专利名称：半导体器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件和半导体器件的连接方法，涉及用来把半导体器件装载到构成系统的布线基板上的连接方法或用来把构成同一半导体器件的半导体元件(以下，叫做半导体芯片)装载到构成半导体器件的布线基板上的布线方法或把构成半导体器件的半导体芯片间连接起来的连接方法。
背景技术：
在布线基板等的装配基板上装载1个或多个半导体元件构成半导体器件。近些年来，人们把在半导体芯片表面上形成的突起电极(也叫做突点)等的连接电极接合到在布线基板上边形成的布线或电极上以倒扣芯片装配方法进行该接合，该方法一般的是在使半导体芯片的焊料突点与布线基板的电极进行了位置对准之后使焊料突点加热熔融后把焊料突点和电极接合固定起来。半导体芯片上边的突点的结构，是先在把半导体芯片的Al或Cu等的电极焊盘(pad)覆盖保护起来的绝缘膜上设置开口部分，在其上边形成Ti/Ni、Ti/Ni/Pd、Cr/Cu等的势垒(barrier)金属，再在其上边形成Sn/Pb焊料等的突点。在这样的倒扣芯片装配结构的半导体器件中，也常常用底部充填(under fill)树脂把半导体芯片与布线基板之间保护起来或者用成型(mould)树脂等把布线基板和半导体芯片整体都覆盖保护起来。
图11A、11B是用现有技术进行的把半导体芯片连接到布线基板上的连接方法的一个例子。图11A示出的是把半导体芯片倒扣芯片装配到布线基板上的现有的半导体器件。在半导体基板101主面上，在表面上形成硅氧化膜等的保护绝缘膜108。在已形成了保护绝缘膜108的主面上，形成有已电连接到内部的集成电路上的Al等的电极焊盘104，在该电极焊盘104上边超出该电极焊盘104地在上述保护绝缘膜108上边延伸的势垒金属层105，在该势垒金属层105上边形成的由以Pb、Sn等为主要成分的焊料构成的突点103(图11A)。另一方面，在装配半导体基板101的布线基板102上，在主面上则设置有Cu等的布线图形和布线图形的一部分电极焊盘106。在电极焊盘106上边形成有Ni/Au、Pb-Sn等的势垒金属层107。半导体基板101上边的多个突点103，被电连接到在布线基板102的表面上形成的电极焊盘106上，半导体基板101则装载到布线基板102上。突点103除去焊料以外也可以使用Au。作为焊料材料通常使用的是Pb-Sn、Sn-Ag、Sn-Ag-Cu等。装配基板102可以使用的有玻璃环氧树脂基板、陶瓷基板和柔性基板等。
在现有的半导体器件的制造方法中，把导电粒子用于连接结构的这种技术，已在例如特开平7-211721号公报中进行了讲述，采用喷入金属微粒的办法形成突点的技术，例如，在特许第3283977号说明书中进行了讲述，向连接部分内喷入金属微粒的方法，例如在特开平7-114218号公报中进行了讲述。
在制造把半导体芯片装载到布线基板上的半导体器件的情况下存在着连接时的热应力的问题。布线基板例如在使用玻璃环氧树脂基板的情况下，由于作为半导体芯片的材料的Si和作为布线基板的玻璃环氧树脂基板的热膨胀系数的差大，故当介于其间的焊料突点在从连接时的温度冷却到室温时，就会从两者施加应力，突点及其下边的绝缘膜常常被破坏(参看图11C)。该问题，特别是在为应对环境问题而去掉了Pb-Sn焊料的铅的含有而使得突点本身变硬的情况下，在突点步距微细化了的情况下，或者在半导体元件的绝缘层中使用的是低介电系数膜等的脆弱的材料时就会突现出来。为此，人们认为连接时的温度为应力小的100℃或100℃以下是理想的。
