的对置基板30、以及夹持于两个基板20a和30之间设置的液晶层40。
在有源矩阵基板20a中，如图2中所示，在绝缘基板10上相互正交地配置多个栅极线1与作为信号供给部发挥功能的多个源极线2，在各栅极线1之间与栅极线1平行地延伸地配置着电容线3。而且，在各栅极线1与源极线2的各交叉部，设有第一TFT 5a和第二TFT 5b。此外，在由一对电容线3与一对源极线2所包围的显示区域中，设有构成作为第一TFT 5a和第二TFT 5b的信号接收部发挥功能的像素的像素电极8。
此外，如图3和图4中所示，有源矩阵基板20a成为在绝缘基板10上依次叠层基底覆盖膜11、栅极绝缘膜12、层间绝缘膜13和树脂层14的多层叠层结构。
在基底覆盖膜11与栅极绝缘膜12的层间，设有具有沟道区域4a、源极4b、漏极4c和辅助电容电极4d的半导体膜4。
在栅极绝缘膜12与层间绝缘膜13的层间，设有栅极线1、分别作为栅极线1的突出部的栅极1a和1b、电容线3、和源极引出电极2a。
在层间绝缘膜13与树脂层14的层间，设有通过接触孔6c连接于源极4b而作为源极线2的一部分的第一TFT源极引出电极6a、经由接触孔6d连接于源极4b的第二TFT源极引出电极6b、通过接触孔2b连接于源极线引出电极2a的源极线2，以及通过接触孔7a和接触孔7b分别连接于漏极4c的漏极引出电极7。
在树脂层14之上，设有通过接触孔7c连接于漏极引出电极7的像素电极8，在像素电极8之上，设有取向膜16。
在第一TFT 5a中，其源极引出电极6a与源极线2连接(是同一的)，并且其漏极引出电极7连接于像素电极8，通常作为开关元件驱动。
此外，在第二TFT 5b中，虽然其漏极引出电极7连接于像素电极8，但是因为其源极引出电极6b与源极线2不连接，故是通常不作为开关元件驱动的备用者。而且，源极引出电极6b具有与源极线引出电极2a重叠部分(图2和图4中的Y1)。
进而，第一TFT 5a和第二TFT 5b配置于经由栅极线1的两侧。因此，两个TFT 5a和5b位于相互隔开的位置。由此，因为形成第二TFT5b引起的对第一TFT 5a的形成的影响减小，所以即使设置备用的第二TFT 5b，成品率的降低也被抑制。进而，因为双方的TFT(5a和5b)同时成为图形异常等特性劣化的可能性降低，所以液晶显示装置成为能够修正的概率提高。
再者，第一TFT 5a(第二TFT 5b)的栅极1a和1b，分别各有两个，成为在一个TFT中有多个栅极的多栅极型。由此，谋求导通电流的降低，而且，即使构成TFT的任一晶体管部(栅极)始终产生导通状态，只要另一方的晶体管部(栅极)正常，仍然可以避免该多栅极型TFT本身的致命的特性劣化。
半导体膜4的辅助电容电极4d隔着栅极绝缘膜12与电容线3重叠，构成辅助电容。
对置基板30，如图1中所示，成为在绝缘基板10上依次叠层彩色滤光层18、上包敷层(未画出)、共用电极17和取向膜16的多层叠层结构。
在彩色滤光层18上，对应于各像素，设有绿色和蓝色当中的一种颜色的着色层，在各着色层之间作为遮光膜设有黑色矩阵。
液晶层40由具有电气光学特性的向列液晶材料来构成。
在该液晶显示装置50中，每个像素电极8构成一个像素，构成为在各像素中，在从栅极线1送出栅极信号而使第一TFT 5a成为导通状态时，从源极线2送出源极信号而经由源极4b和漏极4c把规定的电荷写入像素电极8，在像素电极8与共用电极17之间产生电位差，由此规定的电压施加于由液晶层40组成的液晶电容和辅助电容。而且，在液晶显示装置50中，根据该施加电压的大小改变液晶分子的取向状态，利用这一点调整从外部入射的光的透过率，由此显示图像。
接下来，就根据本发明的第一实施方式的液晶显示装置50的制造方法进行说明。
<有源矩阵基板制作过程>
在以下，就有源矩阵基板20a的制作过程进行说明。
首先，在玻璃基板10上的整个基板上，通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法成膜SiON膜(厚度100nm左右)而形成基底覆盖膜11。
接着，在基底覆盖膜11上的整个基板上，用乙硅烷(Si2H6)作为原料气体，通过等离子体CVD法，成膜无定形硅膜(厚度50nm左右)后，进行加热处理。进行结晶化(变成多晶硅膜)。然后，通过光刻技术(Photo Engraving Process，以下称为‘PEP技术’)进行图形形成而形成半导体膜4。
接着，在形成有半导体膜4的基底覆盖膜11的整个基板上，通过等离子体CVD法，成膜SiON膜(厚度115nm左右)而形成栅极绝缘膜12。
接着，在栅极绝缘膜12上的整个基板上，通过溅射法，依次成膜氮化钽膜(厚度50nm)和钨膜(厚度370nm)，然后通过PEP技术进行图形形成而形成栅极线1、栅极1a和1b、电容线3以及源极线引出电极2a。再者，也可以代替氮化钽膜和钨膜的叠层膜，用从钽、钨、钛、钼、铝、铜所选择的金属元素的单体材料或者以该金属元素为主要成分的合金材料或化合物材料。
接着，以栅极1a和1b为掩模，通过栅极绝缘膜在半导体膜4中掺杂磷，在对应于栅极1a和1b的部分形成沟道区域4a，在其外侧形成源极4b和漏极4c(辅助电容电极4d)，然后，进行加热处理，进行掺杂的磷的活性化处理。再者，如果作为掺杂物元素如上所述掺杂磷，则形成N沟道型的TFT，如果掺杂硼，则形成P沟道型的TFT。
接着，在形成了栅极线1、栅极1a和1b、电容线3以及源极线引出电极2a的栅极绝缘膜12上的整个基板上，通过CVD法，对氮化硅膜与氧化硅膜的叠层膜(厚度950nm左右)进行成膜而形成层间绝缘膜13。
接着，蚀刻去除栅极绝缘膜12与层间绝缘膜13的叠层膜的对应于源极4b和漏极4c的部分，和层间绝缘膜13的对应于源极线引出电极2a的部分，形成各接触孔6c、6d、7a、7b和2b。
接着，在层间绝缘膜13上的整个基板上，通过溅射法，依次成膜钛膜(厚度100nm左右)、铝膜(厚度500nm左右)和钛膜(厚度100nm左右)，然后，通过PEP技术，进行图形形成，形成源极引出电极6a和6b、源极线2以及漏极引出电极7。
这里，源极线引出电极2a的线宽为6.75μm左右，源极引出电极6b的线宽为8.75μm左右，由于两个电极2a与6b相互正交，所以具有6.75μm×8.75μm左右的重叠部分(Y1)。
接着，进行加热处理，进行半导体膜4的氢化而把其不饱和键(悬空键)终端化。
接着，在形成了源极引出电极6a和6b、源极线2以及漏极引出电极7的层间绝缘膜13上的整个基板上，以膜厚1.6μm左右涂布丙烯酸树脂等有机绝缘材料而形成树脂层14。
接着，蚀刻去除树脂层14的对应于漏极引出电极7的部分，形成接触孔7c。
接着，在树脂层14上的整个基板上，通过溅射法，以厚度100nm左右成膜ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)膜后，通过PEP技术进行图形形成而形成像素电极8。
像以上这样，可以制作构成本发明的有源矩阵基板20a。进而，然后，通过印刷法，成膜聚酰亚胺类树脂的薄膜后，通过摩擦法，在其表面上施行取向处理而形成取向膜16。
<对置基板制作过程>
下面，就对置基板30的制作过程进行说明。
首先，在玻璃基板10上的整个基板上，以厚度100nm左右对铬薄膜进行成膜后，通过PEP技术进行图形形成而形成黑色矩阵。
接着，在黑色矩阵间的各个上，以2μm左右的厚度，进行图形形成红、绿和蓝的某一个着色层而形成彩色滤光层18。
接着，在彩色滤光层上的整个基板上，以1μm左右的厚度涂布丙烯酸树脂而形成上包敷层。
接着，在上包敷层上的整个基板上，以厚度100nm左右成膜ITO膜而形成共用电极17。
接着，通过印刷法，成膜聚酰亚胺类树脂的薄膜后，通过摩擦法，在其表面上施行取向处理而形成取向膜16。
像以上这样，可以制作构成本发明的对置基板30。
<液晶显示装置制造过程>
在有源矩阵基板20a上通过印刷法，形成由热固化树脂组成的密封部后，在其取向膜侧散布球状隔离件，使对置基板30粘贴。然后，在两个基板20a和30间通过减压法注入液晶材料并封固，形成液晶层40。
