专利名称：高密度元件制造结构的制作方法
技术领域：
本实用新型是揭露一种高密度元件制造结构，适用于至少一元件并实现高密度及高弹性的制造结构。
背景技术：
近年来政府甚至推行两兆双星重点产业的经济发展计画，其中便包含影像显示产业的培植与发展计画，以提升国家在国际上的高科技竞争优势。同时，在影像显示器上发光二极体已普遍的被应用，再者，发光二极体于次世代照明上的应用也已经越来越广泛的被使用。因此，随着发光二极体亮度的提高，以发光二极体为主的照明世代的序幕也渐渐升起，除了传统的指示器、交通灯，发光二极体逐渐地被应用于传统的照明市场。另外，借着科技制造技术的进步以及高功率发光二极体的出现，更提升了发光二极体照明的广度及应用性。
请参阅图1，是显示习知技艺的一实施例单一个发光元件制造结构示意图，其中此单一个发光元件11包含一基板111、一槽孔112、八个晶粒113以及一电性标记114，而此单一个发光元件11的基板111为陶瓷基板。一般此种元件制造结构在习知技艺中大多是在基板111上挖好一个大的槽孔112，然后于此槽孔112里设置八个晶粒113，且此晶粒113可为发光二极体。最后，在此基板111左上角标示一电性标记114以注记设置在基板111上的这些晶粒113的电性连接。此种制造结构的单一个发光元件11的陶瓷基板上有一大部份因为没有摆设发光二极体的晶粒113而造成空间的浪费。
进一步请参阅图2，是显示习知技艺的一实施例多个发光元件制造结构示意图，为达成此多个发光元件制造是利用一块较大型的基板111制成多个如图1所示的单一个发光元件11于其上。由此制造结构所得多个发光元件11会有一大部部分的陶瓷基板因为没有摆放晶粒113而造成浪费，同时也因为摆放晶粒113的不均匀亦会造成发光不均匀的情况发生。
再者，如图3所示，为习知分割多个发光元件的一实施例示意图。此实施例是以图2所示多个发光元件11为基础来进行分割，而这种分割方式只能以八个发光二极体的晶粒113为单位来进行分割，如图中分割面积31所示，厂商无法根据所需的形状进行分割而必须牵就以八个晶粒为单位的方式进行分割。如此缺乏弹性的分割方式不仅会造成额外的成本浪费，同样的也具有发光不均匀的缺点存在。
藉此，开发一种具有高密度及高弹性的制造结构以解决上述习知发光元件制造时的诸多缺点，实为消费者殷切盼望及本人努力之所在，而本人基于多年从事于制造结构的研究开发与诸多实务经验，乃思及改良的意念，穷其个人专业知识，并且经多方研究设计与专题探讨，至此提出一种高密度元件制造结构以作为上述问题一解决方式与依据。
新型内容本实用新型的目的为揭露一种高密度元件制造结构，适用于至少一元件以实现高密度及高弹性的制造结构，藉此解决因分割方式造成成本浪费的问题，并改善分割后发光元件发光不均匀的缺点。
此种高密度元件制造结构包含一基板以及至少一槽孔，而这些槽孔以一阵列排列于基板之上，其中，槽孔的尺寸与单一个元件尺寸大小相符以一一设置元件于各槽孔内。同时，更进一步地在基板上以单一个元件作为选取单位选取出一分布区域来进行分割。藉由前述使制造结构具有高密度及高弹性的优势，可以避免制造成本的浪费。
另外，此制造结构中所包含的基板可为陶瓷基板、玻璃基板或硅基板，且基板上的槽孔可以是方形槽孔、圆形槽孔或其他形状的槽孔，又，元件一般是以晶粒为主可为发光二极体或积体电路元件，藉由前述制造结构使分割发光二极体后不会产生发光不均匀的问题。
图1是显示习知技艺的一实施例单一个发光元件制造结构示意图；图2是显示习知技艺的一实施例多个发光元件制造结构示意图；图3为习知分割多个发光元件的一实施例示意图；图4乃显示依据本实用新型的一高密度元件制造结构的示意图；图5为本实用新型以单一晶粒作为选取单位分割元件的一图号说明11发光元件；111基板； 112槽孔；113晶粒； 114电性标记； 31分割面积；41方形槽孔；51元件形状；61十六个并列发光二极体；611输入端； 612输出端；71圆形槽孔。
具体实施方式