作为在低温下的连接方式，在现有技术中人们提出并开发了用低熔点金属进行连接的方法，用各向异性导电膜(ACF)进行连接的方法和在高真空中实施连接的连接方法等。但是，低熔点金属，如果期望使熔点降低到小于等于100℃来选择材料，则由于金属自身的成本提高以及会产生由氧化引起的连接可靠性、工艺困难性等而使得难于实现对一般部件进行的连接。用ACF进行连接的连接方法，是一种把含有导电性的粒子的树脂薄膜夹在半导体芯片的电极面与布线基板的布线图形面之间通过进行加热加压而得到电接合的方法，存在着高度要求装置、芯片及突点等平坦性，因而招致成本上涨以及由加压产生的半导体元件的机械性的损伤的问题。在高真空中进行的连接，除去平坦性的问题之外，还会产生表面清洁度、需要高真空装置等的技术上及成本上的问题。
此外，不论使用哪一种方式，当一旦把半导体芯片连接到布线基板上后，在连接后的老化或之后的测试中半导体芯片不合格的情况下，就难于把该半导体拆下来后再把别的半导体芯片装载到同一部位上去。为此，在装载多个半导体芯片的半导体器件中，由于老化或之后的测试通常要在装载上全部半导体芯片后进行，故在已判明存在不合格的半导体芯片的情况下，就必须把不合格品替换成别的半导体芯片。但是，如果使用现有的连接方式，由于连接后的半导体芯片的替换是困难的，故一旦出现了不合格品结果就变成为要使布线基板和半导体芯片全部报废。因此，在把多个半导体装载到布线基板上的情况下，一旦出现了1个不合格品，就必须废弃已经装载上的全部的其它的合格品的半导体芯片和布线基板，经济上的损失很大。
发明内容
作为本发明的一个形态的半导体器件，其特征在于，具备具备布线和电极的布线基板；装载到上述布线基板上边，在表面上形成了多个连接电极的半导体元件；以及存在于上述布线基板上边的电极与上述半导体元件的连接电极之间，把它们连接起来的金属微粒凝集结合的金属层。
此外，作为本发明的一个形态的半导体器件，其特征在于，具备具备布线的布线基板；装载到上述布线基板上边，在表面上形成了多个连接电极的半导体元件；以及在上述布线上边形成，具有从该布线上边开始延伸为使得直接连接到上述布线基板表面上的部分的金属微粒凝集结合的金属层，上述金属层的上述延伸部分与上述连接电极接合起来。
此外，作为本发明的一个形态的半导体器件，其特征在于，具备在表面上形成了多个连接电极的第1半导体元件；在表面上形成了多个连接电极的第2半导体元件；以及存在于上述第1半导体元件的连接电极和上述第2半导体元件的连接电极之间，并把它们连接起来的金属微粒凝集结合的金属层。
此外，作为本发明的一个形态的半导体器件的制造方法，其特征在于，具备使金属微粒分散到溶媒内以形成墨水(ink)的工序；在布线基板表面上形成的布线上边形成墨水膜的工序；把在半导体元件表面上形成的连接电极载置到上述墨水膜上边的工序；以及加热上述墨水膜使溶媒蒸发形成金属微粒凝集结合的金属层的工序，上述金属层存在于上述布线与上述连接电极之间，并把它们接合起来。
此外，作为本发明的一个形态的半导体器件的制造方法，其特征在于，具备使金属微粒分散到溶媒内以形成墨水的工序；在第1半导体元件表面上形成的连接电极上边形成墨水膜的工序；把在第2半导体元件表面上形成的连接电极载置到上述墨水膜上边的工序；以及加热上述墨水膜使溶媒蒸发形成金属微粒凝集结合的金属层的工序，上述金属层存在于上述第1半导体元件的连接电极与上述第2半导体元件的连接电极之间，并把它们接合起来。