像以上这样，可以制造本发明的液晶显示装置50。
在该液晶显示装置50中，其源极线2相对第二TFT 5b的半导体膜4隔着比栅极绝缘膜12(在上述的例子中，厚度115nm)更厚的层间绝缘膜13(在上述的例子中，厚度950nm)而设置，并且在层间绝缘膜13上形成接触孔以便能够与半导体膜4的源极4b实质上电连接地构成，在第一TFT 5a不能使用时，通过在层间绝缘膜13上形成接触孔，通过第二TFT 5b，源极线2和像素电极8间的电连接的切换成为可能。
因此，源极4b与源极线2之间，具体地说，源极引出电极6b与源极线引出电极2a之间的电气上的绝缘被保持，由于在液晶显示装置的制造过程中，源极4b与源极线2之间的短路的发生降低，所以即使设置备用的第二TFT 5b，也可以抑制成品率的降低。
通常，在液晶显示装置50中，像素电极8由第一TFT 5a来驱动，只要第一TFT 5a正常地动作着，像素就正常地动作，不发生显示上的问题。但是如果第一TFT 5a动作异常就不能作为开关元件使用，在检查工序中与之对应的像素作为缺陷像素表现，成了显示上的问题。
接下来，就本发明的第一实施方式的液晶显示装置50中的缺陷修正方法按照工序进行说明。
图5对应于图3的剖视示意图(缺陷修正前)，是缺陷修正后的构成液晶显示装置50的有源矩阵基板20a′的剖视示意图。此外，图6对应于图4的剖视示意图(缺陷修正前)，是缺陷修正后的构成液晶显示装置50的有源矩阵基板20a′的剖视示意图。
<缺陷像素检测工序>
下面，就缺陷像素检测工序进行说明。
例如，在栅极线1上输入偏置电压-10V、周期16.7msec、脉冲宽度50μsec的+15V的脉冲电压的栅极检查信号，并使所有的第一TFT 5a为导通状态。进而，在源极线2上输入每隔16.7msec极性就反转的±2V的电位的源极检查信号，经由各第一TFT 5a的源极4b和漏极4c把对应于±2V的电荷写入像素电极8。同时，在共用电极17上以直流输入-1V的电位的共用电极检查信号。由此，电压施加于在像素电极8与共用电极17之间所构成的液晶电容，由该像素电极8构成的像素成为点亮状态，在正常白模式(未施加电压时白显示)下，从白显示成为黑显示。
此时，具有不能使用的第一TFT 5a的像素，无法把规定的电荷写入其像素电极8，成为非点亮(辉点)。
由此，可以指定具有不能使用的第一TFT 5a的像素的位置。
此外，在源极线驱动电路、栅极线驱动电路在同一有源矩阵基板上形成的驱动器单片基板的情况下，把成为正常的显示状态之类各驱动信号(时钟、起动脉冲、图像信号等)供给到各驱动电路，与上述同样地进行非点亮(辉点)像素的指定。
<缺陷修正工序>
下面，就缺陷修正工序，按照工序进行说明。
(半导体膜切断工序)如图5中所示，从玻璃基板10侧对对应于在缺陷检测工序中检测到的缺陷像素的第一TFT 5a的半导体膜4的切断部X1及X2进行激光的照射，使半导体膜4的薄膜飞散，切断分离半导体膜4的源极4b与漏极4c，解除像素电极8与第一TFT 5a之间和源极线与第一TFT 5a之间的电连接。再者，基于激光的照射的半导体膜4的切断部位也可以是切断部X1和X2中的任何一个。
(源极连接工序)如图6中所示，从玻璃基板10侧对对应于在半导体膜切断工序中切断了半导体膜4的第一TFT 5a的第二TFT 5b的源极线引出电极2a与源极引出电极6b的重叠部分Y1照射激光。由此，两个电极2a和6b间的层间绝缘膜13在其重叠部分Y1处被破坏，并且形成两个电极2a和6b的金属薄膜被熔融，在其重叠部分形成接触孔2c。结果，第二TFT 5b的源极引出电极6b与源极线2之间经由源极线引出电极2a和接触孔2c成为导通状态而短路。
这里，就激光的照射进行说明。以下的说明是典型例，不限定于此。
～激光～激光可以举出YAG激光器，靠激光功率测定器确认激光强度后，用增益控制器(光固定衰减器)等滤光镜调整成适当的强度。
～照射位置的安排～对配线图形事前设定激光照射区域，进行该照射区域与各图形的对位，照射如上所述调整了的激光。
例如，对上述切断部X1和X2，以3μm×8μm左右的光点尺寸，对重叠部分Y1，以2.5μm×2.5μm左右的光点尺寸照射激光。
像以上这样，在液晶显示装置50中，可以修正不能使用的第一TFT 5a大致的缺陷像素。
结束了上述缺陷修正工序的液晶显示装置，在显示图像之际，在修正了缺陷的像素中，栅极信号从栅极线1送出而使第二TFT 5b成为导通状态时，源极信号从源极线2送出而通过源极4b和漏极4c，规定的电荷写入像素电极8。由此，在缺陷像素中，通过第二TFT 5b驱动而不是不能使用的第一TFT 5a，从而成为显示正常的图像。进而，由于可以把具有不能使用的第一TFT 5a的液晶显示装置修正成能够正常显示的状态，所以还可以提高液晶显示装置的成品率。
第二实施方式下面，就根据本发明的第二实施方式的液晶显示装置进行说明。再者，在以下的各实施方式中，针对与图1～图6同一部分赋予同一标号，省略其详细说明。
图7是构成液晶显示装置的有源矩阵基板20b的俯视示意图，图8是对应于图7中的截面VIII-VIII的有源矩阵基板20b的剖视示意图。再者，因为图7中的截面III-III处的有源矩阵基板20b的截面构成与图3的有源矩阵基板20a的截面构成实质上是同样的，故省略其剖视示意图。
该液晶显示装置设置有有源矩阵基板20b、与其对置的对置基板，以及夹持于这两个基板间而设置的液晶层。
如图7中所示，有源矩阵基板20b在绝缘基板10上相互正交地配置多个栅极线1与作为信号供给部发挥功能的多个源极线2，在各栅极线1之间与栅极线1平行地延伸地配置着电容线3。而且，在各栅极线1与源极线2的各交叉部，设有第一TFT 5a和第二TFT 5b。此外在由一对电容线3与一对源极线2所包围的显示区域中，设有构成作为第一TFT 5a和第二TFT 5b的信号接收部发挥功能的像素的像素电极8。
此外，有源矩阵基板20b，如图8中所示，成为在绝缘基板10上依次叠层基底覆盖膜11、栅极绝缘膜12、层间绝缘膜13和树脂层14的多层叠层结构。
由于在有源矩阵基板20b中，第一TFT 5a侧的构成与第一实施方式的有源矩阵基板20a中的第一TFT 5a侧的构成是同样的，所以以下，以第二TFT 5b的构成为中心进行说明。
在基底覆盖膜11与栅极绝缘膜12的层间，设有具有沟道层4a、源极4b、漏极4c和辅助电容电极4d的半导体膜4。
在栅极绝缘膜12与层间绝缘膜13的层间，设有栅极线1、分别作为栅极线1的突出部的栅极1b、电容线3、和漏极第二引出电极9。
在层间绝缘膜13与树脂层14的层间，设有通过接触孔6d连接于源极4b的源极引出电极6b，通过接触孔7g连接于漏极4c并且通过接触孔7f连接于漏极第二引出电极9的漏极第一引出电极7e，以及像素电极中继电极7d。
在树脂层14之上，设有通过接触孔7h连接于像素电极中继电极7d的像素电极8，在该像素电极8之上，设有取向膜16。
第一TFT 5a，与第一实施方式同样，其源极引出电极6a与源极线2连接(是同一的)，并且其漏极引出电极7(图7中的像素电极中继电极7d)连接于像素电极8，常时作为开关元件驱动。
此外，第二TFT 5b虽然其源极引出电极6b与源极线2连接(是同一的)，但是因为其漏极第二引出电极9与像素电极中继电极7d不连接，故是通常不作为开关元件驱动的备用者。而且，漏极第二引出电极9具有与像素电极中继电极7d重叠部分(图7和图8中的Y2)。
在上述第一实施方式的有源矩阵基板20a中，预先连接第二TFT5b的漏极(漏极引出电极7)侧，与此相对照，在该有源矩阵基板20b中，预先连接第二TFT 5b的源极(源极引出电极6b)侧。由此，加在源极线2上的负荷减小，可以把驱动器的能力设计得低些，可以降低液晶显示装置的消耗电力。以下，具体地说明其理由。