以下将参照相关图式，以说明依本实用新型较佳实施例的制造结构，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明，以利参照。
请参阅图4，其乃显示依据本实用新型的一高密度元件的制造结构示意图，其中至少包含一如前述的基板111、至少一晶粒113以及结合先进技术所获得与晶粒113尺寸相符的方形槽孔41，又，基板111可为一陶瓷基板且晶粒113可为一发光二极体。同时，这些方形槽孔41更以阵列的排列获得高密度的晶粒113，相较于习知技艺图2所示以八个晶粒113为单位仅能设置96个晶粒113，而以本实用新型的制造结构可在相同尺寸基板111上则可设置192个晶粒113甚至可得更高密度，意即可获得高亮度及高均匀度的发光元件。
更进一步，请参阅图5所示为本实用新型以单一晶粒作为选取单位以分割元件的一实施例示意图。由图4制造结构所得元件为基础进行分割，以单一晶粒113为单位依所欲获得的元件形状51进行分割，此高弹性的分割可以降低元件制造成本避免不必要的成本浪费，且具有同样的高密度、高亮度及高均匀度的效果。
接续请参阅图6所示为十六个发光二极体并列示意图，其中包含十六个并列发光二极体61具有相同输入端611以及输出端612。以本实用新型制造结构来制造此十六个并列发光二极体61请一并参阅图7所示，以圆形槽孔71来作为输入端611的电性标记，以与其他方形槽孔41产生一识别效果，如此更可提供于应用此元件时对电性上判定的方便性。
由上述的实施例说明，是结合本实用新型提供的一种制造结构适用于设置元件，可以降低元件制造成本并提供高密度及高弹性的元件制造，以提升竞争优势以满足产业日益艰困的挑战。
以上所述者，仅为本专利的较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围。凡依本专利申请范围所述的形状、构造、特征及理论等所为的变化或修饰，均应包括于本专利的权利要求范围内。
权利要求1.一种高密度元件制造结构，用于至少一元件，其特征在于，该高密度元件制造结构至少包含一基板；至少一槽孔，产生于该基板上且设置该元件于该槽孔内。
2.如权利要求1所述的高密度元件制造结构，其特征在于，该槽孔是排列成一阵列。
3.如权利要求1所述的高密度元件制造结构，其特征在于，该基板是选取一分布区域进行分割。
4.如权利要求3所述的高密度元件制造结构，其特征在于，该分布区域是由至少一选取单位所构成，该选取单位为单一个该元件。
5.如权利要求1所述的高密度元件制造结构，其特征在于，该元件为一晶粒。
6.如权利要求5所述的高密度元件制造结构，其特征在于，该晶粒为一发光二极体。
7.如权利要求1所述的高密度元件制造结构，其特征在于，该基板为一陶瓷基板。
8.如权利要求1所述的高密度元件制造结构，其特征在于，该基板为一玻璃基板。
9.如权利要求1所述的高密度元件制造结构，其特征在于，该基板为一硅基板。
10.如权利要求1所述的高密度元件制造结构，其特征在于，该槽孔的一尺寸是相对应该元件的一尺寸。
11.如权利要求10所述的高密度元件制造结构，其特征在于，该槽孔为一圆形槽孔。
12.如权利要求10所述的高密度元件制造结构，其特征在于，该槽孔为一方形槽孔。
专利摘要本实用新型揭露一种高密度元件制造结构，适用于至少一元件并实现高密度及高弹性的制造结构。此种高密度元件制造结构包含一基板以及至少一槽孔，而这些槽孔以一阵列的排列于基板之上，其中，槽孔的尺寸与单一个元件尺寸大小相符以一一设置元件于各槽孔内。同时，更进一步地在基板上以单一个元件作为选取单位选取出一分布区域来进行分割。藉由前述的制造可获得一高密度及高弹性的制造结构，也可以避免制造成本的浪费。
文档编号H01L33/00GK2840329SQ200520018648
公开日2006年11月22日 申请日期2005年5月20日 优先权日2005年5月20日
发明者苏骅, 王希维 申请人:炬鑫科技股份有限公司