此外，作为本发明的一个形态的半导体器件的制造方法，其特征在于，具备使金属微粒分散到溶媒内以形成墨水的工序；在布线基板表面上形成的布线上边形成墨水膜的工序；使得可以配置上述连接电极到上述墨水膜上那样地把具有连接电极的多个半导体元件装载到上述布线基板上边的工序；加热上述墨水膜使溶媒蒸发形成金属微粒凝集结合的金属层，借助于该金属层把上述布线和上述连接电极接合起来的工序；在对上述多个半导体元件进行了测试之后，从上述布线基板上边除去不合格品，然后除掉把该不合格品的连接电极和上述布线接合起来的上述金属层的工序；在除掉后的部分上重新形成墨水膜的工序；把新的半导体元件装载到上述布线基板的已除去了上述不合格品的部分上，借助于在上述部分上边重新形成的金属微粒凝集结合的金属层，把上述布线和上述新的半导体元件的连接电极接合起来的工序。
图1A和图1B是作为本发明的一个实施例的实施例1的布线基板上已装载上半导体芯片的半导体器件的概略剖面图和平面图。
图2的剖面图示出了图1A和图1B所示的半导体芯片的具体的结构。
图3是说明本发明的实施例1的形成金属层的工序的布线基板的剖面图。
图4A和图4B是说明把图1A和图1B的半导体芯片装载到布线基板上的工序的概略剖面图。
图5A和图5B是作为本发明的一个实施例的实施例1的使用图2以外的突点的半导体芯片的剖面图。
图6A和图6B是作为本发明的一个实施例的实施例2的具有已把半导体芯片的突点接合到了金属微粒凝集结合起来的金属层上边的布线基板的半导体器件的概略剖面图。
图7A～图7C是说明使用图6A和图6B的金属层的效果的半导体器件的概略平面图。
图8A和图8B是说明作为本发明的一个实施例的实施例3的把已装载到布线基板上的半导体芯片替换成合格品的工序的概略平面图。
图9A和图9B是说明本发明的实施例3的从布线基板除去不合格品的工序的概略剖面图。
图10是作为本发明的一个实施例的实施例4的具有具备球状的外部端子的布线基板的半导体器件的概略剖面图。
图11A是说明现有的半导体芯片向布线基板上连接的连接方法的半导体芯片，图11B是现有的布线基板的剖面图，图11C是已把半导体芯片倒扣芯片连接到了布线基板上的现有的半导体器件的剖面图。
具体实施例方式
以下，边参看实施例边说明本发明的实施形态。本发明是一种借助于金属微粒凝集结合起来的金属层把半导体芯片的突起电极(突点)和布线基板的布线或连接到布线上的电极焊盘间连接起来的发明，该金属层是采用借助于喷墨法把由金属微粒和溶媒构成的溶液喷到布线基板上，然后除去溶媒的办法形成的。
(实施例1)首先，边参看图1A到图5B边说明实施例1。图1A和图1B是在布线基板上已装载上半导体芯片的半导体器件的概略剖面图和平面图，图2的剖面图示出了图1A和图1B所示的半导体芯片的具体的结构，图3是说明形成金属层的工序的布线基板的剖面图。图4A和图4B是说明图1A和图1B的把半导体芯片装载到布线基板上的工序的概略剖面图，图5A和图5B是使用图2所示以外的突点的半导体芯片的剖面图。
图1A和图1B示出了已把半导体芯片(硅芯片)倒扣芯片地连接到了布线基板上的本实施例的半导体器件。如图2所示，在半导体基板1的主面上形成有硅氧化膜等的保护绝缘膜8。在已形成了保护绝缘膜8的主面上，形成有从保护绝缘膜8的开口部露出来，已电连接到内部的集成电路上的Al等的电极焊盘4，在该电极焊盘4上边超出该电极焊盘4地在上述保护绝缘膜8上边延伸，由Ti/Ni、Ti/Ni/Pd、Cr/Cu等构成的势垒金属层5，以及在该势垒金属层5上边形成的由以Pb、Sn等为主要成分的焊料突点构成的突点3。