一般来说，加在源极线上的负荷，取决于TFT导通状态时的寄生电容。如果着眼于作为两者的不同之处的第二TFT 5b比较其寄生电容，则由于第二TFT 5b导通状态时其漏极侧的寄生电容也可以不考虑，所以在第一实施方式的有源矩阵基板20a的情况下，半导体膜4/栅极1b间的电容(例如，0.6fF)与半导体膜4/像素电极8间的电容(例如，0.1fF)、源极6a/像素电极8间的电容(例如，3fF)、以及源极线引出电极2a/源极6a间的电容(例如，2fF)的总和的1.3fF成为寄生电容，与此相对，在第二实施方式的有源矩阵基板20b的情况下，半导体膜4/栅极1b间的电容(例如，0.6fF)、和半导体膜4/像素电极8间的电容(例如，0.1fF)的总和的0.7fF成为寄生电容，其源极线2上的负荷减小。
就对置基板和液晶层而言，与第一实施方式实质上是相同的，省略其详细说明。
就根据本发明的第二实施方式的液晶显示装置的制造方法而言，只是变更第一实施方式的有源矩阵基板20a的构成叠层膜的薄膜的图形形状就可以了，省略其详细说明。
根据第二实施方式的液晶显示装置，其像素电极相对第二TFT 5b的半导体膜4隔着比栅极绝缘膜12更厚的层间绝缘膜13而设置，并且在层间绝缘膜13上形成接触孔以便与半导体膜4的漏极4c实质上能够电连接地构成，在第一TFT 5a不能使用时，通过在层间绝缘膜13上形成接触孔，靠第二TFT 5b使源极线2和像素电极8间的电连接的切换成为可能。
因此，栅极4c与像素电极8之间，具体地说，栅极第二引出电极9与像素电极中继电极7d之间的电气上的绝缘被保持，由此，由于在液晶显示装置的制造过程中，漏极4c与像素电极8之间处的短路的发生降低，所以即使设置备用的第二TFT 5b，也可以抑制成品率的降低。
接下来，就根据本发明的第二实施方式的液晶显示装置中的缺陷修正方法进行说明。
图9对应于图8的剖视示意图(缺陷修正前)，是缺陷修正后的有源矩阵基板20b′的剖视示意图。
由于就缺陷像素检测工序和缺陷修正工序中的半导体膜切断工序来说，与第一实施方式是同样的，所以省略其说明，就作为其不同之处的缺陷修正工序中的漏极连接工序，在以下进行说明。
<缺陷修正工序>
(漏极连接工序)如图9中所示，从玻璃基板10侧对对应于在半导体膜切断工序中切断了半导体膜4的第一TFT 5a的第二TFT 5b的漏极第二引出电极9与像素电极中继电极7d的重叠部分Y2照射激光。由此，两个电极9和7d间的层间绝缘膜13在其重叠部分Y2处被破坏，并且形成两个电极9和7d的金属薄膜被熔融，在该重叠部分形成接触孔9a。结果，第二TFT 5b的漏极4c与像素电极8之间，通过接触孔7g、漏极第一引出电极7e、接触孔7f、漏极第二引出电极9、接触孔9a、像素电极中继电极7d和接触孔7h而成为导通状态，并被短路。
就激光的照射而言，由于与第一实施方式是同样的，所以省略其说明。
像以上这样，就液晶显示装置而言，可以修正不能使用的第一TFT5a导致的缺陷像素。
结束了上述缺陷修正工序的液晶显示装置，与第一实施方式同样，在该修正了的像素中，在显示图像之际，栅极信号从栅极线1送出而使第二TFT 5b成为导通状态时，源极信号从源极线2送出而经由源极4b和漏极4c，规定的电荷写入像素电极8。由此，在缺陷像素中，通过第二TFT 5b驱动而不是不能使用的第一TFT 5a，成为显示正常的图像。
第3实施方式本发明的液晶显示装置，就上述第一实施方式而言，也可以为以下这种构成。
图10是构成液晶显示装置的有源矩阵基板20c的俯视示意图，图11是对应于图10中的截面XI-XI的有源矩阵基板20c的剖视示意图，图12是对应于图10中的截面XII-XII的有源矩阵基板20c的剖视示意图。
该液晶显示装置设置有有源矩阵基板20c、与其对置的对置基板、以及夹持于这两个基板间而设置的液晶层。
有源矩阵基板20c，如图11中所示，从其基底覆盖膜11到像素电极8的叠层膜的构成与第一实施方式的有源矩阵基板20a的叠层膜的构成实质上是相同的，成为在其像素电极8上反射电极15设置成覆盖第一TFT 5a和第二TFT 5b的构成。而且，取向膜16设置成覆盖像素电极8和反射电极15。
反射电极15与各像素电极8的面积的70％左右重叠，构成反射区域。而且，各像素电极8不重叠于反射电极15的剩下的30％左右的区域，构成透射区域。
就对置基板和液晶层而言，与第一实施方式是相同的，省略其详细说明。
该液晶显示装置构成为在各像素中，规定的电荷写入像素电极8和反射电极15，在像素电极8和反射电极15与共用电极17之间产生电位差，规定的电压施加于由液晶层40组成的液晶电容和辅助电容。而且，根据该施加电压的大小改变液晶分子的取向，利用这一点调整从外部入射的光的透过率，由此显示图像。这里在反射区域中靠反射电极15反射从外部经由对置基板入射的光，并且在透射区域，透射从外部经由有源矩阵基板20c入射的光，显示图像。
此外，由于反射电极15设成覆盖第一和第二TFT 5a和5b，所以作为遮住入射于第一TFT 5a和第二TFT5b的光的遮光膜起作用，此外，由于作为反射区域还有效地利用像素的有限的空间，所以可以抑制开口率的降低。
接下来，就构成本发明的液晶显示装置的有源矩阵基板20c的制作方法部分地进行说明。
首先，基于第一实施方式中所述的有源矩阵基板20a的制作方法，准备有源矩阵基板20a。
接着，在有源矩阵基板20a的像素电极8上的整个基板上，通过溅射法，成膜钼膜(厚度100nm左右)和铝膜(厚度150nm左右)后，通过PEP技术进行图形形成而形成反射电极15。
像以上这样，可以制作有源矩阵基板20c。进而，然后，通过印刷法，成膜聚酰亚胺类树脂的薄膜后，通过摩擦法，在其表面上施行取向处理而形成取向膜。
接下来，就根据本发明的第3实施方式的液晶显示装置中的缺陷修正方法进行说明。
图13对应于图11的剖视示意图(缺陷修正前)，是缺陷修正后的有源矩阵基板20c′的剖视示意图。此外，图14对应于图12的剖视示意图(缺陷修正前)，是缺陷修正后的有源矩阵基板20c′的剖视示意图。
在图13中，从玻璃基板10侧对切断部X1和X2进行激光的照射，切断分离半导体膜4的源极4b与漏极4c。
在图14中，从玻璃基板10侧对重叠部分Y3进行激光照射，在该重叠部分Y3形成接触孔2c。
由于该液晶显示装置的缺陷修正方法及其效果，与第一实施方式是同样的，所以省略其详细说明。
虽然在本实施方式中，举例表示了在一个像素中有反射区域和透射区域的半透射型的液晶显示装置，但是也可以为把一个像素中的显示区域全体作为反射区域的反射型的液晶显示装置。在该情况下，也可以把由ITO组成的像素电极8置换成由铝膜组成的反射电极15。进而，可在实施方式2的有源矩阵基板20b中追加反射电极。
第4实施方式下面，就根据本发明的第4实施方式的液晶显示装置进行说明。
图15是构成液晶显示装置的有源矩阵基板20d的俯视示意图，图16是对应于图15中的截面XVI-XVI的有源矩阵基板20d的剖视示意图。再者，因为图15中的截面III-III处的有源矩阵基板20d的截面构成与图3的有源矩阵基板20a的截面构成实质上是同样的，故省略其剖视示意图。
该液晶显示装置设置有有源矩阵基板20d、与其对置的对置基板、以及夹持于这两个基板间而设置的液晶层。
有源矩阵基板20d，如图15中所示，在绝缘基板10上相互正交地配置多个栅极线1与作为信号供给部发挥功能的多个源极线2，在各栅极线1之间与栅极线1平行地延伸地配置着电容线3。而且，在各栅极线1与源极线2的各交叉部，设有第一TFT 5a和第二TFT 5b。此外，在由一对电容线3与一对源极线2所包围的显示区域中，设有构成作为各第一TFT 5a和第二TFT 5b的信号接收部发挥功能的像素的像素电极8。
此外，有源矩阵基板20d，如图16中所示，成为在绝缘基板10上依次叠层基底覆盖膜11、栅极绝缘膜12、层间绝缘膜13和树脂层14的多层叠层结构。
由于在有源矩阵基板20d中，第一TFT 5a侧的构成与第一实施方式的有源矩阵基板20a中的第一TFT 5a侧的构成是同样的，所以以下，以第二TFT 5b的构成为中心进行说明。
在基底覆盖膜11与栅极绝缘膜12的层间，设有具有沟道层4a、源极4b、漏极4c和辅助电容电极4d的半导体膜4。
在栅极绝缘膜12与层间绝缘膜13的层间，设有栅极线1、作为栅极线1的突出部的栅极1b、电容线3、和源极线引出电极2a。
在层间绝缘膜13与树脂层14的层间，设有通过接触孔2b连接于源极线引出电极2a的源极线2，通过接触孔7b连接于漏极4c的漏极引出电极7。
在树脂层14之上，设有通过接触孔7c连接于漏极引出电极7的像素电极8，在该像素电极8之上，设有取向膜16。
第一TFT 5a，与上述第1、2和3实施方式同样，其源极引出电极6a与源极线2连接(是同一的)，并且其漏极引出电极7连接于像素电极8，通常作为开关元件驱动。
此外，第二TFT 5b，与上述第1和3实施方式同样，虽然其漏极引出电极7连接于像素电极8，但是因为其源极4b与源极线引出电极2a不连接，故是通常不作为开关元件驱动的备用者。而且，源极4b具有与源极线引出电极2a重叠部分(图15和图16中的Y4)。
这里，源极4b的线宽为7.25μm左右，源极线引出电极2a的线宽为5.5μm左右，由于两个电极4b与2a相互正交，所以重叠部分Y4成为例如7.25μm×5.5μm左右的大小。
就对置基板和液晶层而言，与第一实施方式实质上是相同的，省略其详细说明。
就根据本发明的第4实施方式的液晶显示装置的制造方法而言，只是变更构成第一实施方式的有源矩阵基板20a的叠层膜的薄膜的图形形状就可以了，省略其详细说明。
接下来，就根据本发明的第4实施方式的液晶显示装置中的缺陷修正方法进行说明。
图17对应于图16的剖视示意图(缺陷修正前)，是缺陷修正后的有源矩阵基板20d′的剖视示意图。
由于就缺陷像素检测工序和缺陷修正工序中的半导体膜切断工序来说，与第一实施方式是同样的，所以省略其说明，就作为其不同之处的缺陷修正工序中的源极连接工序，在以下进行说明。
<缺陷修正工序>
(源极连接工序)如图17中所示，从玻璃基板10侧对对应于在半导体膜切断工序中切断了半导体膜4的第一TFT 5a的第二TFT 5b的源极线引出电极2a与源极4b的重叠部分Y4(7.25μm×5.5μm左右)以4.5μm×5.75μm左右的光点尺寸照射激光。由此，两个电极2a和4b间的栅极绝缘膜12在其重叠部分Y4处被破坏，并且形成两个电极2a和4b的金属薄膜被熔融，在该重叠部分形成接触孔4e。结果，第二TFT 5b的源极4b与源极线2之间，通过接触孔4e、源极线引出电极2a和接触孔2b而成为导通状态，并被短路。
像以上这样，就液晶显示装置而言，可以修正不能使用的第一TFT5a导致的缺陷像素。
可是，在第一实施方式中所述的源极连接工序中，在为了形成接触孔而照射激光之际，存在着损伤有源矩阵基板20a中的像素电极8、液晶层40、取向膜16、共用电极17等的处于激光的照射区域附近的其他构件的危险。于是，液晶显示装置的缺陷修正的成功率降低，提高成品率变得困难。因此，还要求容易地形成接触孔并能可靠地进行缺陷修正。
在本实施方式的有源矩阵基板20d中，由于不是在层间绝缘膜上而是在栅极绝缘膜上形成接触孔，所以可以减少损伤上述其他构件的情况。这是因为在缺陷修正之际激光从有源矩阵基板20d的玻璃基板10侧照射，因为重叠部分Y4处于比第一实施方式的重叠部分Y1更靠近玻璃基板10侧，并且构成重叠部分Y4的栅极绝缘膜12(厚度115nm左右)形成得比构成重叠部分Y1的层间绝缘膜13(厚度950nm左右)要薄，故为了在重叠部分Y4处进行连接所需的激光的能量比为了在重叠部分Y1处进行连接所需的能量要少就够了。因此，损伤处于激光的照射区域附近的其他构件(像素电极8、液晶层40、取向膜16、共用电极17等)的情况减少，可以容易地形成接触孔，可以可靠地进行缺陷修正。
结束了上述缺陷修正工序的液晶显示装置，与第1、2、3实施方式同样，在该修正了的像素中，在显示图像之际，栅极信号从栅极线1送出而使第二TFT 5b成为导通状态时，源极信号从源极线2送出而经由源极4b和漏极4c，规定的电荷写入像素电极8。由此，在缺陷像素中，不是通过不能使用的第一TFT 5a而是通过第二TFT 5b驱动，由此成为显示正常的图像。
像以上说明的那样，由于在本实施方式的液晶显示装置中，用第二TFT 5b使源极线2和像素电极8间的电连接的切换成为可能的接触孔不是在层间绝缘膜上而是在栅极绝缘膜上形成，所以容易地形成接触孔成为可能，缺陷的修正变得可靠。进而，由于可以把具有不能使用的第一TFT 5a的液晶显示装置修正成能够正常显示的状态，所以还可以提高液晶显示装置的成品率。
第5实施方式下面，就根据本发明的第5实施方式的液晶显示装置进行说明。
图18是构成液晶显示装置的有源矩阵基板20e的俯视示意图，图19是对应于图18中的截面XIX-XIX的有源矩阵基板20e的剖视示意图。再者，因为图18中的截面III-III处的有源矩阵基板20e的截面构成与图3的有源矩阵基板20a的截面构成实质上是同样的，故省略其剖视示意图。
该液晶显示装置设置有有源矩阵基板20e、与其对置的对置基板、以及夹持于这两个基板间而设置的液晶层。
有源矩阵基板20e，如图18中所示，在绝缘基板10上相互正交地配置多个栅极线1与作为信号供给部发挥功能的多个源极线2，在各栅极线1之间与栅极线1平行地延伸地配置着电容线3。而且，在各栅极线1与源极线2的各交叉部，设有第一TFT 5a和第二TFT 5b。此外在由一对电容线3与一对源极线2所包围的显示区域中，设有构成作为第一TFT 5a和第二TFT 5b的信号接收部发挥功能的像素的像素电极8。
此外，有源矩阵基板20e，如图19中所示，成为在绝缘基板10上依次叠层基底覆盖膜11、栅极绝缘膜12、层间绝缘膜13和树脂层14的多层叠层结构。
由于在有源矩阵基板20e中，第一TFT 5a侧的构成，与第一实施方式的有源矩阵基板20a中的第一TFT 5a侧的构成是同样的，所以以下，以第二TFT 5b的构成为中心进行说明。
在基底覆盖膜11与栅极绝缘膜12的层间，设有具有沟道层4a、源极4b、漏极4c和辅助电容电极4d的半导体膜4。
在栅极绝缘膜12与层间绝缘膜13的层间，设有栅极线1、作为栅极线1的突出部的栅极1b、电容线3、和漏极中继电极9b。
在层间绝缘膜13与树脂层14的层间，设有通过接触孔6d连接于源极4b的源极引出电极6b，通过接触孔9c连接于漏极中继电极9b的像素电极中继电极7d。
在树脂层14之上，设有通过接触孔7c连接于像素电极中继电极7d的像素电极8，在该像素电极8之上，设有取向膜16。
第一TFT 5a，与上述第1、2、3和4实施方式同样，其源极引出电极6a与源极线2连接(是同一的)，并且其漏极引出电极7连接于像素电极8，通常作为开关元件驱动。
此外，第二TFT 5b，与上述第二实施方式同样，虽然其源极引出电极6b与源极线2连接(是同一的)，但是因为其漏极4c与漏极中继电极9b不连接，故是通常不作为开关元件驱动的备用者。而且，漏极4c具有与漏极中继电极9b重叠部分(图18和图19中的Y5)。
该有源矩阵基板20e与第二实施方式的有源矩阵基板20b同样，预先连接第二TFT 5b的源极(源极引出电极6b)侧。由此，加在源极线2上的负荷减小，可以把驱动器的能力设计得低些，可以与实施方式2同样地降低液晶显示装置的消耗电力。
就对置基板和液晶层而言，与第一实施方式实质上是相同的，省略其详细说明。
就根据本发明的第5实施方式的液晶显示装置的制造方法而言，只是变更第二实施方式的有源矩阵基板20b的构成叠层膜的薄膜的图形形状就可以了，省略其详细说明。
接下来，就根据本发明的第5实施方式的液晶显示装置中的缺陷修正方法进行说明。
图20对应于图19的剖视示意图(缺陷修正前)，是缺陷修正后的有源矩阵基板20e′的剖视示意图。
由于就缺陷像素检测工序和缺陷修正工序中的半导体膜切断工序来说，与第一实施方式是同样的，所以省略其说明，就作为其不同之处的缺陷修正工序中的漏极连接工序，在以下进行说明。
<缺陷修正工序>