如图3所示，在由玻璃环氧树脂基板等构成的布线基板2上，在主面上形成有布线图形，并根据需要形成阻焊剂等的保护膜13(参看图1A)及电极焊盘。从喷墨装置的喷墨头11向该布线6上边的预定的位置上喷墨水，形成墨水膜9。接下来喷墨装置11，如箭头所示地移动，在处于下一个位置上的布线6上边形成墨水膜9。墨水可采用使例如Ag或Au或者由Ag和Au等构成的微粒(平均粒径为5nm～1mm，理想的是5～10nm左右)分散到从水或甲醇、乙醇、丙醇等的酒精类等中选出来的溶媒内的办法形成。特别是平均粒径5～10nm的纳米粒子，凝集、接合力比平均粒径比之大的金属微粒强。此外，含于墨水中的金属微粒的含有量在10wt％到70wt％是合适的。在喷墨装置的墨水喷出方法中，有连续喷射型和按需喷射型，借助于静电致动机构或压电机构等使墨水喷出来。
其次，边参看图4A和图4B，边说明把半导体芯片装载到布线基板上的工序。在图4A和图4B中简略地示出了半导体芯片的结构，仅仅画出了突点，保护绝缘膜及电极焊盘则未画出来。把半导体芯片1的已形成了突点3的面配置为与已在布线6上形成了墨水膜9的布线基板2的主面相向(图4A)。接下来，在布线基板2上边把半导体芯片1载置为使得突点3接触到墨水膜9上边(图4B)。然后，在预定的温度下加热墨水膜使得含于其中的溶媒蒸发，在布线6上边形成金属微粒凝集结合起来的金属层10。如果溶媒是水，由于可以用100℃的热使溶媒蒸发，故可以用100℃左右的热把突点3和布线6接合起来。在结束了根据需要对半导体芯片进行的测试后，如图1所示，可以填充底部充填树脂等的密封树脂12，提高接合的可靠性。图1B是从上方看图1A的平面图，为了使密封树脂的形状变得清楚明显而未画出保护膜，为了使突点的位置变得清楚明显局部地画成了透视状态。
其次，边参看图5A和图5B，边说明使用与焊料突点不同的突点的半导体芯片。在本发明中使用的硅等的半导体芯片的突点，有柱状突点、电镀突点等。使用引线键合器(未画出来)在半导体芯片1的主面上形成的Al等的电极焊盘4上边拉切断金引线顶端地固定Au或Cu的柱状突点3A(图5)。使用溅射装置(未画出来)，首先在半导体芯片1的主面上形成的Al等的电极焊盘4上边形成Ti/Ni等的势垒金属5，在其上边，借助于电解电镀等选择性地形成Au或Cu的电镀突点3B(图5B)。不论哪一种突点都牢固地接合到图1A所示的金属层10上。
如上所述，由于已做成为使用于喷墨的溶液的溶媒蒸发获得导电功能，故就可以容易地在低温下进行连接。此外，在本实施例中，由于可用100℃左右的低温形成金属微粒凝集结合起来的金属层，故减少了因热膨胀率的不同而产生的应力作用到突点上而破坏半导体芯片与布线基板之间的接合结构的可能。此外，采用在真空气氛中使溶液的溶媒蒸发的办法可以实现在更低的低温下的接合。
(实施例2)其次，边参看图6A～图7C边说明实施例2。图6A和图6B是具有已把半导体芯片的突点接合到金属微粒凝集结合起来的金属层上边的布线基板的半导体器件的概略剖面图，图7A～图7C是说明使用图6A和图6B的金属层的效果的半导体器件的概略平面图。
如图6A和图7A所示，在布线基板22的主面上形成布线图形，并根据需要形成了阻焊剂等的保护膜27。构成布线图形的多条布线26，例如，由Cu等构成，从各边的边缘朝向中央延伸。以20～50微米左右的宽度形成Ag等的金属微粒凝集结合起来的金属层20。从布线26的边缘朝向半导体芯片21的中央前进地边使喷墨头(未画出来)移动边向主面上喷墨水以大体上同一宽度形成墨水膜。然后，采用从该墨水膜中除去溶媒的办法形成金属层20。把半导体芯片21的例如焊料突点23(在本图中简化了突点结构)载置到该墨水膜的上边，从墨水膜中除去溶媒形成金属层20，把突点23和布线26接合起来。