(漏极连接工序)如图20中所示，从玻璃基板10侧对对应于在半导体膜切断工序中切断了半导体膜4的第一TFT 5a的第二TFT 5b的漏极4c与漏极中继电极9b的重叠部分Y5照射激光。由此，两个电极4c和9b间的栅极绝缘膜12在其重叠部分Y5处被破坏，并且形成两个电极4c和9b的金属薄膜被熔融，在该重叠部分形成接触孔4f。结果，第二TFT5b的漏极4c与像素电极8之间，通过接触孔4f、漏极中继电极9b、接触孔9c、像素电极中继电极7d和接触孔7h而成为导通状态，并被短路。
像以上这样，在液晶显示装置中，可以修正不能使用的第一TFT5a导致的缺陷像素。再者，就激光的照射而言，由于与第4实施方式是同样的，所以省略其说明。
结束了上述缺陷修正工序的液晶显示装置，与第1～4实施方式同样，在该修正了的像素中，在显示图像之际，栅极信号从栅极线1送出而使第二TFT 5b成为导通状态时，源极信号从源极线2送出而经由源极4b和漏极4c，规定的电荷写入像素电极8。由此，在缺陷像素中，不是不能使用的第一TFT 5a而是第二TFT 5b进行驱动，由此成为显示正常的图像。
像以上说明的那样，由于在本实施方式的液晶显示装置中，与第4实施方式同样，用第二TFT 5b使源极线2和像素电极8间的电连接的切换成为可能的接触孔不是在层间绝缘膜13上而是在栅极绝缘膜12上形成。因此，在第一TFT 5a不能使用时，在通过进行激光照射形成接触孔而使用第二TFT 5b的情况下，在形成接触孔之际所需的激光的能量很少就够了，损伤激光所照射的部位附近的其他构件的情况减少。此外，容易地形成接触孔成为可能，缺陷的修正变得可靠。进而，由于可以把具有不能使用的第一TFT 5a的液晶显示装置修正成能够正常显示的状态，所以还可以提高液晶显示装置的成品率。
第6实施方式本发明的液晶显示装置，就上述第4实施方式而言，也可以取为以下这种构成。
图21是构成液晶显示装置的有源矩阵基板20f的俯视示意图，图22是对应于图21中的截面XXII-XXII的有源矩阵基板20f的剖视示意图。再者，因为图21中的截面XI-XI处的有源矩阵基板20f的截面构成与图11的有源矩阵基板20c的截面构成实质上是同一的，故省略该剖视示意图。
该液晶显示装置设置有有源矩阵基板20f、与其对置的对置基板、以及夹持于这两个基板间而设置的液晶层。
有源矩阵基板20f，如图22中所示，从其基底覆盖膜11到像素电极8的叠层膜的构成与第4实施方式的有源矩阵基板20d的叠层膜的构成实质上是相同的，成为在其像素电极8上反射电极15设置成覆盖第一TFT 5a和第二TFT 5b的构成。而且，取向膜设置成覆盖像素电极8和反射电极15。
反射电极15与第4实施方式同样与各像素电极8的面积的70％左右重叠，构成反射区域。而且，各像素电极8不重叠于反射电极15的剩下的30％左右的区域，构成透射区域。
就对置基板和液晶层而言，与第一实施方式是相同的，省略其详细说明。
该液晶显示装置，与第3实施方式同样，构成为在各像素中，规定的电荷写入像素电极8和反射电极15，在像素电极8和反射电极15与共用电极17之间产生电位差，规定的电压施加于由液晶层40组成的液晶电容和辅助电容。而且，根据该施加电压的大小改变液晶分子的取向，利用这一点调整从外部入射的光的透过率，由此显示图像。这里在反射区域中靠反射电极15反射从外部经由对置基板入射的光，并且在透射区域，透射从外部经由有源矩阵基板20f入射的光，显示图像。
接下来，就构成本发明的液晶显示装置的有源矩阵基板20f的制作方法部分地进行说明。
首先，基于第4实施方式中所述的有源矩阵基板20d的制作方法，准备有源矩阵基板20d。
接着，在有源矩阵基板20d的像素电极8上的整个基板上，通过溅射法，成膜钼膜(厚度100nm左右)和铝膜(厚度150nm左右)后，通过PEP技术进行图形形成而形成反射电极15。
像以上这样，可以制作有源矩阵基板20f。进而，然后，通过印刷法，成膜聚酰亚胺类树脂的薄膜后，通过摩擦法，在其表面上施行取向处理而形成取向膜16。
接下来，就根据本发明的第6实施方式的液晶显示装置中的缺陷修正方法进行说明。
图23对应于图22的剖视示意图(缺陷修正前)，是缺陷修正后的有源矩阵基板20f′的剖视示意图。
由于就缺陷像素检测工序和缺陷修正工序中的半导体膜切断工序来说，与第一实施方式是同样的，所以省略其说明，就作为其不同之处的缺陷修正工序中的源极连接工序，在以下进行说明。
<缺陷修正工序>
(源极连接工序)如图23中所示，从玻璃基板10侧对对应于在半导体膜切断工序中切断了半导体膜4的第一TFT 5a的第二TFT 5b的源极4b与源极线引出电极2a的重叠部分Y6照射激光。由此，两个电极4b和2a间的栅极绝缘膜12在其重叠部分Y6处被破坏，并且形成两个电极4b和2a的金属薄膜被熔融，在该重叠部分Y6形成接触孔4g。结果，第二TFT 5b的源极4b与源极线2之间，通过接触孔4g、源极线引出电极2a和接触孔2b而成为导通状态，并被短路。
关于激光的照射，因与实施方式1同样，省略其说明。
像以上这样，在液晶显示装置中，可以修正不能使用的第一TFT5a导致的缺陷像素。
结束了上述缺陷修正工序的液晶显示装置，与第1～5实施方式同样，在该修正了的像素中，在显示图像之际，栅极信号从栅极线1送出而使第二TFT 5b成为导通状态时，源极信号从源极线2送出而经由源极4b和漏极4c，规定的电荷写入像素电极8。由此，在缺陷像素中，不是不能使用的第一TFT 5a而是第二TFT 5b进行驱动，由此成为显示正常的图像。
由于本实施方式中的液晶显示装置的缺陷修正方法及其效果，与第4实施方式是同样的，所以省略其详细说明。
虽然在本实施方式中，举例表示了在一个像素中有反射区域和透射区域的半透射型的液晶显示装置，但是也可以取为以一个像素中的整个作为反射区域的反射型的液晶显示装置。在该情况下，也可以把由ITO组成的像素电极8置换成由铝膜组成的反射电极15。进而，也可以在第5实施方式的有源矩阵基板20e上追加反射电极。
第7实施方式下面，就根据本发明的第7实施方式的液晶显示装置进行说明。
图24是构成液晶显示装置的有源矩阵基板20g的俯视示意图，图25是对应于图24中的截面XXV-XXV的有源矩阵基板20g的剖视示意图。再者，因为图24中的截面III-III处的有源矩阵基板20g的截面构成与图3的有源矩阵基板20a的截面构成实质上是同样的，故省略其剖视示意图。
该液晶显示装置设置有有源矩阵基板20g、与其对置的对置基板、以及夹持于这两个基板间而设置的液晶层。
有源矩阵基板20g如图24中所示，在绝缘基板10上相互正交地配置多个栅极线1与作为信号供给部发挥功能的多个源极线2，在各栅极线1之间与栅极线1平行地延伸地配置着电容线3。而且，在各栅极线1与源极线2的各交叉部，设有第一TFT 5a和第二TFT 5b。此外，在由一对电容线3与一对源极线2所包围的显示区域中，设有构成作为各第一TFT 5a和第二TFT 5c的信号接收部发挥功能的像素的像素电极8。
第一TFT 5a与上述第1～6实施方式同样，其源极引出电极6a与源极线2连接(是同一的)，并且其漏极引出电极7连接于像素电极8，通常作为开关元件驱动。
另一方面，第二TFT 5c虽然其漏极引出电极7连接于像素电极8，但是因为其源极引出电极6b与源极线2不连接，故是通常不作为开关元件驱动的备用者。
此外，第二TFT 5c与上述第1～6实施方式的第二TFT 5b的构成不同，其漏极4c连接于第一TFT 5a的半导体膜4的漏极4c。而且，栅极线1当中，重叠于半导体膜4的部分成为栅极1c，由栅极1b和1c构成多重栅极。此外源极引出电极6b具有与源极线引出电极2a重叠部分(图24和图25中的Y7)。
就对置基板和液晶层而言，与第一实施方式实质上是相同的，省略其详细说明。
就根据本发明的第7实施方式的液晶显示装置的制造方法而言，只是变更第一实施方式的有源矩阵基板20a的构成叠层膜的薄膜的图形形状就可以了，省略其详细说明。
接下来，就根据本发明的第7实施方式的液晶显示装置中的缺陷修正方法进行说明。
图26对应于图25的剖视示意图(缺陷修正前)，是缺陷修正后的有源矩阵基板20g′的剖视示意图。
在图26中，从玻璃基板10侧对重叠部分Y7进行激光照射，在该重叠部分Y7形成接触孔2d。
由于该液晶显示装置的缺陷修正方法及其效果，与第一实施方式是同样的，所以省略其详细说明。
像以上说明的那样，由于在本实施方式的液晶显示装置中，像素电极8与第一TFT 5a和第二TFT 5c的各漏极4c通过同一接触孔7a电连接，所以构成第一TFT 5a和第二TFT 5c的一部分的构件，也就是连接像素电极8与漏极4c的接触孔被共用。因此，在像素内，接触孔占有的面积减小，可以提高像素的开口率。此外，因为构成TFT的构件减少，故可以谋求制造成品率的改善。
第8实施方式下面，就根据本发明的第8实施方式的液晶显示装置进行说明。
图27是构成液晶显示装置的有源矩阵基板20h的俯视示意图，图28是对应于图27中的截面XXVIII-XXVIII的有源矩阵基板20h的剖视示意图。再者，因为图27中的截面VIII-VIII处的有源矩阵基板20h的截面构成与图8的有源矩阵基板20b的截面构成实质上是同样的，故省略其剖视示意图。
该液晶显示装置设置有有源矩阵基板20h、与其对置的对置基板、以及夹持于这两个基板间而设置的液晶层。
有源矩阵基板20h，如图27中所示，在绝缘基板10上相互正交地配置多个栅极线1与作为信号供给部发挥功能的多个源极线2，在各栅极线1之间与栅极线1平行地延伸地配置着电容线3。而且，在各栅极线1与源极线2的各交叉部，设有第一TFT 5d和第二TFT 5b。此外，在由一对电容线3与一对源极线2所包围的显示区域中，设有构成作为各第一TFT 5d和第二TFT 5b的信号接收部发挥功能的像素的像素电极8。
第一TFT 5d其源极4b通过接触孔6d连接于源极线2，并且其漏极4c通过接触孔7i、像素电极中继电极7d和接触孔7c连接于像素电极8，与第1～7实施方式同样，通常作为开关元件驱动。
此外，第一TFT 5d，与第1～7实施方式的第一TFT 5a的构成不同，其源极4b连接于第二TFT 5a的半导体膜4的源极4b。而且，栅极线1当中，重叠于半导体膜4的部分成为栅极1d，由栅极1a和1d构成多重栅极。
另一方面，第二TFT 5b，虽然其源极引出电极6b连接于源极线2(是同一的)，但是因为其漏极第二引出电极9与像素电极中继电极7d不连接，故是通常不作为开关元件驱动的备用者。而且，漏极第二引出电极9具有与像素电极中继电极7d重叠部分(图27和图8中的Y2)。
在该有源矩阵基板20h中，预先连接第二TFT 5b的源极(源极引出电极6b)侧。由此，像在第二实施方式中说明的那样加在源极线2上的负荷减小，可以把驱动器的能力设计得低些，可以降低液晶显示装置的消耗电力。
就对置基板和液晶层而言，与第一实施方式实质上是相同的，省略其详细说明。
就根据本发明的第8实施方式的液晶显示装置的制造方法而言，只是变更第一实施方式的有源矩阵基板20a的构成叠层膜的薄膜的图形形状就可以了，省略其详细说明。
接下来，就根据本发明的第8实施方式的液晶显示装置中的缺陷修正方法进行说明。
图29对应于图28的剖视示意图(缺陷修正前)，是缺陷修正后的有源矩阵基板20h′的剖视示意图。
在图29中，从玻璃基板10侧对半导体膜4的切断部X3和X4进行激光照射，切断分离半导体膜4的源极4b与漏极4c。
由于该液晶显示装置的缺陷修正方法及其效果，与第二实施方式是同样的，所以省略其详细说明。
像以上说明的那样，由于在本实施方式的液晶显示装置中，源极线2与第一TFT 5d和第二TFT 5b的各源极4b通过同一接触孔6d电连接，所以构成第一TFT 5d和第二TFT 5b的一部分的构件，也就是连接源极线2与源极4b的接触孔被共用。因此，在像素内，接触孔占有的面积减小，可以提高像素的开口率。此外，因为构成TFT的构件减少，故可以谋求制造成品率的改善。
第9实施方式本发明的液晶显示装置，就上述第7实施方式而言，也可以取为以下这种构成。
图30是构成液晶显示装置的有源矩阵基板20i的俯视示意图，图31是对应于图30中的截面XXXI-XXXI的有源矩阵基板20i的剖视示意图。再者，因为图30中的截面XI-XI处的有源矩阵基板20i的截面构成，与图11的有源矩阵基板20c的截面构成实质上是相同的，故省略其剖视示意图。
该液晶显示装置设置有有源矩阵基板20i、与其对置的对置基板、以及夹持于这两个基板间而设置的液晶层。
有源矩阵基板20i，如图31中所示，从其基底覆盖膜11到像素电极8的叠层膜的构成与第7实施方式的有源矩阵基板20g的叠层膜的构成实质上是相同的，成为在其像素电极8上反射电极15设置成覆盖第一TFT 5a和第二TFT 5c的构成。而且，取向膜设置成覆盖像素电极8和反射电极15。
反射电极15与第3和6实施方式同样与各像素电极8的面积的70％左右重叠，构成反射区域。而且，各像素电极8不重叠于反射电极15的剩下的30％左右的区域，构成透射区域。
就对置基板和液晶层而言，与第一实施方式实质上是相同的，省略其详细说明。
该液晶显示装置，与第3和6实施方式同样，构成为在各像素中，规定的电荷写入像素电极8和反射电极15，在像素电极8和反射电极15与共用电极17之间产生电位差，规定的电压施加于由液晶层40组成的液晶电容和辅助电容。而且，根据该施加电压的大小改变液晶分子的取向，利用这一点调整从外部入射的光的透过率，由此显示图像。这里，在反射区域中靠反射电极15反射从外部经由对置基板入射的光，并且在透射区域，透射从外部经由有源矩阵基板20i入射的光，显示图像。
接下来，就构成本发明的液晶显示装置的有源矩阵基板20i的制作方法部分地进行说明。
首先，基于第7实施方式中所述的有源矩阵基板20g的制作方法，准备有源矩阵基板20g。
接着，在有源矩阵基板20g的像素电极8上的整个基板上，与第3和6实施方式同样，通过溅射法，成膜钼膜(厚度100nm左右)和铝膜(厚度150nm左右)后，通过PEP技术进行图形形成而形成反射电极15。
像以上这样，可以制作有源矩阵基板20i。进而，然后，通过印刷法，成膜聚酰亚胺类树脂的薄膜后，通过摩擦法，在其表面上施行取向处理而形成取向膜。
接下来，就根据本发明的第9实施方式的液晶显示装置中的缺陷修正方法进行说明。
图32对应于图31的剖视示意图(缺陷修正前)，是缺陷修正后的有源矩阵基板20i′的剖视示意图。
在图32中，从玻璃基板10侧对重叠部分Y8进行激光的照射，在该重叠部分Y8形成接触孔2e。
由于该液晶显示装置的缺陷修正方法及其效果，与第一实施方式是同样的，所以省略其详细说明。
像以上说明的那样，由于在本实施方式的液晶显示装置中，与第7实施方式同样，像素电极8与第一TFT 5a和第二TFT 5c的各漏极4c通过同一接触孔7a电连接，所以构成第一TFT 5a和第二TFT 5c的一部分的构件，也就是连接像素电极8与漏极4c的接触孔被共用。因此，在像素内，接触孔占有的面积减小，可以提高像素的开口率。此外，反射电极15的面积减小，可以提高像素的开口率。进而，因为构成TFT的构件减少，故可以谋求制造成品率的改善。
此外，虽然在本实施方式中，举例表示了在一个像素中有反射区域和透射区域的半透射型的液晶显示装置，但是也可以取为以一个像素中的整个作为反射区域的反射型的液晶显示装置。在该情况下，也可以把由ITO组成的像素电极8置换成由铝膜组成的反射电极15。进而，也可以在第8实施方式的有源矩阵基板20h上追加反射电极。
进而，虽然在上述第7、8和9实施方式中，把共用接触孔而提高开口率的技术运用于上述第1、2和3中说明的那种构成为在层间绝缘膜上形成接触孔而驱动第二TFT的液晶显示装置，但是上述开口率提高技术也可以运用于上述第4、5和6实施方式中说明的那种构成为在栅极绝缘膜上形成接触孔而驱动第二TFT的液晶显示装置。
再者，本发明也可以应用于具有开关元件的X射线传感器、受光元件等电子元件。