在结束了根据需要对半导体芯片21的测试后，该金属层20可用底部充填树脂或环氧树脂等的密封树脂28被覆保护起来。就是说，如图6B所示，密封树脂28被填充到半导体芯片21与布线基板22之间，连在布线基板22的主面上边的半导体芯片21未占有的区域也被该密封树脂28被覆起来。
在本实施例中，由于通过使用该金属微粒凝集结合起来的金属层，使得可以装载比原本适合于该布线基板的尺寸的半导体芯片21A(参看图7C)小的半导体芯片21，故会增加对布线基板的半导体芯片的选择的自由度。实际上，该金属层兼有布线和接合体这2个作用。
此外，在图7B中，装载上适合于该布线基板22的尺寸的半导体芯片21B。该半导体芯片21B，虽然是与图7C所示的半导体芯片21A同一尺寸，但是，却把突点23A的位置配置在芯片中央。借助于此，即便是半导体芯片的电极配置或半导体芯片尺寸发生了变更，也可以把半导体芯片连接到布线基板上而无须变更布线基板的布线。就是说，在本实施例中，即便是半导体芯片的突点位置发生了变化，由于该金属微粒凝集结合起来的金属层具有布线和接合体的2个作用，故也可以充分地应对。
(实施例3)其次，边参看图8A至图9B边说明实施例3。图8A和图8B是说明把已装载到布线基板上的半导体芯片替换成合格品的工序的概略平面图，图9A和图9B是说明从布线基板除去不合格品的工序的概略剖面图。图8A和图8B省略未画布线基板上边的布线图形、金属层和保护膜等，图9A和图9B简略地画出了半导体芯片的突点结构。
把半导体芯片(A、B、C)31装载到布线基板32上(图8A)。半导体芯片31的突点，借助于金属微粒凝集结合起来的金属层被接合到布线基板32上边的布线图形的预定的布线上。装载完毕的半导体芯片31，分别在老化工序后进行测试。测试的结果，发现了不合格品A。然后，进行从布线基板32上除去半导体芯片31之中的不合格品A的工序。
如图9A和9B所示，用喷墨法形成一端被接合到在布线基板32上边形成的布线36上，另一端在不合格品A装载位置中央方向上延伸的金属微粒凝集结合起来的金属层30。在布线基板32的布线36上边，根据需要形成阻焊剂等保护膜37。由半导体芯片31的焊料突点等构成的突点33，接合到该金属层30的另一端部分上。如果将该半导体芯片31沿箭头方向往上拉，则有时候突点33就会容易地从金属层30上剥离(图9A)。此外，已接合上不合格品A的金属层30，可以借助于在酒精等的液体中实施的超声波施加等一点不剩地除去(图9B)。如果在已接合上焊料突点的状态下进行超声波施加，则可以一并除去半导体芯片31和金属层30。这是因为由于未对布线基板32的表面进行特别的处理，金属层30与布线基板32的粘接力小的缘故。然后，在配置在具有不合格品A的区域上的布线36上，如上述同样，借助于喷墨法形成金属微粒凝集结合起来的金属层，在该金属层上边载置半导体芯片(D)31并把突点接合到其上边(图8B)。如果借助于测试确认已载置到布线基板32上的半导体芯片(D)31是合格品，则用合成树脂等的绝缘膜把布线基板32的表面被覆起来完成半导体器件的形成。
以往，都是利用焊料接合或ACF连接等把突点连接到布线上，由于接合力强，故常常会在剥离半导体芯片时破坏布线基板或布线。或者，焊料突点的一部分残留在布线上边，该所残留的焊料的量或氧化状态的控制是极其困难的。在ACF连接的情况下，归因于接合时的加压力，基板电极焊盘上会出现损伤。因此，在半导体芯片上出现了不合格品的布线基板通常就要进行报废处理。在该情况下，不仅布线基板就连半导体芯片B和C的很大的成本也都变成了浪费。但是，在本实施例中，由于金属层的接合力比焊料接合弱，可以除去不合格品而不会伤及布线基板等，故如上所述采用把不合格品替换为合格品的办法，就可以重新使用布线基板。因此，本发明是可省资源的发明。
此外，在本实施例的情况下，与实施例2同样，由于使用兼作布线的金属层，故即便是合格品D的尺寸与不合格品A的尺寸不同，也可以应对。
(实施例4)接下来，边参看图10边说明实施例4。图10是具有具备球状的外部端子的布线基板的CSP(芯片尺寸封装)型半导体器件的概略剖面图。图10省略未画布线基板上边的布线图形，简略化地画出了半导体芯片的突点结构。
在半导体芯片41的主面上，形成硅氧化膜等的保护绝缘膜(未画出来)，形成从保护绝缘膜的开口部分内露出来，已电连接到内部的集成电路上的Al等的电极焊盘(未画出来)，在该电极焊盘上边超出该电极焊盘地在上述保护绝缘膜上边延伸的，由Ti/Ni、Ti/Ni/Pd等构成的势垒金属层(未画出来)，和在该势垒金属层上边形成的由以Pb、Sn等为主要成分的焊料构成的突点43。另一方面，在由玻璃环氧树脂基板构成的布线基板42上的主面上则形成有布线图形(未画出来)。在布线基板42的背面上，安装有已与主面的布线图形电连接起来的焊料球等的外部端子44。
向该布线图形上边的已定位的预定的位置上，从喷墨头喷墨水，形成墨水膜。墨水可采用使例如Ag或Au或者由Ag和Au等构成的微粒(平均粒径为5nm～1mm，理想的是5～10nm左右)分散到从水或甲醇、乙醇、丙醇等的酒精类等中选出来的溶媒内的办法形成。墨水膜可采用在100℃左右的低温下进行热处理的办法，除去溶媒，形成金属微粒凝集结合起来的金属层40。金属层40，把布线基板42上边的布线与半导体芯片41的突点43牢固地结合起来。半导体芯片41和布线基板42，用环氧树脂等的密封树脂45被覆起来。只有外部端子44的顶端部分才从密封树脂45中露出。
如上所述，在本实施例中，由于可在100℃左右的低温下形成金属微粒凝集结合起来的金属层，故可使归因于热膨胀系数的不同而使应力作用到突点上而破坏半导体芯片与布线基板之间的接合结构的现象减少。此外，还可以减少归因于Si与玻璃环氧树脂基板的热膨胀系数的不同而产生的CSP型半导体器件的挠曲。由于该挠曲会妨碍在焊料球(外部端子)44的封装内的平坦性，故在把封装体装配到母板上时就会成为问题。例如，就如在JEDEC DESIGN STANDARD～JEDEC PUBLICATION95 DESIGNGUIDE4.5“Fine-pitch，Square Ball Grid Array Package(FBGA)”中所预定的那样，在焊料球的步距为0.5mm的情况下，要求0.12mm的平坦度，因处于封装的尺寸年年增大而焊料球间距缩小的倾向中故本发明的在低温下进行的连接具有很大的价值。
以上说明了用来实施本发明的优选实施形态，但是，本发明也包括如下的结构。也可以做成为在本发明的半导体器件中使用的布线基板上装载有多个半导体元件。还可以做成为在上述布线基板上形成有与在上述表面上形成的布线电连接，与外部的电路电连接的连接端子。在本发明的半导体器件中使用的构成金属层的微粒也可以做成为包括Ag、Cu、Au、Pd和Pt中的至少一种。也可以做成为使得上述微粒的平均粒径为5nm～1mm。也可以做成为使得上述的金属层被密封树脂被覆起来。在本发明的半导体器件的制造方法中，形成墨水膜的工序，可以使用或者是向在布线基板上形成的布线上边借助于喷墨装置喷墨水的办法形成，或者是借助于喷墨装置使得具有直接连接到布线基板表面上边的延伸部分那样地喷墨水形成。作为蒸发上述的溶媒的方法，为了使之用更低温度进行蒸发，既可以在真空中进行也可以在真空中加热。