工业实用性像以上说明的那样，由于本发明，即使设置备用TFT也可以抑制成品率的降低，所以就TFT配置成矩阵状的有源驱动型的液晶显示装置而言是有用的。
权利要求
1.一种电子元件，其特征在于，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述信号供给部构成为相对所述第二开关元件的半导体膜隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，所述信号接收部构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述层间绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述信号供给部和所述信号接收部间的电连接的切换。
2.一种电子元件，其特征在于，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述信号供给部构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述层间绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述信号供给部和所述信号接收部间的电连接的切换。
3.一种电子元件，其特征在于，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述信号接收部构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述层间绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述信号供给部和所述信号接收部间的电连接的切换。
4.一种电子元件，其特征在于，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述信号供给部构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，所述信号接收部构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述栅极绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述信号供给部和所述信号接收部间的电连接的切换。
5.一种电子元件，其特征在于，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述信号供给部构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述栅极绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述信号供给部和所述信号接收部间的电连接的切换。
6.一种电子元件，其特征在于，设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述信号接收部构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述栅极绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述信号供给部和所述信号接收部间的电连接的切换。
7.权利要求2或5中所述的电子元件，其特征在于，所述第一开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述第一开关元件和所述第二开关元件的各漏极通过同一个接触孔与所述信号接收部电连接。
8.权利要求3或6中所述的电子元件，其特征在于，所述第一开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述第一开关元件和所述第二开关元件的各源极通过同一个接触孔与所述信号供给部电连接。
9.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述层间绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
10.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述层间绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
11.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述层间绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
12.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述栅极绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
13.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述栅极绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
14.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述栅极绝缘膜上形成接触孔，由所述第二开关元件可进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
15.根据权利要求9至权利要求14中的任何一项中所述的显示元件，其特征在于，所述第二开关元件的所述半导体膜的源极预先与所述源极线电连接。
16.根据权利要求9至权利要求14中的任何一项中所述的显示元件，其特征在于，还设置有电连接于所述第二开关元件的栅极的栅极线，所述第一和第二开关元件配置于夹着所述栅极线的两侧。
17.根据权利要求9至权利要求14中的任何一项中所述的显示元件，其特征在于，还设置有设置成覆盖所述第一和第二开关元件地设置的反射电极。
18.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，所述第一开关元件不能使用，通过在所述层间绝缘膜上形成接触孔，使得由所述第二开关元件能够进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
19.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，所述第一开关元件不能使用，通过在所述层间绝缘膜上形成接触孔，使得由所述第二开关元件能够进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
20.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，所述第一开关元件不能使用，通过在所述层间绝缘膜上形成接触孔，使得由所述第二开关元件能够进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
21.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述栅极绝缘膜上形成接触孔，使得由所述第二开关元件能够进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
22.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述栅极绝缘膜上形成接触孔，使得由所述第二开关元件能够进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
23.一种显示元件，其特征在于，设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接，在所述第一开关元件不能使用时，通过在所述栅极绝缘膜上形成接触孔，使得由所述第二开关元件能够进行所述源极线和所述像素电极间的电连接的切换。
24.根据权利要求10、13、19和22中的任一项所述的显示元件，其特征在于，所述第一开关元件，具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述第一开关元件和所述第二开关元件的各漏极，通过同一个接触孔与所述像素电极电连接。
25.根据权利要求11、14、20和23中的任一项所述的显示元件，其特征在于，所述第一开关元件，具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述第一开关元件和所述第二开关元件的各源极，通过同一个接触孔与所述源极线电连接。
26.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法在对应于修正对象的所述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
27.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接；该制造方法在对应于修正对象的所述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
28.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法在对应于修正对象的所述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
29.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由所述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对所述第二开关元件的源极与所述源极线、以及所述第二开关元件的漏极与所述像素电极进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
30.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由所述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对所述第二开关元件的源极与所述源极线进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
31.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜而设置，并且通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由所述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对所述第二开关元件的漏极与所述像素电极进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
32.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法在对应于修正对象的所述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
33.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接；该制造方法在对应于修正对象的所述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
34.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法在对应于修正对象的所述第二开关元件的层间绝缘膜上形成接触孔。
35.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由所述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对所述第二开关元件的漏极与所述像素电极进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
36.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述源极线构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由所述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对所述第二开关元件的漏极与所述像素电极进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
37.一种显示元件的制造方法，其特征在于，该显示元件设置有源极线、像素电极、切换该源极线和该像素电极间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件，所述第二开关元件包括形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述像素电极构成为相对所述第二开关元件的半导体膜，隔着所述栅极绝缘膜和覆盖该栅极绝缘膜的层间绝缘膜而设置，并且可通过在该栅极绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接；该制造方法包括检测缺陷像素的存在的缺陷像素检测工序，以及在由所述缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素的层间绝缘膜上形成接触孔，对所述第二开关元件的漏极与所述像素电极进行电连接，并进行缺陷修正的缺陷修正工序。
38.根据权利要求27、30、33和36中的任一项所述的显示元件的制造方法，其特征在于，所述第一开关元件，具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述第一开关元件和所述第二开关元件的各漏极，通过同一个接触孔与所述像素电极电连接。
39.根据权利要求28、31、34和37中的任何一项中所述的显示元件的制造方法，其特征在于，所述第一开关元件，具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极，所述第一开关元件和所述第二开关元件的各源极，通过同一个接触孔与所述源极线电连接。
全文摘要
提供一种即使在一个像素中设置备用TFT也能抑制成品率降低的电子元件、显示元件及其制造方法(修正方法)。设置有源极线(2)、像素电极(8)、切换它们间电连接的第一TFT(5a)、以及备用的第二TFT(5b)。第二TFT(5b)包括形成有源极(4b)和漏极(4c)的半导体膜(4)、和隔着栅极绝缘膜(12)设在半导体膜(4)上的栅极(1b)，源极线(2)相对第二TFT(5b)的半导体膜(4)隔着比栅极绝缘膜(12)更厚的层间绝缘膜(13)设置，且在第一TFT(5a)不能使用时，通过在层间绝缘膜(13)上形成接触孔可与源极(4b)电连接，源极线(2)和像素电极(8)间电连接可由第二TFT(5b)进行切换。
文档编号H01L27/12GK1651998SQ200510007520
公开日2005年8月10日 申请日期2005年2月5日 优先权日2004年2月5日
发明者白木一郎, 中岛睦, 吉田圭介, 安藤晶一, 井上雅之 申请人:夏普株式会社