本发明可应用于把在半导体芯片上形成的突起电极(突点)电连接到布线基板的布线图形上的那种类型的半导体器件，可以应对存储、逻辑、分立半导体或其组合电路等种种的用途。
权利要求
1.一种半导体器件，其特征在于，具备具备布线和电极的布线基板；装载到上述布线基板上，在表面上形成了多个连接电极的半导体元件；以及介于上述布线基板上的电极与上述半导体元件的连接电极之间，把它们连接起来的金属微粒凝集结合起来的金属层。
2.一种半导体器件，其特征在于，具备具备布线的布线基板；装载到上述布线基板上，在表面上形成了多个连接电极的半导体元件；以及在上述布线上边形成，具有从该布线上边开始延伸直接连接到上述布线基板表面上的部分的金属微粒凝集结合起来的金属层，上述金属层的上述延伸部分与上述连接电极接合。
3.一种半导体器件，其特征在于，具备在表面上形成了多个连接电极的第1半导体元件；在表面上形成了多个连接电极的第2半导体元件；以及介于上述第1半导体元件的连接电极和上述第2半导体元件的连接电极之间，并把它们连接的金属微粒凝集结合起来的金属层。
4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备使金属微粒分散到溶媒内形成墨水的工序；在布线基板表面上所形成的布线上形成墨水膜的工序；把在半导体元件表面上所形成的连接电极载置到上述墨水膜上的工序；以及加热上述墨水膜使溶媒蒸发形成金属微粒凝集结合起来的金属层的工序，上述金属层介于上述布线与上述连接电极之间，并把它们接合起来。
5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备使金属微粒分散到溶媒内形成墨水的工序；在第1半导体元件表面上所形成的连接电极上形成墨水膜的工序；把在第2半导体元件表面上所形成的连接电极载置到上述墨水膜上的工序；以及加热上述墨水膜使溶媒蒸发形成金属微粒凝集结合起来的金属层的工序，上述金属层介于上述第1半导体元件的连接电极与上述第2半导体元件的连接电极之间，并把它们接合起来。
6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于具备使金属微粒分散到溶媒内形成墨水的工序；在布线基板表面上所形成的布线上形成墨水膜的工序；使得上述连接电极配置到上述墨水膜上地在上述布线基板上装载具有连接电极的多个半导体元件的工序；加热上述墨水膜使溶媒蒸发形成金属微粒凝集结合起来的金属层，借助于该金属层把上述布线和上述连接电极接合起来的工序；在对上述多个半导体元件进行了测试之后，从上述布线基板上除去不合格品，然后除掉把该不合格品的连接电极和上述布线接合起来的上述金属层的工序；在除掉后的部分上重新形成墨水膜的工序；以及把新的半导体元件装载到上述布线基板的已除去了上述不合格品的部分上，借助于在上述部分上重新形成的金属微粒凝集结合起来的金属层，把上述布线和上述新的半导体元件的连接电极接合起来的工序。
全文摘要
倘采用本发明的一个形态，则可以提供一种半导体器件，该半导体器件的特征在于具备具备布线和电极的布线基板；装载到上述布线基板上边，在表面上形成了多个连接电极的半导体元件；以及介于上述布线基板上边的电极与上述半导体元件的连接电极之间，把它们连接起来的金属微粒凝集结合起来的金属层。
文档编号H01L23/48GK1667824SQ20051005369
公开日2005年9月14日 申请日期2005年3月10日 优先权日2004年3月10日
发明者青木秀夫, 杉崎吉昭, 山口直子, 田窪知章 申请人:株式会社东芝